CN115023058B - 一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，包括：在聚酰亚胺覆铜材料上形成高精度电路；在高精度电路上化学镀金；在硅片上旋涂葡聚糖，擦去边缘的葡聚糖后固化；在旋糖后硅片上旋涂未固化的液态基底材料；将高精度电路一侧与未固化的液态基底材料完全接触并排出气泡，再高温固化；将固化后的基底材料边缘去除，浸泡在去离子水中使葡聚糖层溶解，进而使硅片与带有高精度电路的基底材料分离；将带有高精度电路的基底材料放入碱性溶液中，进行加热反应至聚酰亚胺PI被完全溶解；将除去PI层的带有高精度电路的基底材料加热烘干固定电路形态，清洗后再行烘干。本发明可以提高高精度电路在制作过程中的成功率和表面洁净度，且操作简单。

Description

一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法
技术领域
本发明涉及高精度电路转移技术领域，特别是涉及一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法。
背景技术
高精度电路是目前可穿戴设备和植入式电子器件当中所必须的一种高鲁棒性电路。为满足使用过程中对器件的透明度、柔性可拉伸、超薄等特点的需求，开发一种将高精度电路转移至柔性可拉伸透明基底上的、操作简单、污染少、可以保证材料表面清洁且成功率高的转移方法显得尤为重要。
目前已有的高精度电路成型方法包括电子束蒸镀、干法刻蚀、3D打印、丝网印刷、激光光刻等。电子束蒸镀成型电路成本较高、精度低、鲁棒性差、镀膜成功率低且镀膜质量易受影响；干法刻蚀仅适用于纳米级厚度刻蚀，成本高且刻蚀时间长；3D打印成型电路对材料要求高，打印基底需绝对平整，墨水直写3D打印的电路宽度与喷头直径有直接关系，不可连续调整；丝网印刷成型电路通常采用导电银浆作为印刷材料，电路成型成功率低、精度有限、鲁棒性差且厚度不易控制；激光光刻电路成型方法对激光光刻机精度要求严格，在雕刻过程中光刻机对转角的分辨率有限，因此对于多弯折复杂电路的雕刻仍存在很大问题。而化学刻蚀或激光光刻成型电路具有良好的额表面均匀性，该方法成本低、可靠性高、成型速率高、产能高且具有优越的蚀刻选择比，在高精度电路成型过程中极具优越性，为批量化生产柔性器件打下了良好的基础。
目前的金属电路转移方法主要有介质辅助转移、粘贴转移等。牺牲层辅助转移通常借助易溶于水的PVA(聚乙烯醇)、水溶性糖或硬度可调的丝素蛋白等作为转移介质，通过黏附撕扯等方式将金属电路转移至牺牲层，而后与目标基底紧贴后除去牺牲层进而完成电路转移，但这种方法存在成功率低且极易破坏电路形状等问题，并且在除去牺牲底层时也会影响电路精度甚至导致既定功能受损。粘贴转移是利用胶及胶状物的黏性将高精度金属电路转移到有粘性的衬底上，但这种方式通常存在转移过程中形态改变和转移不完全的问题，而且还会在基底上引入胶状杂质，破坏电路结构也不满足器件生物相容性的要求。因此寻找一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法尤为重要。
发明内容
为了弥补上述背景技术的不足，本发明提出一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，以解决高精度电路在制作过程中成功率和表面洁净度低的问题。
本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决：
本发明公开了一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，包括以下步骤：
S1、在聚酰亚胺覆铜材料上形成高精度电路；
S2、在所述高精度电路上化学镀金，防止电路氧化；
S3、在硅片上旋涂葡聚糖，擦去边缘的葡聚糖后固化；
S4、在旋糖后硅片上旋涂未固化的液态基底材料；
S5、将所述高精度电路一侧与所述未固化的液态基底材料完全接触并排出气泡，后将其高温固化；
S6、将固化后的带有所述旋糖后硅片和高精度电路的基底材料边缘去除，浸泡在去离子水中使葡聚糖层溶解，进而使硅片与带有高精度电路的基底材料分离；
S7、将所述带有高精度电路的基底材料放入碱性溶液中，进行加热反应至聚酰亚胺PI被完全溶解；
S8、将除去PI层的带有高精度电路的基底材料加热烘干固定电路形态，清洗后再行烘干。
在一些实施例中，步骤S1中，所述高精度电路的成型方法为化学刻蚀或激光光刻。
在一些实施例中，步骤S1中，所述聚酰亚胺覆铜材料的厚度小于10μm，所述高精度电路的线宽最小为5μm。
在一些实施例中，步骤S2中，所述化学镀金的厚度小于500nm。
在一些实施例中，步骤S3中，所述葡聚糖属于水溶性糖，从而便于剥离转移材料，旋涂转速为500～4000r，所述固化条件为40～150℃恒温加热板上固化加热。
在一些实施例中，步骤S4中，所述液态基底材料是任意常温液态且在高温或加入固化剂条件下可固化的柔性透明材料。
在一些实施例中，步骤S5中，所述高温固化条件为40～150℃恒温加热板上固化加热。
在一些实施例中，步骤S7中，所述碱性溶液为NaOH或KOH溶液，所述NaOH或KOH溶液浓度高于0.01mol/L，所述加热温度为40～150℃。
在一些实施例中，步骤S8中，所述加热温度为40～150℃。
在一些实施例中，还包括：S9、将清洗烘干后的带有高精度电路的基底材料裁剪为任意形状。
本发明与现有技术对比的有益效果包括：
本发明提供的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，通过碱性溶液除去高精度电路上PI层的方式将其转移至柔性透明超薄的可拉伸基底上。本发明可通过少量多次滴加并实时观测的方式控制碱性溶液与PI的反应时间提高成功率，转移后的高精度电路形态完好，由于转移过程中除碱性溶液外无其他污染物，因此表面干净，且操作简单。
在一些实施例中，本发明采用任意常温液态且在高温或加入固化剂条件下可固化的柔性透明材料作为基底，可以使得转移后的高精度电路透明度高、可拉伸性强、厚度超薄、鲁棒性强及低细胞毒。
附图说明
图1是本发明实施例的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法流程图。
图2是本发明实施例的使用化学刻蚀或激光光刻的方式在聚酰亚胺(PI)覆铜材料上形成高精度电路的显微图像。
图3a是本发明实施例的高精度电路中的方形天线与蛇形电极、叉指电极转移后图像。
图3b是本发明实施例的高精度电路中的方形天线与两电极、叉指电极转移后图像。
图3c是本发明实施例的高精度电路中的叉指电极转移后细节图像。
图3d是本发明实施例的高精度电路中的方形天线转移后细节图像。
图3e是本发明实施例的高精度电路中的蛇形电极转移后细节图像。
图4a是本发明实施例的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法中步骤S1至S5的实验过程示意图。
图4b是本发明实施例的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法中步骤S6至S8的实验过程示意图。
图5a是本发明实施例的掩模板辅助电子束蒸镀圆形天线对比例图像。
图5b是本发明实施例的掩模板辅助电子束蒸镀电极阵列对比例细节图像。
具体实施方式
下面对照附图并结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，本实施例中的左、右、上、下、顶、底等方位用语，仅是互为相对概念，或是以产品的正常使用状态为参考的，而不应该认为是具有限制性的。
本发明实施例的目的是提供一种操作简单、污染少、可以保证材料表面清洁且成功率高的，可满足对器件的透明度、柔性以及超薄等要求的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法。以解决高精度电路在制作过程中成功率低且鲁棒性差的问题，并避免原始铜电路在PI基底上拉伸性能差、透明度低、生物相容性差等问题，为用在可穿戴或植入式器件的超薄柔性透明高精度电路提供操作简单、透明度高、鲁棒性强、表面洁净、超薄可拉伸且可转移至多种柔性可拉伸透明基底的方法。
如图1所示，本发明实施例的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法包括以下步骤：
S1、使用化学刻蚀或激光光刻的方式在聚酰亚胺覆铜材料上形成高精度电路。聚酰亚胺覆铜材料的厚度小于10μm，形成的高精度电路的线宽最小为5μm。
S2、在成型的高精度电路上使用化学镀金的方法保护电极防止氧化。化学镀金的厚度小于500nm。
S3、在硅片上使用匀胶机旋涂葡聚糖，擦去边缘的葡聚糖后在恒温加热板上固化。葡聚糖属于水溶性糖，使剥离转移材料更加简便，旋涂转速为500～4000r，固化条件为40～150℃恒温加热板上固化加热。
S4、在得到的旋糖后硅片上使用匀胶机旋涂未固化的液态基底材料。液态基底材料是任意常温液态且在高温或加入固化剂条件下可固化的柔性透明材料，可以是聚二甲基硅氧烷PDMS。
S5、将高精度电路一侧与未固化的液态基底材料完全接触并排出气泡，后将其放置在恒温加热板上高温固化。高温固化条件为40～150℃恒温加热板上固化加热。
S6、将固化后的带有旋糖后硅片和高精度电路的基底材料边缘去除，浸泡在去离子水中使葡聚糖层溶解，进而使硅片与带有高精度电路的基底材料分离；
S7、将带有高精度电路的基底材料放入盛有NaOH/KOH溶液的玻璃培养皿中，再将玻璃培养皿放置在加热板上反应至PI被完全溶解。NaOH或KOH溶液浓度高于0.01mol/L；采用恒温加热板加热，加热温度为40～150℃。
S8、将除去PI层的带有高精度电路的基底材料从玻璃培养皿里取出，放置在加热板上烘干固定电路形态，清洗后再行烘干。采用恒温加热板加热，加热温度为40～150℃。
S9、将清洗烘干后的带有高精度电路的基底材料裁剪为任意形状。可使用定制磨具将其分割成所需要的形状。
本发明实施例提供的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，采用化学刻蚀或激光光刻的方法构造高精度电路并通过碱性溶液除去PI层的方式将其转移至柔性透明超薄的可拉伸基底上。实验过程中，可以通过少量多次滴加并实时观测的方式控制碱性溶液与PI的反应时间提高成功率。本发明实施例转移后的高精度电路形态完好；由于实验过程中除碱性溶液外无其他污染物，因此表面干净；使用PDMS等任意可拉伸透明且可高温固化的生物相容性材料作为基底，可以保证样品透明度高、可拉伸性强、厚度超薄、鲁棒性及低细胞毒。由于基底材料只需要满足具备承载金电极的作用，因此本发明实施例的转移基底适用于可通过高温等方式固化的液态柔性材料。本发明实施例除匀胶机外，不需要借助过多的实验仪器，操作十分简单。
下面通过实施例对高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法进行具体说明。
本实施例采用的PDMS(聚二甲基硅氧烷)为道康宁184，固化比例为1:10；采用的匀胶机型号为KW-4T中科院微电子台式匀胶机；不同的基底材料根据材料自身受热变形情况来调整恒温加热板温度及加热时间。基底耐热性越差，恒温加热板加热温度应越低，时间应越短。
实施例1
本实施例通过一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，得到带有高精度电路的PDMS，具体包括以下步骤：
第一步：使用化学刻蚀的方式在聚酰亚胺覆铜材料上形成所需要的高精度电路阵列，最小线宽20μm，线间距20μm；
第二步：使用化学镀金的方式在刻蚀成型的电路上镀金100nm厚度，并裁剪需要转移的部分；
第三步：在硅片上旋涂10wt％(质量百分比)的葡聚糖，擦去边缘的葡聚糖后，在70℃恒温加热板上固化30min；
第四步：在涂有葡聚糖的Si片上旋涂固化剂比例为1:10的聚二甲基硅氧烷(PDMS)，旋涂转速为2000r，时间为30s；
第五步：将第二部中得到的成型电路一侧与第四步中未固化的PDMS完全接触并排出气泡，之后将其放在70℃恒温加热板上高温固化；
第六步：将固化后的PDMS边缘去除，浸泡在去离子水中使葡聚糖层溶解，进而使Si片与带有高精度电路的PDMS分离；
第七步：将带有高精度电路的PDMS放入盛满1mol/L的NaOH溶液的玻璃培养皿中；
第八步：将培养皿放置在70℃恒温加热板上反应，直至PI层被完全溶解(大概需要3h)；
第九步：将第八步中得到的带有高精度电路的PDMS从培养皿里取出，使用去离子水冲洗后放置在加热板上烘干；
第十步：使用定制的裁剪磨具将得到的带有高精度电路的PDMS裁剪为直径为23mm的圆形形状。
实施例2
本实施例通过一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，得到带有高精度电路的PDMS，具体包括以下步骤：
第一步：使用化学刻蚀的方式在聚酰亚胺覆铜材料上形成所需要的高精度电路阵列，线宽20μm，线间距20μm；
第二步：使用化学镀金的方式在刻蚀成型的电路上镀金100nm厚度，并裁剪需要转移的部分；
第三步：在硅片上旋涂10％wt的葡聚糖，擦去边缘的葡聚糖后，在70℃恒温加热板上固化；
第四步：在涂有葡聚糖的Si片上旋涂固化剂比例为1:10的PDMS，旋涂转速为2000r，时间为30s。
第五步：将第二部中得到的成型电路一侧与第四步中未固化的PDMS完全接触并排出气泡，之后将其放在70℃恒温加热板上高温固化；
第六步：将固化后的PDMS边缘去除，浸泡在去离子水中2min使葡聚糖层溶解，进而使Si片与带有高精度电路的PDMS分离；
第七步：将带有高精度电路的PDMS放入盛满1mol/L的KOH溶液的玻璃培养皿中；
第八步：将培养皿放置在70℃恒温加热板上反应，直至PI层被完全溶解(大概需要20min)；
第九步：将第八步中得到的带有高精度电路的PDMS从培养皿里取出，使用去离子水冲洗后放置在加热板上烘干；
第十步：使用定制的裁剪磨具将得到的带有高精度电路的PDMS裁剪为直径为23mm的圆形形状。
上述各实施例中，转移前使用化学刻蚀或激光光刻的方式在聚酰亚胺(PI)覆铜材料上形成高精度电路的显微图像如图2所示，高精度电路转移至柔性可拉伸基底上后的示意图如图3a至3e所示，图4a至4b是本发明实施例的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的实验过程示意图。由图2、图3a至3e可见，相较于传统掩模板辅助电子束蒸镀的方式(如图5a、图5b所示)导致表面杂质多的情况，本发明实施例操作简单、成功率高，转移后材料表面洁净，样品透明度高、可拉伸性强、厚度超薄、鲁棒性佳，为依赖于高精度电路的可穿戴及植入式设备提供了操作简单、表面洁净的转移方法。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在聚酰亚胺覆铜材料上形成高精度电路；
S2、在所述高精度电路上化学镀金，防止电路氧化；
S3、在硅片上旋涂葡聚糖，擦去边缘的葡聚糖后固化；
S4、在旋糖后硅片上旋涂未固化的液态基底材料；
S5、将所述高精度电路一侧与所述未固化的液态基底材料完全接触并排出气泡，后将其高温固化；
S6、将固化后的带有所述旋糖后硅片和高精度电路的基底材料边缘去除，浸泡在去离子水中使葡聚糖层溶解，进而使硅片与带有高精度电路的基底材料分离；
S7、将所述带有高精度电路的基底材料放入碱性溶液中，进行加热反应至聚酰亚胺PI被完全溶解；
S8、将除去PI层的带有高精度电路的基底材料加热烘干固定电路形态，清洗后再行烘干。
2.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S1中，所述高精度电路的成型方法为化学刻蚀或激光光刻。
3.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S1中，所述聚酰亚胺覆铜材料的厚度小于10μm，所述高精度电路的线宽最小为5μm。
4.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S2中，所述化学镀金的厚度小于500nm。
5.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S3中，所述葡聚糖属于水溶性糖，从而便于剥离转移材料，旋涂转速为500～4000r，所述固化条件为40～150℃恒温加热板上固化加热。
6.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S4中，所述液态基底材料是任意常温液态且在高温或加入固化剂条件下可固化的柔性透明材料。
7.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S5中，所述高温固化条件为40～150℃恒温加热板上固化加热。
8.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S7中，所述碱性溶液为NaOH或KOH溶液，所述NaOH或KOH溶液浓度高于0.01mol/L，所述加热温度为40～150℃。
9.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，步骤S8中，所述加热温度为40～150℃。
10.如权利要求1所述的高精度电路转移至柔性可拉伸基底上的方法，其特征在于，还包括：S9、将清洗烘干后的带有高精度电路的基底材料裁剪为任意形状。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116614957A (zh) * 2023-03-23 2023-08-18 深圳大学 柔性电路板和柔性电路的制备方法及可穿戴式电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289891A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
JP2005347273A (ja) * 2005-06-06 2005-12-15 Hitachi Chem Co Ltd 熱架橋型回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法
WO2012046841A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 三井金属鉱業株式会社 プリント配線板の製造方法及びそのプリント配線板の製造方法を用いて得られたプリント配線板
CN108696986A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷配线板的制造方法、以及电子机器的制造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113228833A (zh) * 2018-12-31 2021-08-06 3M创新有限公司 软基板上的柔性电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289891A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
JP2005347273A (ja) * 2005-06-06 2005-12-15 Hitachi Chem Co Ltd 熱架橋型回路接続材料及びそれを用いた回路板の製造方法
WO2012046841A1 (ja) * 2010-10-08 2012-04-12 三井金属鉱業株式会社 プリント配線板の製造方法及びそのプリント配線板の製造方法を用いて得られたプリント配線板
CN108696986A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层板、印刷配线板的制造方法、以及电子机器的制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张东星 ; 杨军 ; 郭秋泉 ; 陈宁东 ; 陈浪 ; 何波 ; 徐景浩 ; .基于激光反向打印的挠性电子器件印刷技术研究.印制电路信息.2018,(第12期),全文. *
王宽 ; 刘敬成 ; 刘仁 ; 穆启道 ; 郑祥飞 ; 纪昌炜 ; 刘晓亚 ; .光刻胶用底部抗反射涂层研究进展.影像科学与光化学.2016,(第02期),全文. *

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