CN114938215A - 晶体振荡器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶体振荡器及其制作方法，晶体振荡器包括带腔体的底座；分离设置在腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在晶片上的温度传感器，温度传感器与温度补偿芯片连接；设置在腔体内的控温芯片，用以控制腔体内的温度维持在晶片与温度补偿芯片的工作温度范围内。在本发明中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在晶片与温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。

Description

晶体振荡器及其制作方法

技术领域

本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种晶体振荡器及其制作方法。

背景技术

现有晶体振荡器的结构中，温度传感器通常设置在温度补偿芯片内，并且温度补偿芯片与晶片之间存在一定的空隙。在温度外界温度发生变化时，温度补偿芯片通过与底座的接触传导热量，感温较快；而晶片的感温是通过与周围环境的热交换感温，导致温度补偿芯片与晶片的感温存在一定的差异，从而温度补偿芯片输出的温度补偿数据与晶片所需的温度数据不一致，使补偿存在误差，从而导致温度补偿精度不高。此外，腔体内的温度取决于外部环境温度，对于恶劣的温度环境下温度补偿芯片无法对晶片的温度进行补偿，如军工的低温-60℃和高温125℃等，在这种极限温度下，温度补偿芯片和晶片可能无法正常工作，而且晶片的生产工艺也无法实现如此宽泛的工作温度范围。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种晶体振荡器及其制作方法，旨在解决现有技术中无法对晶片的工作温度进行准确补偿甚至无法进行补偿的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种晶体振荡器，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；

分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；

设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；

设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。

可选地，所述腔体内设有：晶片焊接区和芯片焊接区；

所述芯片焊接区处于所述腔体的底部，所述温度补偿芯片设置在所述芯片焊接区内；

所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边，所述晶片的一端设置在所述晶片焊接区内。

可选地，所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面。

可选地，所述温度传感器，用于采集所述晶片的当前温度信号，并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片；

所述温度补偿芯片，用于在接收到所述当前温度信号时，将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片的标准工作温度进行比较；

所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时，输出温度补偿信号对所述晶片的当前温度进行补偿。

可选地，所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接；

所述温度补偿芯片，还用于将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较；

所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度大于最大临界温度或小于最小临界温度时，输出控温信号至所述控温芯片；

所述控温芯片，还用于在接收到所述控温信号时启动，控制所述腔体内的温度维持在所述最大临界温度和最小临界温度之间。

可选地，所述温度传感器为铂电阻温度传感器。

可选地，所述晶体振荡器还包括金属盖；

所述金属盖设置于所述底座上，用以密封所述腔体。

为实现上述目的，本发明还提出一种晶体振荡器制作方法，所述晶体振荡器制作方法包括：

获取带腔体的底座；

在所述腔体内的芯片焊接区内焊接温度补偿芯片；

在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片；

连接所述温度补偿芯片与所述温度补偿芯片；

在所述腔体内设置控温芯片。

可选地，所述在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片的步骤包括；

获取晶片；

在所述晶片下表面贴合设置温度传感器，获得贴合温度传感器的晶片；

将在所述腔体内的晶片焊接区内通过点银胶的方式设置所述贴合温度传感器的晶片。

可选地，所述在所述腔体内设置控温芯片的步骤之后，还包括：

连接所述控温芯片与所述温度补偿芯片；

在所述底座上设置金属盖。

本发明提供了一种晶体振荡器及其制作方法，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。在本发明中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明提出的晶体振荡器第一实施例的结构示意图；

图2为现有技术中体晶体振荡器的结构示意图；

图3为现有技术中体晶体振荡器的受热流程的结构示意图；

图4为本发明提出的晶体振荡器第二实施例的结构示意图；

图5为本发明提出的晶体振荡器制作方法第一实施例的流程示意图；

图6为本发明提出的晶体振荡器制作方法第二实施例的流程示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	底座	40	温度传感器
20	晶片	50	控温芯片
				30	温度补偿芯片	60	金属盖

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后……）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当人认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

参照图1，图1为本发明提出的晶体振荡器第一实施例的结构示意图。基于图1提出本发明晶体振荡器第一实施例。

在本实施例中，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座10；

分离设置在所述腔体内的晶片20和温度补偿芯片30；

设置在所述晶片上的温度传感器40，所述温度传感器40与所述温度补偿芯片30连接；

设置在所述腔体内的控温芯片50，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片20与所述温度补偿芯片30的工作温度范围内。

应理解的是，参照图2现有常见的晶体振荡器主要底座10、晶片20、温度补偿芯片30等结构组成；在底座10内的温度补偿芯片30一般直接和底座10连接，晶片20和底座10之间则是通过焊接处进行连接。其中，温度补偿芯片30内部可以设置传感器用于对腔体内的温度进行检测。

需要说明的是，底座10是用于承载振荡器内晶片20、温度补偿芯片30等具体结构的载体。底座10可以为陶瓷底座。晶片20是用于在晶体振荡器运行过程中，晶片20的工作状态会受到温度的影响。晶片20可以为石英晶片。温度补偿芯片30是用于对晶片20工作状态时的温度进行补偿的芯片。该温度补偿芯片30可以根据晶片20上的温度变化对输出一定程度的温度补偿数据控制调温装置对腔体内的温度进行补偿。温度传感器40是用于对晶片20上的当前温度进行采集的传感器。温度传感器40可以直接贴合设置在晶片20上，从而更加准确的对晶片20的温度进行采集，例如设置在晶片20的上表面或下表面。

参照图3，在热源通过PCB基板传输热量进入振荡器时，由于温度补偿芯片30内部的温度传感器与晶片20之间存在空隙，并且温度补偿芯片30通过与底座10的接触传导热量，感温较快；而晶片20的感温是通过与周围环境的热交换感温，导致温度补偿芯片30与晶片20的感温不一致，从而导致温度补偿芯片30输出的温度补偿数据与晶片20实际所需的温度数据不一致，使补偿存在误差，从而导致温度补偿精度不高。

此外，腔体内的温度主要取决于外部环境温度，对于恶劣的温度环境。由于温度补偿芯片30在工作时存在一定的温度补偿范围，在晶片20的当前温度与最佳工作温度之间的差异超出阈值时，温度补偿芯片30无法将腔体内的温度补偿至晶片20所需的温度，如军工的低温-60℃和高温125℃等。对于这种极限温度，温度补偿芯片30并不能进行有效补偿甚至无法进行补偿，而且晶片20的生产工艺也无法制作出在如此宽泛的工作温度范围内可以正常工作的晶片20。控温芯片50是用于对腔体内的温度阈值范围进行调控的芯片。在晶体振荡器处于极限温度的条件下，温度补偿芯片30的温度补偿程度无法满足需求甚至无法进行补偿，此时控温芯片50可以对腔体内的温度进行调节，以使腔体内的温度维持在温度补偿芯片30以及晶片20可以正常工作的温度范围内。例如在外界环境温度低于-30℃时，控温芯片50可以启动制热功能；而外界环境温度高于85℃时，控温芯片50可以启动制冷功能，使腔体内的温度始终保持在极窄的工作温度范围内，在温度补偿芯片30和晶片20的最佳工作温度范围内。

在本实施例中提供了一种晶体振荡器，所述晶体振荡器包括：带腔体的底座；分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。在本实施例中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。

参照图4，图4为本发明提出的晶体振荡器第二实施例的结构示意图。基于上述晶体振荡器的第一实施例提出本发明晶体振荡器的第二实施例。

在本实施例中，所述腔体内设有：晶片焊接区和芯片焊接区；

所述芯片焊接区处于所述腔体的底部，所述温度补偿芯片30设置在所述芯片焊接区内；

所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边，所述晶片20的一端设置在所述晶片焊接区内。

应理解的是，底座10的组成材料可以多种，例如陶瓷、金属等，然而部分材料并不能直接焊接，例如陶瓷材料组成的底座10上便无法直接将芯片等元器件直接焊接在底座10上，需要增加一定的焊点结构，才能将元器件焊接于底座10上。

需要说明的是，晶片焊接区是腔体内可用于对晶片20的一端进行焊接固定的区域。该晶片焊接区通常设置在腔体内的侧边。芯片焊接区是用于对温度补偿芯片30进行固定的区域。该芯片焊接区可以直接设置在腔体内的底部，当然也可以设置在腔体内的其他位置，例如设置在侧边。其中，晶片焊接区和芯片焊接区内均包括一定数目的焊点，通过该焊点可以直接将晶片20焊接至晶片焊接区内，也可以直接将温度补偿芯片30焊接在芯片焊接区内。晶片20在正常工作过程中会按照一定的频率进行振动，因此晶片20的主体部分应当在腔体内不与其他结构接触。因此，在晶片20设置过程中，可以将晶片20的一端固定于腔体的一侧边即可。

应理解的是，在本实施例中，所述温度补偿芯片30设置在腔体内的底部，而晶片20设置在腔体内的侧边，设置在晶片20上的温度传感器40需要将晶片20上的温度发送至温度补偿芯片30，从而对温度进行补偿。在将温度传感器40与温度补偿芯片30连接过程中，温度传感器40的位置可能会对晶片20的造成一定的影响。例如温度传感器40贴合设置在晶片20的上表面时，将温度传感器40与温度补偿芯片30之间连接需要绕过完整的晶片20，可能会对晶片20造成影响。因此在本实施例中，可以将所述温度传感器40贴合设置在所述晶片20的下表面，实现避免通过晶片20的情况下将温度传感器40与温度补偿芯片30连接。其中，温度传感器40可以选取质量比较小的传感器，避免温度传感器的质量过大对晶片20的工作造成影响。

在进行温度补偿过程中，所述温度传感器40可以采集所述晶片20的当前温度信号，并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片30；所述温度补偿芯片30可以在接收到所述当前温度信号时，将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片20的标准工作温度进行比较；在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时，输出温度补偿信号对所述晶片20的当前温度进行补偿。

其中，当前温度信号为当前时刻晶片20表面的温度对应的电信号。该当前温度信号中承载晶片20的当前工作的温度信息。标准工作温度为晶片20不受影响的工作温度值或工作温度范围。在晶片20的当前温度处于当前标准温度时，晶片20可以处于标准的工作状态。温度补偿信号是由温度补偿芯片30生成用于控制补偿元件对晶片20的当前温度进行补偿的信号。温度补偿信号包括升温补偿信号和降温补偿信号。在当前温度过高时，温度补偿芯片30可以输出降温补偿信号，控制补偿元件对晶片20的当前温度进行降温；而在当前温度过低时，温度补偿芯片30可以输出升温补偿信号，控制补偿元件对晶片20的当前温度进行升温。

应理解的是，控温芯片50是用于对腔体内的温度进行调控的芯片。控温芯片50可以通过连接腔体内的其他温度传感器，对腔体内的温度信息进行采集，然后利用连接的用于进行温度比较的芯片确定腔体内的温度是否处于临界温度的范围内，并在腔体内的温度超出临界温度时，控温芯片50进行温度调控。

在本实施例中，其中，最大临界温度和最小临界温度均为预先设置的温度，在本实施例中，可以将最大临界温度设置为85℃，最小临界温度设置为-30℃。控温信号时用于启动控温芯片50对腔体内的温度进行控制的信号。控温信号可以包括升温控温信号和降温控温信号。

此外，在本实施例中，可以使用采集精确度较高的铂电阻温度传感器贴合设置在晶片20上，从而提升采集晶片20的当前温度的精度，进一步提升对晶片20的当前温度补偿的精度。

此外，在本实施例中，所述晶体振荡器还包括金属盖60；

所述金属盖60设置于所述底座10上。金属盖60可以将温度传感器40、晶片20、温度补偿芯片30以及控温芯片50密封在所述腔体内。

在本实施例中，由于温度补偿芯片30内设置有温度传感器，在将设置在晶片20的温度传感器40与温度补偿芯片30建立连接时，可以通过软件设定，将温度补偿芯片30内置的温度传感器关闭，将温度补偿传感器30上对应的接口直接与设置在晶片20的温度传感器40连接。

此外为实现上述目的，本发明还提供了一种晶体振荡器制作方法，参照图5，图5为本发明晶体振荡器制作方法的第一实施例的流程示意图。基于上述晶体振荡器提出本发明晶体振荡器制作方法的第一实施例。

在本实施例中，所述晶体振荡器制作方法包括：

步骤S10：获取带腔体的底座。

需要说明的是，底座是晶体振荡器中其他元器件结构的载体。在底座的获取过程中，可以根据底座的组成材料选取不同的获取方式。例如在所述底座的材料为陶瓷材料时，可以直接通过高温烧制的方式直接获取到带有腔体的底座；而对于半导体等材料组成的底座，可以选取底座，然后在底座上刻蚀腔体获得带有腔体的底座。

步骤S20：在所述腔体内的芯片焊接区内焊接温度补偿芯片。

应理解的是，在芯片焊接区内设置焊点，温度补偿芯片可以直接通过焊接的方式设置与腔体内。此外，在晶体振荡器制作过程中，应当从底部依次向上设置，考虑到芯片焊接区设置在腔体底部，因此需要先焊接温度补偿芯片。在具体设置时，可以将温度补偿芯片对应的引脚依次焊接在芯片焊接区内的对应焊点，直至温度补偿芯片所需使用的引脚完全焊接。

步骤S30：在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片。

应理解的是，晶片在正常工作过程中会按照一定的频率进行振动，因此晶片的主体部分应当在腔体内不与其他结构接触。因此，在晶片设置过程中，可以将晶片的一端固定与腔体的一侧边即可。在温度补偿芯片设置完成之后，还需要设置贴合温度传感器的晶片。在晶片设置过程中，可以通过高温点银胶的方式将贴合温度传感器的晶片的一端设置在晶片焊接区内。

步骤S40：连接所述温度补偿芯片与所述温度补偿芯片。

需要说明的是，在温度补偿芯片和贴合温度传感器的晶片均设置完成之后，还需要将温度补偿芯片与温度传感器之间进行连接，从而将温度传感器采集到当前温度信号发送至所述温度补偿芯片。在具体连接过程中，可以将温度补偿芯片上对应的引脚与温度传感器的引线直接焊接。

步骤S50：在所述腔体内设置控温芯片。

应理解的是，由于控温芯片的可以设置在不同的位置，因此在具体设置过程中，可以根据控温芯片的具体设置位置确定控温芯片的设置顺序。在具体设置时，可以直接将控温芯片通过焊接的方式焊接在腔体内即可。控温芯片可以通过连接腔体内的其他温度传感器，对腔体内的温度信息进行采集，然后利用连接的用于进行温度比较的芯片确定腔体内的温度是否处于临界温度的范围内，并在腔体内的温度超出临界温度时，控温芯片进行温度调控。

在本实施中通过在腔体内设置控温芯片，将腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内，从而避免无法对晶片温度进行补偿，并且将温度传感器直接贴合设置在晶片上，对晶片上的当前温度进行准确采集，实现对温度的准确补偿。

参照图6，图6为本发明晶体振荡器制作方法的第二实施例的流程示意图。基于上述晶体振荡器制作方法的第一实施例，提出本发明晶体振荡器制作方法的第二实施例。

在本实施例中，所述步骤S30具体包括：

步骤S301：获取晶片。

步骤S302：在所述晶片下表面贴合设置温度传感器，获得贴合温度传感器的晶片。

应理解的是，由于所述温度补偿芯片设置在腔体内的底部，而晶片设置在腔体内的侧边，设置在晶片上的温度传感器需要将晶片上的温度发送至温度补偿芯片，从而对温度进行补偿。在将温度传感器与温度补偿芯片连接过程中，温度传感器的位置可能会对引线的设置造成一定的影响。例如温度传感器贴合设置在晶片的上表面时，将温度传感器与温度补偿芯片之间连接需要绕过完整的晶片，可能会对晶片造成影响。

步骤S303：将在所述腔体内的晶片焊接区内通过点银胶的方式设置所述贴合温度传感器的晶片。

在本实施例中，可以将所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面，实现避免通过晶片的情况下将温度传感器与温度补偿芯片连接。在具体设置时，可以选取一定尺寸石英晶片作为晶片，然后将温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面，得到贴合温度传感器的晶片，然后通过高温点银胶的方式将贴合温度传感器的晶片的一端设置在晶片焊接区内。

此外，在本实施例中，所述步骤S50之后，还包括：

步骤S60：连接所述控温芯片与所述温度补偿芯片。

应理解的是，考虑具体使用成本，可以直接将所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接。在对腔体内的温度进行采集时，可以将晶片上的温度作为腔体内的温度。利用贴合设置在晶片上的温度传感器对腔体内的温度进行采集，然后所述温度补偿芯片可以将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较；并且在所述当前温度大于最大临界温度或小于最小临界温度时，输出控温信号至所述控温芯片；所述控温芯片可以在接收到所述控温信号时启动，控制所述腔体内的温度维持在所述最大临界温度和最小临界温度之间。其中，最大临界温度和最小临界温度均为预先设置的温度，在本实施例中，可以将最大临界温度设置为85℃，最小临界温度设置为-30℃。控温信号时用于启动控温芯片50对腔体内的温度进行控制的信号。控温信号可以包括升温控温信号和降温控温信号。

步骤S70：在所述底座上设置金属盖。

应理解的是，在腔体内的元器件均设置完成之后，还可以将所述金属盖设置于所述底座上。金属盖可以将温度传感器、晶片、温度补偿芯片以及控温芯片密封在所述腔体内。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种晶体振荡器，其特征在于，所述晶体振荡器包括：

带腔体的底座；

分离设置在所述腔体内的晶片和温度补偿芯片；

设置在所述晶片上的温度传感器，所述温度传感器与所述温度补偿芯片连接；

设置在所述腔体内的控温芯片，用以控制所述腔体内的温度维持在所述晶片与所述温度补偿芯片的工作温度范围内。

2.如权利要求1所述的晶体振荡器，其特征在于，所述腔体内设有：晶片焊接区和芯片焊接区；

所述芯片焊接区处于所述腔体的底部，所述温度补偿芯片设置在所述芯片焊接区内；

所述晶片焊接区处于所述腔体的侧边，所述晶片的一端设置在所述晶片焊接区内。

3.如权利要求2所述的晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器贴合设置在所述晶片的下表面。

4.如权利要求3所述的晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器，用于采集所述晶片的当前温度信号，并将所述当前温度信号发送至所述温度补偿芯片；

所述温度补偿芯片，用于在接收到所述当前温度信号时，将所述当前温度信号对应的当前温度与所述晶片的标准工作温度进行比较；

所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度与所述标准工作温度并不相同时，输出温度补偿信号对所述晶片的当前温度进行补偿。

5.如权利要求4所述的晶体振荡器，其特征在于，所述控温芯片与所述温度补偿芯片连接；

所述温度补偿芯片，还用于将所述当前温度分别与所述腔体内的最大临界温度以及最小临界温度进行比较；

所述温度补偿芯片，还用于在所述当前温度大于最大临界温度或小于最小临界温度时，输出控温信号至所述控温芯片；

所述控温芯片，还用于在接收到所述控温信号时启动，控制所述腔体内的温度维持在所述最大临界温度和最小临界温度之间。

6.如权利要求1-5任一项所述的晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器为铂电阻温度传感器。

7.如权利要求6所述的晶体振荡器，其特征在于，所述晶体振荡器还包括金属盖；

所述金属盖设置于所述底座上，用以密封所述腔体。

8.一种基于权利要求1-7任一项所述晶体振荡器的晶体振荡器制作方法，其特征在于，所述晶体振荡器制作方法包括：

获取带腔体的底座；

在所述腔体内的芯片焊接区内焊接温度补偿芯片；

在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片；

连接所述温度补偿芯片与所述温度补偿芯片；

在所述腔体内设置控温芯片。

9.如权利要求8所述的晶体振荡器制作方法，其特征在于，所述在所述腔体内的晶片焊接区内设置贴合温度传感器的晶片的步骤包括；

获取晶片；

在所述晶片下表面贴合设置温度传感器，获得贴合温度传感器的晶片；

将在所述腔体内的晶片焊接区内通过点银胶的方式设置所述贴合温度传感器的晶片。

10.如权利要求9所述的晶体振荡器制作方法，其特征在于，所述在所述腔体内设置控温芯片的步骤之后，还包括：

连接所述控温芯片与所述温度补偿芯片；

在所述底座上设置金属盖。

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