CN114937630A - 晶圆固定装置 - Google Patents

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CN114937630A CN202210679437.7A CN202210679437A CN114937630A CN 114937630 A CN114937630 A CN 114937630A CN 202210679437 A CN202210679437 A CN 202210679437A CN 114937630 A CN114937630 A CN 114937630A
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李保文
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INTELUME LASER SYSTEMS CO Ltd
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Abstract

一种晶圆固定装置,包括气压调节组件,气压调节组件的一侧放置有晶圆,气压调节组件产生正压和负压,正压和负压均作用于晶圆,以驱动晶圆相对气压调节组件悬停在指定位置;在该装置中可以实现一次完成打标工艺,改变了以前需多次背面吸附背面打标的方式,显著提高了加工效率;并且通过气压调节组件产生负压,使得用户可以通过调节正负气压和流量以平衡晶圆自身重力和气压支持力,达到整平晶圆,防止翘曲的目的。

Description

晶圆固定装置
技术领域
本申请涉及半导体制造技领域,具体涉及一种晶圆固定装置。
背景技术
在半导体制造过程中,为了便于在制作、测试和封装工艺中追踪晶圆,通常会对晶圆进行打刻号或标记。目前的对晶圆背面打标的方法通常是利用整平装置对晶圆进行分步打标,通过整平装置多次反复吸附晶圆不同位置,再通过激光发射装置对未吸附的部分进行打标。但是,由于加工过程中为了旋转晶圆需要反复吸附和压着晶圆,导致多次按压晶圆表面,从而导致晶圆加工的效率较低,且良品率也降低。
发明内容
本申请的目的是提供一种晶圆固定装置,该装置通过控制晶圆悬停,从而可以实现对晶圆的一次打标的功能,并且还能够防止打标过程中的翘曲现象。
为实现本申请的目的,本申请提供了如下的技术方案:
一种晶圆固定装置,包括气压调节组件,所述气压调节组件的一侧放置有晶圆,所述气压调节组件产生正压和负压,所述正压和所述负压均作用于所述晶圆,以驱动所述晶圆相对所述气压调节组件悬停在指定位置。
一种实施方式中,所述气压调节组件包括正压件和负压件,所述正压件的一侧放置有所述晶圆,所述负压件位于所述正压件背向所述晶圆的一侧;或所述负压件的一侧放置有所述晶圆,所述正压件位于所述负压件背向所述晶圆的一侧。
一种实施方式中,所述负压件围合负压腔,所述负压腔形成有小于外界气压的负压,所述负压件包括第一面,所述第一面上开设有连通所述负压腔和外部空间的第一负压孔;所述正压件围合正压腔,所述正压腔形成有大于外界气压的正压,所述正压件包括相背的第二面和第三面,所述第二面朝向所述第一面,所述第二面上开设有贯穿至所述第三面的第二负压孔,所述第二负压孔连通所述第一负压孔和外部空间,所述第二负压孔与所述正压腔隔绝,所述第三面上开设有第一正压孔,所述第一正压孔连通所述正压腔和外部空间。
一种实施方式中,所述负压件包括相连接的第一封闭盘和负压盘,所述第一封闭盘和所述负压盘共同围合所述负压腔,所述第一面位于所述负压盘上,所述第一封闭盘上设有与外部空间连通的第三负压孔。
一种实施方式中,所述负压盘和所述第一封闭盘为可拆卸连接。
一种实施方式中,所述负压盘围合所述负压腔,所述负压盘背向所述正压件的一侧开设有第一开口,所述第一封闭盘连接所述负压盘的外壁,并封闭所述负压腔。
一种实施方式中,所述正压件包括相连接的正压盘和第二封闭盘,所述正压盘和所述第二封闭盘共同围合所述正压腔,所述第二面位于所述正压盘上,所述第三面位于所述第二封闭盘上,所述正压盘上设有与外部空间连通的第二正压孔。
一种实施方式中,所述正压盘和所述第二封闭盘为可拆卸连接。
一种实施方式中,所述正压盘围合所述正压腔,所述正压盘背向所述负压件的一侧开设有第二开口,所述第二封闭盘连接所述正压盘的内壁,并封闭所述正压腔。
一种实施方式中,所述正压腔内设有连接所述正压盘和所述第二封闭盘的连接部,所述连接部围合所述第二负压孔,所述连接部为多个,相邻两个所述连接部之间设有正压通道,所述正压通道连通所述第一正压孔和所述第二正压孔。
一种实施方式中,所述连接部与所述正压盘为一体式结构,或所述连接部与所述第二封闭盘为一体式结构。
一种实施方式中,所述晶圆固定装置还包括限位组件,所述基板连接在所述负压件背向所述正压件的一侧,所述限位组件包括相连接的限位环和驱动件,所述驱动件连接在所述基板上,所述限位环位于所述正压件背向所述负压件的一侧,所述驱动件驱动所述限位环在垂直所述第一面的方向上移动。
通过在该装置中设计气压调节组件,并通过气压调节组件在晶圆表面形成大于外界气压的正压,使得晶圆可以受到气压的推动而悬停在于该装置上,晶圆的背面可以完整的暴露在外部环境中,用户可以利用激光发射装置在晶圆上面朝下打标晶圆背面,或在晶圆的下面朝上打标晶圆背面,在该装置中可以实现一次完成打标工艺,改变了以前需多次背面吸附背面打标的方式,显著提高了加工效率;并且通过气压调节组件产生负压,使得用户可以通过调节正负气压和流量以平衡晶圆自身重力和气压支持力,达到整平晶圆,防止翘曲的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一种实施例的晶圆固定装置的结构示意图;
图2是一种实施例的晶圆固定装置的截面结构示意图;
图3是一种实施例的晶圆固定装置的结构示意图;
图4是一种实施例的晶圆固定装置的部分结构示意图;
图5是一种实施例的晶圆固定装置的部分截面结构示意图;
图6是一种实施例的晶圆固定装置的部分爆炸结构示意图;
图7是一种实施例的晶圆固定装置的俯视结构示意图;
图8是一种实施例的第一封闭盘的俯视结构示意图;
图9是一种实施例的负压盘的俯视结构示意图;
图10是一种实施例的正压盘的俯视结构示意图;
图11是一种实施例的第二封闭盘的俯视结构示意图。
附图标记说明:100-晶圆固定装置,10-基板,101-第一基面,102-第二基面,103-正压连接孔,104-负压连接孔,20-负压件,21-负压腔,201-第一封闭盘,201A-第三负压孔,202-负压盘,202A-第一面,202B-第一负压孔,202C-第一开口,30-正压件,31-正压腔,31A-正压通道,301-正压盘,301A-第二面,301B-第二正压孔,301C-第二开口,302-第二封闭盘,302A-第三面,302B-第一正压孔,303-第二负压孔,303A-第一子孔,303B-第二子孔,304-连接部,40-限位组件,401-限位环,402-驱动件,50-连接件,60-正压管接头,70-负压管接头。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图,对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,当组件被称为“固定于”另一个组件,它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。
除非另有定义,本申请所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本申请所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
一种晶圆固定装置100,请参考图1,该晶圆固定装置100用于对半导体晶圆进行精细标记,该装置包括基板10、气压调节组件和限位组件40,气压调节组件的一侧放置有晶圆,气压调节组件产生正压和负压,正压和负压均作用于晶圆,以驱动晶圆相对气压调节组件悬停在指定位置。
一种实施方式中,气压调节组件包括正压件30和负压件20,正压件30的一侧放置有晶圆,负压件20位于正压件背向晶圆的一侧。具体地,基板10可以为晶圆固定装置100的基台,上述各类器件均可以安装在该基板10上。负压件20和正压件30连接,正压件30用于在晶圆表面形成大于外界气压的正压。负压件20用于提供负压并通过该负压对正压进行调节用户可以通过调节正负压的大小比例,以使得晶圆悬浮并不产生翘曲。限位件连接在基板10上,并用于对晶圆的位置进行限制,防止晶圆位移过大,偏离出晶圆固定装置100。
一种实施方式中,请参考图2,基板10为四边形结构,并包括相背两个面,分别为第一基面101和第二基面102。负压件20安装在第一基面101上,负压件20和基板10之间设置有连接件50,连接件50相背的两面分别与负压件20和基板10相连接。正压件30连接在负压件20背向基板10的一侧,在晶圆固定装置100工作前,晶圆放置在正压件30上;晶圆固定装置100启动后,正压件30和晶圆之间形成有大于常压的正压,晶圆受到正压的托举而悬浮至与正压件30具有间隔距离。在该实施方式中,正压件30内还可以设置有供气体流通的通孔,负压件20可以通过该通孔吸取晶圆和正压件30之间的气体,以此形成小于常压的负压,晶圆在负压的调节下,可以避免由于正压过于集中产生翘曲变形。
在其他实施方式中,请参考图3,还可以是负压件20的一侧放置有晶圆,正压件30位于负压件20背向晶圆的一侧。即正压件30安装在第一基面101上,正压件30和基板10之间设置有连接件50,连接件50相背的两面分别与正压件30和基板10相连接。负压件20连接在正压件30背向基板10的一侧,负压件20内可以设置有供气体流通的通孔,正压件30可以通过该通孔向晶圆和负压件20之间提供大于常压的正压气体。
在上述实施方式中,基板10可以放置在水平面上,晶圆受到晶圆固定装置100的作用向上悬浮,用户可以通过激光或其他装置在晶圆的上方进行打标工作。当然,在其他实施方式中,晶圆还可以受到晶圆固定装置100的作用向下悬浮,用户可以通过激光或其他装置在晶圆的下方进行打标工作。
通过在该装置中设计气压调节组件,并通过气压调节组件在晶圆表面形成大于外界气压的正压,使得晶圆可以受到气压的推动而悬停在于该装置上,晶圆的背面可以完整的暴露在外部环境中,用户可以利用激光发射装置在晶圆上面朝下打标晶圆背面,或在晶圆的下面朝上打标晶圆背面,在该装置中可以实现一次完成打标工艺,改变了以前需多次背面吸附背面打标的方式,显著提高了加工效率;并且通过气压调节组件产生负压,使得用户可以通过调节正负气压和流量以平衡晶圆自身重力和气压支持力,达到整平晶圆,防止翘曲的目的。
一种实施方式中,请参考图4和图5,负压件20位于基板10和正压件30之间。负压件20围合负压腔21,负压腔21形成有小于外界气压的负压。具体地,负压件20可以为圆柱形,其内部为中空结构的负压腔21,负压件20朝向基板10的底面可以连接有负压管接头70,负压腔21可以通过负压管接头70与外部连通。在本实施方式中,连接件50可以为圆环状,基板10上开设有自第一基面101贯穿至第二基面102的负压连接孔104,负压管接头70可以穿过连接件50的中部并伸入负压连接孔104内,负压管接头70可以通过气管与真空泵或其他抽气装置连通,以此使得负压腔21内的气体可以被抽出以形成负压。另外,负压管接头70的数量的可以为多个,以增加抽气的速度。通过在负压件20围合负压腔21的设计,使得负压件20内可以成型一个独立的气压空间,通过控制气压腔内的气压大小,从而可以控制负压件20周围空气的气压大小,在晶圆放置于负压件20附近时,其可以受到负压件20的负压力调节。
请参考图6,负压件20包括第一面202A,第一面202A上开设有连通负压腔21和外部空间的第一负压孔202B。具体地,第一面202A为圆形,第一负压孔202B的数量可以为多个,并且多个第一负压孔202B可以在第一面202A上呈环形阵列排布。设计环形阵列排布的第一负压孔202B可以使得由负压件20所形成的负压为均匀分布地,以此,在晶圆受到的负压也为均匀地,能够避免晶圆局部受力不均而产生的翘曲变形问题。当然,多个第一负压孔202B的孔径尺寸也可以相同,以此,进一步平衡所形成的负压。
请参考图4和图5,正压件30连接负压件20,正压件30围合正压腔31,正压腔31形成有大于外界气压的正压。具体地,正压件30可以为与负压件20直径相同的圆柱形,其内部为中空结构的正压腔31。在正压件30和负压件20连接后,二者的在径向上可以为重叠状态;当然,正压件30和负压件20的高度可以相同或不同,具体不做限制。正压件30的侧面可以连接有正压管接头60,正压腔31可以通过正压管接头60与外部连通。在本实施方式中,基板10上开设有自第一基面101贯穿至第二基面102的正压连接孔103,气管可以穿过正压连接孔103与正压管接头60连通,并且可以通过压缩泵或其他给气装置对正压腔31进行供气以形成正压。另外,正压管接头60的数量的可以为多个,以增加供气的速度;优选地,正压管接头60为均匀的间隔排布,以使得正压腔31内所形成的正压为均匀分布。通过在正压件30围合正压腔31的设计,使得正压件30内可以成型一个独立的气压空间,通过控制气压腔内的气压大小,从而可以控制正压件30周围空气的气压大小,在晶圆放置于正压件30附近时,其可以受到正压件30的正压力调节。
请参考图6和图7,正压件30包括相背的第二面301A和第三面302A,第二面301A朝向第一面202A,第二面301A上开设有贯穿至第三面302A的第二负压孔303,第二负压孔303连通第一负压孔202B和外部空间,且第二负压孔303与正压腔31隔绝,第三面302A上开设有第一正压孔302B,第一正压孔302B连通正压腔31和外部空间。具体地,第二面301A和第三面302A均为圆形,第一面202A和第二面301A紧贴。第二负压孔303的数量可以为多个,并且多个第二负压孔303可以在第二面301A上呈环形阵列排布。可以理解地,第一负压孔202B和第二负压孔303的关系应该为正对的,以此使得通过第二负压孔303可以直接在第三面302A上形成负压。第一正压孔302B的数量可以为多个,并且多个第一正压孔302B可以在第三面302A上呈环形阵列排布,第一正压孔302B和第二负压孔303之间具有间隔距离。可以理解地,第一正压孔302B和正压腔31是连通的,第二负压孔303和正压腔31是隔绝的,当第一正压孔302B和第二负压孔303之间具有间隔距离时,第一正压孔302B和第二负压孔303可以独立工作,且正负压不会直接抵消。晶圆可以放置在第三面302A上,用户可以通过调节第一正压孔302B和第二负压孔303之间的出气量和进气量,从而调节晶圆的悬浮高度。并且通过调节出气量和进气量还可以控制晶圆的受力程度,避免晶圆由于受力不均而产生翘曲形变。
一种实施方式中,请参考图7,第一正压孔302B的孔径小于第二负压孔303的孔径,且第一正压孔302B的数量大于第二负压孔303的数量。该设计方式可以使得,晶圆表面所形成的正压不会过度集中,并且正压分部均匀,能够减少晶圆出现翘曲形变。
一种实施方式中,负压件20和正压件30为可拆卸连接,并且负压件20和正压件30之间可以通过设置密封胶圈或密封垫连接。设计可拆卸的结构可以便于用户对晶圆固定装置100的修理与更换,而密封胶圈或密封垫可以增加二者之间的密封性,防止漏气而导致负压值下降。
一种实施方式中,请参考图5,负压件20包括相连接的第一封闭盘201和负压盘202,第一封闭盘201和负压盘202共同围合负压腔21。具体地,第一封闭盘201和负压盘202可以通过焊接或胶接等方式固定连接而成。并且,负压盘202的厚度可以大于第一封闭盘201的厚度,负压盘202内可以向内凹陷以形成一个空间,在第一封闭盘201和负压盘202连接后,该凹陷的空间成为负压腔21。在其他实施方式中,还可以是第一密封盘的厚度大于负压盘202的厚度,第一密封盘内可以向内凹陷以形成一个空间。在其他实施方式中,还可以是第一密封盘的厚度等于负压盘202的厚度,第一密封盘内和负压盘202内均可以向内凹陷以分别形成一个空间,在第一封闭盘201和负压盘202连接后,该两个凹陷的空间共同组成负压腔21。
一种实施方式中,请参考图2和图5,第一封闭盘201与连接件50连接,负压盘202位于第一封闭盘201背向基板10的一侧,并且第一面202A位于负压盘202上。当然,在其他实施方式中,还可以为负压盘202与连接件50连接,第一封闭盘201位于负压盘202背向基板10的一侧,第一面202A位于第一封闭盘201上。可以理解地,第一封闭盘201和负压盘202的作用是共同围合负压腔21,所第一封闭盘201和负压盘202的具体位置关系不做限制。
请参考图8,当第一封闭盘201位于负压盘202和基板10之间并与连接件50连接时,第一封闭盘201上可以设有与外部空间连通的第三负压孔201A,负压管接头70可以部分伸入第三负压孔201A内,以此使得负压管接头70的内腔和负压腔21连通。在一种实施方式中,负压管接头70和第三负压孔201A的内壁可以为螺纹配合连接,以此可以增加两者之间连接关系,增加密封性。
通过将负压件20设计为由第一封闭盘201和负压盘202组装而成的方式,可以降低负压件20在制造加工过程中的难度,分步制造都通过连接工艺进行连接,有利于负压腔21的精细加工。
一种实施方式中,请参考图5和图9,负压盘202围合负压腔21,负压盘202背向正压件30的一侧开设有第一开口202C,第一封闭盘201连接负压盘202的外壁,并封闭负压腔21。具体地,第一封闭盘201位于负压盘202和基板10之间,负压盘202内形成的凹陷空间为负压腔21。第一开口202C位于负压腔21的深度方向上并由负压盘202边缘围合形成,第一封闭盘201的直径应该大于第一开口202C的尺寸,第一封闭盘201的表面可以与负压盘202的外壁连接,以此使得第一封闭盘201可以通过封闭第一开口202C从而围合负压腔21。
一种实施方式中,请参考图6,负压盘202和第一封闭盘201为可拆卸连接。具体地,负压盘202和第一封闭盘201上开设有正对的安装孔,负压盘202和第一封闭盘201可以通过螺钉伸入安装孔的方式固定连接。并在拆除螺钉后分离。当然,在一种实施方式中,负压盘202和第一封闭盘201还可以是通过螺纹配合连接、卡合连接或磁吸连接等。举例而言,负压盘202上设有外螺纹或内螺纹,相应的第一封闭盘201上设有对应的内螺纹或外螺纹,以此通过将二者旋转后可固定或拆卸。
通过将负压盘202和第一封闭盘201设计为可以拆卸的连接方式,有利于对晶圆固定装置100的维护与维修,减少了后期使用的成本。
一种实施方式中,请参考图5,正压件30包括相连接的正压盘301和第二封闭盘302,正压盘301和第二封闭盘302共同围合正压腔31。具体地,第二封闭盘302和正压盘301可以通过焊接或胶接等方式固定连接而成。并且,正压盘301的厚度可以大于第二封闭盘302的厚度,正压盘301内可以向内凹陷以形成一个空间,在第二封闭盘302和正压盘301连接后,该凹陷的空间成为正压腔31。在其他实施方式中,还可以是第二密封盘的厚度大于正压盘301的厚度,第二密封盘内可以向内凹陷以形成一个空间。在其他实施方式中,还可以是第二密封盘的厚度等于正压盘301的厚度,第二密封盘内和正压盘301内均可以向内凹陷以分别形成一个空间,在第二封闭盘302和正压盘301连接后,该两个凹陷的空间共同组成正压腔31。
一种实施方式中,正压盘301与负压件20连接,第二封闭盘302位于正压盘301背向负压件20的一侧,并且第二面301A位于正压盘301上,第三面302A位于第二封闭盘302上。当然,在其他实施方式中,还可以为第二封闭盘302与负压件20连接,正压盘301位于第二封闭盘302背向负压件20的一侧,第二面301A位于第二封闭盘302上,第三面302A位于正压盘301上。可以理解地,第二封闭盘302和正压盘301的作用是共同围合正压腔31,所第二封闭盘302和正压盘301的具体位置关系不做限制。
请参考图4,当正压盘301位于第二封闭盘302和负压件20之间并与负压件20连接时,正压盘301的侧壁上可以设有与外部空间连通的第二正压孔301B,正压管接头60可以部分伸入第二正压孔301B内,以此使得正压管接头60的内腔和正压腔31连通。在一种实施方式中,正压管接头60和第二正压孔301B的内壁可以为螺纹配合连接,以此可以增加两者之间连接关系,增加密封性。当然,在其他实施方式中,第二正压孔301B可以为正压盘301和第二封闭盘302共同围合形成。
通过将正压件30设计为由第二封闭盘302和正压盘301组装而成的方式,可以降低正压件30在制造加工过程中的难度,分步制造都通过连接工艺进行连接,有利于正压腔31的精细加工。
一种实施方式中,请参考图6和图10,正压盘301围合正压腔31,正压盘301背向负压件20的一侧开设有第二开口301C,第二封闭盘302连接正压盘301的内壁,并封闭正压腔31。具体地,正压盘301位于第二封闭盘302和负压件20之间,正压盘301内形成的凹陷空间为正压腔31。第二开口301C位于正压腔31的深度方向上并由正压盘301边缘围合形成。在本实施方式中,正压盘301的内壁还形成有凸台,第二封闭盘302的直径应该等于第一开口202C的尺寸,第二封闭盘302的表面可以与凸台连接,以此使得第二封闭盘302可以通过封闭第二开口301C从而围合正压腔31。
一种实施方式中,请参考图7,第二封闭盘302为一种微孔陶瓷板,第二封闭盘302上可以形成有多个细小的第一正压孔302B。可以理解地,第一正压孔302B的尺寸可以为极其微小的细小孔洞,并且可以为非圆形的形状。
一种实施方式中,请参考图6,正压盘301和第二封闭盘302为可拆卸连接。具体地,第二封闭盘302可以通过上述实施方式中的凸台卡合至正压盘301内,第二封闭盘302可以通过自身重力与正压盘301固定连接。当然,在一种实施方式中,正压盘301和第二封闭盘302还可以是通过螺纹配合连接、卡合连接或磁吸连接等,具体不做限制。
通过将正压盘301和第二封闭盘302设计为可以拆卸的连接方式,有利于对晶圆固定装置100的维护与维修,减少了后期使用的成本。
一种实施方式中,请参考图6和图11,正压腔31内设有连接正压盘301和第二封闭盘302的连接部304,连接部304围合第二负压孔303。具体地,在上述实施方式的基础上,连接部304和正压盘301为一体式结构,连接部304自正压腔31的底壁向上凸出。在正压盘301和第二封闭盘302连接后,第二封闭盘302和连接部304连接,连接部304和第二封闭盘302共同围合第二负压孔303。其中,连接部304围合的部分可以为第一子孔303A,第二封闭盘302围合的部分可以为第二子孔303B。
连接部304为多个,相邻两个连接部304之间设有正压通道31A,正压通道31A连通第一正压孔302B和第二正压孔301B。具体地,多个连接部304可以组成多个同心圆环形,每个连接部304上可以设有至少一个第一子孔303A。正压通道31A的延伸方向不做限制,可以理解地,正压通道31A为多个连接部304分隔正压腔31而形成的,正压气体进入正压腔31后,可以充满载正压通道31A内,并且通过正压通道31A流通。当然,在其他实施方式中,多个连接部304还可以在正压腔31内呈矩形阵列排布,具体不做限制。
优选地,正压盘301内的多个连接部304呈轴对称排布,正压通道31A也为轴对称设计。通过该设计方式,可以使得正压件30上的第一正压孔302B和第二负压孔303可以为有序排布,在晶圆表面上所形成的正压和负压可以为分布均匀。
一种实施方式中,连接部304与正压盘301为一体式结构,或连接部304与第二封闭盘302为一体式结构。具体地,连接部304和正压盘301为一体式结构,连接部304自正压腔31的底壁向上凸出。在正压盘301和第二封闭盘302连接后,第二封闭盘302和连接部304连接。其中,连接部304围合的部分可以为第一子孔303A,第二封闭盘302围合的部分可以为第二子孔303B。此外,还可以是连接部304与第二封闭盘302为一体式结构,连接部304自第二封闭盘302的一侧向下凸出。在正压盘301和第二封闭盘302连接后,正压盘301的底壁和连接部304连接。其中,连接部304围合的部分可以为第一子孔303A,正压盘301围合的部分可以为第二子孔303B。
一种实施方式中,请参考图1和图2,基板10连接在负压件20背向正压件30的一侧,限位组件40包括相连接的限位环401和驱动件402,驱动件402连接在基板10上,限位环401位于正压件30背向负压件20的一侧,驱动件402驱动限位环401在垂直第一面202A的方向上移动。具体地,限位环401为圆环状,晶圆位于限位环401和正压件30之间,限位环401用于对晶圆进行粗调限位。举例而言,在正压件30和负压件20共同作用于与晶圆上,使得晶圆悬浮后,晶圆背向正压件30的一面与限位环401的边缘相连接。驱动件402可以为一种驱动电机,驱动件402的数量可以为多个,多个驱动件402可以共同驱动限位环401在垂直第一面202A的方向上往复移动。
在本申请实施例的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指标的方位或位置关系为基于附图所述的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或原件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
以上所揭露的仅为本申请一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本申请之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本申请权利要求所作的等同变化,仍属于申请所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种晶圆固定装置,其特征在于,包括气压调节组件,所述气压调节组件的一侧放置有晶圆,所述气压调节组件产生正压和负压,所述正压和所述负压均作用于所述晶圆,以驱动所述晶圆相对所述气压调节组件悬停在指定位置。
2.根据权利要求1所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述气压调节组件包括正压件和负压件,所述正压件的一侧放置有所述晶圆,所述负压件位于所述正压件背向所述晶圆的一侧;或所述负压件的一侧放置有所述晶圆,所述正压件位于所述负压件背向所述晶圆的一侧。
3.根据权利要求2所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述正压件的一侧放置有所述晶圆时,所述负压件围合负压腔,所述负压腔形成所述负压,所述负压件包括第一面,所述第一面上开设有连通所述负压腔和外部空间的第一负压孔;所述正压件围合正压腔,所述正压腔形成所述正压,所述正压件包括相背的第二面和第三面,所述第二面朝向所述第一面,所述第二面上开设有贯穿至所述第三面的第二负压孔,所述第二负压孔连通所述第一负压孔和外部空间,所述第二负压孔与所述正压腔隔绝,所述第三面上开设有第一正压孔,所述第一正压孔连通所述正压腔和外部空间。
4.根据权利要求3所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述负压件包括相连接的第一封闭盘和负压盘,所述第一封闭盘和所述负压盘共同围合所述负压腔,所述第一面位于所述负压盘上,所述第一封闭盘上设有与外部空间连通的第三负压孔。
5.根据权利要求4所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述负压盘和所述第一封闭盘为可拆卸连接。
6.根据权利要求3所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述正压件包括相连接的正压盘和第二封闭盘,所述正压盘和所述第二封闭盘共同围合所述正压腔,所述第二面位于所述正压盘上,所述第三面位于所述第二封闭盘上,所述正压盘上设有与外部空间连通的第二正压孔。
7.根据权利要求6所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述正压盘和所述第二封闭盘为可拆卸连接。
8.根据权利要求6所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述正压腔内设有连接所述正压盘和所述第二封闭盘的连接部,所述连接部围合所述第二负压孔,所述连接部为多个,相邻两个所述连接部之间设有正压通道,所述正压通道连通所述第一正压孔和所述第二正压孔。
9.根据权利要求8所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述连接部与所述正压盘为一体式结构,或所述连接部与所述第二封闭盘为一体式结构。
10.根据权利要求3所述的晶圆固定装置,其特征在于,所述正压件的一侧放置有所述晶圆时,所述晶圆固定装置还包括基板和限位组件,所述基板连接在所述负压件背向所述正压件的一侧,所述限位组件包括相连接的限位环和驱动件,所述驱动件连接在所述基板上,所述限位环位于所述正压件背向所述负压件的一侧,所述驱动件驱动所述限位环在垂直所述第一面的方向上移动。
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CN115256219A (zh) * 2022-08-30 2022-11-01 北京特思迪半导体设备有限公司 一种基于正负压耦合的防吸入抛磨基材固定装置及方法

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