CN114944434A - 晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件，其中晶体硅太阳能电池包括：晶体硅基底；位于晶体硅基底上的具有P型表面的膜层；位于P型表面的钝化层，钝化层包括在P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层。如此，解决了现有技术中采用氧化铝对高温工艺的晶体硅太阳能电池的p型表面的钝化效果并不理想的问题，与现有技术相比，在原有的P型表面与氧化铝层之间引入了氧化硅层，氧化硅层与P型表面形成的Si‑O键与Si‑Al键相比，应力比较小，在经过高温烧结后，Si‑O键不易发生断裂，从而保证对P型表面的化学钝化效果不衰减，从而提升了晶体硅太阳能电池的P型表面的钝化效果。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年5月25日提交的标题为“晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件”的中国专利申请第202210583743.0号的优先权。上述申请的全部内容通过引用全部并入本申请。
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
背景技术
晶体硅太阳能电池在光伏市场已经得到广泛应用，其中，基于高温工艺的晶体硅太阳能电池，例如钝化发射极和背面电池(Passivated Emitterand Rear Cell，PERC)、隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon)，得到了更广泛的应用。
目前，基于高温工艺的晶体硅太阳能电池的通用结构为直接在P型表面沉积氧化铝，利用氧化铝所带的负的固定电荷形成的负电场来钝化P型表面。
现有技术，一般利用原子层沉积(Atomic layer deposition，ALD)来先铺氧源，后铺铝源的方式在P型表面沉积氧化铝，但是该方式中，即使是抛光硅片的表面也会存在一定几率形成Si-Al键，而Si-Al键应力较大，当经过高温烧结后，Si-Al键极易断裂，因此，采用氧化铝对高温工艺的晶体硅太阳能电池的P型表面的钝化效果并不理想。
发明内容
本发明提供一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件，用以解决现有技术中采用氧化铝对高温工艺的晶体硅太阳能电池的P型表面的钝化效果并不理想的缺陷，实现晶体硅太阳能电池的P型表面的钝化效果的提升。
本发明提供一种晶体硅太阳能电池，包括：
晶体硅基底；
位于所述晶体硅基底上的具有P型表面的膜层；
位于所述P型表面的钝化层，所述钝化层包括在所述P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，所述氧化铝层为非致密的氧化铝层。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，所述非致密的氧化铝层是通过ALD沉积过程中不吹扫氧源和铝源或者CVD沉积得到的。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，所述氧化硅层的厚度范围为0.5-3nm。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，所述晶体硅基底为N型单晶硅基底，所述具有P型表面的膜层为位于所述N型单晶硅基底的正面的P型发射极。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，还包括：正面电极和位于所述氧化铝层的正面的第一抗反射层；所述正面电极通过穿设于所述第一抗反射层和所述钝化层的第一通孔连接至所述P型发射极。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，所述晶体硅基底为P型单晶硅基底，所述具有P型表面的膜层为位于所述P型单晶硅基底的背面的P型掺杂多晶硅层。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池，还包括：背面电极、位于所述P型单晶硅基底的背面与所述P型掺杂多晶硅层之间的隧穿氧化层、位于所述氧化铝层的背面的第二抗反射层；
所述背面电极通过穿设于所述第二抗反射层、所述钝化层、所述P型掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层的第二通孔连接至所述P型单晶硅基底。
本发明还提供一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：
在晶体硅基底上形成具有P型表面的膜层；
在所述P型表面上形成氧化硅层；
在所述氧化硅层上形成氧化铝层，以得到由所述氧化铝层与所述氧化硅层形成的钝化层。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，所述在所述P型表面上形成氧化硅层，包括：
在预设温度下，为所述P型表面提供水蒸气，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层；
或者，对所述P型表面进行紫外光照射，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层；
或者，为所述P型表面提供臭氧，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，所述在所述氧化硅层上形成氧化铝层，包括：
在所述氧化硅层上形成非致密的氧化铝层。
根据本发明提供的一种晶体硅太阳能电池的制备方法，所述在所述氧化硅层上形成非致密的氧化铝层，包括：
在所述氧化硅层上形成所述氧化铝层的ALD沉积过程中，不吹扫氧源和铝源，以形成所述非致密的氧化铝层；
或者，通过CVD沉积在所述氧化硅层上形成所述非致密的氧化铝层。
本发明还提供一种光伏组件，包括如以上任一种所述的晶体硅太阳能电池。
本发明提供的晶体硅太阳能电池，晶体硅基底上的具有P型表面的膜层的钝化层包括在P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层，与现有技术相比，在原有的P型表面与氧化铝层之间引入了氧化硅层，氧化硅层与P型表面形成的Si-O键与Si-Al键相比，应力比较小，在经过高温烧结后，Si-O键不易发生断裂，从而保证对P型表面的化学钝化效果不衰减，从而提升了晶体硅太阳能电池的P型表面的钝化效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的晶体硅太阳能电池的结构示意图之一；
图2是本发明提供的晶体硅太阳能电池的结构示意图之二；
图3是本发明提供的晶体硅太阳能电池的制备方法的流程示意图；
图4是本发明提供的电子设备的结构示意图。
附图标记：
101：晶体硅基底；102：发射极；103：钝化层；
104：正面电极；105：第一抗反射层；106：背面电极；
107：隧穿氧化层；108：掺杂多晶硅层；109：第二抗反射层；
1031：氧化硅层；1032：氧化铝层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合图1至图2描述本发明的晶体硅太阳能电池。
本实施例提供一种晶体硅太阳能电池，包括：晶体硅基底；位于所述晶体硅基底上的具有P型表面的膜层；位于所述P型表面的钝化层，所述钝化层包括在所述P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层。
其中，具有P型表面的膜层可以是在晶体硅中掺杂得到的膜层，掺杂类型可以为ⅢA族元素(例如硼元素)，基于此，掺杂的表面称为P型表面。
其中，氧化硅层的材料可以但不限于为二氧化硅(SiO2)。
本实施例中，晶体硅基底上的具有P型表面的膜层的钝化层包括在P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层，与现有技术相比，在原有的P型表面与氧化铝层之间引入了氧化硅层，氧化硅层与P型表面形成的Si-O键与Si-Al键相比，应力比较小，在经过高温烧结后，Si-O键不易发生断裂，从而保证对P型表面的化学钝化效果不衰减，从而提升了晶体硅太阳能电池的P型表面的钝化效果。
其中，氧化铝层所带的负的固定电荷形成的负电场可以钝化p型表面，也即通过场效应钝化P型表面。在实现本发明的过程中，发明人发现，氧化硅层的厚度不宜太厚，如果氧化硅层太厚，容易导致氧化铝层的负电场与P型表面距离较远而作用不到P型表面，进而影响氧化铝层通过场效应钝化P型表面的性能，当然，氧化硅层的厚度也不宜太薄，否则无法形成足够的Si-O键，基于此，氧化硅层的厚度可以在预设的厚度范围内。示例性的，所述氧化硅层的厚度范围为0.5-3纳米(nm)。进一步的，所述氧化硅层的厚度范围为1-2nm。如此，氧化硅层的厚度在合理的范围内，形成薄氧化硅层，可以保证不影响氧化铝层通过场效应钝化P型表面的性能的同时，又可以通过薄氧化硅层与P型表面形成的Si-O键对P型表面形成良好的化学钝化效果。
本实施例的方案可以适用于多种晶体硅基底，下面举例说明。
在一种可能的晶体硅太阳能电池中，所述晶体硅基底可以为N型单晶硅基底。N型单晶硅基底可以在单晶硅中掺入ⅤA族元素(例如磷元素)得到。相应的，所述具有P型表面的膜层为位于所述N型单晶硅基底的正面的P型发射极。
示例性的，参见图1所示的晶体硅太阳能电池，包括晶体硅基底101，该晶体硅基底101为N型单晶硅基底；位于晶体硅基底101的正面的发射极102，该发射极102为P型发射极；位于发射极102的正面的钝化层103，该钝化层103包括氧化硅层1031和氧化铝层1032。还包括：正面电极104和位于所述氧化铝层1032的正面的第一抗反射层105；所述正面电极104通过穿设于所述第一抗反射层105和所述钝化层103的第一通孔连接至所述P型发射极。
另外，如图1所示，晶体硅太阳能电池还可以包括背面电极106、在单晶硅基底101的背面依次层叠的隧穿氧化层107、掺杂多晶硅层108和第二抗反射层109。其中，背面电极106通过穿设于第二抗反射层109、掺杂多晶硅层108和隧穿氧化层107的第二通孔连接至晶体硅基底101。
其中，正面是指接受光照的一面，相应的，背面则是背光的一面。
示例性的，第一抗反射层和第二抗反射层均可以为氧化铝(例如Al2O3)、二氧化钛(TiO2)、氮化硅或者负电荷介质薄膜。第一抗反射层和第二抗反射层的透过率≥85％。如此，可以满足引入氧化硅层之后的透过率需求。
示例性的，隧穿氧化层可以为但不限于为二氧化硅层。掺杂多晶硅层可以为N型掺杂多晶硅层。以上图1示意的晶体硅太阳能电池为TOPCon，通过隧穿氧化层和掺杂多晶硅层形成钝化接触结构，为背面提供了良好的界面钝化，利于载流子选择性收集。
在另一种可能的晶体硅太阳能电池中，所述晶体硅基底可以为P型单晶硅基底，等等。P型单晶硅基底可以在单晶硅中掺入ⅢA族元素(例如硼元素)得到。相应的，所述具有P型表面的膜层为位于所述P型单晶硅基底的背面的P型掺杂多晶硅层。
示例性的，参见图2所示的晶体硅太阳能电池，包括晶体硅基底101，该晶体硅基底101为P型单晶硅基底；位于晶体硅基底101的正面的发射极102，该发射极102为N型发射极。还包括：正面电极104和位于发射极104的正面的第一抗反射层105；所述正面电极104通过穿设于第一抗反射层105的第一通孔连接至N型发射极。
另外，如图2所示，晶体硅太阳能电池还可以包括位于单晶硅基底101的背面的掺杂多晶硅层108，该掺杂多晶硅层108为P型掺杂多晶硅层；以及位于P型掺杂多晶硅层的背面的钝化层103，该钝化层103包括氧化硅层1031和氧化铝层1032。还包括：背面电极106、位于所述P型单晶硅基底的背面与所述P型掺杂多晶硅层之间的隧穿氧化层107、位于所述氧化铝层的背面的第二抗反射层109；所述背面电极106通过穿设于所述第二抗反射层109、所述钝化层103、所述P型掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层107的第二通孔连接至所述P型单晶硅基底。
以上图2示意的晶体硅太阳能电池也为TOPCon，与图1的区别在于晶体硅基底、发射极、掺杂多晶硅层的掺杂类型不同，相应的，P型表面的位置不同，而钝化层需要位于P型表面，因此，钝化层的位置也进行了适应性的调整，以满足P型表面的钝化需求。
以上示意的正面电极可以为银铝电极，背面电极可以为银电极，利于形成良好的欧姆接触。可以采用丝网印刷的方式制备银电极和银铝电极。制备过程中，可以通过银浆料烧结形成银电极，通过银浆料和铝浆料形成银铝电极。
基于以上实施例，所述氧化铝层为非致密的氧化铝层。
现有技术中，晶体硅太阳能电池制备过程中，通用的ALD设备沉积氧化铝层时非常致密，这一薄膜性能虽然能保证良好的钝化性能，但是在制正面电极或者背面电极时，浆料烧结时容易烧穿，降低了接触性能，不利于载流子的向外输出。为解决该技术问题，发明人发现可以采用非致密的氧化铝层，这样，在制正面电极或者背面电极时，浆料烧结时就不容易烧穿，避免了对接触性能的影响，从而提高了浆料的烧结性能，优化了接触性能。
示例性的，所述非致密的氧化铝层是通过ALD沉积过程中不吹扫氧源和铝源得到的。或者，所述非致密的氧化铝层是通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)沉积得到的。
在ALD设备正常沉积氧化铝层时，会对通入的铝源和氧源进行吹扫，吹扫的目的是形成有序致密的氧化铝层，发明人发现，在沉积过程中减少吹扫的步骤，氧化铝层可以无序的随机生长，致密程度下降，从而形成非致密的氧化铝层。示例性的，铝源和氧源可以包括三甲基铝(C3H9Al)和水。CVD沉积也可以得到非致密的氧化铝层，CVD也是成熟的沉积技术，实现简单。示例性的，CVD可以但不限于为等离子体增强化学的气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)。基于此，实施中，可以通过如下沉积设备形成氧化铝层：ALD设备或者CVD设备。其中，CVD设备可以为PECVD设备或者其它CVD设备等。氧化铝层的厚度可以根据实际需要进行设置，示例性的，氧化铝层的厚度为1.5-20nm。
需要说明的是，以上得到非致密的氧化铝层的技术仅是举例而非限定，并不限制因为技术进步，还有其它的技术可以得到非致密的氧化铝层，只要是能够得到非致密的氧化铝层的技术都可以纳入本发明的保护范围。
下面对本发明提供的晶体硅太阳能电池的制备方法进行描述，下文描述的晶体硅太阳能电池的制备方法与上文描述的晶体硅太阳能电池可相互对应参照。
本发明提供的晶体硅太阳能电池的制备方法可以应用于生产以上实施例提供的晶体硅太阳能电池。
如图3所示，本实施例提供一种晶体硅太阳能电池的制备方法，至少包括如下步骤：
步骤301、在晶体硅基底上形成具有P型表面的膜层。
具体的，如果晶体硅基底为P型单晶硅基底，可以在晶体硅基底的背面形成隧穿氧化层，在隧穿氧化层上形成P型掺杂多晶硅层，以得到具有P型表面的膜层。
如果晶体硅基底为N型单晶硅基底，可以在晶体硅基底的正面形成P型发射极，以得到具有P型表面的膜层。
步骤302、在所述P型表面上形成氧化硅层。
步骤303、在所述氧化硅层上形成氧化铝层，以得到由所述氧化铝层与所述氧化硅层形成的钝化层。
本实施例中，晶体硅基底上的具有P型表面的膜层的钝化层包括在P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层，与现有技术相比，在原有的P型表面与氧化铝层之间引入了氧化硅层，氧化硅层与P型表面形成的Si-O键与Si-Al键相比，应力比较小，在经过高温烧结后，Si-O键不易发生断裂，从而保证对P型表面的化学钝化效果不衰减，从而提升了晶体硅太阳能电池的p型表面的钝化效果。
基于以上实施例，所述在所述P型表面上形成氧化硅层，其具体实现方式有多种，下面列举其中几种。
方式一、在预设温度下，为所述P型表面提供水蒸气，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层。
具体的，在达到预设温度的沉积设备中，通入水蒸气，以使所述P型表面上形成氧化硅层。在预设温度下，在水蒸气的作用下，可以使得P型表面发生自然氧化，由于自然氧化的方式下，氧化硅层的生长速度较慢，因此，可以缓慢生长制备出超薄的氧化硅层，从而满足对氧化硅层的厚度的需求。其中，预设温度可以为180-260摄氏度(℃)，示例性的，为200℃。在这样的预设温度下，氧化硅层的生长速度为佳。实施中，可以通过如下沉积设备形成氧化硅层：ALD、PECVD或者CVD等设备。
方式二、对所述P型表面进行紫外光照射，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层。
具体的，可以采用紫外光线(Ultraviolet Rays，UV)照射设备对P型表面进行照射，以使所述P型表面上形成氧化硅层。由于UV照射设备照射产生的臭氧具有强氧化性，可以使得P型表面氧化，形成氧化硅层。这种形成氧化硅层的方式非常简单，容易实现。
方式三、为所述P型表面提供臭氧，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层。
具体的，可以采用臭氧设备，为P型表面提供臭氧，形成氧化硅层。由于臭氧设备提供的臭氧具有强氧化性，可以使得P型表面氧化，形成氧化硅层。这种直接提供臭氧以形成氧化硅层的方式更加简单。
实际应用中，可以根据实际需要采用以上合适的方式形成氧化硅层。
基于以上实施例，所述在所述氧化硅层上形成氧化铝层，包括：在所述氧化硅层上形成非致密的氧化铝层。
示例性的，所述在所述氧化硅层上形成非致密的氧化铝层，具体可以包括：在所述氧化硅层上形成所述氧化铝层的ALD沉积过程中，不吹扫氧源和铝源，以形成所述非致密的氧化铝层；或者，通过CVD沉积在所述氧化硅层上形成所述非致密的氧化铝层。具体可以参考以上相关实施例，此处不做赘述。
如前所述，本实施例中可以形成非致密的氧化铝层，这样，在制正面电极或者背面电极时，浆料烧结时就不容易烧穿，避免了对接触性能的影响，从而提高了浆料的烧结性能，优化了接触性能。
下面以晶体硅基底为N型单晶硅基底的场景为例，对本实施例提供的晶体硅太阳能电池的制备方法进行更加详细地介绍。
本实施例中，制备如图1所示的晶体硅太阳能电池的结构，包括N型单晶硅基底，N型单晶硅基底的正面依次设置的P型发射极、氧化硅层、氧化铝层、第一抗反射层和银铝电极，N型单晶硅基底的背面依次设置的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二抗反射层和银电极。该晶体硅太阳能电池通过高温工艺制备。可以采用ALD设备在P型发射极的表面沉积0.5-3nm的氧化硅层，再沉积1.5-20nm的氧化铝层。具体步骤如下：
步骤一、提供N型单晶硅基底。
步骤二、对N型单晶硅基底进行清洗、制绒工艺。
本步骤中通过清洗去除损伤层。制绒时采用的是碱制绒工艺。
具体的，把厚度为160微米(μm)的N型单晶硅基底依次放入粗抛槽和制绒槽，制绒槽中氢氧化钾(KOH)与去离子(DI)水的体积比为0.5％-10％，温度为50-85℃，时间为150-400秒(s)，配合水洗、酸洗、烘干等完成制绒。
步骤三、通过高温硼扩散制备P型发射极。
具体的，把制绒完的N型单晶硅基底放置硼扩散装置中，通入的源气体的温度为700-900℃，时间为20-2000s，推结时的温度为930-1050℃，时间100-5000s，从而在N型单晶硅基底的正面形成P型发射极。
步骤四、背面抛光清洗。
具体的，把形成有P型发射极的N型单晶硅基底放入链式去硼硅玻璃(Borosilicate glass，BSG)设备中，氟化氢(HF)与DI水的体积比为80％-300％，带速为1-3米/分钟(m/min)，然后放入碱抛槽，碱抛槽中KOH与DI水的体积比为0.5％-10％，时间为100-300s，配合水洗、酸洗、烘干等完成背面抛光。
步骤五、制备隧穿氧化层和掺杂多晶硅层。
具体的，采用PECVD方式在N型单晶硅基底的背面制备隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，以笑气(N2O)、硅烷(SiH4)和磷烷为通入的源气体，氢气(H2)或氩气(Ar)作为载气，管压控制在1500-3000兆帕(mpa)，温度为380-450℃。其中隧穿氧化层为二氧化硅层。掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层。
步骤六、退火。
具体的，在N型单晶硅基底的背面制备隧穿氧化层和掺杂多晶硅层后，在700-1000℃下进行1-120min恒温以退火。
步骤七、去正面隧穿氧化层和掺杂多晶硅层绕镀。
具体的，退火后的N型单晶硅基底放入链式的酸洗设备去除二氧化硅绕镀，HF与DI水的体积比为10％-150％，带速为1-3m/min，接下来放入碱抛槽清洗掺杂多晶硅，再经过酸洗槽去除BSG。
步骤八、正面制备氧化硅层和氧化铝层。
具体的，采用ALD设备，以水蒸气(H2O)为通入的源气体，温度为200℃，制备出0.5-3nm的氧化硅层。该氧化硅层很薄，也称薄氧化硅层。
二氧化硅层制备完成后，以H2O、C3H9Al为通入的源气体，温度为200℃，制备出10nm的氧化铝层，该氧化铝层的负电场将对P型发射极起到钝化作用。该氧化铝层的制备过程中，不进行吹扫，可以得到非致密的氧化铝层。
步骤九、制备双面抗反射层。
具体的，采用PECVD方式制备位于正面和背面的氮化硅层，以SiH4、氨气(NH3)为通入的源气体，管压控制在1750-1900豪托(mTorr)，温度为480-530℃。正面的氮化硅层即第一抗反射层，背面的氮化硅层即第二抗反射层。
步骤十、制备正面电极和背面电极。
具体的，采用丝网印刷设备，制备正面电极和背面电极。
基于以上步骤一至步骤十即可制备出TOPCon电池。基于此，可以得到如下表1至表3所示的对比数据，主要从隐含开路电压(iVoc)、开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)、转换效率(Eff)等方面来进行对比。
表1未加氧化硅层时烧结前后的钝化数据
表2加上氧化硅层时烧结前后的钝化数据及氧化硅层的厚度
表3TOPCon的光电转换效率的对比数据
需要说明的是，表1和表2中的钝化数据均在未做正面电极和背面电极的条件下测得。从表1中可以看出，未加入氧化硅层时烧结后的钝化效果存在衰减。从表2中可以看出，加入氧化硅层时烧结后的钝化效果没有衰减。
表3中是基于氧化硅层的厚度为1.5nm的TOPCon进行测量得到，氧化硅层上沉积非致密的氧化铝层。从表3中可以看出，加入氧化硅层后，Voc、Isc、FF、Eff各方面性能均得到提升。
本实施例中，通过在原有的P型单晶硅(c-Si)/氧化铝层结构上增加一氧化硅层，使其结构变为P型c-Si/氧化硅层/氧化铝层结构，氧化硅层的引入可以保证不影响氧化铝层通过场效应钝化P型表面的性能的同时，又可以通过氧化硅层与P型表面形成的Si-O键对P型表面形成良好的化学钝化效果，并且，限制了P型c-Si/氧化硅层/氧化铝结构中氧化铝层的沉积方式，不选用严格意义上的ALD作为氧化铝沉积方式，不进行铝源和氧源的吹扫，形成非致密的氧化铝层，这样，在制正面电极或者背面电极时，浆料烧结时就不容易烧穿，避免了对接触性能的影响，从而提高了浆料的烧结性能，优化了接触性能。
本发明还提供一种光伏组件，包括如以上任一实施例所提供的晶体硅太阳能电池。例如，图1和图2所示的晶体硅太阳能电池。该光伏组件能达到前述晶体硅太阳能电池类似的有益效果，此处不做赘述。
图4示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图4所示，该电子设备可以包括：处理器(processor)410、通信接口(Communications Interface)420、存储器(memory)430和通信总线440，其中，处理器410，通信接口420，存储器430通过通信总线440完成相互间的通信。处理器410可以调用存储器430中的逻辑指令，以执行以上晶体硅太阳能电池的制备方法中的至少部分步骤。
此外，上述的存储器430中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面，本发明还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括存储在非暂态计算机可读存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，计算机能够执行以上晶体硅太阳能电池的制备方法中的至少部分步骤。
又一方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行以上晶体硅太阳能电池的制备方法中的至少部分步骤。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (13)
1.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括：
晶体硅基底；
位于所述晶体硅基底上的具有P型表面的膜层；
位于所述P型表面的钝化层，所述钝化层包括在所述P型表面依次层叠的氧化硅层和氧化铝层。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝层为非致密的氧化铝层。
3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述非致密的氧化铝层是通过ALD沉积过程中不吹扫氧源和铝源或者CVD沉积得到的。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述氧化硅层的厚度范围为0.5-3nm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅基底为N型单晶硅基底，所述具有P型表面的膜层为位于所述N型单晶硅基底的正面的P型发射极。
6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：正面电极和位于所述氧化铝层的正面的第一抗反射层；所述正面电极通过穿设于所述第一抗反射层和所述钝化层的第一通孔连接至所述P型发射极。
7.根据权利要求1至4任一项所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅基底为P型单晶硅基底，所述具有P型表面的膜层为位于所述P型单晶硅基底的背面的P型掺杂多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的晶体硅太阳能电池，其特征在于，还包括：背面电极、位于所述P型单晶硅基底的背面与所述P型掺杂多晶硅层之间的隧穿氧化层、位于所述氧化铝层的背面的第二抗反射层；
所述背面电极通过穿设于所述第二抗反射层、所述钝化层、所述P型掺杂多晶硅层和所述隧穿氧化层的第二通孔连接至所述P型单晶硅基底。
9.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在晶体硅基底上形成具有P型表面的膜层；
在所述P型表面上形成氧化硅层；
在所述氧化硅层上形成氧化铝层，以得到由所述氧化铝层与所述氧化硅层形成的钝化层。
10.根据权利要求9所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述P型表面上形成氧化硅层，包括：
在预设温度下，为所述P型表面提供水蒸气，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层；
或者，对所述P型表面进行紫外光照射，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层；
或者，为所述P型表面提供臭氧，以使所述P型表面上形成所述氧化硅层。
11.根据权利要求9或10所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述氧化硅层上形成氧化铝层，包括：
在所述氧化硅层上形成非致密的氧化铝层。
12.根据权利要求11所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述氧化硅层上形成非致密的氧化铝层，包括：
在所述氧化硅层上形成所述氧化铝层的ALD沉积过程中，不吹扫氧源和铝源，以形成所述非致密的氧化铝层；
或者，通过CVD沉积在所述氧化硅层上形成所述非致密的氧化铝层。
13.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的晶体硅太阳能电池。
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