CN114975402A - 一种发光面板、显示装置和背光模组 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种发光面板、显示装置和背光模组，该发光面板包括：驱动基板；发光元件，位于驱动基板一侧且与驱动基板电连接；光电转换结构，位于驱动基板一侧，光电转换结构中的至少部分位于相邻两个发光元件之间；电信号接收结构，与光电转换结构电连接，用于接收光电转换结构传输的电信号。采用上述技术方案，通过将光电转换结构置于相邻两个发光元件之间，可以将发光元件发出的部分光线进行光电转换，并转换为电信号；再通过电信号接收结构实现电信号的传输和接收，实现电信号的再利用，节能环保。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光面板、显示装置和背光模组。
背景技术
显示技术被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示，用于显示画面的发光面板也多种多样，而且可以显示丰富多彩的画面。
但是现有的发光面板在工作过程中，仅部分光线出射进行发光，还有部分光线未出射会被浪费，因此现有的发光面板工作时能量利用率较低。
发明内容
本发明提供一种发光面板、显示装置和背光模组，以改善现有技术中发光面板功耗大等缺陷。
第一方面，本发明实施例提供了一种发光面板，该发光面板包括：
驱动基板；
发光元件，位于所述驱动基板一侧且与所述驱动基板电连接；
光电转换结构，位于所述驱动基板一侧，所述光电转换结构中的至少部分位于相邻两个所述发光元件之间；
电信号接收结构，与所述光电转换结构电连接，用于接收所述光电转换结构传输的电信号。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的发光面板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种背光模组，包括第一方面所述的发光面板。
本发明实施例提供的发光面板，通过增设光电转换结构并且设置光电转换结构中的至少部分位于相邻两个发光元件之间，基于光电转换原理，入射至光电转换结构中的光能可以转换为电信号；发光面板中进一步增设电信号接收结构，接收光电转换结构转换得到的电信号，用于为发光面板或者其他用电器件提供所需的电能，提升能量利用效率，节能环保。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种发明面板的俯视图；
图2为图1中沿AA’的一种剖面图；
图3为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图4为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图5为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图6为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图7为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图8为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图9为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图10为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图11为图1中沿AA’的另一种剖面图；
图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种背光模组的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1为本发明实施例提供的一种发光面板的俯视图，图2为图1中沿AA’的一种剖面图，图3为图1中沿AA’的另一种剖面图，参考图1至图3所示，本发明实施例提供的发光面板10包括：驱动基板100；发光元件200，位于驱动基板100一侧且与驱动基板100电连接；光电转换结构300，位于驱动基板100一侧，光电转换结构300中的至少部分位于相邻两个发光元件200之间；电信号接收结构400，与光电转换结构300电连接，用于接收光电转换结构400传输的电信号。
其中，如图1至图3所示，发光面板10包括驱动基板100和多个发光元件200，驱动基板100包括基板111和像素驱动电路120，像素驱动电路120与发光元件200电连接，用于向发光元件200提供驱动信号，驱动发光元件200发光。示例性的，如图2和图3所示，像素驱动电路120可包括至少一个薄膜晶体管121，薄膜晶体管121包括有源层122、源极123、栅极124和漏极125。发光元件200的电极结构分别与第一连接结构126和第二连接结构127电连接，其中第一连接结构126与漏极125电连接，第二连接结构127用于接收电源电压信号，像素驱动电路120结合第一连接结构126以及第二连接结构127共同实现发光元件200的驱动发光。继续参考图2和图3所示，基板111靠近像素驱动电路120的一侧还包括绝缘层，以隔绝各个金属层，例如，绝缘层可包括层叠设置的栅绝缘层、层间介质层、绝缘中间层、钝化层以及平坦化层，基板111靠近像素驱动电路120的一侧还可以设置有缓冲层，该缓冲层能够起到防震、缓冲和隔离的作用，本领域技术人员可根据实际需求对各个绝缘层进行设置。
由于发光元件200发出的光线一部分用于发光面板10显示发光，另一部分发光的光线未被充分利用造成能量浪费。因此本发明实施例提供的发光面板10中创造性地增设光电转换结构300和电信号接收结构400，光电转换结构300可以基于光电转换效应，将接收发光元件300发出的光信号并转换为电信号，并将电信号传至电信号接收结构400，实现电信号的再利用，节省能耗，节能环保。
具体的，参考图2和图3所示，光电转换结构300和发光元件200均位于驱动基板100一侧，并且光电转换结构300中至少部分位于相邻两个发光元件200之间，如此光电转换结构300可以有效的获取发光元件200中未用于发光的光线，保证光电转换的效率。
进一步的，发光面板10还包括电信号接收结构400，电信号接收结构400与光电转换结构300电连接，用于获取光电转换结构300经过光电转换后传输的电信号。具体的，光电转换结构300转换的电信号可以为发光面板10提供电能，光电转换结构300转换的电信号也可以为发光面板10以外其他结构提供电能。具体的，参考图2所示，电信号接收结构400可以是发光面板10中的用电器件或者与用电器件电连接的信号传输结构；或者参考图3所示，电信号接收结构400是发光面板10中独立设置的用电器件或者电信号存储器件，本发明实施例对电信号接收结构400的具体设置方式不进行限定。
示例性的，参考图2所示，发光元件200中的电极结构可以复用为电信号接收结构400，电信号接收结构400通过第一连接结构126与光电转换结构300电连接，光电转换结构300将发光元件200发出的未用于发光面板10显示发光的光线转换为电信号后，电信号接收结构400即发光元件200中的电极结构获取电信号，继续用于驱动发光元件200的显示发光，提升发光面板10中能量的利用率。参考图3所示，电信号接收结构400可以为单独设置的器件，电信号接收400将接受的电信号用于其他器件，实现电信号的再利用，节能环保。需要说明的是，图2中以第一连接结构126作为光电转换结构300与电信号接收结构400之间的连接桥梁，本发明实施例中，光电转换结构300与电信号接收结构400可以直接接触电连接(如图3所示)，也可以通过中间连接结构电连接(如图2所示)，本发明实施例对此不进行限定。还需要说明的是，图2中还包括位于光电转换结构30远离驱动基板100一侧的电信号接收结构400，此电信号接收结构400可以通过打孔连接的方式与驱动基板100中的信号线或者与发光元件200电连接，用于为发光面板10供电；也可以与发光面板10之外的其他用电器件电连接，本发明实施例对此不进行限定。
进一步的，通过设置光电转换结构300，还可以在发光元件200进行巨量转移时，通过光电转换结构300增加其有效可对位点，提高对位精度。
综上所述，本发明实施例提供一种发光面板，通过增设光电转换结构并且设置光电转换结构中的至少部分位于相邻两个发光元件之间，基于光电转换远离，入射至光电转换结构中的光能可以转换为电信号；发光面板中进一步增设电信号接收结构，接收光电转换结构转换得到的电信号，用于为发光面板或者其他用电器件提供所需的电能，提升能量利用效率，节能环保。
进一步的，参考图1至图3所示，光电转换结构300包括PN结能动结构310。
具体的，PN结能动结构310可以是在半导体材料中通过掺杂不同元素分别形成P型半导体层以及N型半导体层，PN结能动结构310类似太阳能电池结构，不需要施加任何外界能量，利用半导体的光电转换原理，回收并利用发光元件200发出的光，可实现光生电场为发光面板10或其他用电器件提供电能，提升电信号的利用率。进一步的，PN结能动结构310可以为硅基PN结能动结构310，硅基材质本身具有优异的散热性能，所以硅基PN结能动结构310有助于发光元件200处的散热，从而延缓发光元件200的寿命。
示例性的，本发明实施例提供的PN结能动结构310不同于普通单向导通的PN结二极管，而是光生伏特效应的PN结。在PN结二极管中，推动电子运动的是外部电场，而在本实施例中类似光伏电池中推动电子运动的是发光元件200发出的光线。并且，根据发光元件200发出光线的强度不同，光电转换结构300产生的能量也不同。
继续参考图1至图3所示，PN结能动结构310包括第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312；沿发光面板10的厚度方向h，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312叠层设置。
具体的，PN结能动结构310包括第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312，具体的，第一掺杂类型半导体层311可以具有P型半导体性质，第二掺杂类型半导体层312可以具体N型半导体性质；或者第一掺杂类型半导体层311可以具有N型半导体性质，第二掺杂类型半导体层312可以具体P型半导体性质，本发明实施例对此不进行具体的限定。
进一步的，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312叠层设置，即参考图1至图3所示，第一掺杂类型半导体层311相比于第二掺杂类型半导体层312远离驱动基板100，并且第一掺杂类型半导体层311还可以相比于第二掺杂类型半导体层312靠近驱动基板100(图中未具体示出)。通过叠层设置的方式，保证PN结能动结构310中第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312的接触面更好的接收光线，通过第一掺杂类型半导体层311以及第二掺杂类型半导体层312将光电转换的电信号传输至电信号接收结构400，保证光电转换效率。
图4为图1中沿AA’的另一种剖面图，图5为图1中沿AA’的另一种剖面图，参考图4和图5所示，PN结能动结构310包括第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312；沿第一方向X，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312接触设置；第一方向X与驱动基板100所在平面平行。
具体的，PN结能动结构310包括第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312，具体的，第一掺杂类型半导体层311可以具有P型半导体性质，第二掺杂类型半导体层312可以具体N型半导体性质；或者第一掺杂类型半导体层311可以具有N型半导体性质，第二掺杂类型半导体层312可以具体P型半导体性质，本发明实施例对此不进行具体的限定。
进一步的，参考参考图4和图5所示，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312沿第一方向X接触设置。具体的，参考图3和图4所示，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312分别与电信号接收结构400电连接，保证光电转换效率。进一步的，如图4所示，当第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312沿第一方向X接触设置时，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312可以分别通过第一连接结构126和第二连接结构127向发光元件200供电，光电转换结构300与电信号接收结构400的连接方式简单。
综上，通过设置，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312沿第一方向X接触设置，丰富了第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312的设置方式，即提升了PN结能动结构310的普适性。
图6为图1中沿AA’的另一种剖面图，图7为图1中沿AA’的另一种剖面图，参考图6和图7所示，发光面板10还包括辅助导电结构500，辅助导电结构500设置于光电转换结构300和电信号接收结构400之间且辅助导电结构500的电阻率小于光电转换结构300的电阻率。
示例性的，光电转换结构300的材质一般为硅基半导体材料，导电性具有局限性，辅助导电结构500的材质可以是金属材料或其他电阻率小于光电转换结构300的材料，通过辅助导电结构500提升电信号的传输效率，克服光电转换结构300导电性一般的局限性。具体的，本发明实施例提供的发光面板10通过将辅助导电结构500设置于光电转换结构300和电信号接收结构400之间，并且辅助导电结构500的电阻率小于光电转换结构300的电阻率，即辅助导电结构500的电信号传输效果优于光电转换结构300的电信号传输效果，可以将光电转换结构300转换的电信号快速传输至电信号接收结构400，保证光电转换效率即提升电信号的传输效率。
示例性的，参考图6和图7，以光电转换结构300中第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312可以叠层设置为例说明辅助导电结构500。其中，参考图6所示，电信号接收结构400可以是发光面板10中的用电器件或者与用电器件电连接的信号传输结构，或者参考图7所示，电信号接收结构400是发光面板10中独立设置的用电器件或者电信号存储器件，即电信号接收结构400的位置不限定，辅助导电结构500可以位于光电转换结构300靠近驱动基板100一侧和/或远离驱动基板100一侧，本发明实施例对此不进行具体的限定。
可选的，辅助导电结构500包括金属网格。
具体的，辅助导电结构500的材质为金属材质时，导电性较好，保证将光电转换结构300转换的电信号有效传输。进一步，当辅助导电结构500包括金属网格时，在保证电信号传输的同时，避免金属材质的辅助导电结构500对发光元件200发出光线的遮挡，保证发光面板10正常的显示发光。
图8为图1中沿AA’的另一种剖面图，图9为图1中沿AA’的另一种剖面图，参考图8和图9所示，发光面板10还包括连接导线600，连接导线600分别与光电转换结构300和电信号接收结构400电连接。
其中，发光面板10还包括连接导线600，通过连接导线600可以扩展电信号的传输范围。具体的，光电转换结构300与连接导线600电连接，突破仅仅将电信号接收结构400设置在驱动基板100表面，可以通过连接导线600作为连接桥梁，将电信号接收结构400设置在驱动基板100内部，因此电信号接收结构400设置方式灵活。
示例性的，参考图8和图9所示，以光电转换结构300中第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312可以叠层设置为例，同时以发光元件200通过电极结构与薄膜晶体光121中漏极125电连接为例说明，本发明实施例对光电结构300内的设置方式不进行具体的限定，同时对驱动基板100内的具体膜层设置不进行限定。具体的，参考图8所示，漏极125为电信号接收结构400，通过连接导线600实现漏极125与光电转换结构300电连接，进一步通过漏极125实现光电转换结构300与发光元件200电连接，即通过设置连接导线600的延伸长度可以将电信接收结构400设置为其他金属膜层，本发明实施例对此不进行具体的限定。
示例性的，参考图9所示，发光面板10还可以在具有辅助导电结构500的基础上设置连接导线600，进一步提升电信号的传输效果。
参考图1至图8所示，发光元件200包括第一电极210和第二电极220；电信号接收结构400包括第一电极210和/或第二电极220。
其中，发光元件200包括第一电极210和第二电极220，通过第一电极210和第二电极220与驱动基板100电连接，驱动基板100驱动发光元件200发光，可以实现发光元件200的正常显示。并且，发光元件200还包括第一半导体层、发光层和第二半导体层等，第一半导体层与第一电极210电连接，第二半导体层与第二电极220电连接，本发明实施例对发光元件200包括的膜层不进行具体的限定。
示例性的，电信号接收结构400可以包括第一电极210或者第二电极220，考图2和图6所示，以电信号接收结构400包括第一电极210为例进行说明，电信号接收结构400包括第二电极220方法相似不进行赘述。进一步的，电信号接收结构400可以同时包括第一电极210和第二电极220，参考图4所示。通过将电信号接收结构400设置于发光元件200内，光电转换结构300可以直接为发光元件200供电，发光面板10可以少输出一部分的供电信号，进而可以降低发光面板10的功耗。
参考图8和图9所示，驱动基板100包括信号走线；电信号接收结构400包括信号走线。
其中，驱动基板100包括信号走线，例如PVDD、PVEE、数据信号线、扫描信号线和Vref信号线等，本领域技术人员可根据实际需求进行设置，本发明实施例对此不作限定。进一步的，若电信号接收结构400为驱动基板100中的信号走线，可以通过在驱动基板100的膜层之间设置过孔，通过穿过膜层保证光电转换装置300与连接走线电连接，即保证光电转换装置300与电信号接收结构400电连接。
进一步的，参考图8和图9所示，电信号接收结构400可以包括信号走线，图中以电信号接收走线400为漏极125为例进行说明，即光电转换结构300可以直接为驱动基板100中信号走线供电，即光电转换结构300转换的电信号通过信号走线直接用于发光元件200供电，发光面板10可以少输出一部分的供电信号，进而可以降低发光面板10的功耗。
图10为图1中沿AA’的另一种剖面图，图11为图1中沿AA’的另一种剖面图，参考图10和图11所示，PN结能动结构310包括第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312；第一掺杂类型半导体层311和/或第二掺杂类型半导体层312中设置有光线阻隔粒子320，光线阻隔粒子320包括光线吸收粒子和/或光线反射粒子。
具体的，PN结能动结构310包括第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312，具体的，第一掺杂类型半导体层311可以具有P型半导体性质，第二掺杂类型半导体层312可以具体N型半导体性质；或者第一掺杂类型半导体层311可以具有N型半导体性质，第二掺杂类型半导体层312可以具体P型半导体性质，本发明实施例对此不进行具体的限定。
进一步的，通过在PN结能动结构310中设置光线阻隔粒子320，即参考图10和图11所示，在第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312中均设置有光线阻隔粒子320，或者仅在第一掺杂类型半导体层311或仅在第二掺杂类型半导体层312中设置有光线阻隔粒子320(图中未具体示出)，通过光线阻隔粒子320对光线进行阻隔，避免相邻发光元件200之间产生串扰。进一步的，光线阻隔粒子320包括光线吸收粒子和/或光线反射粒子，光线吸收粒子可以对光线进行吸收，避免不同发光元件200发出光线之间存在串扰，光线反射粒子可以对光线进行反射，一方面可以避免相邻发光元件200之间产生串扰，另一方面可以反射光线可以提升光线利用效率，增强光电转换结构300的光电转换效率。示例性的，光线阻隔粒子320可以是石墨烯粒子，本发明实施例对光线阻隔粒子320的具体材质不进行限定。
继续参考图11所示，发光面板10还包括位于发光元件200背离驱动基板100一侧的色转换结构700，沿发光面板10的厚度方向，色转换结构700与发光元件200至少部分交叠；沿发光面板10的厚度方向h，第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312叠层设置；第二掺杂类型半导体层312位于相邻两个色转换结构700之间，且第二掺杂类型半导体层312中光线阻隔粒子320的掺杂浓度大于第一掺杂类型半导体层311中光线阻隔粒子320的掺杂浓度。
其中，发光面板10还包括位于发光元件200远离驱动基板100一侧的色转换结构700，发光元件200的发出光线经过色转换结构700后其波长发生改变，转化为其他颜色的激发光线，示例性的，当蓝色发光元件的发出光线通过红光色或者绿光色转化层后，激发转换为红色或绿色的激发光线。
进一步的，发光元件200发出的光线经过色转换结构700激发后，发出的光线仍可以被光电转换结构300进行光电转换，更好的实现发光面板10中能量的利用。
进一步的，参考图11所示，光电转换结构300中第一掺杂类型半导体层311和第二掺杂类型半导体层312叠层设置，第一掺杂类型半导体层311相比于第二掺杂类型半导体层312更靠近驱动基板100，即第二掺杂类型半导体层312位于相邻两个色转换结构700之间。发光元件200发出的光线经过色转换结构700后光线的颜色可能不同，所以为了避免不同颜色出光之间的串扰，位于色转换结构700之间的光电转换结构300中光线阻隔粒子320的掺杂浓度较大，即第二掺杂类型半导体层312中光线阻隔粒子320的掺杂浓度大于第一掺杂类型半导体层311中光线阻隔粒子320的掺杂浓度，保证发光面板10整体的显示发光效果。
可选的，色转换结构700包括量子点材料。
具体的，色转换结构700中可以包括量子点材料，量子点材料用于被激发后改变发光元件200发出光线的波长，发光元件200发出的光线经过量子点即对量子点进行激发，可以实现不同颜色的光线发出。量子点的色度纯高，显示色域广，可大幅超过NTSC的色域范围，即量子点由于其特殊的特性，作为新一代发光材料，在显示应用中正逐渐崭露头角。
继续参考图1至图11所示，发光面板10还包括位于色转换结构700背离驱动基板100一侧的散热层800，散热层800与色转换结构700接触。
具体的，发光面板10还包括散热层800，散热层800可以将色转换结构700产生的热量进行散热，在光电转换结构300的基础上进一步减少发光面板10产生的热量，提升发光面板10整体的使用寿命。进一步的，散射层800还可以是透明材质，便于光线发出，保证发光面板10的正常显示发光效果。即散热层800在保护色转换结构700的基础上，还可以透光，优化色域。
进一步的，散热层800包括类金刚石散热层。
具体的，散热层800的材质可以是类金刚石结构，即类金刚石散热层在保证散热及透光的基础上，还具有一定的硬度，可以作为支撑结构，支撑发光面板10。
继续参考图10和图11所示，发光面板10还包括设置于发光元件200与色转换结构700之间的封装树脂900。
具体的，参考图10和图11所示，发光元件200和色转换结构700位于封装树脂900所填充的环境下，通过填充封装树脂900保证发光面板10整体结构的稳定性。
参考图1至图11所示，发光元件200包括微型发光二极管。
本实施例中发光元件200为微型发光二极管，例如可以为用于显示的Micro LED或用于背光的Mini LED，微型发光二极管体积小、功率低等优点，具有广泛的应用前景，可以提升整体的像素分辨率，有利于实现精细化出光。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，图12为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图12所示，该显示装置1包括本发明任意实施例所述的发光面板10，因此，本发明实施例提供的显示装置1具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
本发明实施例提供的显示装置1可以为图12所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、医疗设备、工控设备、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种背光模组，图13为本发明实施例提供的一种背光模组的结构示意图，如图13所示，该背光模组2包括本发明任意实施例所述的发光面板10，并且还包括位于发光面板10出光侧的光学结构910，光学结构910例如可以包括叠层设置的扩散片、增亮膜、以及匀光膜等光学膜片，利于提升背光模组2的出光效果。本发明实施例对光学结构910的具体结构不进行限定。本发明实施例提供背光模组2具有上述任一实施例中的技术方案所具有的技术效果，与上述实施例相同或相应的结构以及术语的解释在此不再赘述。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (18)
1.一种发光面板，其特征在于，包括：
驱动基板；
发光元件，位于所述驱动基板一侧且与所述驱动基板电连接；
光电转换结构，位于所述驱动基板一侧，所述光电转换结构中的至少部分位于相邻两个所述发光元件之间；
电信号接收结构，与所述光电转换结构电连接，用于接收所述光电转换结构传输的电信号。
2.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述光电转换结构包括PN结能动结构。
3.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述PN结能动结构包括第一掺杂类型半导体层和第二掺杂类型半导体层；
沿所述发光面板的厚度方向，所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体层叠层设置。
4.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述PN结能动结构包括第一掺杂类型半导体层和第二掺杂类型半导体层；
沿第一方向，所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体层接触设置；所述第一方向与所述驱动基板所在平面平行。
5.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括辅助导电结构，所述辅助导电结构设置于所述光电转换结构和所述电信号接收结构之间且所述辅助导电结构的电阻率小于所述光电转换结构的电阻率。
6.根据权利要求5所述的发光面板，其特征在于，所述辅助导电结构包括金属网格。
7.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括连接导线，所述连接导线分别与所述光电转换结构和所述电信号接收结构电连接。
8.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光元件包括第一电极和第二电极；
所述电信号接收结构包括所述第一电极和/或所述第二电极。
9.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述驱动基板包括信号走线；
所述电信号接收结构包括所述信号走线。
10.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述PN结能动结构包括第一掺杂类型半导体层和第二掺杂类型半导体层；
所述第一掺杂类型半导体层和/或所述第二掺杂类型半导体层中设置有光线阻隔粒子，所述光线阻隔粒子包括光线吸收粒子和/或光线反射粒子。
11.根据权利要求10所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括位于所述发光元件背离所述驱动基板一侧的色转换结构，沿所述发光面板的厚度方向，所述色转换结构与所述发光元件至少部分交叠；
沿所述发光面板的厚度方向，所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体层叠层设置；
所述第二掺杂类型半导体层位于相邻两个所述色转换结构之间，且所述第二掺杂类型半导体层中所述光线阻隔粒子的掺杂浓度大于所述第一掺杂类型半导体层中所述光线阻隔粒子的掺杂浓度。
12.根据权利要求11所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括位于所述色转换结构背离所述驱动基板一侧的散热层，所述散热层与所述色转换结构接触。
13.根据权利要求12所述的发光面板，其特征在于，所述散热层包括类金刚石散热层。
14.根据权利要求11所述的发光面板，其特征在于，所述发光面板还包括设置于所述发光元件与所述色转换结构之间的封装树脂。
15.根据权利要求11所述的发光面板，其特征在于，所述色转换结构包括量子点材料。
16.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述发光元件包括微型发光二极管。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-16任一项所述的发光面板。
18.一种背光模组，其特征在于，包括权利要求1-16任一项所述的发光面板。
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|---|---|---|---|
| CN202210563392.7A CN114975402A (zh) | 2022-05-20 | 2022-05-20 | 一种发光面板、显示装置和背光模组 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN114975402A true CN114975402A (zh) | 2022-08-30 |
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| CN108878447A (zh) * | 2018-06-26 | 2018-11-23 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示装置及终端解锁方法 |
| CN109037293A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN110277053A (zh) * | 2019-06-25 | 2019-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、驱动方法、显示装置 |
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2022
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