CN114966912B - 一种锗基底用减反膜组及其用途 - Google Patents

一种锗基底用减反膜组及其用途 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种锗基底用减反膜组及其用途，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将所述锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；通过采用ZnS、Ge和YbF3三种膜料进行光谱设计，通过物理气相沉积法进行制备，所得膜组可实现1‑7μm波段，透过率＜0.3％，7.5‑14μm波段≥94％，该设计能够有效提高通带透过率以及截止深度，提高了系统的灵敏度，降低了系统噪声。

Description

一种锗基底用减反膜组及其用途
技术领域
本发明涉及红外光学领域，具体涉及一种锗基底用减反膜组及其用途。
背景技术
目前，锗单晶作为使用最为普遍及应用范围最广的红外光学材料，其通过表面镀有的光学薄膜来达到特定的使用目的。
如CN114200552A公开了一种锗基底8-12μm红外波段窗口片及其制备方法，属于红外光学领域。所述窗口片以单晶锗为基底，基底的正反两面均镀有相同的红外增透膜系结构；正反面的红外增透膜膜系结构均为：基底/0.281Ge/0.475ZnSe/0.4641Ge/0.644ZnSe/0.578YbF3/0.126ZnS/空气。其将有吸收的膜层厚度降至最低同时在第二层和第四层镀膜采用透光性能更加完善的ZnSe材料，以此提高透过率，并在镀膜过程中采用离子源助镀及离子源镀前、镀后轰击的方式来降低膜层应力以减少吸收提高透过率的同时增强膜层强度。
CN108627889A公开了一种锗基底宽光谱红外增透光学窗口，该光谱红外增透光学窗口增透膜使用了锗(Ge)、硫化锌(ZnS)和氟化镱(YbF3)为不同折射率的膜层材料，锗基底上的一种长波红外增透膜，其结构为：在基底(2)的一面沉积正面膜系(1)，在基底的另一面沉积结构相同的反面膜系(3)。使用离子源辅助沉积与合适的基底烘烤温度等特定工艺条件，在基底的两个表面分别沉积8层非规整的膜层。该增透膜元件可以使得在7.5-14.0μm区间具有良好的透光效果，平均透过率＞96％。Ge晶体是一种优质的高折射率红外材料，广泛应用于各种红外滤光片，该增透膜可以有效提高非制冷红外焦平面探测器的光学效率，在宽光谱应用方面呈现出明显优势。
然而，当前的前截止锗窗片在实际使用过程中仍存在截止效果差，透过率低等问题。
发明内容
鉴于现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种锗基底用减反膜组及其用途，以解决当下前截止锗窗片针对1-3μm波段透过率高，7.5-14μm波段透过率低的问题。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种锗基底用减反膜组，所述锗基底用减反膜组包括设置于锗基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：锗基底/0.225L、0.299H、0.190M、1.253L、1.187M、0.083H、1.092L、0.370H、0.436L、0.425H、0.691L、0.265H、0.105M、0.760L、0.301H、0.557L、0.456H、0.540L、0.299H、0.886L、0.238H、0.597L、0.281H、0.296L、0.238H、0.514L、0.246H、0.556L、0.215H、0.290L、0.315H、0.509L、0.220H、1.625M、0.055L/Air；
所述第二膜系的结构为：锗基底/0.065L、0.403H、0.093L、0.182H、0.152L、0.342H、0.341L、0.254H、0.360L、0.234H、0.382L、0.291H、0.195L、0.231H、0.260L、0.309H、0.361L、0.117H、0.369L、0.132H、0.296L、0.107H、0.322L、0.148H、0.162L、0.301H、0.214L、0.099H、0.281L、0.162H、0.235L、1.386M、0.057L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
本发明提供的膜组采用ZnS、Ge和YbF3三种膜料进行光谱设计，通过物理气相沉积法进行制备，所得膜组可实现1-7μm波段，透过率＜0.3％，7.5-14μm波段≥94％，该设计能够有效提高通带透过率以及截止深度，提高了系统的灵敏度，降低了系统噪声。
本发明中，中心波长λ0可以是5500-6100nm。
作为本发明优选的技术方案，所述锗基底的厚度为1-2mm，例如可以是1mm、1.02mm、1.04mm、1.06mm、1.08mm、1.1mm、1.12mm、1.14mm、1.16mm、1.18mm、1.2mm、1.22mm、1.24mm、1.26mm、1.28mm、1.3mm、1.32mm、1.34mm、1.36mm、1.38mm、1.4mm、1.42mm、1.44mm、1.46mm、1.48mm、1.5mm、1.52mm、1.54mm、1.56mm、1.58mm、1.6mm、1.62mm、1.64mm、1.66mm、1.68mm、1.7mm、1.72mm、1.74mm、1.76mm、1.78mm、1.8mm、1.82mm、1.84mm、1.86mm、1.88mm、1.9mm、1.92mm、1.94mm、1.96mm、1.98mm或2mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
第二方面，本发明提供了一种锗基底红外波段窗口片，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将第一方面所述锗基底用减反膜组镀于锗基底得到。
作为本发明优选的技术方案，所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗。
作为本发明优选的技术方案，所述基片清洗的方式为超声清洗。
优选地，所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗。
本发明中，所述离子源清洗中可以控制阳极电压为150-160V、束流密度为1-2A/cm3下清洗400-500s。
本发明中，离子源清洗中可以控制阳极电压为150-160V，例如可以是150V、150.5V、151V、151.5V、152V、152.5V、153V、153.5V、154V、154.5V、155V、155.5V、156V、156.5V、157V、157.5V、158V、158.5V、159V、159.5V或160V等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，所述离子源清洗中束流密度为1-2A/cm3，例如可以是1A/cm3、1.02A/cm3、1.04A/cm3、1.06A/cm3、1.08A/cm3、1.1A/cm3、1.12A/cm3、1.14A/cm3、1.16A/cm3、1.18A/cm3、1.2A/cm3、1.22A/cm3、1.24A/cm3、1.26A/cm3、1.28A/cm3、1.3A/cm3、1.32A/cm3、1.34A/cm3、1.36A/cm3、1.38A/cm3、1.4A/cm3、1.42A/cm3、1.44A/cm3、1.46A/cm3、1.48A/cm3、1.5A/cm3、1.52A/cm3、1.54A/cm3、1.56A/cm3、1.58A/cm3、1.6A/cm3、1.62A/cm3、1.64A/cm3、1.66A/cm3、1.68A/cm3、1.7A/cm3、1.72A/cm3、1.74A/cm3、1.76A/cm3、1.78A/cm3、1.8A/cm3、1.82A/cm3、1.84A/cm3、1.86A/cm3、1.88A/cm3、1.9A/cm3、1.92A/cm3、1.94A/cm3、1.96A/cm3、1.98A/cm3或2A/cm3等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，所述离子源清洗的时间为400-500s，例如可以是400s、405s、410s、415s、420s、425s、430s、435s、440s、445s、450s、455s、460s、465s、470s、475s、480s、485s、490s、495s或500s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，基片清洗后经人工安装入镀膜设备内，之后进行抽真空和加热。
本发明中，抽真空的终点可以是绝对真空度≤3×10-3Pa，例如可以是3×10-3Pa、2.9×10-3Pa、2.8×10-3Pa、2.7×10-3Pa、2.6×10-3Pa、2.5×10-3Pa、2.4×10-3Pa、2.3×10- 3Pa、2.2×10-3Pa、2.1×10-3Pa、2×10-3Pa、1.9×10-3Pa、1.8×10-3Pa、1.7×10-3Pa、1.6×10-3Pa、1.5×10-3Pa、1.4×10-3Pa、1.3×10-3Pa、1.2×10-3Pa、1.1×10-3Pa或1×10-3Pa等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，加热的温度可以是150-200℃，例如可以是150℃、152℃、154℃、156℃、158℃、160℃、162℃、164℃、166℃、168℃、170℃、172℃、174℃、176℃、178℃、180℃、182℃、184℃、186℃、188℃、190℃、192℃、194℃、196℃、198℃或200℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，加热保温的时间可以是90-100min，例如可以是90min、90.5min、91min、91.5min、92min、92.5min、93min、93.5min、94min、94.5min、95min、95.5min、96min、96.5min、97min、97.5min、98min、98.5min、99min、99.5min或100min等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜。
作为本发明优选的技术方案，所述镀Ge膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s，例如可以是0.15nm/s、0.152nm/s、0.154nm/s、0.156nm/s、0.158nm/s、0.16nm/s、0.162nm/s、0.164nm/s、0.166nm/s、0.168nm/s、0.17nm/s、0.172nm/s、0.174nm/s、0.176nm/s、0.178nm/s、0.18nm/s、0.182nm/s、0.184nm/s、0.186nm/s、0.188nm/s、0.19nm/s、0.192nm/s、0.194nm/s、0.196nm/s、0.198nm/s、0.2nm/s、0.202nm/s、0.204nm/s、0.206nm/s、0.208nm/s、0.21nm/s、0.212nm/s、0.214nm/s、0.216nm/s、0.218nm/s、0.22nm/s、0.222nm/s、0.224nm/s、0.226nm/s、0.228nm/s、0.23nm/s、0.232nm/s、0.234nm/s、0.236nm/s、0.238nm/s、0.24nm/s、0.242nm/s、0.244nm/s、0.246nm/s、0.248nm/s或0.25nm/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.45-0.55nm/s，例如可以是0.45nm/s、0.452nm/s、0.454nm/s、0.456nm/s、0.458nm/s、0.46nm/s、0.462nm/s、0.464nm/s、0.466nm/s、0.468nm/s、0.47nm/s、0.472nm/s、0.474nm/s、0.476nm/s、0.478nm/s、0.48nm/s、0.482nm/s、0.484nm/s、0.486nm/s、0.488nm/s、0.49nm/s、0.492nm/s、0.494nm/s、0.496nm/s、0.498nm/s、0.5nm/s、0.502nm/s、0.504nm/s、0.506nm/s、0.508nm/s、0.51nm/s、0.512nm/s、0.514nm/s、0.516nm/s、0.518nm/s、0.52nm/s、0.522nm/s、0.524nm/s、0.526nm/s、0.528nm/s、0.53nm/s、0.532nm/s、0.534nm/s、0.536nm/s、0.538nm/s、0.54nm/s、0.542nm/s、0.546nm/s、0.548nm/s或0.55nm/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
优选地，所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s，例如可以是0.15nm/s、0.152nm/s、0.154nm/s、0.156nm/s、0.158nm/s、0.16nm/s、0.162nm/s、0.164nm/s、0.166nm/s、0.168nm/s、0.17nm/s、0.172nm/s、0.174nm/s、0.176nm/s、0.178nm/s、0.18nm/s、0.182nm/s、0.184nm/s、0.186nm/s、0.188nm/s、0.19nm/s、0.192nm/s、0.194nm/s、0.196nm/s、0.198nm/s、0.2nm/s、0.202nm/s、0.204nm/s、0.206nm/s、0.208nm/s、0.21nm/s、0.212nm/s、0.214nm/s、0.216nm/s、0.218nm/s、0.22nm/s、0.222nm/s、0.224nm/s、0.226nm/s、0.228nm/s、0.23nm/s、0.232nm/s、0.234nm/s、0.236nm/s、0.238nm/s、0.24nm/s、0.242nm/s、0.244nm/s、0.246nm/s、0.248nm/s或0.25nm/s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述镀膜的温度为155-165℃，例如可以是155℃、155.2℃、155.4℃、155.6℃、155.8℃、156℃、156.2℃、156.4℃、156.6℃、156.8℃、157℃、157.2℃、157.4℃、157.6℃、157.8℃、158℃、158.2℃、158.4℃、158.6℃、158.8℃、159℃、159.2℃、159.4℃、159.6℃、159.8℃、160℃、160.2℃、160.4℃、160.8℃、161℃、161.2℃、161.4℃、161.6℃、161.8℃、162℃、162.2℃、162.4℃、162.6℃、162.8℃、163℃、163.2℃、163.4℃、163.6℃、163.8℃、164℃、164.2℃、164.4℃、164.8℃或165℃等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将第一方面所述锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.45-0.55nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s；所述镀膜的温度为155-165℃。
本发明中的窗口片在光学膜组镀完之后在光学模组外还镀有金属膜组，金属膜组包括厚度为30-40nm铬膜、300-400nm镍膜和500-600nm金膜，具体磁控溅射的顺序是依次镀铬膜、镍膜和金膜；铬膜的磁控溅射参数为沉积功率125-135W，沉积时间为145-155s；镍膜的磁控溅射参数为沉积功率175-185W，沉积时间为2500-3500s；金膜的磁控溅射参数为沉积功率215-225W，沉积时间为2100-2300s。
本发明中，以光的射入方向为基准，射入面为第一膜系，另一面为由中心为起始依次为第二膜系，过渡区，金属膜组，过渡区为基底表面。
本发明中，金属膜组中铬膜的厚度为30-40nm，例如可以是30nm、30.5nm、31nm、31.5nm、32nm、32.5nm、33nm、33.5nm、34nm、34.5nm、35nm、35.5nm、36nm、36.5nm、37nm、37.5nm、38nm、38.5nm、39nm、39.5nm或40nm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金属膜组中镍膜的厚度为300-400nm，例如可以是300nm、305nm、310nm、315nm、320nm、325nm、330nm、335nm、340nm、345nm、350nm、355nm、360nm、365nm、370nm、375nm、380nm、385nm、390nm、395nm或400nm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金属膜组中金膜的厚度为500-600nm，例如可以是500nm、505nm、510nm、515nm、520nm、525nm、530nm、535nm、540nm、545nm、550nm、555nm、560nm、565nm、570nm、575nm、580nm、585nm、590nm、595nm或600nm等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，铬膜的沉积功率为125-135W，例如可以是125W、125.5W、126W、126.5W、127W、127.5W、128W、128.5W、129W、129.5W、130W、131.5W、132W、132.5W、133W、133.5W、134W、134.5W或135W等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，铬膜的沉积时间为145-155s，例如可以是145s、145.2s、145.4s、145.6s、145.8s、146s、146.2s、146.4s、146.6s、146.8s、147s、147.2s、147.4s、147.6s、147.8s、148s、148.2s、148.4s、148.6s、148.8s、149s、149.2s、149.4s、149.6s、149.8s、150s、150.2s、150.4s、150.6s、150.8s、151s、151.2s、151.4s、151.6s、151.8s、152s、152.2s、152.4s、152.6s、152.8s、153s、153.2s、153.4s、153.6s、153.8s、154s、154.2s、154.4s、154.6s、154.8s或155s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，镍膜的沉积功率为175-185W，例如可以是175W、175.5W、176W、176.5W、177W、177.5W、178W、178.5W、179W、179.5W、180W、180.5W、181W、181.5W、182W、182.5W、183W、183.5W、184W、184.5W或185W等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，镍膜的沉积时间为2500-3500s，例如可以是2500s、2550s、2600s、2650s、2700s、2750s、2800s、2850s、2900s、2950s、3000s、3050s、3100s、3150s、3200s、3250s、3300s、3350s、3400s、3450s或3500s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金膜的沉积功率为215-225W，例如可以是215W、215.5W、216W、216.5W、217W、217.5W、218W、218.5W、219W、219.5W、220W、220.5W、221W、221.5W、222W、222.5W、223W、223.5W、224W、224.5W或225W等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
本发明中，金膜的沉积时间为2100-2300s，例如可以是2100s、2105s、2110s、2115s、2120s、2125s、2130s、2135s、2140s、2145s、2150s、2155s、2160s、2165s、2170s、2175s、2180s、2185s、2190s、2195s、2200s、2205s、2210s、2215s、2220s、2225s、2230s、2235s、2240s、2245s、2250s、2255s、2260s、2265s、2270s、2275s、2280s、2285s、2290s、2295s或2300s等，但不限于所列举的数值，该范围内其它未列举的数值同样适用。
与现有技术方案相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供的膜组通过采用ZnS、Ge、YbF3三种膜料进行光谱设计，利用两面长波通膜系将截止区域分成两段，每一面各截止一段，可有效提高通道的透过率，7.5-14μm波段平均透过率可达94％以上，1-7μm波段，透过率＜0.3％。
附图说明
图1是本发明实施例1中第一膜系的红外透射图；
图2是本发明实施例1中第二膜系的红外透射图。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供一种锗基底用减反膜组，所述锗基底用减反膜组包括设置于锗基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：锗基底/0.225L、0.299H、0.190M、1.253L、1.187M、0.083H、1.092L、0.370H、0.436L、0.425H、0.691L、0.265H、0.105M、0.760L、0.301H、0.557L、0.456H、0.540L、0.299H、0.886L、0.238H、0.597L、0.281H、0.296L、0.238H、0.514L、0.246H、0.556L、0.215H、0.290L、0.315H、0.509L、0.220H、1.625M、0.055L/Air；
所述第二膜系的结构为：锗基底/0.065L、0.403H、0.093L、0.182H、0.152L、0.342H、0.341L、0.254H、0.360L、0.234H、0.382L、0.291H、0.195L、0.231H、0.260L、0.309H、0.361L、0.117H、0.369L、0.132H、0.296L、0.107H、0.322L、0.148H、0.162L、0.301H、0.214L、0.099H、0.281L、0.162H、0.235L、1.386M、0.057L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
所述锗基底的厚度为1.5mm。
该模组通过采用物理气相沉积及离子源辅助得到，沉积过程中保持温度为160℃。所得第一膜系的红外透射图如图1所示，所得第二膜系的红外透射图如图2所示。
应用例1
本应用例提供一种锗基底红外波段窗口片，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；
所述第一膜系的结构为：锗基底/0.225L、0.299H、0.190M、1.253L、1.187M、0.083H、1.092L、0.370H、0.436L、0.425H、0.691L、0.265H、0.105M、0.760L、0.301H、0.557L、0.456H、0.540L、0.299H、0.886L、0.238H、0.597L、0.281H、0.296L、0.238H、0.514L、0.246H、0.556L、0.215H、0.290L、0.315H、0.509L、0.220H、1.625M、0.055L/Air；
所述第二膜系的结构为：锗基底/0.065L、0.403H、0.093L、0.182H、0.152L、0.342H、0.341L、0.254H、0.360L、0.234H、0.382L、0.291H、0.195L、0.231H、0.260L、0.309H、0.361L、0.117H、0.369L、0.132H、0.296L、0.107H、0.322L、0.148H、0.162L、0.301H、0.214L、0.099H、0.281L、0.162H、0.235L、1.386M、0.057L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长＝5800nm，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
所述锗基底的厚度为1.5mm。
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.2nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.5nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.2nm/s；所述镀膜的温度为160℃。
所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.13％；7.5-14μm波段，Tavg＝96.3％。。
应用例2
本应用例提供一种锗基底红外波段窗口片，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；
所述第一膜系的结构为：锗基底/0.225L、0.299H、0.190M、1.253L、1.187M、0.083H、1.092L、0.370H、0.436L、0.425H、0.691L、0.265H、0.105M、0.760L、0.301H、0.557L、0.456H、0.540L、0.299H、0.886L、0.238H、0.597L、0.281H、0.296L、0.238H、0.514L、0.246H、0.556L、0.215H、0.290L、0.315H、0.509L、0.220H、1.625M、0.055L/Air；
所述第二膜系的结构为：锗基底/0.065L、0.403H、0.093L、0.182H、0.152L、0.342H、0.341L、0.254H、0.360L、0.234H、0.382L、0.291H、0.195L、0.231H、0.260L、0.309H、0.361L、0.117H、0.369L、0.132H、0.296L、0.107H、0.322L、0.148H、0.162L、0.301H、0.214L、0.099H、0.281L、0.162H、0.235L、1.386M、0.057L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长＝5800nm，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
所述锗基底的厚度为1mm。
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.15nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.55nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.25nm/s；所述镀膜的温度为155℃。
所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.23％；7.5-14μm波段，Tavg＝95.1％。
应用例3
本应用例提供一种锗基底红外波段窗口片，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；
所述第一膜系的结构为：锗基底/0.225L、0.299H、0.190M、1.253L、1.187M、0.083H、1.092L、0.370H、0.436L、0.425H、0.691L、0.265H、0.105M、0.760L、0.301H、0.557L、0.456H、0.540L、0.299H、0.886L、0.238H、0.597L、0.281H、0.296L、0.238H、0.514L、0.246H、0.556L、0.215H、0.290L、0.315H、0.509L、0.220H、1.625M、0.055L/Air；
所述第二膜系的结构为：锗基底/0.065L、0.403H、0.093L、0.182H、0.152L、0.342H、0.341L、0.254H、0.360L、0.234H、0.382L、0.291H、0.195L、0.231H、0.260L、0.309H、0.361L、0.117H、0.369L、0.132H、0.296L、0.107H、0.322L、0.148H、0.162L、0.301H、0.214L、0.099H、0.281L、0.162H、0.235L、1.386M、0.057L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长＝5800nm，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气。
所述锗基底的厚度为2mm。
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.25nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.45nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.15nm/s；所述镀膜的温度为165℃。
所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.18％；7.5-14μm波段，Tavg＝96.2％。
应用例4
与应用例1的区别仅在于第一膜系替换为等厚的Ge膜。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝1.23％；7.5-14μm波段，Tavg＝88.3％。
应用例5
与应用例1的区别仅在于第二膜系替换为等厚的ZnS膜。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝0.87％；7.5-14μm波段，Tavg＝87.1％。
应用例6
与应用例1的区别仅在于第一膜系替换为等厚的YbF3膜。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝2.23％；7.5-14μm波段，Tavg＝77.2％。
应用例7
与应用例1的区别仅在于将锗基底替换为硅基底。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝3.34％；7.5-14μm波段，Tavg＝85.1％。
应用例8
与应用例1的区别仅在于镀膜的温度为180℃。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝2.58％；7.5-14μm波段，Tavg＝85.2％。
应用例9
与应用例1的区别仅在于镀膜的温度为120℃。所得窗口片的性能测试如下：1-7μm波段，T＝3.21％；7.5-14μm波段，Tavg＝83.8％。
本发明中，上述窗口片的技术要求为：7.5-14μm波段平均透过率可达94％以上，1-7μm波段，透过率＜0.3％。
本发明中，T指透过率，Tavg指平均透过率。
通过上述应用例的结果可知，本发明提供的膜组采用特定的ZnS、Ge和YbF3三种膜料进行光谱设计，通过物理气相沉积法进行制备，所得膜组可实现1-7μm波段，透过率＜0.3％，7.5-14μm波段≥94％，该设计能够有效提高通带透过率以及截止深度，提高了系统的灵敏度，降低了系统噪声。
声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (11)

1.一种锗基底用减反膜组，其特征在于，所述锗基底用减反膜组包括设置于锗基底两侧的第一膜系和第二膜系；
所述第一膜系的结构为：锗基底/0.225L、0.299H、0.190M、1.253L、1.187M、0.083H、1.092L、0.370H、0.436L、0.425H、0.691L、0.265H、0.105M、0.760L、0.301H、0.557L、0.456H、0.540L、0.299H、0.886L、0.238H、0.597L、0.281H、0.296L、0.238H、0.514L、0.246H、0.556L、0.215H、0.290L、0.315H、0.509L、0.220H、1.625M、0.055L/Air；
所述第二膜系的结构为：锗基底/0.065L、0.403H、0.093L、0.182H、0.152L、0.342H、0.341L、0.254H、0.360L、0.234H、0.382L、0.291H、0.195L、0.231H、0.260L、0.309H、0.361L、0.117H、0.369L、0.132H、0.296L、0.107H、0.322L、0.148H、0.162L、0.301H、0.214L、0.099H、0.281L、0.162H、0.235L、1.386M、0.057L/Air；
其中，H为λ0/4光学厚度Ge膜层，L为λ0/4光学厚度ZnS膜层，M为λ0/4光学厚度YbF3膜层，λ0为中心波长，H、L和M前的数字分别为对应膜层的厚度比例系数，Air为空气；
具体制备过程如下：通过镀膜的方式将锗基底用减反膜组镀于锗基底得到，所述镀膜的温度为155-165℃。
2.如权利要求1所述锗基底用减反膜组，其特征在于，所述锗基底的厚度为1-2mm。
3.一种锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将权利要求1或2所述锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；所述镀膜的温度为155-165℃。
4.如权利要求3所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗。
5.如权利要求4所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述基片清洗的方式为超声清洗。
6.如权利要求4所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗。
7.如权利要求3所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜。
8.如权利要求7所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀Ge膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s。
9.如权利要求7所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.45-0.55nm/s。
10.如权利要求7所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s。
11.如权利要求3-10任一项所述锗基底红外波段窗口片，其特征在于，所述锗基底红外波段窗口片为通过镀膜的方式将权利要求1或2所述锗基底用减反膜组镀于锗基底得到；
所述镀膜前包括基片清洗和离子源清洗；所述基片清洗的方式为超声清洗；所述离子源清洗为采用霍尔型离子源进行清洗；
所述镀膜包括镀Ge膜、镀ZnS膜和镀YbF3膜；所述镀Ge膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s；所述镀ZnS膜中的沉积速率为0.45-0.55nm/s；所述镀YbF3膜中的沉积速率为0.15-0.25nm/s；所述镀膜的温度为155-165℃。
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