CN114934263B - 一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及真空镀膜技术领域，具体提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，其包括：准备并清洗基板玻璃；对所述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；在刻划后的所述透明导电氧化膜上设置引出电极；利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有所述透明导电氧化膜，以制成所述观察窗；该方法制造的观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。

Description

一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗
技术领域
本申请涉及真空镀膜技术领域，具体而言，涉及一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗。
背景技术
真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面，真空镀膜是以真空技术为基础，利用物理或化学方法，并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术，为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种工艺。
在真空射频镀膜行业中，一般会在真空射频镀膜设备的真空腔室周围设置用于观察真空镀膜反应是否正常进行的真空观察窗，但在真空镀膜的过程中，整个真空腔室内布满了电磁能量，若真空腔室内的电磁能量溢出，相关人员会出现头晕、视力模糊、内分泌紊乱、记忆力下降等情况。现有的真空观察窗的玻璃一般为熔融石英、硼硅酸盐等高透射玻璃，由于高透射玻璃不具备导电性，因此真空腔室内的电磁能量会从真空观察窗中溢出，为了防止电磁能量从真空观察窗中溢出，现有的真空射频镀膜设备在真空观察窗前端加装带镂空孔洞的金属板，金属板的电磁屏蔽效果与金属板的镂空孔洞大小呈负相关，真空观察窗的观察范围与金属板的镂空孔洞大小呈正相关，即现有的真空观察窗无法同时满足提高电磁屏蔽效果和增大观察范围。
针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请的目的在于提供一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，能够使观察窗同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
第一方面，本申请提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，用于制作观察窗，上述真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法包括以下步骤：
准备并清洗基板玻璃；
对上述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使上述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜；
根据至少一种刻划图案对上述透明导电氧化膜进行刻划处理，以使上述透明导电氧化膜的透光率大于等于预设透光率；
在刻划后的上述透明导电氧化膜上设置引出电极；
利用封装胶膜及盖板玻璃封装所有上述透明导电氧化膜，以制成上述观察窗。
本申请提供的一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，在基板玻璃的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜，并根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜进行刻划处理，由于透明导电氧化膜能够导电，因此其能够屏蔽真空射频镀膜设备进行真空镀膜时产生的电磁辐射，且由于根据刻划图案对透明导电氧化膜进行刻划处理能够使基板玻璃的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，以使观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
可选地，上述透明导电氧化膜的材质为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或铟镓锌氧化物或掺硼氧化锌中的任意一种。
可选地，上述透明导电氧化膜的材质为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或铟镓锌氧化物，上述对上述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使上述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜的步骤包括：
将上述基板玻璃置于真空镀膜设备中；
上述真空镀膜设备在高温环境下通入氧气和氩气，并采用直流磁控溅射的方式使上述基板玻璃至少一侧逐渐掺入上述氧化铟锡或上述铝掺杂的氧化锌或上述铟镓锌氧化物以沉积形成对应的上述透明导电氧化膜。
可选地，上述真空镀膜设备内的温度为200℃，上述真空镀膜设备内的压强为10pa，上述氧气的流量与氩气的流量的比例为0.15:1。
可选地，上述透明导电氧化膜为掺硼氧化锌，上述对上述基板玻璃进行真空镀膜处理，以使上述基板玻璃至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜的步骤包括：
将上述基板玻璃置于真空镀膜设备中；
上述真空镀膜设备在高温环境下通入水蒸气、二乙基锌和乙硼烷，并采用低压化学气相沉积的方式使上述基板玻璃至少一侧逐渐掺入上述掺硼氧化锌以沉积形成对应的上述透明导电氧化膜。
可选地，上述真空镀膜设备的温度为200℃，上述真空镀膜设备内的压强为50mbar，上述二乙基锌的流量与乙硼烷的流量的比例为1:0.05。
可选地，上述刻划图案为按照预设分布形式设置的孔洞，上述孔洞的长度为1-5mm，上述孔洞的宽度为0.5-2mm，上述长度和上述宽度的比例为1:2-10:1。
该技术方案的刻划图案为按照预设分布形式设置的孔洞，孔洞的长度为1-5mm，孔洞的宽度为0.5-2mm，孔洞的长度与孔洞的宽度的比例为1:2-10:1，此时透明导电氧化膜具有良好的电磁辐射屏蔽效果。
可选地，上述预设透光率为90%。
可选地，上述封装胶膜的材质为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物或聚乙烯醇缩丁醛酯。
该技术方案利用材质为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物或聚乙烯醇缩丁醛酯的封装胶膜封装透明导电氧化膜，该封装胶膜对透明导电氧化膜起保护作用，以避免透明导电氧化膜的导电性降低。
第二方面，本申请还提供了一种观察窗，用于屏蔽电磁辐射，观察窗包括基板玻璃，基板玻璃的至少一侧依次设置有至少一层透明导电氧化膜、封装胶膜和盖板玻璃，上述透明导电氧化膜设有引出电极，上述透明导电氧化膜具有用于提高其透光率的基于刻划处理形成的刻划图案。
本申请提供的一种观察窗，在基板玻璃的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜，并根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜进行刻划处理，由于透明导电氧化膜能够导电，因此其能够屏蔽真空射频镀膜设备进行真空镀膜时产生的电磁辐射，且由于根据刻划图案对透明导电氧化膜进行刻划处理能够使基板玻璃的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，以使观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
由上可知，本申请提供的一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，在基板玻璃的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜，并根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜进行刻划处理，由于透明导电氧化膜能够导电，因此其能够屏蔽真空射频镀膜设备进行真空镀膜时产生的电磁辐射，且由于根据刻划图案对透明导电氧化膜进行刻划处理能够使基板玻璃的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，以使观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为现有的带有镂空金属板的真空观察窗的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法的流程图。
图3为本申请实施例提供的一种观察窗的爆炸结构示意图。
附图标记：1、基板玻璃；2、透明导电氧化膜；3、引出电极；4、封装胶膜；5、盖板玻璃。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
如图1所示，图1为现有的带有镂空金属板的真空观察窗的结构示意图。现有的真空观察窗的玻璃一般为熔融石英、硼硅酸盐等高透射玻璃，由于高透射玻璃不具备导电性，因此真空腔室内的电磁能量会从真空观察窗中溢出，为了防止电磁能量从真空观察窗中溢出，现有的真空射频镀膜设备在真空观察窗前端加装带镂空孔洞的金属板，金属板能够导电，因此金属板能够屏蔽真空射频镀膜设备运行时产生的电磁辐射，金属板的电磁屏蔽效果与金属板的镂空孔洞大小呈负相关，但由于金属板会遮挡视线，即相关人员仅可以通过金属板的镂空孔洞观察到真空射频镀膜设备内部的情况，因此真空观察窗的观察范围与金属板的镂空孔洞大小呈正相关，即现有的真空观察窗无法同时实现提高电磁屏蔽效果和增大观察范围。
第一方面，如图2所示，本申请提供了一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，用于制作观察窗，真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法包括以下步骤：
S1、准备并清洗基板玻璃1；
S2、对基板玻璃1进行真空镀膜处理，以使基板玻璃1至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜2；
S3、根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理，以使透明导电氧化膜2的透光率大于等于预设透光率；
S4、在刻划后的透明导电氧化膜2上设置引出电极3；
S5、利用封装胶膜4及盖板玻璃5封装所有透明导电氧化膜2，以制成观察窗。
其中，步骤S1使用超声波清洗、去离子水清洗等清洗方式对基板玻璃1进行清洗。步骤S2对清洗后的基板玻璃1进行真空镀膜处理，以使基板玻璃1的至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜2，该透明导电氧化膜2可以为氧化铟锡（ITO）、铝掺杂的氧化锌（AZO）、铟镓锌氧化物（IGZO）或掺硼氧化锌（BZO）等具有导电性且透明的氧化膜。步骤S2可以在基板玻璃1的任意一侧或两侧形成透明导电氧化膜2，优选地，透明导电氧化膜2形成在基板玻璃1的任意一侧。步骤S3的刻划图案可以为按照预设分布形式设置的孔洞、凹槽等任意一种或多种，预设分布形式可以为均匀分布、分布密度沿中心向边缘逐渐增大或减小等，刻划图案也可以为以随机分布形式设置的孔洞、凹槽等任意一种或多种，刻划图案优选为按照预设分布形式设置的孔洞。由于透明导电氧化膜2的透光率与透明导电氧化膜2的厚度负相关，而步骤S3通过对透明导电氧化膜2整体进行刻划处理的方式去除局部的透明导电氧化膜2，以使透明导电氧化膜2的整体透光率增大，直至透明导电氧化膜2的透光率大于等于预设透光率，该刻划处理可以为机械刻划或激光刻划，该预设透光率可以为任意值，本领域技术人员能够根据实际需要设置预设透光率的大小。由于真空射频镀膜设备运行时，透明导电氧化膜2上会有电流产生，若不及时将透明导电氧化膜2上的电流引出，可能会导致透明导电氧化膜2损坏，因此步骤S4在刻划后的透明导电氧化膜2整体上设置引出电极3，以导出透明导电氧化膜2的电流。透明导电氧化膜2长时间暴露在空气中或其他恶劣条件中后，其导电性会逐渐下降，为了解决该问题，步骤S5利用封装胶膜4及盖板玻璃5对透明导电氧化膜2进行封装，封装后的透明导电氧化膜2不会与外界环境接触，因此步骤S5能够避免由于透明导电氧化膜2长时间暴露而造成其导电性下降的情况。步骤S5的盖板玻璃5的材质与基板玻璃1的材质相同，基板玻璃1、透明导电氧化膜2、引出电极3、封装胶膜4和盖板玻璃5共同构成观察窗。
该实施例的工作原理为：先通过真空镀膜的方式在基板玻璃1的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜2，由于透明导电氧化膜2能够导电，因此透明导电氧化膜2能够屏蔽真空射频镀膜设备运行时产生的电磁辐射，然后根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理，以进一步地增大透明导电氧化膜2的透光率，由于透明导电氧化膜2不会遮挡视线且经过刻划处理的透明导电氧化膜2的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜2的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，以使观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
在一些优选实施例中，为了使引出电极3导出电流的效果最好，引出电极3设置在刻划图案的汇流处。汇流处可以为刻划图案的分布密度较大的位置，汇流处也可以为真空射频镀膜设备运行时透明导电氧化膜2上电流较为集中的位置。该实施例将引出电极3设置在刻划图案的汇流处，以使引出电极3能够更好地导出透明导电氧化膜2上的电流。
在一些实施例中，在步骤S2完成后，检测步骤S2形成的透明导电氧化膜2的透光率是否大于等于预设透光率，若步骤S2形成的透明导电氧化膜2的透光率大于等于预设透光率，则可跳过步骤S3，即执行步骤S4；若步骤S2形成的透明导电氧化膜2的透光率小于预设透光率，则执行步骤S3。该技术方案只有在形成的透明导电氧化膜2的透光率小于预设透光率时，才会对透明导电氧化膜2进行刻划处理，以避免对透光率大于等于预设透光率的透明导电氧化膜2进行刻划。
在一些实施例中，透明导电氧化膜2的材质为氧化铟锡（ITO）、铝掺杂的氧化锌（AZO）或铟镓锌氧化物（IGZO），步骤S2包括：
S21、将基板玻璃1置于真空镀膜设备中；
S22、真空镀膜设备在高温环境下通入氧气和氩气，并采用直流磁控溅射的方式使基板玻璃1至少一侧逐渐掺入氧化铟锡或铝掺杂的氧化锌或铟镓锌氧化物以沉积形成对应的透明导电氧化膜2。
该实施例的真空镀膜设备为现有的物理气相沉积设备，将基板玻璃1置于真空镀膜设备后，真空镀膜设备开始运行并在高温环境下通入氧气和氩气，真空镀膜设备采用直流磁控溅射的方式使基板玻璃1至少一侧逐渐掺入氧化铟锡（ITO）或铝掺杂的氧化锌（AZO）或铟镓锌氧化物（IGZO）以沉积形成对应的透明导电氧化膜2。优选地，真空镀膜设备内的温度为200℃，真空镀膜设备内的压强为10pa，氧气的流量与氩气的流量的比例为0.15:1。该实施例的温度、压强和氧气的流量与氩气的流量的比例均为申请人通过大量实验得到的，该条件下形成的掺入氧化铟锡（ITO）或铝掺杂的氧化锌（AZO）或铟镓锌氧化物（IGZO）的透明导电氧化膜2的方块电阻小于20Ω，可见光透过率大于85%。
在一些实施例中，透明导电氧化膜2为掺硼氧化锌（BZO），步骤S2包括：
S21’、将基板玻璃1置于真空镀膜设备中；
S22’、真空镀膜设备在高温环境下通入水蒸气、二乙基锌和乙硼烷，并采用低压化学气相沉积的方式使基板玻璃1至少一侧逐渐掺入掺硼氧化锌以沉积形成对应的透明导电氧化膜2。
该实施例的真空镀膜设备为现有的化学气相沉积设备，将基板玻璃1置于真空镀膜设备后，真空镀膜设备开始运行并在高温环境下通入水蒸气、二乙基锌和乙硼烷，真空镀膜设备采用低压化学气相沉积的方式使基板玻璃1至少一侧逐渐掺入掺硼氧化锌（BZO）以沉积形成对应的透明导电氧化膜2。优选地，真空镀膜设备内的温度为200℃，真空镀膜设备内的压强为50mbar，二乙基锌的流量与乙硼烷的流量的比例为1:0.05。该实施例的温度、压强和氧气的流量与氩气的流量的比例均为申请人通过大量得到的，该条件下形成的掺入掺硼氧化锌（BZO）的透明导电氧化膜2的方块电阻小于20Ω，可见光透过率大于85%。
在一些实施例中，刻划图案为按照预设分布形式设置的孔洞，孔洞的长度为1-5mm，孔洞的宽度为0.5-2mm，长度和宽度的比例为1:2-10:1。该技术方案的刻划图案为按照预设分布形式设置的孔洞，孔洞的形状可以为椭圆形、矩形、菱形等形状中的任意一种或多种，孔洞水平方向上的最大内侧距离为孔洞的长度，孔洞竖直方向上的最大内侧距离为孔洞的宽度。孔洞相当于一个偶极天线，当真空射频镀膜设备运行时，孔洞能够将入射到孔洞的电磁波全部辐射出去以起到屏蔽电磁辐射的作用。孔洞的长度的范围、孔洞的宽度的范围和孔洞的长度与孔洞的宽度的比例范围均为申请人通过大量实验得到的，当孔洞的长度为1-5mm，孔洞的宽度为0.5-2mm，孔洞的长度与孔洞的宽度的比例为1:2-10:1时，透明导电氧化膜2具有良好的电磁辐射屏蔽效果。
在一些实施例中，预设透光率为90%。
在一些实施例中，封装胶膜4的材质为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）或聚乙烯醇缩丁醛酯（PVB）。该技术方案利用材质为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物或聚乙烯醇缩丁醛酯的封装胶膜4封装透明导电氧化膜2，由于封装胶膜4能够避免透明导电氧化膜2与外界环境接触，因此封装胶膜4能对透明导电氧化膜2起保护作用，以避免由于透明导电氧化膜2长时间暴露而造成其导电性降低。应当理解的是，实际使用中，封装胶膜4位于靠近真空射频镀膜设备的反应腔的一侧。
由上可知，本申请提供的一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，在基板玻璃1的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜2，并根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理，由于透明导电氧化膜2能够导电，因此其能够屏蔽真空射频镀膜设备进行真空镀膜时产生的电磁辐射，且由于根据刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理能够使基板玻璃1的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜2的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，从而实现增大观察窗的观察范围。
第二方面，如图3所示，本申请还提供了一种观察窗，用于屏蔽电磁辐射，观察窗包括基板玻璃1，基板玻璃1的至少一侧依次设置有至少一层透明导电氧化膜2、封装胶膜4和盖板玻璃5，透明导电氧化膜2具有用于提高其透光率的基于刻划处理形成的刻划图案。
其中，该申请实施例提供的一种观察窗优选由第一方面提供的一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法制成，此处不再进行详细论述。本申请提供的一种观察窗，在基板玻璃1的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜2，并根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理，由于透明导电氧化膜2能够导电，因此其能够屏蔽真空射频镀膜设备进行真空镀膜时产生的电磁辐射，且由于根据刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理能够使基板玻璃1的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜2的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，从而实现增大观察窗的观察范围。
在一些实施例中，引出电极3的数量为两个以上，两个以上引出电极3平行设置。优选地，引出电极3的数量为两个，两个引出电极3平行设置在透明导电氧化膜的边缘，以尽可能避免引出电极3对视线的阻碍作用。
在一些实施例中，刻划图案均匀分布在透明导电氧化膜2上。由于该实施例的刻划图案分布均匀，而透明导电氧化膜2的局部透光率与该处刻划图案的数量有关，因此该实施例的透明导电氧化膜2的透光率分布均匀。
在另一些实施例中，刻划图案的分布密度沿透明导电氧化膜2的中心向透明导电氧化膜2的边缘逐渐减小。由于该实施例的刻划图案的分布密度沿透明导电氧化膜2的中心向透明导电氧化膜2的边缘逐渐减小，因此靠近透明导电氧化膜2中心的透光率大于靠近透明导电氧化膜2边缘的透光率，以使相关人员能够更清晰地从观察窗的中心观察到真空射频设备的内部情况。
在一些实施例中，封装胶膜4完全覆盖透明导电氧化膜2，以保证透明导电氧化膜2的封装效果。
由上可知，本申请提供的一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法及观察窗，在基板玻璃1的至少一侧形成至少一层透明导电氧化膜2，并根据至少一种刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理，由于透明导电氧化膜2能够导电，因此其能够屏蔽真空射频镀膜设备进行真空镀膜时产生的电磁辐射，且由于根据刻划图案对透明导电氧化膜2进行刻划处理能够使基板玻璃1的透光率大于等于预设透光率，因此透明导电氧化膜2的观察范围大于现有的带镂空孔洞的金属板的观察范围，以使观察窗能同时满足高电磁屏蔽效果和大观察范围的要求。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，用于制作观察窗，其特征在于，所述真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法包括以下步骤：
准备并清洗基板玻璃（1）；
对所述基板玻璃（1）进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃（1）至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜（2）；
根据至少一种刻划图案对所述透明导电氧化膜（2）进行刻划处理，以使所述透明导电氧化膜（2）的透光率大于等于预设透光率；
在刻划后的所述透明导电氧化膜（2）上设置引出电极（3）；
利用封装胶膜（4）及盖板玻璃（5）封装所有所述透明导电氧化膜（2），以制成所述观察窗。
2.根据权利要求1所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述透明导电氧化膜（2）的材质为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或铟镓锌氧化物或掺硼氧化锌中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述透明导电氧化膜（2）的材质为氧化铟锡、铝掺杂的氧化锌或铟镓锌氧化物，所述对所述基板玻璃（1）进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃（1）至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜（2）的步骤包括：
将所述基板玻璃（1）置于真空镀膜设备中；
所述真空镀膜设备在高温环境下通入氧气和氩气，并采用直流磁控溅射的方式使所述基板玻璃（1）至少一侧逐渐掺入所述氧化铟锡或所述铝掺杂的氧化锌或所述铟镓锌氧化物以沉积形成对应的所述透明导电氧化膜（2）。
4.根据权利要求3所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述真空镀膜设备内的温度为200℃，所述真空镀膜设备内的压强为10pa，所述氧气的流量与氩气的流量的比例为0.15:1。
5.根据权利要求1所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述透明导电氧化膜（2）为掺硼氧化锌，所述对所述基板玻璃（1）进行真空镀膜处理，以使所述基板玻璃（1）至少一侧具有至少一层透明导电氧化膜（2）的步骤包括：
将所述基板玻璃（1）置于真空镀膜设备中；
所述真空镀膜设备在高温环境下通入水蒸气、二乙基锌和乙硼烷，并采用低压化学气相沉积的方式使所述基板玻璃（1）至少一侧逐渐掺入所述掺硼氧化锌以沉积形成对应的所述透明导电氧化膜（2）。
6.根据权利要求5所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述真空镀膜设备的温度为200℃，所述真空镀膜设备内的压强为50mbar，所述二乙基锌的流量与乙硼烷的流量的比例为1:0.05。
7.根据权利要求1所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述刻划图案为按照预设分布形式设置的孔洞，所述孔洞的长度为1-5mm，所述孔洞的宽度为0.5-2mm，所述长度和所述宽度的比例为1:2-10:1。
8.根据权利要求1所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述预设透光率为90%。
9.根据权利要求1所述的真空射频镀膜设备的观察窗的制造方法，其特征在于，所述封装胶膜（4）的材质为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物或聚乙烯醇缩丁醛酯。
10.一种观察窗，用于屏蔽电磁辐射，其特征在于，所述观察窗包括基板玻璃（1），所述基板玻璃（1）的至少一侧依次设置有至少一层透明导电氧化膜（2）、封装胶膜（4）和盖板玻璃（5），所述透明导电氧化膜（2）设有引出电极（3），所述透明导电氧化膜（2）具有用于提高其透光率的基于刻划处理形成的刻划图案。
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