CN115032518A - 一种动态阈值电压测试装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种动态阈值电压测试装置及方法，动态阈值电压测试装置，包括第一电源、第二电源、二极管、电容、第一驱动单元、第二驱动单元、测试单元、开关、MOS管和绝缘栅双极晶管，测试单元用于检测MOSFET器件的阈值电压，第一驱动单元用于控制所述MOS管导通或截止，第二驱动单元用于控制绝缘栅双极晶管导通或截止；在同一时间，第一脉冲驱动信号或第二脉冲驱动信号为高电平，在第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及之后的预设时间内，第二脉冲驱动信号均为高电平，可以进行氮化镓器件的动态阈值电压测试，并对动态阈值电压的变化进行测量，确认了氮化镓器件的阈值电压的不稳定性，从而大大降低测试成本。

Description

一种动态阈值电压测试装置及方法

技术领域

本发明涉及测试领域，特别是涉及一种动态阈值电压测试装置及方法。

背景技术

随着科学与技术的发展与进步，以及5G商用的出现，第三代半导体材料GaN（氮化镓）的电子器件（简称氮化镓器件）开始进入市场。目前市面上的氮化镓器件的相关测试当中，与Vth（阈值电压）测试相关的只有静态Vth测试。由于氮化镓器件制作工艺及材料等因素，在氮化镓器件的沟道区域与漏极区域之间施加高压时会产生热载流子，因热载流子的影响，使静态Vth会发生变化，而目前的静态Vth测试无法应用于此，且目前还没有装置可以进行动态阈值电压（DVth）的相关测试。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种动态阈值电压测试装置及方法，可以解决现有技术中无法测试氮化镓器件的动态阈值的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种动态阈值电压测试装置，用于对氮化镓器件进行动态阈值电压测试，所述氮化镓器件为MOSFET器件，包括第一电源、第二电源、二极管、电容、第一驱动单元、第二驱动单元、测试单元、开关、MOS管和绝缘栅双极晶管，

所述第一电源连接所述二极管的正极，所述二极管的负极同时连接所述MOS管的源极、所述MOSFET器件的漏极、所述绝缘栅双极晶管的集电极和所述测试单元的输入端；所述MOS管的栅极连接所述第一驱动单元，所述MOS管的漏极同时连接所述电容的一端以及所述开关的一端，所述开关的另一端连接所述第二电源的正极，所述第二电源的负极、所述电容的另一端、所述测试单元的输出端以及所述MOSFET器件的源极均接地，所述MOSFET器件的栅极连接所述绝缘栅双极晶管的发射极，所述绝缘栅双极晶管的门极连接所述第二驱动单元；

其中，所述测试单元用于检测所述MOSFET器件的阈值电压，所述第一驱动单元用于提供第一脉冲驱动信号，并通过所述第一脉冲驱动信号来控制所述MOS管导通或截止，所述第二驱动单元用于提供第二脉冲驱动信号，并通过所述第二脉冲驱动信号来控制所述绝缘栅双极晶管导通或截止；在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或所述第二脉冲驱动信号为高电平，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平。

可选的，所述第一电源包括电压源和可调恒流源，所述电压源连接所述可调恒流源的输入端，所述可调恒流源的输出端连接所述二极管的正极。

进一步的，所述可调恒流源为0~10A可调恒流源。

可选的，所述第二电源用于向所述MOSFET器件的漏极提供高于1000V的电压。

另一方面，本发明提供一种动态阈值电压测试的方法，采用所述的动态阈值电压测试装置，包括以下步骤：

步骤S1：第一驱动单元提供第一脉冲驱动信号，第二驱动单元提供第二脉冲驱动信号，在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或所述第二脉冲驱动信号为高电平，且在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平；

步骤S2：在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，测试单元检测MOSFET器件的前一个阈值电压，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述测试单元检测所述MOSFET器件的后一个阈值电压；以及

步骤S3：根据所有所述前一个阈值电压和后一个阈值电压，获得所述MOSFET器件的阈值电压的变化情况。

可选的，所述第一脉冲驱动信号包括至少一个高电平，所述第二脉冲驱动信号包括至少两个高电平，且所述第二脉冲驱动信号的高电平数量是所述第一脉冲驱动信号的高电平数量的两倍。

可选的，步骤S2具体包括：

在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述第二脉冲驱动信号为高电平，开关闭合，MOS管截止，绝缘栅双极晶管导通，所述测试单元检测所述 MOSFET器件的前一个阈值电压；

在所述第一脉冲驱动信号为高电平时，所述第二脉冲驱动信号为低电平，所述开关闭合，所述MOS管导通，所述绝缘栅双极晶管截止，第二电源在所述MOSFET器件的漏极施加高压，所述高压为取值高于1000V的电压；以及

在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述第二脉冲驱动信号为高电平，所述开关闭合，所述MOS管截止，所述绝缘栅双极晶管导通，所述测试单元检测所述MOSFET器件的后一个阈值电压。

进一步的，当所述第一脉冲驱动信号包括一个高电平时，获得一个阈值电压组；以及

当所述第一脉冲驱动信号包括N个高电平时，获得N个阈值电压组；

其中，每个所述阈值电压组包括一个前一个阈值电压和一个后一个阈值电压，N≥2，且为正整数。

进一步的，当仅获得一个所述阈值电压组时，步骤S3包括：

对一个所述阈值电压组中的所述前一个阈值电压和所述后一个阈值电压进行比较，以获得一个比较值，所述比较值为：

ΔVth=Vth-B/Vth-F；

其中，ΔVth为比较值，Vth-B为后一个阈值电压，Vth-F前一个阈值电压。

进一步的，当获得N个所述阈值电压组时，步骤S3包括：

对每个所述阈值电压组中的所述前一个阈值电压和所述后一个阈值电压进行比较，以获得N个所述比较值；

根据所有所述比较值获得所述MOSFET器件的阈值电压变化率曲线。

进一步的，当获得N个所述阈值电压组时，步骤S3包括：

根据所有所述阈值电压组，获得所有所述前一个阈值电压形成的前一个阈值电压变化曲线，以及所有所述后一个阈值电压形成的后一个阈值电压变化曲线。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明提供一种动态阈值电压测试装置及方法，动态阈值电压测试装置，用于对氮化镓器件进行动态阈值电压测试，所述氮化镓器件为MOSFET器件，包括第一电源、第二电源、二极管、电容、第一驱动单元、第二驱动单元、测试单元、开关、MOS管和绝缘栅双极晶管，所述第一电源连接所述二极管的正极，所述二极管的负极同时连接所述MOS管的源极、所述MOSFET器件的漏极、所述绝缘栅双极晶管的集电极和所述测试单元的输入端；所述MOS管的栅极连接所述第一驱动单元，所述MOS管的漏极同时连接所述电容的一端以及所述开关的一端，所述开关的另一端连接所述第二电源的正极，所述第二电源的负极、所述电容的另一端、所述测试单元的输出端以及所述MOSFET器件的源极均接地，所述MOSFET器件的栅极连接所述绝缘栅双极晶管的发射极，所述绝缘栅双极晶管的门极连接所述第二驱动单元；其中，所述测试单元用于检测所述MOSFET器件的阈值电压，所述第一驱动单元用于提供第一脉冲驱动信号，并通过所述第一脉冲驱动信号来控制所述MOS管导通或截止，所述第二驱动单元用于提供第二脉冲驱动信号，并通过所述第二脉冲驱动信号来控制所述绝缘栅双极晶管导通或截止；在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或所述第二脉冲驱动信号为高电平，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平。本发明的动态阈值电压测试装置可以进行氮化镓器件的动态阈值电压测试，并对氮化镓器件的动态阈值电压的变化进行测量，确认了氮化镓器件的阈值电压的不稳定性，从而可以大大降低氮化镓器件的测试成本，为芯片供应商提供了多样的测试选择，为其普及应用铺平道路。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的动态阈值电压测试装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的第一驱动单元提供单脉冲驱动信号的时序图；

图3为本发明一实施例提供的第一驱动单元提供多脉冲驱动信号的时序图。

附图标记说明：

10-第一驱动单元；20-第二驱动单元；30-测试单元；40-MOSFET器件。

具体实施方式

以下将对本发明的一种动态阈值电压测试装置及方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例提供的动态阈值电压测试装置的结构示意图。如图1所示，本实施例提供一种动态阈值电压测试装置，所述动态阈值电压测试装置根据JEDEC标准设计，并完全符合JET173规范2019。所述动态阈值电压测试装置用于对氮化镓器件进行动态阈值电压测试。其中，所述氮化镓器件例如是MOSFET器件40。

所述动态阈值电压测试装置包括第一电源VCC、第二电源DC、二极管D、电容C、第一驱动单元10、第二驱动单元20、测试单元30、开关K1、MOS管Q和绝缘栅双极晶管G1，其中，所述测试单元30用于检测所述MOSFET器件40的阈值电压，且所述测试单元30具有输入端和输出端。所述第一驱动单元10用于第一脉冲驱动信号，所述第二驱动单元20用于提供第二脉冲驱动信号，且在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或第二脉冲驱动信号为高电平，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平。

所述第一电源VCC连接所述二极管D的正极，所述二极管D的负极同时连接所述MOS管Q的源极、所述MOSFET器件40的漏极、所述绝缘栅双极晶管G1的集电极和所述测试单元30的输入端；所述MOS管Q的栅极连接所述第一驱动单元10，并通过所述第一驱动单元10提供的第一脉冲驱动信号来控制所述MOS管Q导通或截止，所述MOS管Q的漏极同时连接所述电容C的一端以及所述开关K1的一端，所述开关的另一端连接所述第二电源DC的正极，所述第二电源DC的负极、所述电容C的另一端、所述测试单元30的输出端以及所述MOSFET器件40的源极均接地GND，所述MOSFET器件40的栅极连接所述绝缘栅双极晶管G1的发射极，所述绝缘栅双极晶管G1的门极连接第二驱动单元20，并通过所述第二驱动单元20向提供第二脉冲驱动信号来控制所述绝缘栅双极晶管G1导通或截止。

其中，所述第一电源VCC包括电压源和可调恒流源，所述电压源连接所述可调恒流源的输入端，所述可调恒流源的输出端连接所述二极管D的正极。所述可调恒流源可以为可调精密恒流源，具体为0~10A可调恒流源。所述第二电源DC例如是高压电源，其用于向所述MOSFET器件40的漏极提供高压，在本实施例中所述第二电源DC可以提供高于1000V的电压，同时所述第二电源DC还为精密电源。所述二极管D可以为高压快速恢复二极管，所述第一电源VCC通过所述二极管D向所述绝缘栅双极晶管G1以及MOSFET器件40提供电源，所述二极管D还用于阻断第二电源DC的高压进入所述第一电源VCC的可调恒流源。

所述动态阈值电压测试装置中，在开关K1闭合的前提下，所述绝缘栅双极晶管G1和MOS管Q在同一时间只有一个是导通的，也就是说，在同一时间，所述第一驱动单元10提供的第一脉冲驱动信号为高电平，或者，所述第二驱动单元20提供第二脉冲驱动信号为高电平。

当所述第二驱动单元20提供的第二脉冲驱动信号为高电平时，所述第一驱动单元10提供的第一脉冲驱动信号为低电平，此时，所述开关K1闭合，所述MOS管Q截止，所述绝缘栅双极晶管G1导通，所述MOSFET器件40的漏极和栅极短接，所述第一电源VCC和所述二极管D参与电路工作，所述测试单元30检测所述MOSFET器件40的阈值电压。

当所述第一驱动单元10提供的第一脉冲驱动信号为高电平时，所述第二驱动单元20提供的第二脉冲驱动信号则为低电平，此时，所述开关K1闭合，所述MOS管Q导通，所述绝缘栅双极晶管G1截止，所述第二电源DC提供高压，所述高压施加到所述MOSFET器件40的漏极，由于此时所述第二驱动单元20没有向MOSFET器件40的栅极提供电压，使得MOSFET器件40的源极和漏极之间的电压取值接近第二电源DC提供的高压，此时，所述MOSFET器件40的沟道区域与漏极之间施加高压并产生了热载流子，所述MOSFET器件40的沟道区域与漏极之间在结束高压后会出现阈值电压变化。

为此，本实施例还提供一种动态阈值电压测试方法，包括以下步骤：

步骤S1：第一驱动单元提供第一脉冲驱动信号，第二驱动单元提供第二脉冲驱动信号，在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或第二脉冲驱动信号为高电平，且在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平；

步骤S2：在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，测试单元检测MOSFET器件的前一个阈值电压，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述测试单元检测所述MOSFET器件的后一个阈值电压；以及

步骤S3：根据所有所述前一个阈值电压和后一个阈值电压，获得所述MOSFET器件的阈值电压的变化情况。

以下结合图2-3对本实施例提供的动态阈值电压测试方法进行详细说明。

图2为本实施例提供的第一驱动单元提供单脉冲驱动信号的时序图。图3为本实施例提供的第一驱动单元提供多脉冲驱动信号的时序图。如图2和3所示，首先执行步骤S1，第一驱动单元10提供第一脉冲驱动信号，第二驱动单元20提供第二脉冲驱动信号，在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或第二脉冲驱动信号为高电平，且在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平。

其中，所述第一脉冲驱动信号包括至少一个高电平，所述第二脉冲驱动信号包括至少两个高电平，且所述第二脉冲驱动信号的高电平数量是所述第一脉冲驱动信号中的高电平数量的两倍，使得所述第一脉冲驱动信号的每个高电平开始之前以及结束之后均有一个所述第二脉冲驱动信号的高电平。

接着执行步骤S2，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，测试单元30检测MOSFET器件40的前一个阈值电压，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述测试单元30检测所述MOSFET器件40的后一个阈值电压。

本步骤具体包括：

首先，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述第二脉冲驱动信号为高电平，同时，所述开关K1闭合，此时，所述MOS管Q截止，所述绝缘栅双极晶管G1导通，所述MOSFET器件40的漏极和栅极短接，所述第一电源VCC和二极管D参与电路工作，所述MOSFET器件40的漏极和栅极间电压VDS从0先逐渐增大，再保持不变。所述测试单元30检测所述 MOSFET器件40的前一个阈值电压。

接着，在所述第一脉冲驱动信号为高电平时，所述第二脉冲驱动信号为低电平，同时，所述开关K1闭合，此时，所述MOS管Q导通，所述绝缘栅双极晶管G1截止，所述第二电源DC在所述MOSFET器件40的漏极施加高压，此时为所述MOSFET器件40的漏极和栅极间电压VDS的应力时间，由于此时的所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述MOSFET器件40的栅极没有电压，使得所述MOSFET器件40的源极和漏极之间的电压取值接近所述第二电源DC提供的高压，在此过程中，所述MOSFET器件40的漏极和栅极间电压VDS从所述第一脉冲驱动信号为低电平且所述第二脉冲驱动信号为高电平时的电压取值先逐渐增大，再保持不变，且所述MOSFET器件40的沟道与漏极之间由于高压产生了热载流子，其影响了后一个阈值电压的取值。

接着，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述第二脉冲驱动信号为高电平，同时，所述开关K1闭合，此时，所述MOS管Q截止，所述绝缘栅双极晶管G1导通，所述MOSFET器件40的漏极和栅极短接，所述第一电源VCC和二极管D参与电路工作，所述MOSFET器件40的漏极和栅极间电压VDS从第一脉冲驱动信号为高电平且所述第二脉冲驱动信号为低电平时的电压取值先逐渐减小，再保持不变，并在所述第二脉冲驱动信号由高电平变为低电平时逐渐减小至0。所述测试单元30检测所述MOSFET器件40的后一个阈值电压。

在本步骤中，如图2所示，当所述第一脉冲驱动信号包括一个高电平时，本步骤可以获得一个阈值电压组（即一个前一个阈值电压和一个后一个阈值电压）。如图3所示，当所述第一脉冲驱动信号包括至少两个高电平，即所述第一脉冲驱动信号包括N个高电平，其中，N≥2，且为正整数时，本步骤可以获得N个阈值电压组（即N个前一个阈值电压和N个后一个阈值电压）。

接着执行步骤S3，根据所有所述前一个阈值电压和后一个阈值电压，获得所述MOSFET器件40的阈值电压的变化情况。

在本步骤中，当所述第一脉冲驱动信号仅包括一个高电平时，本步骤可以获得一个阈值电压组，此时，对一个所述阈值电压组中的所述前一个阈值电压和所述后一个阈值电压进行比较，可以获得一个比较值。

所述比较值为：ΔVth=Vth-B/Vth-F；----（1）

其中，ΔVth为比较值，Vth-B为后一个阈值电压，Vth-F前一个阈值电压。

所述比较值为第一脉冲驱动信号为高电平前后的所述MOSFET器件40的阈值电压变化率。

当所述第一脉冲驱动信号包括至少两个高电平，即所述第一脉冲驱动信号包括N个高电平，其中，N≥2，且为正整数时，本步骤可以获得N个阈值电压组，此时，可以先对每个所述阈值电压组中的所述前一个阈值电压和所述后一个阈值电压进行比较，以获得N个所述比较值，所述每个比较值满足上述公式（1）；再根据所有所述比较值获得所述MOSFET器件的阈值电压变化率曲线；或者，可以直接根据所有所述阈值电压组，获得述MOSFET器件的阈值电压变化曲线（例如所有所述前一个阈值电压形成的阈值电压变化曲线和所有所述后一个阈值电压形成的阈值电压变化曲线。

综上所述，本发明提供一种动态阈值电压测试装置及方法，在目前的氮化镓器件测试上，动态阈值电压测试装置可以进行氮化镓器件的动态阈值电压测试，并对氮化镓器件的动态阈值电压的变化进行测量，确认了氮化镓器件的阈值电压的不稳定性，从而可以大大降低氮化镓器件的测试成本，为芯片供应商提供了多样的测试选择，为其普及应用铺平道路。

此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语 “第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种动态阈值电压测试装置，用于对氮化镓器件进行动态阈值电压测试，所述氮化镓器件为MOSFET器件，其特征在于，包括第一电源、第二电源、二极管、电容、第一驱动单元、第二驱动单元、测试单元、开关、MOS管和绝缘栅双极晶管，

所述第一电源连接所述二极管的正极，所述二极管的负极同时连接所述MOS管的源极、所述MOSFET器件的漏极、所述绝缘栅双极晶管的集电极和所述测试单元的输入端；所述MOS管的栅极连接所述第一驱动单元，所述MOS管的漏极同时连接所述电容的一端以及所述开关的一端，所述开关的另一端连接所述第二电源的正极，所述第二电源的负极、所述电容的另一端、所述测试单元的输出端以及所述MOSFET器件的源极均接地，所述MOSFET器件的栅极连接所述绝缘栅双极晶管的发射极，所述绝缘栅双极晶管的门极连接所述第二驱动单元；

其中，所述测试单元用于检测所述MOSFET器件的阈值电压，所述第一驱动单元用于提供第一脉冲驱动信号，并通过所述第一脉冲驱动信号来控制所述MOS管导通或截止，所述第二驱动单元用于提供第二脉冲驱动信号，并通过所述第二脉冲驱动信号来控制所述绝缘栅双极晶管导通或截止；在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或所述第二脉冲驱动信号为高电平，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平。

2.如权利要求1所述的动态阈值电压测试装置，其特征在于，所述第一电源包括电压源和可调恒流源，所述电压源连接所述可调恒流源的输入端，所述可调恒流源的输出端连接所述二极管的正极。

3.如权利要求2所述的动态阈值电压测试装置，其特征在于，所述可调恒流源为0~10A可调恒流源。

4.一种动态阈值电压测试的方法，采用如权利要求1~3中任一项所述的动态阈值电压测试装置，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：第一驱动单元提供第一脉冲驱动信号，第二驱动单元提供第二脉冲驱动信号，在同一时间，所述第一脉冲驱动信号或所述第二脉冲驱动信号为高电平，且在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内以及所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第二脉冲驱动信号均为高电平；

步骤S2：在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，测试单元检测MOSFET器件的前一个阈值电压，在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述测试单元检测所述MOSFET器件的后一个阈值电压；以及

步骤S3：根据所有所述前一个阈值电压和后一个阈值电压，获得所述MOSFET器件的阈值电压的变化情况。

5.如权利要求4所述的动态阈值电压测试的方法，其特征在于，所述第一脉冲驱动信号包括至少一个高电平，所述第二脉冲驱动信号包括至少两个高电平，且所述第二脉冲驱动信号的高电平数量是所述第一脉冲驱动信号的高电平数量的两倍。

6.如权利要求4所述的动态阈值电压测试的方法，其特征在于，步骤S2具体包括：

在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之前的预设时间内，所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述第二脉冲驱动信号为高电平，开关闭合，MOS管截止，绝缘栅双极晶管导通，所述测试单元检测所述 MOSFET器件的前一个阈值电压；

在所述第一脉冲驱动信号为高电平时，所述第二脉冲驱动信号为低电平，所述开关闭合，所述MOS管导通，所述绝缘栅双极晶管截止，第二电源在所述MOSFET器件的漏极施加高压，所述高压为取值高于1000V的电压；以及

在所述第一脉冲驱动信号的每个高电平之后的预设时间内，所述第一脉冲驱动信号为低电平，所述第二脉冲驱动信号为高电平，所述开关闭合，所述MOS管截止，所述绝缘栅双极晶管导通，所述测试单元检测所述MOSFET器件的后一个阈值电压。

7.如权利要求6所述的动态阈值电压测试的方法，其特征在于，

当所述第一脉冲驱动信号包括一个高电平时，获得一个阈值电压组；以及

当所述第一脉冲驱动信号包括N个高电平时，获得N个阈值电压组；

其中，每个所述阈值电压组包括一个前一个阈值电压和一个后一个阈值电压，N≥2，且为正整数。

8.如权利要求7所述的动态阈值电压测试的方法，其特征在于，当仅获得一个所述阈值电压组时，步骤S3包括：

对一个所述阈值电压组中的所述前一个阈值电压和所述后一个阈值电压进行比较，以获得一个比较值，所述比较值为：

ΔVth=Vth-B/Vth-F；

其中，ΔVth为比较值，Vth-B为后一个阈值电压，Vth-F前一个阈值电压。

9.如权利要求8所述的动态阈值电压测试的方法，其特征在于，当获得N个所述阈值电压组时，步骤S3包括：

对每个所述阈值电压组中的所述前一个阈值电压和所述后一个阈值电压进行比较，以获得N个所述比较值；

根据所有所述比较值获得所述MOSFET器件的阈值电压变化率曲线。

10.如权利要求7所述的动态阈值电压测试的方法，其特征在于，当获得N个所述阈值电压组时，步骤S3包括：

根据所有所述阈值电压组，获得所有所述前一个阈值电压形成的前一个阈值电压变化曲线，以及所有所述后一个阈值电压形成的后一个阈值电压变化曲线。

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