CN114974992A - 一种电瓷质壳体及气密状灭弧室 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种电瓷质壳体及气密状灭弧室，所述电瓷质壳体至少包括瓷质材料（100）、第一金属材料（210）和第二金属材料（220），所述第一金属材料（210）的熔点高于第二金属材料（220）的熔点，所述第一金属材料（210）设于所述第二金属材料（220）的外部并共同形成金属制件（200），所述金属制件（200）与所述瓷质材料（100）之间设有第三金属材料（300），所述第三金属材料（300）与所述金属制件（200）和所述瓷质材料（100）高温共烧渗透进所述瓷质材料（100）的内部并与所述金属制件（200）相连接产生气密结合层。

Description

一种电瓷质壳体及气密状灭弧室

技术领域

本发明涉及电气开关领域，以及其它应用到陶瓷和金属连接的相关行业，具体涉及一种电瓷质壳体及气密状灭弧室，本发明可实现陶瓷和金属的可靠连接，使其具有气密性和一定机械连接强度。

背景技术

目前，能够实际工程应用的陶瓷和金属零件的连接，通常有以下几种方式：

1）、用特殊的胶进行粘结：这种方式仅仅适合于常温或者在有限的温度范围内的使用。

2）、活性钎焊：将活性焊料置于金属和陶瓷之间，在真空或者气氛炉中进行钎焊，形成陶瓷和金属的连接。这种连接方式具有很大的局限性，受焊料和金属材料的限制，适用的金属种类较少，可选择性小，而且工艺复杂，成本高，对零件的要求高。

3）、陶瓷表面采用高温金属化后的钎焊：这种方式首先要制造陶瓷，这就是一个很复杂的工艺过程，然后将陶瓷表面需要与金属连接的部位进行金属化，陶瓷金属化工艺也是一个非常复杂的工艺过程：陶瓷配料并研磨、配制金属化膏、丝网印膏、氢炉烧结、电镀镍、然后烧结使镍层牢固，在陶瓷表面金属化后，再将金属零件与瓷壳进行装配，通过真空钎焊炉或者气氛钎焊炉焊接而成。整个工艺过程非常复杂，工艺成本高，耗费能源，而且有一定的废品率。这种陶瓷与金属零件的封接温度通常在800°C–840°C左右，由于陶瓷和金属零件的膨胀系数不匹配，所以只有几种金属材料可以用于封接。

目前，在我国电力开关的应用中，陶瓷密封绝缘件基本上都是95%的Al₂O₃陶瓷。陶瓷与金属零件的连接主要三大部分工艺流程：陶瓷制造、陶瓷金属化与镀镍烧结、真空钎焊或者气氛炉钎焊。这三部分中，每一个部分都有很麻烦复杂的具体工艺过程，费时费工耗能，成本很高，而且连接的可靠性受到各种因素的影响，很难保证。

图1和图2分别为目前灭弧室中最常用的金属化瓷壳和金属零件与瓷壳的封接结构示意图。所述金属化瓷壳包括瓷壳本体1和设于所述瓷壳本体1端部的金属化层11，在这种结构中，从成本角度出发，盖板2的材料常用的是316L不锈钢，端屏蔽罩3的材料用无氧铜TU1。由于瓷壳1的制造特点，其公差范围远远大于金属零件的公差方位，而且同一批的瓷壳的尺寸一致性不好。所以，瓷壳1和端屏蔽罩3的配合很难保证，端屏蔽罩3在瓷壳1上的位置偏的话，会造成封接后应力增大，导致瓷壳1和金属封接处发生应力开裂，这也是灭弧室发生质量问题最致命的一点。目前，在装配灭弧室时，为了保证端屏蔽罩3和瓷壳1装配同心，需要端屏蔽罩3和瓷壳1逐一匹配，装配非常麻烦，也影响装配效率。

另外，如图3和图4所示，为金属零件4与瓷壳1平面封接时的结构示意图。瓷壳1的边沿有倒角，当金属零件4与瓷壳1平面封接时在两者之间会形成一个楔形尖角小气隙5。当产品施加高压时，楔形尖角小气隙5处会产生电场畸变，电场强度大，容易发生电击穿，影响绝缘。

发明内容

基于上述背景，本发明提供一种电瓷质壳体，可有效克服上述问题的至少之一。

本发明通过如下技术方案实现：

一种电瓷质壳体，至少包括瓷质材料、第一金属材料和第二金属材料，所述第一金属材料的熔点高于第二金属材料的熔点，所述第一金属材料设于所述第二金属材料的外部并共同形成金属制件，所述金属制件与所述瓷质材料之间设有第三金属材料，所述第三金属材料与所述金属制件和所述瓷质材料高温共烧渗透进所述瓷质材料的内部并与所述金属制件相连接产生气密结合层。

优选的，所述第三金属材料设于所述金属制件或瓷质材料的至少一个平面上。

优选的，所述第二金属材料为铜、钢、铝、钼、锰、镍中的至少一种。

优选的，所述第二金属材料为粉末状或板材状金属材料经过机械加工成形。

优选的，所述第一金属材料为钨、钛、钼、铬、锰中的至少一种。

优选的，所述第一金属材料镀于所述第二金属材料的外表面或套设于所述第二金属材料的外部。

优选的，所述第三金属材料涂于或镀于所述第一金属材料或所述第二金属材料的外表面。

优选的，所述第三金属材料涂于或镀于所述第二金属材料的外部，所述第一金属材料上设有开口槽。

优选的，所述第三金属材料为钼、锰、铜、镍、铬、铁、钛、铝的至少一种。

优选的，所述第三金属材料为可涂敷材料。

优选的，所述第三金属材料与所述瓷质材料之间设有纳米陶瓷材料。

优选的，所述金属制件的截面形状包括但不限于L形、U形或矩形。

优选的，所述第二金属材料为纳米级或微米级的金属粉末。

优选的，所述共烧温度为800°C-2000°C。

本发明的第二方面，还公开了一种气密状灭弧室，包括如上所述的电瓷质壳体、弹性件、动触头、静触头和密封金属板，所述电瓷质壳体的金属制件与所述密封金属板在常温下焊接固定或高温和抽真空环境中焊接固定。优选的，所述弹性件为弹簧或波纹管。

优选的，所述常温下焊接固定方式为电焊焊接、钎焊焊接、激光焊接或气体焊接，所述高温和抽真空环境中焊接固定方式为钎焊。

本发明的有益效果如下：

1、金属制件的存在使得与其配合的密封金属板不必采用无氧铜材料或者其它成本较高的瓷封合金，可以采用成本较低的材料，如不锈钢材料等，大大降低了生产成本。

2、金属制件的存在消除了瓷壳倒角处的楔形尖角气隙，改善了此处的电场，有利于提高灭弧室的绝缘水平。

3、提高了密封金属板与电瓷质壳体的连接强度，实现了二者的可靠连接，金属密封板的选择性大大增加。

4、简化了陶瓷和金属化的工艺过程，把三次烧结变为一次烧结，工艺简单，节省了电能和气体，以及人力成本等资源。

5、密封金属板与电瓷质壳体的连接尺寸定位准确，一致性高。

6、密封金属板与电瓷质壳体连接致密，避免了因金属零件装偏导致的封接不可靠、瓷壳开裂和漏气的情况。

7、电瓷质壳体与密封金属板的连接方式多样，可在常温或高温/真空等环境下选择不同的焊接方式实现二者的连接，可选择性高。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术的金属化瓷壳结构示意图。

图2为现有技术的金属零件与瓷壳的封接结构示意图。

图3和图4为现有技术的金属零件与瓷壳平面封接结构示意图。

图5a为本发明的电瓷质壳体结构示意图。

图5b为本发明的电瓷质壳体另一形式结构示意图。

图6至图8为本发明的电瓷质壳体的金属制件不同的结构示意图。

图9为本发明的灭弧室结构示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。本发明决不限于下面所提出的任何具体配置和算法，而是在不脱离本发明的精神的前提下覆盖了元素、部件和算法的任何修改、替换和改进。在附图和下面的描述中，没有示出公知的结构和技术，以便避免对本发明造成不必要的模糊。

如图5a所示，本实施例公开了一种电瓷质壳体，所述电瓷质壳体包括瓷质材料100和金属制件200，所述金属制件200设于所述瓷质材料100的端部，所述金属制件200包括第一金属材料210和第二金属材料220，所述第一金属材料210设于所述第二金属材料220的外部，且所述第一金属材料210的熔点高于所述第二金属材料220的熔点，在所述金属制件200与所述材质材料100之间还设有第三金属材料300，所述第三金属材料300与所述瓷质材料100、金属制件200高温共烧形成所述电瓷质壳体，当所述第三金属材料300与所述瓷质材料100、金属制件200高温共烧时渗透进所述瓷质材料100的内部，并与所述金属制件200相连接产生气密结合层。优选的，其高温共烧温度在800℃-2000℃之间。

具体的，所述第一金属材料210设于所述第二金属材料220的外部有多种实现方式，如可以直接将所述第一金属材料210镀于所述第二金属材料220的外部，也可将所述第一金属材料210制成一金属零件套设在所述第二金属材料220制成的金属零件的外部，均可实现同样的技术效果，在此不做限制。所述第一金属材料210的熔点高于所述第二金属两件220的熔点，如此设置的目的在于，现有瓷质材料100的主要成分为微米级的Al₂O₃，根据Al₂O₃的含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85瓷等品种，其烧结温度也会有高低差异，在电气开关领域，85瓷的烧结温度相对95瓷或90瓷的烧结温度较低，其分断能力也会降低，不利于电气产品的安全，因此一般选用其烧结温度在1800︒C左右的95瓷或90瓷，所述第二金属材料220熔点一般低于所述瓷质材料100的烧结温度，在所述第二金属材料220的外部设有熔点较高的第一金属材料210，可以保证所述金属制件200在高温共烧时不被液态化而导致变形，从而保证所述电瓷质壳体在装配时与密封金属板的良好装配。优选的，所述第一金属材料210可以为钨、钛、钼、铬、锰中的一种，也可以是钨、钛、钼、铬、锰中的两种或两种以上材料形成的合金材料，所述第二金属材料220可以为铜、钢、铝、钼、锰、镍中的一种，也可以是铜、钢、铝、钼、锰、镍中的两种或以上形成的合金材料，所述第二金属材料220可以为粉末状或板材状的金属材料经过机械加工成型，当所述第二金属材料220为粉末状时，可以通过挤压成型，当所述第二金属材料220为板材状时，可以经过折弯冲压成型。在本实施例中，所述第二金属材料220为微米级或纳米级的金属材料。

所述金属制件200设于所述瓷质材料100的至少一端，即：所述金属制件200可设于所述瓷质材料100的一端，也可在所述瓷质材料100的两端分别设置一金属制件200，当所述瓷质材料100的两端分别设有一金属制件200时，所述瓷质材料100两端的金属制件200形状可以相同，也可以不相同，在此不做限制，如图6至图8所示，给出了不同实施例中所述瓷质材料100两端的金属制件200不同的各种结构形式。具体的，如图6所示，所述瓷质材料100两端的所述金属制件200均为具有阶梯状的结构形式，如图7所示，所述瓷质材料100两端的所述金属制件200均为上下直径相同的柱状结构，如图8所示，所述瓷质材料100一端的所述金属制件200为阶梯状结构，另一端的所述金属制件200为上下直径相同的柱状结构，这三种不同的实现方式均可实现同样的技术效果。所述金属制件200凸起设于所述瓷质材料100的端部，其具有一定的厚度，以实现与密封金属板的可靠连接。

进一步的，所述金属制件200的截面形状可以是任意形状，在此不做限制，在具体的实施中，所述金属制件200的截面形状可以为L形、U形或矩形等。

为实现所述金属制件200和所述瓷质材料100的良好结合，在所述金属制件200和所述瓷质材料100之间设有第三金属材料300，所述第三金属材料300通过电镀、喷涂或丝印的方式涂覆于所述金属制件200靠近所述瓷质材料100的外表面或所述瓷质材料100靠近所述金属制件200的外表面上，即所述第三金属材料300为可涂敷材料。当所述瓷质材料100和所述金属制件200高温共烧时，所述瓷质材料100的胚体中的一部分组成高温下会形成熔体(液态)，冷却过程中原子、离子或分子被“冻结”成非晶态固体即玻璃相，其主要作用是将分散的晶相黏合在一起，抑制晶粒长大及充气孔使陶瓷致密等。玻璃相结构疏松，因此在空隙中常用第三金属材料300填充，降低陶瓷的电绝缘性，增加介电消耗。所述第三金属材料300可为钼、锰、铜、镍、铬、铁、钛、铝中的一种，也可以是钼、锰、铜、镍、铬、铁、钛、铝中的两种或以上金属组成的合金材料。所述第三金属材料300可涂于所述第一金属材料210或所述第二金属材料220的外表面，也可设于所述瓷质材料100的外表面，当所述第一金属材料210完全把所述第二金属材料220包裹在其内部时，所述第三金属材料300涂于所述第一金属材料210的外表面，当所述第二金属材料220的至少一外表面未完全被所述第一金属材料210包裹时，如图5a所示，所述第三金属材料300涂于所述第二金属材料220未被包裹的外表面上，此时，所述第一金属材料210上设有开口槽，所述第二金属材料220设于所述开口槽内。

所述第三金属材料300也可设于所述瓷质材料100的外表面，优选的，在一具体的实施例中，所述第三金属材料300通过丝印设于所述瓷质材料100的外表面，如此设置的好处是所述瓷质材料100的宽度大于所述金属制件200的宽度，所述瓷质材料100的外表面可以为所述第三金属材料300提供更大的涂敷空间，从而增加所述第三金属材料300的使用量，保证所述电瓷质壳体的烧结强度。

在一具体实施方案中，所述第一金属材料210为钼、钼-铬或钼-钛合金，所述第二金属材料220为镍，在所述镍的外部镀钼、钼-铬或钼-钛合金，所述第三金属材料300为钼锰合金，所述瓷质材料100上的所述第三金属材料300与所述第一金属材料210底面的钼、钼-铬或钼-钛合金直接在高温炉中烧结，当所述电瓷质壳体与材质为镍的密封金属板共同在800℃的温度下抽真空钎焊时，为保证良好可靠的焊接性能，可先将焊接处的钼、钼-铬或钼-钛合金去除，然后再直接与所述镍质的密封金属板钎焊即可。

需要说明的是，与上述的具体实施方案不同的是，在其他的具体实施方案中，所述第二金属材料220也可为铜，可以实现同样的技术效果，在此不再赘述。

在一优选的实施例中，在所述第三金属材料300和所述瓷质材料100之间还设有纳米陶瓷材料500，相较于微米级的陶瓷材料，所述纳米陶瓷材料500的颗粒更细，在高温共烧时与所述第三金属材料300的结合度更高，所述第三金属材料300的渗透度更高。

在一优选的实施例中，当所述电瓷质壳体应用于外表面有防污染要求的时候，所述电瓷质壳体的外表面设置有瓷釉，通过所述瓷釉来保护所述电瓷质壳体，避免所述电瓷质壳体的污染。当所述电瓷质壳体在实际应用中被其他外部紧密包裹，未暴露在大气或其他气体中，可不设置瓷釉。

在一优选的具体实施例中，所述电瓷质壳体的外表面可以是光滑的，也可设有规则或不规则的波纹状结构，在一定瓷壳高度下，若沿面爬电距离已经满足要求，就采用平滑的表面，如果爬电距离不够，就可以设计成规则或不规则的波纹状结构，以增加所述电瓷质壳体的沿面爬电距离。

在一优选的具体实施例中，所述电瓷质壳体的内表面一般为平滑设计，当需要所述电瓷质壳体的内部装配固定一些配件时，则会在所述电瓷质壳体的内表面设置凸起或凹槽，以完成对所述配件的装配限位。

为了改善陶瓷和金属连接的可靠性，所述电瓷质壳体的在制造时采用粉末压制烧结的方法，此方法的优点在于可以避免延压板材经过高温烧结后晶粒度过渡长大、钎焊时容易发生焊料穿晶现象的问题。具体的，所述方法包括：

a、压制瓷质材料100。在压制所述瓷质材料100时，分段压制不同材料的粉料，所述瓷质材料100的预制工艺使用钢模分层压制或浇注，无需进一步成型加工，节省材料。

b、上釉、预烧。压制后可在所述瓷质材料100的外表面上釉并进行预烧结，该步骤根据产品实际应用进行选择即可，具体的，当所述瓷质材料100的外表面不上釉时，不需要预烧；当所述瓷质材料100的外表面上釉时，则需要预烧。

c、在预烧后的所述瓷质材料100的端部印制第三金属材料300和压制金属制件200。在所述第三金属材料300涂覆完成后，在所述第三金属材料300上再压制环形的具有一定宽度（2mm-3mm左右）和厚度（2mm左右）的金属制件200。

d、一次性烧结。将压制好的壳体通过模具固定后一次性在高温腔室中烧结成具有制件200的电瓷质壳体，烧结温度根据所述第三金属材料300的配方和陶瓷的种类而定，优选的在800°C-2000°C之间，所述高温腔室为真空或气氛炉。本方法简化了陶瓷和金属化的工艺过程，把三次烧结变为一次烧结，节省了电能和气体，以及人力成本等资源。

如图9所示，本实施例的第二方面还公开了一种气密状灭弧室600，所述灭弧室600应用于电的开关中，如真空开关中，真空开关已经被广泛地用于中压配电领域，也逐渐扩展到高压和超高压领域。真空开关最关键的核心元件是灭弧室。本发明可以用于灭弧室的外壳，使陶瓷金属连接可靠，避免陶瓷金属封接处慢性漏气和开裂的风险，改善瓷壳与金属封接处的电场强度，提高电气绝缘水平。

具体的，所述灭弧室600包括动触头610、静触头620、密封金属板630、弹性件640和所述电瓷质壳体，所述瓷质材料100及端部的所述金属制件200、所述密封金属板630、弹性件640和所述动触头610、静触头620形成一密封空腔。所述动触头610的一端穿过所述密封金属板630，并可与所述静触头620接触或分离，所述弹性件640的一端固定在所述密封金属板630上，另一端设于所述动触头610上，当所述动触头610在操作机构的驱动下与所述静触头620接触时，所述弹性件640被拉伸（或自由状态），当所述动触头610与所述静触头620分离时，在所述弹性件640的复位力作用下，所述动触头610复位（或压缩），需要说明的是，在所述动触头610和所述静触头620的触点位于一密封空间内，对灭弧室而言，此密封空间内为真空状态，或充有阻弧气体，所述真空或阻弧气体均可有效消除所述动触头610和所述静触头620分断时产生的电弧，达到更好的灭弧效果。所述弹性件640可为弹簧或波纹管。所述电瓷质壳体的金属制件200可与所述密封金属板630在常温下焊接固定或高温和抽真空环境中焊接固定，所述常温下焊接固定方式为电焊焊接、钎焊焊接、激光焊接或气体焊接，所述高温和抽真空环境中焊接固定方式为钎焊。

在本实施例中，所述瓷体100的两个端面上均设有所述金属制件200，所述密封金属板630可装配在最合适的位置，不会发生位置偏移，保证了瓷壳和密封金属板的可靠封接。所述金属制件200同时还起到封接应力缓冲释放的过渡作用，所述密封金属板630的材料可以使用成本较低的不锈钢板（热膨胀系数和陶瓷不匹配）等材料，不会导致封接处开裂或漏气等故障。

此外，在所述瓷壳上设置所述金属制件200后，密封金属板630就能被很好地装配在所述瓷壳上面，而且是最合适的位置，不受瓷壳内径尺寸变化的影响。如此制造的电瓷质壳体与密封金属板平面封接用于高电压等级工况时，所述电瓷质壳体与密封金属板连接处没有楔形尖角间隙，有利于改善陶瓷、金属、气体（或真空）三种介质交界处的电场。

综上所述，本发明的新型瓷壳有三大优点，一是由于瓷壳上金属制件200的存在，与其配合的密封金属板不必采用无氧铜材料或者其它成本较高的瓷封合金，可以采用成本较低的材料，如不锈钢材料等。二是由于瓷壳上金属制件200的存在，消除了瓷壳倒角处的楔形尖角气隙，改善了此处的电场，有利于灭弧室的绝缘。三是简化了陶瓷和金属化的工艺过程，把三次烧结变为一次烧结，节省了电能和气体，以及人力成本等资源。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围。

本发明可以以其它的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。

Claims (17)

1.一种电瓷质壳体，其特征在于，至少包括瓷质材料（100）、第一金属材料（210）和第二金属材料（220），所述第一金属材料（210）的熔点高于第二金属材料（220）的熔点，所述第一金属材料（210）设于所述第二金属材料（220）的外部并共同形成金属制件（200），所述金属制件（200）与所述瓷质材料（100）之间设有第三金属材料（300），所述第三金属材料（300）与所述金属制件（200）和所述瓷质材料（100）高温共烧渗透进所述瓷质材料（100）的内部并与所述金属制件（200）相连接产生气密结合层。

2.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第三金属材料（300）设于所述金属制件（200）或瓷质材料（100）的至少一个平面上。

3.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第二金属材料（220）为铜、钢、铝、钼、锰、镍中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第二金属材料（220）为粉末状或板材状金属材料经过机械加工成形。

5.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第一金属材料（210）为钨、钛、钼、铬、锰中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第一金属材料（210）镀于所述第二金属材料（220）的外表面或套设于所述第二金属材料（220）的外部。

7.根据权利要求2所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第三金属材料（300）涂于或镀于所述第一金属材料（210）或所述第二金属材料（220）的外表面。

8.根据权利要求7所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第三金属材料（300）涂于或镀于所述第二金属材料（220）的外部，所述第一金属材料（210）上设有开口槽（211）。

9.根据权利要求2所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第三金属材料（300）为钼、锰、铜、镍、铬、铁、钛、铝的至少一种。

10.根据权利要求2所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第三金属材料（300）为可涂敷材料。

11.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，在所述第三金属材料（300）与所述瓷质材料（100）之间设有纳米陶瓷材料（500）。

12.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述金属制件（200）的截面形状包括但不限于L形、U形或矩形。

13.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述第二金属材料（220）为纳米级或微米级的金属粉末。

14.根据权利要求1所述的一种电瓷质壳体，其特征在于，所述共烧温度为800℃-2000℃。

15.一种气密状灭弧室（600），包括1-14任一项所述的电瓷质壳体、弹性件（640）、动触头（610）、静触头（620）和密封金属板（630），其特征在于，所述电瓷质壳体的金属制件（200）与所述密封金属板（630）在常温下焊接固定或高温和抽真空环境中焊接固定。

16.根据权利要求15所述的一种气密状灭弧室（600），其特征在于，所述弹性件（640）为弹簧或波纹管。

17.根据权利要求15所述的一种气密状灭弧室（600），其特征在于，所述常温下焊接固定方式为电焊焊接、钎焊焊接、激光焊接或气体焊接，所述高温和抽真空环境中焊接固定方式为钎焊。

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