CN115000146A - 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents

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CN115000146A CN202210750958.7A CN202210750958A CN115000146A CN 115000146 A CN115000146 A CN 115000146A CN 202210750958 A CN202210750958 A CN 202210750958A CN 115000146 A CN115000146 A CN 115000146A
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Abstract

本申请公开了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，显示面板包括阵列基板和设置于阵列基板的第一电极层、像素定义层和第二电极层。第一遮挡层位于阵列基板内，能够避免影响显示面板的显示。在第二电极层的制备过程中，可以利用第一遮挡层作为掩膜板，由阵列基板背离第一电极层的一侧通过第一镂空部朝向第二电极层出射激光，从而形成第二镂空部。第一镂空部与像素电极在阵列基板上的正投影错位设置，避免激光通过第一镂空部刻蚀到像素电极，影响发光显示。第一遮挡层和第二电极层之间的距离较近，能够避免激光衍射导致的本体部朝向镂空部的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。

Description

显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。
背景技术
随着电子设备的快速发展，用户对显示效果的要求越来越高，使得电子设备的屏幕显示受到业界越来越多的关注。
为了提高电子设备屏幕的显示效果，现有技术中在制备电子设备屏幕时会将阴极进行图形化处理，例如采用激光刻蚀的方法刻蚀阴极，从而提高屏幕的透过率。但在对阴极进行刻蚀的过程中，阴极材料一般在刻蚀区域会向内翻起(Peeling)，对后续封装造成影响。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，实现显示面板的至少部分区域可透光且可显示，便于感光组件的屏下集成。
本申请第一方面实施例提供一种显示面板，显示面板包括：
阵列基板，所述阵列基板包括的第一遮挡层，第一遮挡层包括第一镂空部；
第一电极层，位于阵列基板的一侧，第一电极层包括像素电极；
像素定义层，位于第一电极层背离阵列基板的一侧，像素定义层包括隔离部和由隔离部围合形成的像素开口，至少部分像素电极由像素开口露出；
第二电极层，位于像素定义层背离阵列基板的一侧，第二电极层包括本体部和贯穿本体部的第一镂空部，第二镂空部和像素电极在阵列基板上的正投影错位设置；
其中，第一镂空部在阵列基板上的正投影与第二镂空部在阵列基板上的正投影重叠。
根据本申请第一方面的实施方式，像素定义层还包括位于隔离部的开口，第一镂空部在阵列基板上的正投影位于开口在阵列基板上的正投影之内。
根据本申请第一方面的实施方式，开口为贯穿隔离部设置。
根据本申请第一方面的实施方式，像素电极通过湿刻工艺形成。
根据本申请第一方面的实施方式，位于开口的本体部与阵列基板的上表面直接接触。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一镂空部在阵列基板上的正投影边缘位于开口在阵列基板上的正投影之内。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，多个像素开口沿第一方向和第二方向阵列分布，第二方向为列方向，且第一方向与第二方向垂直，第一镂空部沿第二方向设置。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，任意相邻的两列像素开口之间均设置有第一镂空部。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一遮挡层还包括第一遮挡部，至少部分第一遮挡部设置于像素开口在第一方向的两侧。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一遮挡部沿第二方向延伸呈条状，每个像素开口的两侧各设有一第一遮挡部。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，多个第一遮挡部沿第一方向并排设置，其中，第一方向平行于阵列基板的上表面。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，阵列基板包括第一金属层，第一遮挡层与第一金属层同层设置，第一金属层包括第一金属走线。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一金属走线沿第二方向延伸呈条状，至少部分像素电极在阵列基板上的正投影与第一金属走线在阵列基板上的正投影至少部分交叠。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，多个第一金属走线沿第一方向并排设置。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一遮挡部和第一金属走线之间存在第一间隙。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，阵列基板内还设有第二遮挡层，第二遮挡层包括第二遮挡部，像素开口在阵列基板上的正投影位于第二遮挡部在阵列基板上的正投影之内。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二遮挡层复用为静电屏蔽层。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，至少部分第二遮挡部的边缘在阵列基板上的正投影位于第一遮挡部在阵列基板上的正投影之内。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二遮挡部沿第二方向延伸呈条状，且第二遮挡部上与第二方向平行的边缘在阵列基板上的正投影位于第一遮挡部在阵列基板上的正投影之内。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，多个第二遮挡部沿第一方向并排设置。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电极层还包括连接部，连接部用于连接所述本体部，且连接部在阵列基板的正投影位于第二镂空部在阵列基板的正投影边缘之外。
本申请第二方面的实施例提供一种显示装置，其包括上述任一实施方式的显示面板。
本申请第三方面的实施例提供一种显示面板的制备方法，包括：
制备阵列基板，所述阵列基板包括第一遮挡层，第一遮挡层包括第一镂空部；
在阵列基板上制备第一导电材料层，并进行图案化处理获得第一电极层，第一电极层包括像素电极；
在第一电极层背离阵列基板的一侧制备像素定义层，像素定义层包括隔离部和由隔离部围合形成的像素开口，至少部分像素电极由像素开口露出；
在像素定义层背离阵列基板的一侧制备第二导电材料层；
由阵列基板背离像素定义层的一侧对第二导电材料层进行激光刻蚀处理，激光穿过第一镂空部将第二导电材料层刻蚀出第二镂空部，第二导电材料层未刻蚀区域作为本体部。
根据本申请第三方面的实施方式，在第一电极层背离阵列基板的一侧制备像素定义层步骤之后，制备方法还包括：对像素定义层上的隔离部进行图案化处理形成开口。
根据本申请第三方面前述任一实施方式，开口贯穿所述隔离部。
根据本申请第三方面前述任一实施方式，在阵列基板上制备第一导电材料层，并进行图案化处理获得第一电极层，第一电极层包括像素电极步骤中，制备方法还包括：对第一导电材料层进行湿刻工艺，得到像素电极。
根据本申请实施例的显示面板，显示面板包括阵列基板和设置于阵列基板的第一电极层、像素定义层和第二电极层。第一电极层包括像素电极，第二电极层包括本体部和第二镂空部。阵列基板包括第一遮挡层，该第一遮挡层包括第一镂空部，第一遮挡层位于基板内，能够避免影响显示面板的显示。在第二电极层的制备过程中，可以利用第一遮挡层作为掩膜板，由阵列基板背离第一电极层的一侧通过第一镂空部朝向第二电极层出射激光，从而形成第二镂空部。通过上述结构设计，一方面，在第二电极层设置第二镂空部，能够减小本体部的分布面积，进而提高显示面板的透光率，能够在显示面板的非显示侧集成感光组件。另一方面，由于第一遮挡层的存在，使得在激光刻蚀过程中，激光产生的衍射效果较小，因而能够有效避免激光衍射导致的本体部朝向镂空部的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。
因此，本申请实施例的显示面板在制备过程中第一遮挡层能够起到掩膜板的作用，在第二电极层上形成第二镂空部而提高显示面板的透光率，便于感光组件的屏下集成。且由于第一遮挡层和第二电极层之间的距离较近，能够避免激光衍射导致的本体部朝向第二镂空部的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1是本申请第一方面实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是图1中A-A处的剖视图；
图3是另一实施例中图1中A-A处的剖视图；
图4是图1中Q处的局部放大结构示意图；
图5是又一实施例中图1中A-A处的剖视图；
图6是又一实施例中图1中Q处的局部放大结构示意图；
图7是再一实施例中显示面板的的剖视图；
图8是再一实施例中显示面板的局部放大结构示意图；
图9是本申请第三方面实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图。
附图标记说明：
10、显示面板；
100、阵列基板；
200、第一电极层；210、像素电极；
300、像素定义层；310、隔离部；320、像素开口；330、开口；
400、第二电极层；410、本体部；420、第二镂空部；
500、第一遮挡层；510、第一镂空部；520、第一遮挡部；
600、第一金属层；610、第一金属走线；620、第一间隙；
700、第二遮挡层；710、第二遮挡部；711、第一分部；712、第二分部；
AA1、第一显示区；AA2、第二显示区；
X、第一方向；Y、第二方向；Z、厚度方向。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本申请，并不被配置为限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
在诸如手机和平板电脑等电子设备上，需要在设置显示面板的一侧集成诸如前置摄像头、红外光传感器、接近光传感器等感光组件。在一些实施例中，可以在上述电子设备上设置透光显示区，将感光组件设置在透光显示区背面，在保证感光组件正常工作的情况下，实现电子设备的全面屏显示。
为了提高透光区的透光率，在一些相关技术中，对公共电极进行了图案化处理。令公共电极在显示面板的透光区域内形成镂空，以提高公共电极的透光率，进而能够提高显示面板透光区域的透光率。相关技术中一般采用激光灰化等手段实现公共电极的图案化处理。
然而在相关技术中利用激光灰化对公共电极进行图案化处理时，通常是在衬底上形成阵列阵列基板、发光层和公共电极后，从衬底背离阵列阵列基板的一侧对公共电极进行激光照射，利用阵列阵列基板内的遮光金属层作为掩膜板，实现公共电极的激光刻蚀和图形化处理。发明人发现，在对公共电极进行激光刻蚀图案化处理后，公共电极的边缘容易内翻，对后续的薄膜封装等工艺造成影响，影响封装工艺的可靠性。
为解决上述问题，本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，以下将结合附图对显示面板、显示装置及显示面板的制备方法的各实施例进行说明。
本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板可以是有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)显示面板。
请一并参阅图1和图2，图1是本申请第一方面实施例提供的一种显示面板的结构示意图，图2是图1中A-A处的剖视图。
如图1和图2所示，本申请第一方面实施例提供的显示面板10包括阵列基板100和设置于阵列基板100上的第一电极层200、像素定义层300和第二电极层400。阵列基板100包括第一遮挡层500，第一遮挡层500包括第一镂空部510；第一电极层200位于阵列基板100的一侧，第一电极层200包括像素电极210；像素定义层300包括隔离部310和由隔离部310围合形成的像素开口320，至少部分像素电极210由像素开口320露出；第二电极层400位于像素定义层300背离阵列基板100的一侧，第二电极层400包括本体部410和贯穿本体部410的第二镂空部420，第二镂空部420和像素电极210在阵列基板100上的正投影错位设置；第一镂空部510在阵列基板100上的正投影与第二镂空部420在阵列基板100上的正投影重叠。
根据本申请实施例的显示面板10，显示面板10包括阵列基板100和设置于阵列基板100上的第一电极层200、像素定义层300和第二电极层400。第一电极层200包括像素电极210，第二电极层400包括本体部410和第二镂空部420。第一遮挡层500包括第一镂空部510，且第一遮挡层500位于阵列基板100内，能够避免影响显示面板10的显示。在第二电极层400的制备过程中，由阵列基板100背离第一电极层200的一侧通过第一镂空部510朝向第二电极层400出射激光，从而形成第二镂空部420，在上述过程中，第一遮挡层500起到掩膜板的作用。通过上述结构设计，一方面，在第二电极层400设置第二镂空部420，能够减小本体部410的分布面积，进而提高显示面板10的透光率，能够在显示面板10的非显示侧集成感光组件。另一方面，由于第一遮挡层500的存在，使得在激光刻蚀过程中，激光产生的衍射效果较小，因而能够有效避免激光衍射导致的本体部410朝向第二镂空部420的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。
因此，本申请实施例的显示面板10在制备过程中，第一遮挡层500起到掩膜板的作用，在第二电极层400上形成第二镂空部420而提高显示面板10的透光率，便于感光组件的屏下集成。且由于第一遮挡层500的存在，能够避免激光衍射导致的本体部410朝向第二镂空部420的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。
阵列基板100的设置方式还有多种，阵列基板100例如可以包括衬底和设置于衬底的TFT阵列基板、平坦化层等膜层结构。或者阵列基板100即衬底。或者阵列基板100还包括背离衬底一侧的缓冲层和支撑板等。因而，本实施例中的阵列基板100为多膜层结构。
第一电极层200例如为阳极层，第二电极层400为阴极层。在利用第一电极层200和第二电极层400驱动像素开口320内的发光单元发光时，第一电极层200中的像素电极210作为阳极，第二电极层400的本体部410作为阴极。
可选的，第一电极层200中，与像素开口320沿显示面板10的厚度方向Z至少部分交叠设置的为像素电极210。
请继续参阅图1，在一些可选的实施例中，显示面板10具有第一显示区AA1、第二显示区AA2以及围绕第一显示区AA1、第二显示区AA2的非显示区，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率。
在本申请中，可选的第一显示区AA1的透光率大于等于15％。为确保第一显示区AA1的透光率大于15％，甚至大于40％，甚至具有更高的透光率，本实施例中显示面板1010的各个功能膜层的透光率均大于80％，甚至至少部分功能膜层的透光率均大于90％。
根据本申请实施例的显示面板10，第一显示区AA1的透光率大于第二显示区AA2的透光率，使得显示面板10在第一显示区AA1的背面可以集成感光组件，实现例如摄像头的感光组件的屏下集成，同时第一显示区AA1能够显示画面，提高显示面板10的显示面积，实现显示装置的全面屏设计。
可选的，第二电极层400的第二镂空部420可以位于第一显示区AA1以提高第一显示区AA1的透光率。在其他实施例中，第二电极层400的第二镂空部420还可以同时位于第一显示区AA1和第二显示区AA2，以提高整个显示区域的透光率。
请一并参阅图3和图4，图3是另一实施例中图1中A-A处的剖视图；图4是图1中Q处的局部放大结构示意图。
在一些可选的实施例中，像素定义层300还包括位于隔离部310的开口330，第二镂空部420在阵列基板100上的正投影位于开口330在阵列基板100上的正投影之内。
在这些可选的实施例中，在像素定义层300上制备第二电极层400时，首先在像素定义层300上形成第二导电材料层，然后对第二导电材料层进行图案化处理形成第二电极层400。第二导电材料层能够直接沉积在位于开口330内的阵列基板100上，进一步减小第二电极层400和第一遮挡层500之间的距离。
可选的，开口330为贯穿隔离部310设置。使得激光能够更好地通过开口330对第二电极层400进行激光灰化。
可选的，像素电极210通过湿刻工艺形成。像素电极210通过湿刻工艺制备，同时，开口330贯穿隔离部310，从而使得开口330处的阵列基板100上表面粗糙度上升，使第二电极层400与阵列基板100上表面粘附力更强，使第二电极层400难以发生边缘上翻。
可选的，位于开口330的本体部410与阵列基板100的上表面直接接触，使得第一遮挡层500和第二电极层400之间的距离较近，能够避免激光衍射导致的本体部410朝向第二镂空部420的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。当利用第一遮挡层500对第二导电材料层进行激光刻蚀灰化处理时，能够在开口330对应的区域内形成第二镂空部420，即在第二导电材料层上与第一遮挡层500距离较近的部分形成第二镂空部420，能够更好地改善本体部410朝向第二镂空部420的边缘上翻的问题，更好地改善由于本体部410边缘上翻对后续封装工艺的影响。
在一些可选的实施例中，第一镂空部510在阵列基板100上的正投影位于开口330在阵列基板100上的正投影之内。在利用第一遮挡层500对第二电极层400进行图案化处理形成本体部410时，由于第一遮挡层500的遮挡所用，第一镂空部510对应所在区域内的第二电极层400形成被刻蚀的第二镂空部420，未被刻蚀的部分为本体部410。第一镂空部510在阵列基板100上的正投影位于开口330在阵列基板100上的正投影之内，则本体部410朝向第二镂空部420的边缘位于开口330内，保证本体部410的边缘和第一遮挡层500距离较近，更好地改善本体部410朝向镂空部的边缘上翻的问题。
在一些可选的实施例中，多个像素开口320沿第一方向X和第二方向Y阵列分布，第一镂空部510至少位于两列相邻的像素开口320之间。
可选的，第一方向X为列方向或者为行方向，第二方向Y为列方向或者为行方向，例如，当第二方向Y为列方向时，第一方向X为行方向；当第二方向Y为行方向时，第一方向X为列方向。本申请以第一方向X为行方向，第二方向Y为列方向进行说明。
在这些可选的实施例中，多个像素开口320沿第一方向X和第二方向Y阵列分布，保证发光的均一性。第一镂空部510设置于至少两列相邻的像素开口320对应的区域之间，使得至少两列相邻的像素开口320之间的区域作为灰化区域，激光通过第一镂空部510对第二导电材料层进行刻蚀获得第二电极层400的第二镂空部420。
在一些可选的实施例中，第一镂空部510沿第二方向Y设置。沿第二方向Y延伸的第一镂空部510，使得至少两列相邻的像素开口320之间，激光能够通过第一镂空部510对第二导电材料层进行刻蚀获得第二电极层400的第二镂空部420。
在一些可选的实施例中，任意相邻的两列像素开口320之间均设置有第一镂空部510。
在这些可选的实施例中，在任意相邻的两列像素开口320之间，激光能够通过第一镂空部510对第二导电材料层进行刻蚀获得第二电极层400的第二镂空部420。因此能够增大第二镂空部420的分布面积，减小本体部410的分布面积，提高显示面板10的透光率。
请继续参阅图3和图4，在一些可选的实施例中，第一遮挡层500还包括第一遮挡部520，至少部分第一遮挡部520设置于像素开口320在第一方向X的两侧。
在这些可选的实施例中，位于像素开口320的两侧的第一遮挡部520，用于在相邻像素开口320之间形成第一镂空部510，激光穿过第一镂空部510能够形成在第二电极层400上形成第二镂空部420，能够增大第二镂空部420的分布面积，减小本体部410的分布面积，提高显示面板10的透光率。
在一些可选的实施例中，第一遮挡部520沿第二方向Y延伸呈条状，每个像素开口320的两侧各设有一第一遮挡部520。
第一遮挡部520沿第二方向Y延伸且位于像素开口320两侧，两列相邻的像素开口320之间通过两第一遮挡部520形成第一镂空部510，激光穿过第一镂空部510能够形成在第二电极层400上形成第二镂空部420，在此过程中，第一遮挡部520起到掩膜板的作用，通过上述设计能够增大第二镂空部420的分布面积，减小本体部410的分布面积，提高显示面板10的透光率。
在一些可选的实施例中，多个第一遮挡部520沿第一方向X并排设置，其中，第一方向X平行于阵列基板100的上表面。
在这些可选的实施例中，多个第一遮挡部520沿第一方向X并排设置，使得在第一方向X上形成多个沿第一方向X延伸的第一镂空部510，激光穿过第一镂空部510能够形成在第二电极层400上形成第二镂空部420，能够增大第二镂空部420的分布面积，减小本体部410的分布面积，提高显示面板10的透光率。
请一并参阅图5和图6，图5是又一实施例中图1中A-A处的剖视图；图6是又一实施例中图1中Q处的局部放大结构示意图。
在一些可选的实施例中，阵列基板100还包括第一金属层600，第一遮挡层500与第一金属层600同层设置，第一金属层600包括第一金属走线610，第一金属走线610沿第二方向Y延伸呈条状，至少部分像素电极210在阵列基板100上的正投影与第一金属走线610在阵列基板100上的正投影至少部分交叠。
在这些可选的实施例中，第一遮挡层500与第一金属层600同层设置，简化制备流程。第一金属走线610在第二方向Y上延伸并与至少部分像素电极210存在交叠，使得像素电极210通过第一金属走线610连接，进行信号传输，保证发光单元的发光。
可选的，多个第一金属走线610沿第一方向X并排设置，使得多列像素电极210能够与第一金属走线610连接，进行信号传输，保证发光单元的发光。
请继续参阅图5，在一些可选的实施例中，第一遮挡部520和第一金属走线610之间存在第一间隙620。
在这些可选的实施例中，第一间隙620使得第一遮挡部520和第一金属走线610分离，相互绝缘，避免在对第二电极层400进行激光灰化的过程中损伤第一金属走线610，影响电性。
请一并参阅图7和图8，图7是再一实施例中显示面板的剖视图；图8是再一实施例中显示面板的局部放大结构示意图。
在一些可选的实施例中，还包括第二遮挡层700，第二遮挡层700位于阵列基板100内，第二遮挡层700包括第二遮挡部710，像素开口320在阵列基板100上的正投影位于第二遮挡部710在阵列基板100上的正投影之内。
在这些可选的实施例中，通过设置第二遮挡层700，当在阵列基板100背离第二电极层400的一侧朝向第二电极层400出射激光时，第二遮挡层700的第二遮挡部710能够遮挡激光，有效避免激光刻蚀损伤到像素电极210和第一金属走线610。
可选的，第二遮挡层700复用为静电屏蔽层。如第二遮挡层700为阵列基板中的金属屏蔽层(BSM)。
如图8所示，可选的，至少部分第二遮挡部710的边缘在阵列基板100上的正投影位于第一遮挡部520在阵列基板100上的正投影之内，使得第一遮挡部520和第二遮挡部710在阵列基板100上的正投影之间不存在间隙，在对第二导电材料层进行激光刻蚀时，保证刻蚀区域仅存在于相邻的两第一遮挡部520之间。
在一些可选的实施例中，第二遮挡部710沿第二方向Y延伸呈条状，且第二遮挡部710上与第二方向Y平行的边缘在阵列基板100上的正投影位于第一遮挡部520在阵列基板100上的正投影之内。
可选的，多个第二遮挡部710沿第一方向X并排设置。
以第二遮挡部710沿第二方向Y延伸呈条状为例，第二方向Y上的像素开口320均位于第二遮挡部710内，通过第二遮挡部710的遮挡作用，保护TFT器件层以及部分阵列基板100和发光单元不受激光影响。第二遮挡部710上与第二方向Y平行的边缘在阵列基板100上的正投影位于第一遮挡部520在阵列基板100上的正投影之内，第二遮挡部710在第一方向X上与第一遮挡部520交叠，使得第一遮挡部520与像素开口320之间的区域被第二遮挡部710遮挡，避免因操作不当使得激光损伤到像素电极210和第一金属走线610等其他膜层而影响显示面板的显示效果。
请继续参阅图8，第二遮挡部710的形状设置方式有多种，在一些可选的实施例中，第二遮挡部710包括：第一分部711，沿第二方向Y延伸呈条状，多个第一分部711沿第一方向X并排设置；第二分部712，沿第一方向X延伸成型并连接在第一方向X上并排设置的多个第一分部711；其中，在沿第一方向X并排设置的多个第一间隙620和多个激光开口330中，各第一间隙620和各激光开口330在阵列基板100上的至少部分正投影位于第二遮挡部710在阵列基板100上的正投影之内。
在这些可选的实施例中，第一分部711能够遮挡位于同一列(当第一方向X为行方向时)的多个第一间隙620中各第一间隙620的至少一部分，以及部分开口330被第二分部712遮挡，使得同一行或者同一列的本体部410能够相互连通。通过第二分部712的遮挡作用，能形成与第二分部712同分布区域和同尺寸的本体部410，进而使得不同位置的本体部410能够相互连通，形成整面的公共电极。
第二分部712的位置设置方式有多种，例如当显示面板10具有第一区和环绕至少部分第一区的第二区，第一分部711位于第一区，第二分部712位于第二区，能进一步减小第一区内本体部410的分布面积，提高第一区的透光率。第一区可以为第一显示区AA1，第二区可以为非显示区，或者第二区为第二显示区AA2。
在一些可选的实施例中，第二电极层400还包括连接部，连接部用于连接本体部410，且连接部在阵列基板100的正投影位于第一镂空部510在阵列基板100的正投影之外。该连接部可以通过第二分部712形成。
在这些可选的实施例中，连接部使得在第二方向Y上相邻的两像素开口320对应的部分本体部410相互连通形成整面电极，便于第二电极层400的制备。
可选的，第一遮挡层500和/或第二遮挡层700包括金属材料例如Mo(钼)。在一些实施例中，第一遮挡层500和/或第二遮挡层700为金属复合材料层，例如Ti/Al/Ti(钛/铝/钛)，ITO/Ag/ITO(氧化铟锡/银/氧化铟锡)等。
值得说明的是，当显示面板10中仅含有第一遮挡层500时，可应用于屏下摄像头用显示面板，可拉伸显示面板，透明显示面板等；对于屏下摄像头用显示面板而言，第一遮挡层500可以仅存在于第一显示区AA1中；此外，第一遮挡层500也可以同时存在于第一显示区AA1和第二显示区AA2中。
当显示面板10中含有第一遮挡层500和第二遮挡层700时，也可应用至屏下摄像头用显示面板10，但为了提高显示面板10的透过率，其第一显示区AA1中仅含有第一遮挡层500，其第二显示区AA2中含有第一遮挡层500和第二遮挡层700；此外，也可应用至可拉伸显示面板，透明显示面板中。
对于本实施例中的结构设计，可应用至其他显示面板10中，具体可依据实际情况进行选择，本申请不对其进行具体限制。
本发明第二方面的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一第一方面实施例的显示面板10。由于本发明第二方面实施例提供的显示装置包括上述第一方面任一实施例的显示面板10，因此本发明第二方面实施例提供的显示装置具有上述第一方面任一实施例的显示面板10具有的有益效果，在此不再赘述。
本发明实施例中的显示装置包括但不限于手机、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，简称：PDA)、平板电脑、电子书、电视机、门禁、智能固定电话、控制台等具有显示功能的设备。
请参阅图9，图9是本申请第三方面实施例提供的一种显示面板的制备方法流程示意图。该显示面板10可以为上述任一第一方面实施例提供的显示面板10。
如图9并请一并参阅图1至图8所示的显示面板10，显示面板10的制备方法包括：
步骤S01：制备阵列基板100，阵列基板100包括第一遮挡层500，第一遮挡层500包括第一镂空部510。
步骤S02：在阵列基板100上制备第一导电材料层，并进行图案化处理获得第一电极层200，第一电极层200包括像素电极210。
步骤S03：在第一电极层200背离阵列基板100的一侧制备像素定义层300，像素定义层300包括隔离部310和由隔离部310围合形成的像素开口320，至少部分像素电极210由像素开口320露出。
步骤S04：在像素定义层300背离阵列基板100的一侧制备第二导电材料层。
步骤S05：由阵列基板100背离像素定义层300的一侧对第二导电材料层进行激光刻蚀处理，激光穿过第一镂空部510将第二导电材料层刻蚀出第二镂空部420，第二导电材料层未刻蚀区域作为本体部410。
在本申请实施例提供的显示面板10的制备方法中，首先通过步骤S01制备第一遮挡层500，步骤S02能够制备像素电极210。然后通过步骤S03形成像素定义层300，使得发光单元能够设置于像素开口320内，像素电极210和第二电极层400的本体部410能够驱动发光单元发光。通过步骤S04制备第二导电材料层用于形成第二电极层400。第二电极层400包括本体部410和第二镂空部420。第一遮挡层500包括第一镂空部510。且第一遮挡层500位于阵列基板100内，能够避免影响显示面板10的显示。在第二电极层400的制备过程中，可以利用第一遮挡层500作为掩膜板，由阵列基板100背离第一电极层200的一侧通过第一镂空部510朝向第二电极层400出射激光，从而形成第二镂空部420。第一镂空部510与像素电极210在阵列基板100上的正投影错位设置，避免激光通过第一镂空部510刻蚀到像素电极210，影响发光显示。一方面，在第二电极层400设置第二镂空部420，能够减小本体部410的分布面积，进而提高显示面板10的透光率。另一方面，第一遮挡层500和第二电极层400之间的距离较近，能够避免激光衍射导致的本体部410朝向第二镂空部420的边缘翻折而影响后续封装工艺的封装效果。
在一些可选的实施例中，在步骤S03中，还可以对像素定义层300上的隔离部进行图案化处理形成开口330，即对隔离部进行图案化处理形成开口，且第二镂空部在阵列基板上的正投影位于开口在阵列基板上的正投影之内。优选的，开口330贯穿所述隔离部，即将阵列基板露出由于开口330内不会设置发光单元，当像素定义层300上设置有空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等共通层时，共通层可以在形成开口330时，一起去除，从而使得第二电极层400与阵列基板100直接接触，进一步减小第二电极层400与第一遮挡层500之间的距离。在步骤S03中形成第二导电材料层时，第二导电材料层和第一遮挡层500之间不会有隔离部310等结构，能够进一步减小开口330所在区域内第二导电材料层和第一遮挡层500的距离。在步骤S05中以第一遮挡层500为掩膜板对第二导电材料层进行图案化处理时，能够改善衍射，避免本体部410对应的边缘上翻，影响后续封装工艺的良率。
可选的，在步骤S02中，制备方法还包括：对第一导电材料层进行湿刻工艺，得到像素电极210。像素电极210通过湿刻工艺制备，使得阵列基板100的上表面粗糙度上升，使第二电极层400与阵列基板100上表面粘附力更强，使第二电极层400难以发生边缘上翻。
依照本申请如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本申请的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本申请以及在本申请基础上的修改使用。本申请仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
阵列基板，所述阵列基板包括第一遮挡层，所述第一遮挡层包括第一镂空部；
第一电极层，位于所述基板的一侧，所述第一电极层包括像素电极；
像素定义层，位于所述第一电极层背离所述阵列基板的一侧，所述像素定义层包括隔离部和由所述隔离部围合形成的像素开口，至少部分所述像素电极由所述像素开口露出；
第二电极层，位于所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧，所述第二电极层包括本体部和贯穿所述本体部的第二镂空部，所述第二镂空部和所述像素电极在所述阵列基板上的正投影错位设置；
其中，所述第一镂空部在所述阵列基板上的正投影与所述第二镂空部在所述阵列基板上的正投影重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层还包括位于所述隔离部的开口，所述第一镂空部在所述阵列基板上的正投影位于所述开口在所述阵列基板上的正投影之内；
优选的，所述开口为贯穿所述隔离部设置；
优选的，所述像素电极通过湿刻工艺形成；
优选的，位于所述开口的所述本体部与所述阵列基板的上表面直接接触；
优选的，所述第一镂空部在所述阵列基板上的正投影边缘位于所述开口在所述阵列基板上的正投影之内。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，多个所述像素开口沿第一方向和第二方向阵列分布，所述第二方向为列方向，且所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一镂空部沿所述第二方向设置；
优选的，任意相邻的两列所述像素开口之间均设置有所述第一镂空部；
优选的，所述第一遮挡层还包括第一遮挡部，至少部分所述第一遮挡部设置于所述像素开口在所述第一方向的两侧；
优选的，所述第一遮挡部沿第二方向延伸呈条状，每个所述像素开口的两侧各设有一所述第一遮挡部；
优选的，多个所述第一遮挡部沿所述第一方向并排设置，其中，所述第一方向平行于所述阵列基板的上表面。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括第一金属层，所述第一遮挡层与所述第一金属层同层设置，所述第一金属层包括第一金属走线；
优选的，所述第一金属走线沿所述第二方向延伸呈条状，至少部分所述像素电极在所述阵列基板上的正投影与所述第一金属走线在所述阵列基板上的正投影至少部分交叠；
优选的，多个所述第一金属走线沿第一方向并排设置；
优选的，所述第一遮挡部和所述第一金属走线之间存在第一间隙。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板内还设有第二遮挡层，所述第二遮挡层包括第二遮挡部，所述像素开口在所述阵列基板上的正投影位于所述第二遮挡部在阵列基板上的正投影之内；
优选的，所述第二遮挡层复用为静电屏蔽层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，至少部分所述第二遮挡部的边缘在所述阵列基板上的正投影位于所述第一遮挡部在所述阵列基板上的正投影之内。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第二遮挡部沿所述第二方向延伸呈条状，且所述第二遮挡部上与所述第二方向平行的边缘在所述阵列基板上的正投影位于所述第一遮挡部在所述阵列基板上的正投影之内；
优选的，多个所述第二遮挡部沿所述第一方向并排设置。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极层还包括连接部，所述连接部用于连接所述本体部，且所述连接部在所述阵列基板的正投影位于所述第二镂空部在所述阵列基板的正投影之外。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
制备阵列基板，所述阵列基板包括第一遮挡层，所述第一遮挡层包括第一镂空部；
在阵列基板上制备第一导电材料层，并进行图案化处理获得第一电极层，所述第一电极层包括像素电极；
在所述第一电极层背离所述阵列基板的一侧制备像素定义层，所述像素定义层包括隔离部和由所述隔离部围合形成的像素开口，至少部分所述像素电极由所述像素开口露出；
在所述像素定义层背离所述阵列基板的一侧制备第二导电材料层；
由所述阵列基板背离所述像素定义层的一侧对所述第二导电材料层进行激光刻蚀处理，激光穿过所述第一镂空部将所述第二导电材料层刻蚀出第二镂空部，第二导电材料层未刻蚀区域作为本体部；
优选的，在所述第一电极层背离所述阵列基板的一侧制备像素定义层步骤之后，所述制备方法还包括：对所述像素定义层上的隔离部进行图案化处理形成开口；
优选的，所述开口贯穿所述隔离部；
优选的，在阵列基板上制备第一导电材料层，并进行图案化处理获得第一电极层，所述第一电极层包括像素电极步骤中，所述制备方法还包括：对所述第一导电材料层进行湿刻工艺，得到像素电极。
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