CN114959882A - 单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，该方法包括：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；根据放肩角度、放肩工序中起始的直径以及晶体的平均拉速，生成放肩角度对应的触发直径阈值；检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。本发明实施例解决了转肩工序结束后单晶硅的直径与目标直径误差大的问题以及单晶硅的制造效率低的问题。

Description

单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质。

背景技术

晶体硅是一种半导体材料，目前常用的生产晶体硅的方法有直拉法和区熔法，而直拉法和区熔法比较，以直拉法为主要加工方法，它的投料量多、生产的单晶直径大，设备自动化程度高，工艺比较简单，生产效率高。直拉法生产的单晶硅，占世界单晶硅总量的70％以上。目前直拉法的过程包括：拆炉、装料、熔料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉等工序。早期的转肩工序一般是需要操作工看好时机进行人工转肩，而现在的转肩工序在原有的手动基础上进行了半自动化，以提高生产效率。

目前的转肩工序的半自动化是检测到放肩工序中晶体的直径达到固定的直径阈值时，则触发启动转肩工序，然而，这种方式导致转肩结束进入等径工序时，晶体的直径和目标直径之间差距过大，需要人工介入调整晶体的直径，降低了成棒率。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种单晶硅制造的方法、电子设备及存储介质，解决了转肩工序结束后单晶硅的直径与目标直径误差大的问题以及单晶硅的成棒率低的问题。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，所述方法包括：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；根据所述放肩角度、所述放肩工序中起始的直径以及所述晶体的平均拉速，生成所述放肩角度对应的触发直径阈值；检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的所述触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。

另外，根据所述放肩角度、所述放肩工序中起始的直径以及所述晶体的平均拉速，生成所述放肩角度对应的触发直径阈值，包括：将所述起始的直径作为初始直径；根据放肩角度、晶体的平均拉速以及预设的对应关系，获取晶体的直径生长速度，对应关系表示放肩角度、平均拉速以及晶体的直径生长速度三者之间的关系，根据所述初始直径、所述直径生长速度以及所述直径生长速度的变化率，确定所述晶体在放肩工序结束时的直径作为所述放肩角度对应的触发直径阈值。

另外，对应关系表示为：V_i＝2V_tcotθ，其中，V_i表示为所述直径生长速度，V_t表示所述晶体的平均拉速，θ表示所述放肩角度。

另外，根据所述初始直径、所述直径生长速度以及所述直径生长速度的变化率，确定所述晶体在放肩工序结束时的直径作为所述放肩角度对应的触发直径阈值，包括：根据所述直径生长速度的变化率和所述直径生长速度，获取放肩的运行时长，其中，所述放肩工序结束时刻对应的直径生长速度为0；根据所述直径生长速度的变化率和所述直径生长速度，获取在所述运行时长内直径的总变化量；将所述直径的总变化量与所述初始直径的和值作为所述触发直径阈值。

另外，按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度获取放肩过程中的放肩角度，包括：按照所述预设时间间隔获取晶体在所述放肩过程放肩工序中纵向高度的高度变化量；以及按照所述预设时间间隔获取所述晶体在所述放肩过程放肩工序中直径的直径变化量；根据余切函数、所述高度变化量和所述直径变化量，确定所述放肩角度。

另外，该方法还包括：若检测到转肩工序结束后的转肩直径与预设的目标直径的误差大于预设阈值，则调整所述放肩角度对应的所述触发直径阈值。

另外，调整所述放肩角度对应的所述触发直径阈值，包括：若所述转肩直径大于所述目标直径，则减小所述触发直径阈值；若所述转肩直径小于所述目标直径，则增大所述触发直径阈值。

另外，单晶硅制造的方法还包括以下工序：拆炉、装料、熔料、引晶、等径、收尾和停炉；其中，所述引晶工序之后执行放肩工序，所述转肩工序之后执行所述等径工序。

相应地，本发明实施例还提供一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及，与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述的单晶硅制造的方法。

相应地，本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的单晶硅制造的方法。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

上述技术方案中，转肩的直径与放肩直径和放肩角度均相关，不同的放肩角度有各自对应的直径触发阈值，本实施例中通过获取放肩工序中的放肩角度和放肩直径，检测放肩直径是否达到该放肩角度对应的触发直径阈值，若是，执行转肩工序，由于该触发直径阈值与放肩角度相匹配，使得触发转肩工序的时机准确，即提高了触发转肩工序的准确性，进而可以缩小转肩工序结束时晶体的直径与目标直径之间的差值，减少等径前期直径的波动，提高转肩的准确度，实现完美转肩，提升成棒率；由于单以直径的大小来作为转肩的触发条件，在转肩时需人工介入；而本示例中放肩直径和放肩角度同时作为转肩的触发条件，人工介入少，有效的降低人力成本，由于无需人工干预，提高晶体硅制造的效率。

另外，通过放肩角度与晶体的直径生长速度之间的关系，可以准确地确定出该放肩角度对应的触发直径阈值。

另外，对应关系表示的一种具体实现方式，该方式对应关系简单，可以减少计算触发直径阈值的资源消耗。

另外，在放肩工序结束时刻对应的直径生长速度为0，放肩工序中直径生长速度逐渐降低，可以准确确定出直径生长速度为0时对应的总变化量，进而使得触发直径阈值准确。

另外，由于余切函数简单，计算量小，使得利用余切函数，可以快速、准确确定出放肩角度，提高触发转肩工序的速度。

另外，判断转肩工序结束后的转肩直径与目标直径的误差是否超过预设阈值，与超过预设阈值的转肩直径进行调整，可以确保触发直径阈值的准确性。

另外，根据转肩直径与目标直径之间的关系，对触发直径阈值进行调整，从而使得调整后的触发直径阈值准确。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为现有转肩工序中转肩直径随时间变化的曲线图；

图2为本发明第一实施例提供的一种单晶硅制造的方法的流程图；

图3为本发明第二实施例提供的一种单晶硅制造的方法的流程图；

图4为本发明第二实施例提供的一种单晶硅制造的方法中晶体的肩部示意图；

图5为本发明第二实施例提供的转肩工序中转肩直径随时间变化的曲线图；

图6为本发明第三实施例提供的一种单晶硅制造的方法的流程图；

图7为本发明第四实施例提供的一种电子设备的结构框图。

具体实施方式

由背景技术可知，目前晶体硅的生长过程中，若检测到放肩工序中晶体的直径达到设定的固定阈值时，启动转肩工序。这种触发转肩工序的方式中晶体的初始直径一致，但是初始的放肩角度不一致，也就是转肩阶段起始的直径生长速率不一致，而转肩完成进入等径的标志即直径生长速率为零。当转肩拉速一定，起始直径一定，而起始的直径生长速度不同，会导致最终转肩完成进入等径时，晶体的直径和目标直径有差距，例如，以目标直径为230mm的晶棒为例子，触发转肩工序的直径为228mm，转肩时直径生长速率变化率2mm/min²，图1为该直径下不同的放肩角度的转肩直径随时间的变化曲线，其中，图1中横坐标表示时间，单位为分钟；纵轴表示晶体的直径，单位为毫米，每条曲线上的度数为放肩角度，从图1中可以看出，不同的放肩角度下得到的转肩直径与目标直径230mm差距较大；若要晶体的直径达到目标直径，需要工作人员进行拉速或功率上的调整，这可能导致晶体在等径的初期出现断苞的情况，浪费了时间以及原料，同时在放肩工序中，仅以直径的数值作为触发转肩工序的触发条件，导致转肩时需要人工介入，增加了人工成本，降低了晶体的制作效率。

关于现有技术的具体问题的描述和分析。与本发明方案解决的技术问题一致。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

本发明的第一实施方式涉及一种单晶硅制造的方法，应用于直拉法，其流程如图2所示：

步骤101：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径。

步骤102：根据放肩角度、放肩工序中起始的直径以及晶体的平均拉速，生成放肩角度对应的触发直径阈值。

步骤103：检测放肩直径是否达到与放肩角度对应的触发直径阈值；若检测到放肩直径达到触发直径阈值，则执行步骤104,否则，按照步骤101的方式获取放肩直径。

步骤104：触发执行转肩工序。

上述技术方案中，转肩的直径与放肩直径和放肩角度均相关，不同的放肩角度有各自对应的直径触发阈值，本实施例中通过获取放肩工序中的放肩角度和放肩直径，检测放肩直径是否达到该放肩角度对应的触发直径阈值，若是，执行转肩工序，由于该触发直径阈值与放肩角度相匹配，使得触发转肩工序的时机准确，即提高了触发转肩工序的准确性，进而可以缩小转肩工序结束时晶体的直径与目标直径之间的差值，减少等径前期直径的波动，提高转肩的准确度，实现完美转肩，提升成棒率；由于单以直径的大小来作为转肩的触发条件，在转肩时需人工介入；而本示例中放肩直径和放肩角度同时作为转肩的触发条件，人工介入少，有效的降低人力成本，由于无需人工干预，提高晶体硅制造的效率。

本发明的第二实施方式涉及一种单晶硅制造的方法，第二实施方式是对第一实施方式的详细介绍。其流程如图3所示。

单晶硅制造的方法包括以下工序：拆炉、装料、熔料、引晶、放肩、转肩、等径、收尾和停炉。引晶工序是用于消除位错，放肩工序用于使晶体的直径增大到目标直径，之后通过转肩工序让晶体从一个横向生长的趋势变为纵向生长并进入等径工序，等径过程中晶体直径不发生实质性变化，最后的收尾是一个减少位错的过程。现阶段的转肩工序，是在放肩工序阶段晶体直径等于设定的直径阈值时，触发转肩工序，其中，由于晶体存在惯性生长，故通常设定的直径阈值小于目标直径。而转肩工序的目的是让晶体从横向生长变为纵向生长，所以转肩过程每分钟固定减少一定的直径生长速率，直至直径生长速率为零时，结束转肩，进入等径工序。下面将详细介绍本实施例中的晶体硅制造方法。

步骤201：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径。

具体地，预设时间间隔可以根据实际应用进行设置。该时间间隔可以是等距的间隔，也可以是不等距的间隔，例如，可以在1分钟时刻第一次获取放肩角度和放肩直径，也可以是1.5分钟第二次获取放肩角度和放肩直径，在3.5分钟的时刻第三次获取放肩角度和放肩直径。预设时间间隔也可以很小，如小于1分钟的时间间隔：50ms、1s、10s等。

值得一提的是，若预设时间间隔很小，提高了获取放肩角度和放肩直径的频率，从而可以实时或者近实时获取放肩角度和放肩直径，提高了检测的准确性。

在一些实施例中，可以是通过传感器获取晶体的放肩直径。

在一个例子中，按照预设时间间隔获取放肩角度的过程如下：按照预设时间间隔获取晶体在放肩工序中纵向高度的高度变化量；以及按照预设时间间隔获取晶体在放肩工序中直径的直径变化量；根据余切函数、高度变化量和直径变化量，确定放肩角度。

具体地，晶体放肩工序中肩部部分示意图如图4所示，该放肩的肩部近似为一个等腰梯形，根据余切函数，可得公式(1)。

其中，θ表示放肩角度，Δh表示晶体纵向高度的高度变化量，ΔD表示直径变化量。直径变化量可以根据两次获取的放肩直径确定，高度变化量获取方式可以是通过传感器获取。

需要说明的是放肩工序中纵向是指如图4所示，垂直于梯形上、下底面的方向。

步骤202：将起始的直径作为初始直径。

本示例中以单晶硅为例子进行说明，可以确定不同放肩角度对应的触发直径阈值；放肩角度可以是20度～34度。

步骤203：根据放肩角度、晶体的平均拉速以及预设的对应关系，获取晶体的直径生长速度，对应关系表示放肩角度、平均拉速以及晶体的直径生长速度三者之间的关系。

在一个例子中，对应关系表示为：V_i＝2V_tcotθ，其中，V_i表示为直径生长速度，V_t表示晶体的平均拉速，θ表示放肩角度。

具体地，晶体放肩工序中肩部部分示意图如图4所示，该放肩的肩部近似为一个等腰梯形。晶体在1分钟内直径的生长速度可以表示为公式(2)；

其中，t表示运行时长，V_i表示晶体的直径生长速度，ΔD表示晶体在运行时长内增长的直径；D2表示经过运行时长后该晶体的直径，D1表示该晶体上一获取时刻的直径。当t＝1时，可以得到公式(3)；

V_i＝D2-D1公式(3)；

在1分钟该内晶体在纵向高度的高度变化量可以表示：Δh＝V_t·t，由于t＝1，则Δh＝V_t，其中，V_t表示晶体的平均拉速。

由图4可知，放肩角度θ可以利用余切函数进行计算获得，并根据公式(3)可以获得放肩角度与晶体的直径生长速度之间的对应关系，如公式(4)所示。

其中，V_i表示为直径生长速度，V_t表示晶体的平均拉速。

在获取该对应关系后，根据获取的放肩角度、该晶体的平均拉速以及该对应关系，即可确定当前的晶体的直径生长速度。

步骤204：根据初始直径、直径生长速度以及直径生长速度的变化率，确定晶体在放肩工序结束时的直径作为放肩角度对应的触发直径阈值。

在一个例子中，根据直径生长速度的变化率和直径生长速度，获取放肩的运行时长，其中，放肩工序结束时刻对应的直径生长速度为0；根据直径生长速度的变化率和直径生长速度，获取在运行时长内直径的总变化量；将直径的总变化量与初始直径的和值作为触发直径阈值。

具体地，直径生长速度为V，直径生长速度的变化率为a，那么，V_末＝V_i-at。由于该晶体在放肩工序结束时的直径生长速度为0；故可以获取放肩的运行时长，如公式(5)所示。

其中，该公式中t表示运行时长。

获取在运行时长内直径的总变化量，如公式(6)所示：

其中，D表示运行时长内直径的总变化量，D_i表示初始直径，直径生长速度为V_i。根据公式(5)，对公式(6)进行整理，获得公式(7)

根据公式(4)和公式(7)，即可得到运行时长内直径的总变化量，如公式(8)所示：

其中，D为运行时长内直径的总变化量，将获取的运行时长内直径的总变化量作为该放肩角度对应的触发直径阈值。

可以理解的是，触发直径阈值可以是确定的数值，也可以是一个触发范围，例如，触发直径阈值为(a,b)，其中，a小于b,且a、b为大于0的数。

步骤205：检测放肩直径是否达到与放肩角度对应的触发直径阈值；若检测到放肩直径达到触发直径阈值，则执行步骤206否则，按照步骤201的方式在预设时间间隔再次获取放肩直径。

具体地，判断该放肩直径是否达到该触发直径阈值，若是，则执行步骤206。否则，继续进行放肩工序，直至放肩直径达到当前放肩角度对应的触发直径阈值。

步骤206：触发执行转肩工序。

本示例中将以例子以目标直径230mm的晶棒，V_t＝1mm/min，a＝2mm/min²为例进行说明。通过计算可以获取转肩工序结束时晶体的直径与放肩角度、放肩直径相关。如图5所示，图5中横坐标表示时间，单位为分钟，纵轴表示晶体的直径，单位为毫米，每条曲线上的度数为放肩角度，图5中不同的放肩角度对应的触发直径阈值不同，使得最终在转肩结束时，晶体直径大小和目标直径差距小，具体数据表见表1，对应的曲线图如图5所示。

放肩角度(°)	20	22	24	26	28	30	32	34
									触发直径阈值(mm)	222.4	223.9	225	225.8	226.5	227	227.4	227.8

表1

值得一提的是，在本示例中由于不是以单一的晶体的直径大小作为触发转肩的条件，而是增加了放肩角度，不同放肩角度对应的触发直径阈值不同，双重条件触发，可以更好的缩短在进入等径工序时的晶体直径大小和目标直径的差值，有利于等径工艺的进行，提升晶棒的成棒率。而对于所有的尺寸的晶棒，都可以通过本示例中的方式进行转肩工序的触发，有利于不同晶棒尺寸转肩工序自动化的推进。

本发明的第三实施方式涉及一种单晶硅制造的方法，本实施方式是对上述实施方式的进一步改进，主要改进之处在于，若转肩工序结束后的转肩直径于预设的目标直径的误差大于预设阈值，则调整放肩角度对应的触发直径阈值；其流程如图6所示：

步骤301：按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径。

步骤302：将起始的直径作为初始直径。

步骤303：根据放肩角度、晶体的平均拉速以及预设的对应关系，获取晶体的直径生长速度，对应关系表示放肩角度、平均拉速以及晶体的直径生长速度三者之间的关系。

步骤304：根据初始直径、直径生长速度以及直径生长速度的变化率，确定晶体在放肩工序结束时的直径作为放肩角度对应的触发直径阈值。

步骤305：检测放肩直径是否达到与放肩角度对应的触发直径阈值；若检测到放肩直径达到触发直径阈值，则执行步骤306，否则，按照步骤301的方式在预设时间间隔再次获取放肩直径。

步骤306：触发执行转肩工序。

步骤307：若检测到转肩工序结束后的转肩直径与预设的目标直径的误差大于预设阈值，则调整放肩角度对应的触发直径阈值。

在一个例子中，调整放肩角度对应的触发直径阈值的方式可以是：若转肩直径大于目标直径，则减小触发直径阈值；若转肩直径小于目标直径，则增大触发直径阈值。

具体地，预设阈值可以根据实际应用进行设置，例如，50mm。在确定对触发直径阈值进行调整的情况下，若转肩直径大于目标直径，可以是按照预设比例减小触发直径阈值，例如，预设比例小于1。若转肩直径小于目标直径，可以按照预设比例增大触发直径阈值，例如，预设比例大于1。可以理解的是，也可以对触发直径阈值增大/减小固定数值。

值得一提的是，步骤301至步骤306与第二实施方式中步骤201至步骤206大致相同，此处不再进行赘述。

本实施例中，判断转肩工序结束后的转肩直径与目标直径的误差是否超过预设阈值，与超过预设阈值的转肩直径进行调整，可以确保触发直径阈值的准确性。

本发明第四实施方式涉及一种电子设备，该电子设备的结构框图如图7所示，包括：至少一个处理器401；以及，与至少一个处理器401通信连接的存储器402；其中，存储器402存储有可被至少一个处理器401执行的指令，指令被至少一个处理器401执行，以使至少一个处理器401能够执行上述单晶硅制造的方法。

其中，存储器402和处理器401采用总线方式连接，总线可以包括任意数量的互联的总线和桥，总线将一个或多个处理器401和存储器402的各种电路链接在一起。总线还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口在总线和收发机之间提供接口。收发机可以是一个元件，也可以是多个元件，比如多个接收器和发送器，提供用于在传输介质上与各种其他装置通信的单元。经处理器401处理的数据通过天线在无线介质上进行传输，进一步，天线还接收数据并将数据传送给处理器。

处理器401负责管理总线和通常的处理，还可以提供各种功能，包括定时，外围接口，电压调节、电源管理以及其他控制功能。而存储器可以被用于存储处理器在执行操作时所使用的数据。

本发明第五实施方式涉及一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现第一实施方式至第三实施方式的显示视频彩铃的方法，或者实现第上述单晶硅制造的方法。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (10)

1.一种单晶硅制造的方法，其特征在于，应用于直拉法，所述方法包括：

按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度以及放肩直径；

根据所述放肩角度、所述放肩工序中起始的直径以及所述晶体的平均拉速，生成所述放肩角度对应的触发直径阈值；

检测所述放肩直径是否达到与所述放肩角度对应的所述触发直径阈值，若检测到所述放肩直径达到所述触发直径阈值，则触发执行转肩工序。

2.根据权利要求1所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，所述根据所述放肩角度、所述放肩工序中起始的直径以及所述晶体的平均拉速，生成所述放肩角度对应的触发直径阈值，包括：

将所述起始的直径作为初始直径；

根据所述放肩角度、所述晶体的平均拉速以及预设的对应关系，获取所述晶体的直径生长速度，所述对应关系表示所述放肩角度、所述平均拉速以及所述晶体的直径生长速度三者之间的关系；

根据所述初始直径、所述直径生长速度以及所述直径生长速度的变化率，确定所述晶体在放肩工序结束时的直径作为所述放肩角度对应的触发直径阈值。

3.根据权利要求2所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，所述对应关系表示为：V_i＝2V_t cotθ，其中，V_i表示为所述直径生长速度，V_t表示所述晶体的平均拉速，θ表示所述放肩角度。

4.根据权利要求2所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，所述根据所述初始直径、所述直径生长速度以及所述直径生长速度的变化率，确定所述晶体在放肩工序结束时的直径作为所述放肩角度对应的触发直径阈值，包括：

根据所述直径生长速度的变化率和所述直径生长速度，获取放肩的运行时长，其中，所述放肩工序结束时刻对应的直径生长速度为0；

根据所述直径生长速度的变化率和所述直径生长速度，获取在所述运行时长内直径的总变化量；

将所述直径的总变化量与所述初始直径的和值作为所述触发直径阈值。

5.根据权利要求1所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，所述按照预设时间间隔获取晶体生长过程中的放肩工序的放肩角度，包括：

按照所述预设时间间隔获取晶体在所述放肩工序中纵向高度的高度变化量；以及按照所述预设时间间隔获取所述晶体在所述放肩工序中直径的直径变化量；

根据余切函数、所述高度变化量和所述直径变化量，确定所述放肩角度。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，所述方法还包括：

若检测到转肩工序结束后的转肩直径与预设的目标直径的误差大于预设阈值，则调整所述放肩角度对应的所述触发直径阈值。

7.根据权利要求6所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，所述调整所述放肩角度对应的所述触发直径阈值，包括：

若所述转肩直径大于所述目标直径，则减小所述触发直径阈值；

若所述转肩直径小于所述目标直径，则增大所述触发直径阈值。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的单晶硅制造的方法，其特征在于，单晶硅制造的方法还包括以下工序：拆炉、装料、熔料、引晶、等径、收尾和停炉；其中，所述引晶工序之后执行放肩工序，所述转肩工序之后执行所述等径工序。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：至少一个处理器；以及，

与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，

所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行如权利要求1-8任一所述的单晶硅制造的方法。

10.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任一项所述的单晶硅制造的方法。

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