CN114927553B - 显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板及其制备方法和显示装置，显示基板包括：多个子像素，第一子像素包括第一像素电路和第一有效发光区域；第二子像素包括第二像素电路和第二有效发光区域；第一像素电路和第一衬底基板之间有第一遮光层，第一遮光层和第一像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；第二像素电路和第一衬底基板之间有第二遮光层，第二遮光层和第二像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从第一有效发光区域出射的光的波长大于从第二有效发光区域出射的光的波长，第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值a与第二遮光层的面积与第二子像素的面积的比值b的比值M1为1.020~1.120，调整第一子像素和第二子像素对应的开口率，可以使整个工艺变得简单。

Description

显示基板及其制备方法和显示装置

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。

背景技术

显示器件包括薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)，有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器件等。有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器件具有寿命长、显示亮度高、对比度大和色域广的优点。以有源矩阵有机发光二极管作为发光元件的有机发光二极管显示器件，除了有比常规的液晶显示器件厚度薄和重量轻的特性外，还具有响应速度快、视角宽和低电压驱动的特性，因此，有机发光二极管显示器件可以广泛应用于蜂窝电话、便携信息终端、电视和监视器中。

有机发光二极管显示器件主要包括阴极、发光层和阳极，在有源矩阵有机发光二极管显示器件中，每个子像素中都具有开关晶体管和驱动晶体管，通过调整开关晶体管和驱动晶体管使得有机发光二极管显示器件中的发光层发光。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，该显示基板通过使从第一有效发光区域出射的光线的波长大于从第二有效发光区域出射的光线的波长，且使得第一有效发光区域对应的第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值a和第二有效发光区域对应的第二遮光层的面积与第二子像素的面积的比值b的比值M1的范围为1.020~1.120，即使得出射的波长长的光线对应的遮光层的面积占比更大，且满足上述比值M1的范围，即可调整显示基板的开口率。

本公开至少一实施例提供一种显示基板，该显示基板包括：第一衬底基板；设置在所述第一衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；其中，所述第一子像素包括第一像素电路和第一有效发光区域；所述第二子像素包括第二像素电路和第二有效发光区域；在所述第一像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第一遮光层，且所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；在所述第二像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第二遮光层，且所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从所述第一有效发光区域出射的光线的波长大于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，所述第一遮光层的面积与所述第一子像素的面积的比值为a，所述第二遮光层的面积与所述第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一子像素的面积等于所述第二子像素的面积；在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第一遮光层的面积和所述第二遮光层的面积的比值等于所述M1。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一子像素的开口率为n1(1-a), 所述第二子像素的开口率为n2(1-b)；(1-a)/(1-b)=(n2/n1)M2*K1*K2，其中，K1为所述第二子像素的初始亮度和所述第一子像素的初始亮度的比值，K2为所述第二子像素的寿命和所述第一子像素的寿命的比值，n1为所述第一子像素中的开口区域的面积与所述第一子像素中除了所述第一遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，n2为所述第二子像素中的开口区域的面积与所述第二子像素中除了所述第二遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n1)M2的取值范围为1.000~1.130，且(1-a)/(1-b)的取值范围为0.877~0.997。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个子像素还包括第三子像素；所述第三子像素包括第三像素电路和第三有效发光区域；在所述第三像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第三遮光层，且所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从所述第三有效发光区域出射的光线的波长小于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，且在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第三遮光层的面积占比c等于所述第三遮光层的面积与所述第三子像素的面积的比值，所述第三子像素的开口率为n3(1-c)；(1-c)/(1-b)=(n2/n3)M3*K3*K4，其中，K3为所述第二子像素的初始亮度和所述第三子像素的初始亮度的比值，K4为所述第二子像素的寿命和所述第三子像素的寿命的比值，n3为所述第三子像素中的开口区域的面积与所述第三子像素中除了所述第三遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n3)M3的取值范围为0.190~0.260，且(1-c)/(1-b)的取值范围为1.002~1.350。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述多个子像素还包括第四子像素；所述第四子像素包括第四像素电路和第四有效发光区域；在所述第四像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第四遮光层，且所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从所述第四有效发光区域出射的光线的波长大于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，且在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第四遮光层的面积占比d等于所述第四遮光层的面积与所述第四子像素的面积的比值，所述第四子像素的开口率n4(1-d)的取值范围为0.230~0.950，其中，n4为所述第四子像素中的开口区域的面积与所述第四子像素中除了所述第四遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一子像素还包括第一发光元件，所述第一像素电路控制所述第一发光元件发光，且所述第一发光元件发射的光线的颜色和从所述第一有效发光区域出射的光线的颜色相同；所述第二子像素还包括第二发光元件，所述第二像素电路控制所述第二发光元件发光，且所述第二发光元件发射的光线的颜色和从所述第二有效发光区域出射的光线的颜色相同；所述第三子像素还包括第三发光元件，所述第三像素电路控制所述第三发光元件发光，且所述第三发光元件发射的光线的颜色和从所述第三有效发光区域出射的光线的颜色相同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一子像素还包括第一发光元件，所述第一像素电路控制所述第一发光元件发光；所述第二子像素还包括第二发光元件，所述第二像素电路控制所述第二发光元件发光；所述第三子像素还包括第三发光元件，所述第三像素电路控制所述第三发光元件发光；所述第四子像素还包括第四发光元件，所述第四像素电路控制所述第四发光元件发光；所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件和所述第四发光元件均为白光发光元件，且在所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件和所述第四发光元件的远离所述第一衬底基板的一侧分别设置有第一滤光层、第二滤光层、第三滤光层和透光层；从所述第一滤光层出射的光线的颜色和从所述第一有效发光区域出射的光线的颜色相同，从所述第二滤光层出射的光线的颜色和从所述第二有效发光区域出射的光线的颜色相同，从所述第三滤光层出射的光线的颜色和从所述第三有效发光区域出射的光线的颜色相同，从所述透光层出射的光线的颜色和从所述第四有效发光区域出射的光线的颜色相同。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一滤光层的材料的透过率为λ1、所述第二滤光层的材料的透过率为λ2、所述第三滤光层的材料的透过率为λ3、所述透光层的材料的透过率为λ4；所述第一滤光层、所述第二滤光层、所述第三滤光层和所述透光层的总透过率T(λ)＝n1(1-a)λ1+ n2 (1-b)λ2+ n3(1-c)λ3+ n4(1-d)λ4，且λ4的取值范围为0.260~0.950；所述第一滤光层、所述第二滤光层和所述第三滤光层的透过率的加和与所述透光层的透过率满足：[n1(1-a)λ1+ n2(1-b)λ2+ n3(1-c)λ3]:[ n4(1-d)λ4]＝1:1，且n4(1-d)的取值范围为0.260~0.860。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第一滤光层、所述第二滤光层、所述第三滤光层和所述透光层的面积的总和与所述第一遮光层、所述第二遮光层、所述第三遮光层和所述第四遮光层的面积的总和的比值的范围为1.050~6.800。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第一滤光层的面积与所述第一遮光层的面积的比值的范围为2.000~3.000。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第二滤光层的面积与所述第二遮光层的面积的比值的范围为1.1074~1.6938。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括：沿着第一方向延伸的数据线和第一感应线和沿着第二方向延伸的第二感应线，其中，所述数据线和所述第二感应线相交以限定多个像素区，每个所述像素区中具有所述子像素；在相邻的所述子像素之间设置有平行于所述数据线的第一电源电压线，在所述第一有效发光区域的靠近所述第一遮光层的一侧设置有平行于所述第二方向的第二电源电压线，所述第二电源电压线和所述第一电源电压线相交且和所述第一像素电路中第一驱动晶体管的第一漏极连接，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠，且和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积；所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积；所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，在一个所述第一子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0.03~0.30平方微米；在一个所述第二子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0.02~0.20平方微米；在一个所述第三子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0~0.05平方微米；以及在一个所述第四子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0~0.08平方微米。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第二电源电压线包括相互分离的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分通过不同的过孔结构和所述第一电源电压线连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分和所述第一像素电路中所述第一驱动晶体管的所述第一漏极以及所述第二像素电路中第二驱动晶体管的第二漏极连接；所述第二部分和所述第三像素电路中第三驱动晶体管的第三漏极以及所述第四像素电路中第四驱动晶体管的第四漏极连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分的延伸方向和所述第二部分的延伸方向平行，所述第一部分和所述第二部分均沿直线延伸，且所述第一部分在所述第二部分的靠近所述第二感应线的一侧。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分和所述第一漏极以及所述第二漏极的中部区域连接，所述第二部分和所述第三漏极的远离所述第二感应线的边缘以及所述第四漏极的远离所述第二感应线的边缘连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一部分和所述第二部分均沿折线延伸，所述第一部分和所述第一漏极的远离所述第二感应线的边缘连接，以及和所述第二漏极的中部区域连接；所述第二部分和所述第三漏极的远离所述第二感应线的边缘连接，以及和所述第四漏极的中部区域连接。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，所述第一漏极和所述第一遮光层通过依次贯穿层间绝缘层、栅绝缘层和缓冲层的第一过孔连接。

例如，本公开至少一实施例提供的显示基板还包括沿着所述第二方向延伸的第一栅线，以及从所述第一栅线上延伸出且向靠近所述第二电源电压线的一侧延伸的第一栅极，其中，所述第一遮光层的平面形状包括沿着所述第一方向延伸的第一子部分和第二子部分，所述第一子部分的靠近所述第一栅线的第一边与所述第一栅线之间的第一距离大于所述第二子部分的靠近所述第一栅极的第二边与所述第一栅极之间的第二距离。

例如，在本公开至少一实施例提供的显示基板中，还包括平行于所述第一栅线的第二栅线，其中，所述第一栅极配置为第一开关晶体管的栅极，所述第二栅线配置为所述第一像素电路包括的第一感应晶体管的栅极，所述第二像素电路包括的第二感应晶体管的栅极，所述第三像素电路包括的第三感应晶体管的栅极，以及所述第四像素电路包括的第四感应晶体管的栅极。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例所述的显示基板以及和所述显示基板相对设置的盖板，其中，所述所述盖板包括第二衬底基板，在所述第二衬底基板的靠近所述显示基板的一侧设置有量子点层，所述量子点层包括多个量子点单元，多个所述量子点单元和多个所述子像素一一对应，多个所述量子点单元每个的颜色和对应的所述子像素的颜色相同。

本公开至少一实施例提供的显示装置还包括：设置在所述第二衬底基板的靠近所述显示基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵具有多个开口，每个所述量子点单元位于一个所述开口内。

本公开至少一实施例还提供一种显示基板的制备方法, 该制备方法包括：提供第一衬底基板；在所述第一衬底基板上形成多个子像素，其中，形成所述多个子像素包括形成第一子像素和第二子像素；形成所述第一子像素包括形成第一像素电路和第一有效发光区域；形成所述第二子像素包括形成第二像素电路和第二有效发光区域；在所述第一像素电路和所述第一衬底基板之间形成第一遮光层，其中，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；在所述第二像素电路和所述第一衬底基板之间形成第二遮光层，其中，所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从所述第一有效发光区域出射的光线的波长大于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，所述第一遮光层的面积与所述第一子像素的面积的比值为a，所述第二遮光层的面积与所述第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120。

例如，在本公开至少一实施例提供的制备方法中，所述第一子像素的开口率为n1(1-a), 所述第二子像素的开口率为n2(1-b)；(1-a)/(1-b)=(n2/n1)M2*K1*K2，其中，K1为所述第二子像素的初始亮度和所述第一子像素的初始亮度的比值，K2为所述第二子像素的寿命和所述第一子像素的寿命的比值，n1为所述第一子像素中的开口区域的面积与所述第一子像素中除了所述第一遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，n2为所述第二子像素中的开口区域的面积与所述第二子像素中除了所述第二遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n1)M2的取值范围为1.000~1.130，且(1-a)/(1-b)的取值范围为0.877~0.997。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图；

图2为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的平面结构示意图；

图3为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图4为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图5为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图6为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图7为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图8A为图1~图3中的显示基板沿着A-A’线的截面结构示意图；

图8B为图4中的显示基板沿着B-B’线和C-C’线的截面结构示意图；

图9为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图10为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图11为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图；

图12为本公开至少一实施例提供的一种用于显示基板的3T1C像素电路的示意图；

图13为图12所示的像素电路在显示过程的信号时序图；

图14为图12所示的像素电路在检测过程的第一信号时序图；

图15为图12所示的像素电路在检测过程的第二信号时序图；

图16为本公开至少一实施例提供的一种显示装置的截面结构示意图；

图17为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；以及

图18A~18H为本公开至少一实施例提供的一种第一子像素的形成过程图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

随着发光二极管显示器件的分辨率的提升，发光二极管显示器件的像素尺寸在不断减小。发光二极管显示器件中红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的发光亮度不一致，且红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素发射光线的波长不同，因此，需要调整不同颜色的子像素对应的开口率，使得红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的混光效果更佳。对于发射白光或者蓝光的发光元件，在对应红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的区域要设置滤光层，随着发光二极管显示器件中像素尺寸的减小，不同颜色的子像素对应的滤光层之间的间距减小容易出现串色的问题，使得通过调整滤光层的大小来调整红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的开口率的难度加大。本公开的发明人注意到可以通过对不同的子像素对应的遮光层的尺寸进行设计来调整不同的子像素对应的开口率，以使得整个制备显示基板的工艺过程变得更加简单。

本公开至少一实施例提供一种显示基板, 该显示基板包括：第一衬底基板和设置在第一衬底基板上的多个子像素，该多个子像素包括第一子像素和第二子像素，该第一子像素包括第一像素电路和第一有效发光区域；第二子像素包括第二像素电路和第二有效发光区域；在第一像素电路和第一衬底基板之间设置有第一遮光层，且第一遮光层在第一衬底基板上的正投影和第一像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；在第二像素电路和第一衬底基板之间设置有第二遮光层，且第二遮光层在第一衬底基板上的正投影和第二像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从第一有效发光区域出射的光线的波长大于从第二有效发光区域出射的光线的波长，第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值为a，第二遮光层的面积与第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120，本公开的实施例通过对不同的子像素对应的遮光层的尺寸进行设计来调整不同的子像素对应的开口率，以使得整个制备显示基板的工艺过程变得更加简单。

例如，图1为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图，如图1所示，该显示基板100包括：第一衬底基板101和设置在第一衬底基板101上的多个子像素102，该多个子像素102排布的方向为第二方向Y，即该多个子像素102在第二方向Y上并排设置。该多个子像素102包括在第二方向Y上并排设置的第一子像素1021和第二子像素1022，与第二方向Y相交或者垂直的方向为第一方向X，该第一子像素1021包括在第一方向X上的第一像素电路1021a和第一有效发光区域1021b；第二子像素1022包括在第一方向X上第二像素电路1022a和第二有效发光区域1022b。在垂直于第一衬底基板101主表面的方向上，在第一像素电路1021a和第一衬底基板101之间设置有第一遮光层103，且第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影和第一像素电路1021a在第一衬底基板101上的正投影至少部分交叠。在第二像素电路1022a和第一衬底基板101之间设置有第二遮光层104，且第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影和第二像素电路1022a在第一衬底基板101上的正投影至少部分交叠。例如，从第一有效发光区域1021b出射的光线的波长大于从第二有效发光区域1022b出射的光线的波长，第一遮光层103的面积与第一子像素1021的面积的比值为a，第二遮光层104的面积与第二子像素1022的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120。当a与b的比值M1小于1.020时，第一遮光层103的面积与第一子像素1021的面积的比值a偏小，使得第一子像素1021的开口率大，第二子像素1022的开口率小，使得最终混色的效果不佳；当a与b的比值M1大于1.120时，第一遮光层103的面积与第一子像素1021的面积的比值a偏大，使得第一子像素1021的开口率小，第二子像素1022的开口率大，使得最终混色的效果不佳。此外，当a与b的比值M1小于1.020时，第一遮光层103的面积与第一子像素1021的面积的比值a偏小，使得第一子像素1021对应的第一遮光层103偏小，对第一像素电路1021a的遮挡保护效果偏弱(例如：第一遮光层103至少与第一像素电路1021a的驱动晶体管的有源层有交叠，起到遮挡保护作用，避免外界光照射产生漏电流)；当a与b的比值M1大于1.120时，使得第二子像素1022对应第二遮光层104偏小，对第二像素电路1022a的遮挡保护效果偏弱(例如：第一遮光层103至少与第二像素电路1022a的驱动晶体管的有源层有交叠，起到遮挡保护作用，避免外界光照射产生漏电流)。

例如，该多个子像素包括的第一子像素和第二子像素可以是在一个像素单元中沿着第二方向并排设置的相邻的两个子像素，或者是在一个像素单元中沿着第二方向并排设置的相互间隔的两个子像素，本公开的实施例对此不作限定，只要能够满足该第一子像素和第二子像素是在同一个像素单元中即可。

例如，在一个示例中，该第一子像素1021和第二子像素1022分别为红色子像素和绿色子像素，对应地，第一有效发光区域1021b为红色发光区域，该第二有效发光区域1022b为绿色发光区域。通常红色子像素的发光面积大于绿色子像素的发光面积，即第一有效发光区域1021b的面积大于第二有效发光区域1022b的面积，通过将第一遮光层103的面积设置成大于第二遮光层104的面积可以调整第一子像素1021和第二子像素1022的开口率以使得最终混光的效果更好，而且制备该显示基板的工艺过程更加简单，且该显示基板具有更高的发光效率。此外，由于红色子像素出射的光线的波长大于绿色子像素出射的光线的波长，红色子像素更容易发生衍射，进而对同一子像素的像素电路或其他子像素产生影响，因此将第一遮光层103的面积设置成大于第二遮光层104的面积，减缓红色子像素出射的光线衍射作用。

例如，该第一遮光层103和第二遮光层104可以在同一工艺步骤中采用相同的材料形成，该第一遮光层103和第二遮光层104的材料可以为具有遮光性能的金属材料，或者其他具有遮光性能的材料，本公开的实施例对此不作限定。

例如，如图1所示，第一有效发光区域1021b在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影没有交叠部分，第二有效发光区域1022b在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影没有交叠部分，该显示基板用于显示面板中时可以实现顶发射、底发射或者双向发射，本公开的实施例对此不作限定。

例如，如图1所示，在一个示例中，a等于第一遮光层的面积/第一子像素的面积，b等于第二遮光层的面积/第二子像素的面积，M1=a/b。在一个示例中，该第一子像素1021的面积等于第二子像素1022的面积，则在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，该第一遮光层103的面积和第二遮光层104的面积的比值等于M1。

例如，如图1所示，该第一遮光层103遮挡的区域不是开口区域，除了第一遮光层103遮挡的区域和开口区域之外，该第一子像素1021还包括其他的区域。该第二遮光层104遮挡的区域不是开口区域，除了第二遮光层104遮挡的区域和开口区域之外，该第二子像素1022还包括其他的区域。该第一子像素1021的开口率为n1(1-a), n1为第一子像素1021中的开口区域的面积与第一子像素1021中除了第一遮光层103遮挡的区域之外的部分的面积的比值。第二子像素的开口率为n2(1-b)，n2为第二子像素1022中的开口区域的面积与第二子像素1022中除了第二遮光层104遮挡的区域之外的部分的面积的比值。(n1/n2)(1-a)/(1-b)= M2*K1*K2，即推导出：(1-a)/(1-b)= (n2/n1)M2*K1*K2，其中，K1为第二子像素的初始亮度和第一子像素的初始亮度的比值，K2为第二子像素的寿命和第一子像素的寿命的比值，(n2/n1)M2的取值范围为1.000~1.130，且(1-a)/(1-b)的取值范围为0.877~0.997。

例如，上述公式(n1/n2)(1-a)/(1-b)= M2*K1*K2采用以下公式：(子像素的初始亮度*像素的开口率/像素单元的初始亮度)*子像素的发光寿命=C_常数推导出。

(第一子像素的初始亮度*第一子像素的开口率)/像素单元的初始亮度)*第一子像素的发光寿命= M2*(第二子像素的初始亮度*第二子像素的开口率)/像素单元的初始亮度)*第二子像素的发光寿命。

进一步推导出：(第一子像素的开口率)/(第二子像素的开口率)= M2*( (第二子像素的初始亮度/像素单元的初始亮度)*第二子像素的发光寿命)/ ((第一子像素的初始亮度/像素单元的初始亮度)*第一子像素的发光寿命)，第一子像素和第二子像素对应于同一个像素单元，则第一子像素对应的像素单元的初始亮度等于第二子像素对应的像素单元的初始亮度，则可以将上述公式简化为公式(I)：

(第一子像素的开口率)/(第二子像素的开口率)= M2*((第二子像素的初始亮度*第二子像素的发光寿命)/ (第一子像素的初始亮度*第一子像素的发光寿命))。

将第一子像素的开口率=n1(1-a)，第二子像素的开口率=n2(1-b)，代入公式(I)得到以下公式(II)：

(第一子像素的开口率)/(第二子像素的开口率)=(n1/n2)(1-a)/(1-b) = M2*((第二子像素的初始亮度*第二子像素的发光寿命)/ (第一子像素的初始亮度*第一子像素的发光寿命))。

通过公式(II)得出以下公式：(1-a)/(1-b) =(n2/n1)M2*( (第二子像素的初始亮度*第二子像素的发光寿命)/(第一子像素的初始亮度*第一子像素的发光寿命))=(n2/n1)M2*K1*K2，其中，K1=第二子像素的初始亮度/第一子像素的初始亮度，K2=第二子像素的发光寿命/第一子像素的发光寿命，例如，在一个示例中，(n2/n1)M2=1.000~1.130。例如，当n2=n1时，M2=1.000~1.130。

例如，在一个示例中，第一子像素的初始亮度为26.1cd/m²，第二子像素的初始亮度为86.1cd/m²，该第一子像素的发光寿命为15万小时，第二子像素的发光寿命为4万小时，n2=n1，M2=1.130，则可以计算出：(1-a)/(1-b) =1.13*( (86.1cd/m²*40000h)/( 26.1cd/m²*150000h))=0.994。初始亮度可以是显示装置在某一灰阶条件下对各个子像素进行亮度测试而得出亮度值。例如：在显示装置的255灰阶下，对各个子像素进行亮度测试。例如，第二子像素发射的光线的波长较短，第二子像素的初始亮度较高且寿命较短；第一子像素发射的光线的波长较长，第一子像素的初始亮度较低且寿命较长，因此，可以得到K1小于K2。

例如，在一个示例中，该第一子像素为红色子像素，第二子像素为绿色子像素，在通常情况下，绿色子像素的初始亮度较高，且绿色子像素的寿命较短，红色子像素的初始亮度较低，且红色子像素的寿命较长，因此，K1小于K2。

例如，在图1所示的结构中，该多个子像素102还包括第三子像素1023，即在该第一衬底基板101上还具有与第一子像素1021和第二子像素1022并排设置的第三子像素1023，该第三子像素1023可以包括第三像素电路1023a和第三有效发光区域1023b。

例如，在第三像素电路1023a和第一衬底基板101之间设置有第三遮光层105，且第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影和第三像素电路1023a在第一衬底基板101上的正投影至少部分交叠。从第三有效发光区域1023b出射的光线的波长小于从第二有效发光区域1022b出射的光线的波长，且在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，第三遮光层105的面积占比c等于第三遮光层105的面积与第三子像素1023的面积的比值，第三子像素1023的开口率为n3(1-c)。

同理，可以按照上述(1-a)/(1-b)=(n2/n1)M2*K1*K2的推导过程推导出：(1-c)/(1-b)=(n2/n3)M3*K3*K4，其中，K3为第二子像素的初始亮度和第三子像素的初始亮度的比值，K4为第二子像素的寿命和第三子像素的寿命的比值，n3为第三子像素中的开口区域的面积与第三子像素中除了第三遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n3)M3的取值范围为0.190~0.260，且(1-c)/(1-b)的取值范围为1.002~1.350。

例如，该第一有效发光区域1021b、第二有效发光区域1022b和第三有效发光区域1023b分别对应为红色发光区域、绿色发光区域和蓝色发光区域，对应的第一子像素1021、第二子像素1022和第三子像素1023分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。

例如，在一个示例中，第二子像素1022的初始亮度为86.1cd/m²，第二子像素1022的发光寿命为4万小时，第三子像素1023的初始亮度为11.3cd/m²，该第三子像素1023的发光寿命为6万小时，n2=n3，M3=0.260，则可以计算出：(1-c)/(1-b)=0.260*( (86.1cd/m²*40000h)/( 11.3cd/m²*60000h))=1.32。

例如，如图1所示，该第一子像素1021还包括第一发光元件1021c，第一像素电路1021a控制第一发光元件1021c发光，且第一发光元件1021c发射的光线的颜色和从第一有效发光区域1021b出射的光线的颜色相同。第二子像素1022还包括第二发光元件1022c，第二像素电路1022a控制第二发光元件1022c发光，且第二发光元件1022c发射的光线的颜色和从第二有效发光区域1022b出射的光线的颜色相同。该第三子像素1023还包括第三发光元件1023c，第三像素电路1023a控制第三发光元件1023c发光，且第三发光元件1023c发射的光线的颜色和从第三有效发光区域1023b出射的光线的颜色相同。例如，该第一发光元件1021c、第二发光元件1022c和第三发光元件1023c分别发射第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线，该第一颜色光线、第二颜色光线和第三颜色光线混合后可以形成白色光线。

例如，在一个示例中，该第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件分别发射红色光线、绿色光线和蓝色光线。

例如，在一个示例中，红色子像素对应的第一遮光层103的面积＞绿色子像素对应的第二遮光层104的面积＞蓝色子像素对应的第三遮光层105的面积。例如：第一遮光层103的面积：第二遮光层104的面积：第三遮光层105的面积=20：19：18。由于红色像素出射的光线的波长＞绿色子像素出射的光线的波长＞蓝色子像素出射的光线的波长，波长越长更容易发生衍射，进而对同一子像素的像素电路或其他子像素产生影响，因此，波长较长的子像素对应的遮光层的面积较大，减缓其出射的光线衍射作用。例如，在一个示例中，红色子像素对应的第一遮光层103的面积＞绿色子像素对应的第二遮光层104的面积＞蓝色子像素对应的第三遮光层105的面积。例如：a：b：c=20：19：18。

例如，图2为本公开至少一实施例提供的再一种显示基板的平面结构示意图，如图2所示，相比于图1所示的显示基板的结构，在图2所示的结构中，该多个子像素102还包括第四子像素1024，即在该第一衬底基板101上还具有与第一子像素1021、第二子像素1022和第三子像素1023并排设置的第四子像素1024。

需要说明的是，尽管在图2中，第一子像素1021、第二子像素1022、第四子像素1024和第三子像素1023依次并排设置，但是本公开的实施例不限于此，还可以是将第三子像素1023设置在第二子像素1022和第四子像素1024之间或者按照其他顺序排列，本公开的实施例对此不作限定。

例如，该第一子像素1021、第二子像素1022和第三子像素1023的相关特征可以参见上述中关于图1的相关描述。

例如，如图2所示，该第四子像素1024包括第四像素电路1024a和第四有效发光区域1024b。在第四像素电路1024a和第一衬底基板101之间设置有第四遮光层106，且第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影和第四像素电路1024a在第一衬底基板101上的正投影至少部分交叠。从第四有效发光区域1024b出射的光线的波长大于从第二有效发光区域1022b出射的光线的波长，且在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，第四遮光层106的面积占比d等于第四遮光层106的面积与第四子像素1024的面积的比值，第四子像素1024的开口率n4(1-d)的取值范围为0.230~0.950，其中，n4为第四子像素中的开口区域的面积与第四子像素中除了第四遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值。

例如，在一个示例中，从第四子像素1024出射的光线为白光，即该第四子像素1024为白色子像素，对应地，该第四有效发光区域1024b为白光发光区域。

例如，图3为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图3所示，第一子像素1021包括第一发光元件1021c，第一像素电路1021a控制第一发光元件1021c发光。第二子像素1022还包括第二发光元件1022c，第二像素电路1022a控制第二发光元件1022c发光。第三子像素1023还包括第三发光元件1023c，第三像素电路1023a控制第三发光元件1023c发光。第四子像素1024还包括第四发光元件1024c，第四像素电路1024a控制第四发光元件1024c发光。该第一发光元件1021c、第二发光元件1022c、第三发光元件1023c和第四发光元件1024c均为白光发光元件，且在第一发光元件1021c、第二发光元件1022c、第三发光元件1023c和第四发光元件1024c的远离第一衬底基板101的一侧分别设置有第一滤光层1021d、第二滤光层1022d、第三滤光层1023d和透光层1024d。从第一滤光层1021d出射的光线的颜色和从第一有效发光区域1021b出射的光线的颜色相同，从第二滤光层1022d出射的光线的颜色和从第二有效发光区域1022b出射的光线的颜色相同，从第三滤光层1023d出射的光线的颜色和从第三有效发光区域1023b出射的光线的颜色相同，从透光层1024d出射的光线的颜色和从第四有效发光区域1024b出射的光线的颜色相同，即仍然为白光。

需要说明的是，为了图示的简洁性，在图3中省略了第一衬底基板101。

例如，如图3所示，该第一滤光层1021d的材料的透过率为λ1、第二滤光层1022d的材料的透过率为λ2、第三滤光层1023d的材料的透过率为λ3、透光层1024d的材料的透过率为λ4，第一滤光层1021d、第二滤光层1022d、第三滤光层1023d和透光层1024d的总透过率T(λ)＝n1(1-a)λ1+n2 (1-b)λ2+n3(1-c)λ3+n4(1-d)λ4，且λ4的取值范围为0.260~0.950。第一滤光层1021d、第二滤光层1022d和第三滤光层1023d的透过率的加和与透光层1024d的透过率满足如下比例关系：[n1(1-a)λ1+n2(1-b)λ2+n3(1-c)λ3]:[n4(1-d)λ4]＝1:1，且n4(1-d)的取值范围为0.260~0.860，其中，n4为第四子像素1024中的开口区域的面积与第四子像素1024中除了第四遮光层106遮挡的区域之外的部分的面积的比值。

例如，该第一发光元件1021c、第二发光元件1022c、第三发光元件1023c和第四发光元件1024c均为发射白光的发光元件，该种设计可以使得出射光线的均一性更好，且白光可以调整色谱的宽度，还可以进行光学补偿。

例如，在一个示例中，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，该第一滤光层1021d、第二滤光层1022d、第三滤光层1023d和透光层1024d的面积的总和与第一遮光层103、第二遮光层104、第三遮光层105和第四遮光层106的面积的总和的比值的范围为1.050~6.800，例如，该比值可以为1.100、1.200、2.000、2.500、3.000、3.500、4.000、4.500、5.000、5.500、6.000、6.500，本公开的实施例对此不作限定。

例如，在另一个示例中，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，该第一滤光层1021d、第二滤光层1022d、第三滤光层1023d和透光层1024d的面积的总和与第一遮光层103、第二遮光层104、第三遮光层105和第四遮光层106的面积的总和的比值的范围为1.100~3.300。例如，该比值可以为1.200、1.300、1.400、1.600、1.800、2.000、2.400、2.700、2.900、3.100、3.200或者3.300，本公开的实施例对此不作限定。

例如，在一个示例中，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，该第一滤光层1021d的面积与第一遮光层103的面积的比值的范围为2.000~3.000，例如，该比值为2.000、2.200、2.400、2.600、2.800或者3.000。

例如，在一个示例中，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，第二滤光层1022d的面积与第二遮光层104的面积的比值的范围为1.1074~1.6938，例如，该第二滤光层1022d的面积与第二遮光层104的面积的比值为1.1074、1.200、1.300、1.400、1.500或者1.600，本公开的实施例对此不作限定。

例如，在一个示例中，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，第三滤光层1023d的面积与第三遮光层105的面积的比值的范围为1.4650~2.02268，例如，该第三滤光层1023d的面积与第三遮光层105的面积的比值为1.510、1.600、1.700、1.800、1.900或者2.100，本公开的实施例对此不作限定。

例如，在一个示例中，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，透光层1024d的面积与第四遮光层106的面积的比值的范围为2.1760~3.2850，例如，该透光层1024d的面积与第四遮光层106的面积的比值为2.210、2.600、2.700、2.800、2.900或者3.100，本公开的实施例对此不作限定。

例如，结合图1~图3，该显示基板100还包括沿着第一方向X延伸的数据线107和第一感应线108和沿着第二方向Y延伸的第二感应线109，该数据线107和第二感应线109相交以限定多个像素区，每个像素区中具有一个该子像素102。在相邻的子像素102之间设置有平行于数据线107的第一电源电压线110，在第一有效发光区域1021b的靠近第一遮光层103的一侧设置有平行于第二方向Y的第二电源电压线111，第二电源电压线111和第一电源电压线110相交且和第一像素电路1021a中第一驱动晶体管的第一漏极连接，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影相交叠。

例如，如图2所示，在一个示例中，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影具有交叠部分，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影、第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影以及第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影均不具有交叠部分，但是，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影具有邻接部分，该种设计可以增强第一遮光层103的稳定性，在第一遮光层103与第二电源电压线111之间可以形成电容，从而可以避免第一遮光层103在栅极信号不开启时出现漂移的现象。

例如，如图1所示，在另一个示例中，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影具有交叠部分，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影、第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影均不具有交叠部分。

例如，在另一个示例中，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影、第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影、第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影以及第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影均不具有交叠部分。

例如，沿着第二方向Y延伸的第二感应线109可以是曲线延伸、折线延伸或者直线延伸，只要满足第二感应线109整体的延伸方向是沿着第二方向Y即可。在图1~图3所示的结构中，第二感应线109均沿直线延伸。

例如，如图3所示，该第二电源电压线111与第一子像素1021中驱动晶体管T11的源极S11连接，该第二电源电压线111与第二子像素1022中驱动晶体管T12的源极S12连接，该第二电源电压线111与第三子像素1023中驱动晶体管T13的源极S13连接，且该第二电源电压线111与第四子像素1024中驱动晶体管T14的源极S14连接。

例如，如图3所示，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影相交叠，且和第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影相交叠，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影以及第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影均不具有交叠部分，该种设计可以增强第一遮光层103和第四遮光层106的稳定性，在第一遮光层103与第二电源电压线111之间，以及在第四遮光层106与第二电源电压线111之间可以形成电容，从而可以避免第一遮光层103和第四遮光层106在栅极信号不开启时出现漂移的现象。

例如，图4为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图4所示，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影、第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影、第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影以及第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影均具有交叠部分。

例如，如图4所示，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积大于第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积，并平衡在第一遮光层103与第二电源电压线111之间，以及在第四遮光层106与第二电源电压线111之间的电容大小。

例如，如图4所示，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积大于第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积，该种设计可以增强第一遮光层103和第三遮光层105的稳定性，并平衡在第一遮光层103与第二电源电压线111之间，以及在第三遮光层105与第二电源电压线111之间的电容大小。

例如，例如，如图4所示，该第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积大于第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积。第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积大于第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积。第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积大于第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积，该种设计可以增强第一遮光层103、第二遮光层104、第三遮光层105和第四遮光层106的稳定性，并平衡在第一遮光层103与第二电源电压线111之间，在第二遮光层104与第二电源电压线111之间，在第三遮光层105与第二电源电压线111之间，以及在第四遮光层106与第二电源电压线111之间的电容的大小。

例如，在一个示例中，在一个第一子像素1021中，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积为0.03~0.30平方微米。在一个第二子像素1022中，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第四遮光层106在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积为0.02~0.20平方微米。在一个第三子像素1023中，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第三遮光层105在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积为0~0.05平方微米，且在一个第四子像素1024中，第二电源电压线111在第一衬底基板101上的正投影和第二遮光层104在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积为0~0.08平方微米。

例如，沿着第二方向Y延伸的第二电源电压线111可以是曲线延伸、折线延伸或者直线延伸，只要满足第二电源电压线111整体的延伸方向是沿着第二方向Y即可。在图1~图4所示的结构中，第二电源电压线111均沿直线延伸。

例如，图5为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图5所示，第二电源电压线111包括相互分离的第一部分111a和第二部分111b，第一部分111a和第二部分111b通过不同的过孔结构和第一电源电压线110连接。例如，将第二电源电压线111设置成包括相互分离的多个部分，且该多个部分不直接连接，可以避免第二电源电压线111太长，导致在第二电源电压线111上积累的电荷太多。

例如，在图5所示的结构中，第一部分111a和第二部分111b均是沿着曲线延伸，但本公开的实施例不限于此，还可以是第一部分111a和第二部分111b均沿直线延伸。

例如，如图5所示，该第一部分111a和第一像素电路1021a中第一驱动晶体管T11的第一源极S11以及第二像素电路1022a中第二驱动晶体管T12的第二源极S12连接。第二部分111b和第三像素电路1023a中第三驱动晶体管T13的第三源极S13以及第四像素电路1024a中第四驱动晶体管T14的第四源极S14连接，这样可以平衡在第一部分111a和第二部分111b上积累的电荷，使得电荷更加分散。

例如，图6为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图6所示，该第一部分111a的延伸方向和第二部分111b的延伸方向平行，第一部分111a和第二部分111b均沿着直线延伸，该第一部分111a和第一像素电路1021a中第一驱动晶体管T11的第一源极S11以及第二像素电路1022a中第二驱动晶体管T12的第二源极S12连接，第二部分111b和第三像素电路1023a中第三驱动晶体管T13的第三源极S13以及第四像素电路1024a中第四驱动晶体管T14的第四源极S14连接，且第一部分111a在第二部分111b的靠近第二感应线109的一侧，这样可以使得布线的过程更加容易。

例如，如图6所示，该第一部分111a和第一源极S11以及第二源极S12的中部区域连接，第二部分111b和第三源极S13的远离第二感应线109的边缘以及第四源极S14的远离第二感应线109的边缘连接，这样可以使得显示基板在尺寸设计上更精细。

例如，图7为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图7所示，该第一部分111a和第二部分111b均沿折线延伸，第一部分111a和第一源极S11的远离第二感应线109的边缘连接，以及和第三源极S13的中部区域连接；第二部分111b和第二源极S12的远离第二感应线109的边缘连接，以及和第四源极S14的中部区域连接。第一部分111a和第二部分111b通过同一个过孔结构和第一电源电压线110电连接。第一部分111a和第二部分111b均沿折线延伸可以根据电路设计情况灵活地调整第二电源电压线111和第一源极S11、第二源极S12、第三源极S13以及第四源极S14的连接位置。

例如，图8A为图1~图3中的显示基板沿着A-A’线的截面结构示意图,如图8A所示，该第一漏极D11和第一遮光层103通过第一过孔V11连接，该第一过孔V11依次贯穿层间绝缘层112、栅绝缘层113和缓冲层114。如图8A所示，第一漏极D11和有源层115通过第二过孔V12连接，第一源极S11和有源层115通过第二过孔V12连接，该第二过孔V12依次贯穿层间绝缘层112和栅绝缘层113。在图8A所示的结构中，栅极G11设置在有源层115的远离第一衬底基板101的一侧，当然，本公开的实施例不限于此，还可以是栅极G11设置在有源层115的靠近第一衬底基板101的一侧。

例如，图8B为图4中的显示基板沿着B-B’线和C-C’线的截面结构示意图，如图8B所示，在第一漏极D11和第一源极S11的远离第一衬底基板101的一侧设置有钝化层121和平坦化层122，在平坦化层122的远离第一衬底基板101的一侧设置有第一电极123，该第一电极123可以为阳极，该第一电极123和第一漏极D11连接。在第一电极123的远离第一衬底基板101的一侧并排设置有第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e、第三颜色发光单元1023e和第四颜色发光单元1024e。

例如，在一个示例中，该第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e、第三颜色发光单元1023e和第四颜色发光单元1024e可以分别是红色发光单元、绿色发光单元、蓝色发光单元和白色发光单元。该第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e和第三颜色发光单元1023e可以分别是发射第一颜色光线的第一颜色发光层、发射第二颜色光线的第二颜色发光层、发射第三颜色光线的第三颜色发光层。

例如，在另一个示例中，该第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e、第三颜色发光单元1023e和第四颜色发光单元1024e可以是白光发光元件和第一滤光层、第二滤光层、第三滤光层和透光层的组合，该第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层可以分别是红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层。

例如，在第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e、第三颜色发光单元1023e和第四颜色发光单元1024e的远离第一衬底基板101的一侧还设置有第二电极，该第二电极可以为阴极。该显示基板100的其他结构可以参见常规的设计，本公开的实施例对此不作限定。

需要说明的是，本公开实施例中的薄膜晶体管可以是底栅型薄膜晶体管，也可以是顶栅型薄膜晶体管。图8A和图8B是以薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明的。

例如，图9为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图9所示，该显示基板100还包括沿着第二方向Y延伸的第一栅线116，以及从第一栅线116上延伸出且向靠近第二电源电压线111的一侧延伸的第一栅极117，该第一遮光层103的平面形状包括沿着第一方向X延伸的第一子部分103a和第二子部分103b，该第一遮光层103和第一栅线116、第一栅极117之间具有间隔区域，以使得第一遮光层103和第一栅线116之间具有第一电容，第一遮光层103和第一栅极117之间具有第二电容，第一子部分103a的靠近第一栅线116的第一边103a’与第一栅线116之间的第一距离W1大于第二子部分103b的靠近第一栅极117的第二边103b’与第一栅极117之间的第二距离W2。由于在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，第一子部分103a的面积大于第二子部分103b的面积，将第一子部分103a的靠近第一栅线116的第一边103a’与第一栅线116之间的第一距离W1设置成大于第二子部分103b的靠近第一栅极117的第二边103b’与第一栅极117之间的第二距离W2，可以保证第一遮光层103和第一栅线116之间的第一电容与第一遮光层103和第一栅极117之间的第二电容相等或者大致相等。

例如，如图9所示，在平行于第一衬底基板101的主表面的平面上，该第一遮光层103包括的第一子部分103a和第二子部分103b形成的整体的形状包括台阶形，该台阶形在第一遮光层103的靠近第一栅线116的边缘处。

例如，该第一遮光层103包括的第一子部分103a和第二子部分103b可以是一个整体，也可以是通过桥接结构连接的，本公开的实施例对此不作限定。

需要说明的是，尽管图9中示出的是第一子像素1021中的设计，在第二子像素、第三子像素和第四子像素中都可以有上述结构设计，即可以是第二遮光层104、第三遮光层105和第四遮光层106都具有与第一遮光层103类似的包括两个部分的结构。

例如，图10为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图10所示，第二感应线109包括相互分离的两个部分，该相互分离的两个部分通过不同的过孔结构和第一感应线108连接。该第一感应线108和第一电源电压线110相邻设置。第一感应线108和第一电源电压线110均设置在第二子像素1022和第四子像素1024之间。例如，将第二感应线109设置成包括相互分离的两个部分，且该相互分离的两个部分不直接连接，可以避免第二感应线109的长度太长导致在第二感应线109上积累的电荷太多。该显示基板100上的其他结构设计可以参见上述中的相关描述，在此不再赘述。

例如，图11为本公开至少一实施例提供的又一种显示基板的平面结构示意图，如图11所示，该显示基板100还包括平行于第一栅线116的第二栅线118，该第一栅极117配置为第一开关晶体管N11的栅极，第二栅线118配置为第一像素电路1021a包括的第一感应晶体管M11的栅极，第二像素电路1022a包括的第二感应晶体管M12的栅极，第三像素电路1023a包括的第三感应晶体管M13的栅极，以及第四像素电路1024a包括的第四感应晶体管M14的栅极，该显示基板100同时包括第一栅线116和第二栅线118，使得在一个子像素中，开关晶体管(例如，第一开关晶体管)和对应的感应晶体管(例如，第一感应晶体管)被不同的控制线控制，进而使得对同一个子像素中的开关晶体管和感应晶体管的调整更加灵活。

例如，上述图1~11中的显示基板均为有机发光二极管(OLED)显示基板，上述第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第四发光元件均为OLED。上述显示基板中包括的多条栅线、多条数据线以用于为该多个子像素提供扫描信号(控制信号)和数据信号，从而驱动该多个子像素。该像素电路包括用于驱动发光元件发光的驱动子电路和用于检测该子像素电特性以实现外部补偿的检测子电路,本公开实施例对于该像素电路的具体结构不作限制。

例如，图12为本公开至少一实施例提供的一种用于显示基板的3T1C像素电路的示意图，根据需要，该像素电路还可以进一步包括补偿电路和复位电路等，本公开的实施例对此不作限制。

例如，如图12所示，该像素电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容Cst。例如，该第一晶体管T1可以为驱动晶体管，第二晶体管T2可以为开关晶体管，第三晶体管T3可以为感应晶体管，第二晶体管T2的第一极与存储电容Cst的第一电容电极以及第一晶体管T1的栅极电连接，第二晶体管T2的第二极配置为接收数据信号GT，第二晶体管T2配置为响应于第一控制信号G1将该数据信号DT写入第一晶体管T1的栅极和存储电容Cst。第一晶体管T1的第一极与存储电容Cst的第二电容电极电连接，并配置为与发光元件的第一电极电连接，第一晶体管T1的第二极配置为接收第一电源电压V1(例如为高电源电压VDD)，第一晶体管T1配置为在第一晶体管T1的栅极的电压的控制下控制用于驱动发光元件的电流；第三晶体管T3的第一极与第一晶体管T1的第一极以及存储电容Cst的第二电容电极电连接，第三晶体管T3的第二极配置为与第一检测线连接以连到外部检测电路，第三晶体管T3配置为响应于第二控制信号G2检测所属的子像素的电特性以实现外部补偿；该电特性例如包括第一晶体管T1的阈值电压和/或载流子迁移率，或者发光元件的阈值电压、驱动电流等。该外部检测电路例如为包括数模转换器(DAC)和模数转换器(ADC)等的常规电路，本公开的实施例对此不作赘述。

例如，本公开的实施例中采用的晶体管可以均为薄膜晶体管或者场效应晶体管或者其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以上述晶体管为薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型晶体管和P型晶体管。当晶体管为P型晶体管时，开启电压为低电平电压(例如，0V、-5V、-10V或其他合适的电压)，关闭电压为高电平电压(例如，5V、10V或者其他合适的电压)；当晶体管为N型晶体管时，开启电压为高电平电压(例如，5V、10V或其他合适的电压)，关闭电压为低电平电压(例如，0V、-5V、-10V或其他合适的电压)。需要说明的是，在下面的描述中均以图13中的晶体管为N型晶体管为例进行说明，但是本公开的实施例不限于此，还可以是其他类型的晶体管。

下面结合图13~图15所示的信号时序图对图12所示的像素电路的工作原理进行说明，其中，图13为图12所示的像素电路在显示过程的信号时序图，图14为图12所示的像素电路在检测过程的第一信号时序图，图15为图12所示的像素电路在检测过程的第二信号时序图。

例如，如图13所示，每一帧图像的显示过程包括数据写入和复位阶段1以及发光阶段2。图13示出了每个阶段中各个信号的时序波形，该3T1C像素电路的一种工作过程包括：在数据写入和复位阶段1，第一控制信号G1和第二控制信号G2均为开启信号，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号DT经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极，模数转换器通过第三晶体管T3向发光元件的第一电极(例如OLED的阳极)写入复位信号，第一晶体管T1导通并产生驱动电流将发光元件的第一电极充电至工作电压；在发光阶段2，第一控制信号G1和第二控制信号G2均为关闭信号，由于存储电容Cst的自举效应，存储电容Cst两端的电压保持不变，第一晶体管T1工作在饱和状态且电流不变，并驱动发光元件进行发光。

例如，图14示出了该像素电路在进行阈值电压的检测时的信号时序图。该3T1C像素电路的一种工作过程包括：第一控制信号G1和第二控制信号G2均为开启信号，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号DT经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极；模数转换器通过和第三晶体管T3连接的检测线以及第三晶体管T3向发光元件的第一电极(节点S)写入复位信号，第一晶体管T1导通并对节点S进行充电直至第一晶体管T1截止，然后通过数模转换器对检测线上的电压取样即可得到第一晶体管T1的阈值电压，该过程例如可以在该显示基板形成的显示装置处于关机状态时进行。

例如，图15示出了该像素电路在进行阈值电压的检测时的信号时序图。该3T1C像素电路的一种工作过程包括：在第一阶段，第一控制信号G1和第二控制信号G2均为开启信号，第二晶体管T2和第三晶体管T3导通，数据信号DT经第二晶体管T2传输至第一晶体管T1的栅极；模数转换器通过和第三晶体管T3连接的检测线以及第三晶体管T3向发光元件的第一电极(节点S)写入复位信号；在第二阶段，第一控制信号G1为关闭信号，第二控制信号G1为开启信号，第二晶体管T2关断，第三晶体管T3导通，并将和第三晶体管T3连接的检测线浮置，由于存储电容Cst的自举效应，存储电容Cst两端的电压保持不变，第一晶体管T1工作在饱和状态且电流不变并驱动发光元件发光，然后数模转换器对检测线上的电压取样，并结合发光电流的大小可以计算出第一晶体管T1中的载流子迁移率。例如，该过程可以在显示阶段之间的消隐阶段进行。

通过上述检测可以得到第一晶体管T1的电特性并实现相应的补偿算法。

可以理解的是，第一控制信号G1和第二控制信号G2也可以不同时开启信号。例如：3T1C像素电路的一种工作过程包括：在第一阶段，第一控制信号G1比第二控制信号G2先为开启信号。

例如，该显示基板100还可以包括数据驱动电路和扫描驱动电路。数据驱动电路配置为根据需要(例如输入包括显示基板的显示装置的图像信号)可发出数据信号，例如上述数据信号DT。每个子像素的像素电路还配置为接收该数据信号并将该数据信号施加至该第一晶体管的栅极。扫描驱动电路配置为输出各种扫描信号，例如包括上述第一控制信号G1和第二控制信号G2，其例如为集成电路芯片(IC)或者为直接制备在显示基板上的栅驱动电路(GOA)。

例如，显示基板100还包括控制电路。例如，控制电路配置为控制数据驱动电路施加数据信号，以及控制栅极驱动电路施加扫描信号。该控制电路的一个示例为时序控制电路(T-con)。控制电路可以为各种形式，例如包括处理器和存储器，存储器包括可执行代码，处理器运行该可执行代码以执行上述检测方法。

例如，处理器可以是中央处理单元(CPU)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其它形式的处理装置，例如，可以包括微处理器、可编程逻辑控制器(PLC)等。

例如，存储装置可以包括一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，例如易失性存储器和/或非易失性存储器。易失性存储器例如可以包括随机存取存储器(RAM)和/或高速缓冲存储器(cache)等。非易失性存储器例如可以包括只读存储器(ROM)、硬盘、闪存等。在计算机可读存储介质上可以存储一个或多个计算机程序指令，处理器可以运行该程序指令期望的功能。在计算机可读存储介质中还可以存储各种应用程序和各种数据，例如在上述检测方法中获取的电特性参数等。

例如，图16为本公开至少一实施例提供的一种显示装置的截面结构示意图，如图16所示，该显示装置20包括上述任一实施例中的显示基板100以及和显示基板100相对设置的盖板300，该盖板300包括第二衬底基板301，在第二衬底基板301的靠近显示基板100的一侧设置有量子点层302，该量子点层302包括多个量子点单元3021，多个量子点单元3021和多个子像素一一对应，多个量子点单元3021每个的颜色和对应的子像素的颜色相同，该多个量子点单元3021可以提高显示装置20的色域。

例如，在一个示例中，该多个量子点单元3021包括第一量子点单元、第二量子点单元、第三量子点单元，第一量子点单元的颜色和第一子像素的颜色相同，第二量子点单元的颜色和第二子像素的颜色相同，第三量子点单元的颜色和第三子像素的颜色相同。

例如，在一个示例中，该第一子像素、第二子像素、第三子像素分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素，对应地，该第一量子点单元、第二量子点单元、第三量子点单元分别是红色量子点单元、绿色量子点单元、蓝色量子点单元。

例如，在一个示例中，该多个量子点单元3021包括第一量子点单元、第二量子点单元、第三量子点单元和第四量子点单元，第一量子点单元的颜色和第一子像素的颜色相同，第二量子点单元的颜色和第二子像素的颜色相同，第三量子点单元的颜色和第三子像素的颜色相同，第四量子点单元的颜色和第四子像素的颜色相同。

例如，在一个示例中，该第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，对应地，该第一量子点单元、第二量子点单元、第三量子点单元和第四量子点单元分别是红色量子点单元、绿色量子点单元、蓝色量子点单元和白色量子点单元。

例如，图16以第一子像素和第一量子点单元对应为例进行示出，在第一漏极D11和第一源极S11的远离第一衬底基板101的一侧设置有钝化层121和平坦化层122，在平坦化层122的远离第一衬底基板101的一侧设置有第一电极123，该第一电极123可以为阳极，该第一电极123和第一漏极D11连接。在第一电极123的远离第一衬底基板101的一侧设置有像素界定层124，在像素界定层124的远离第一衬底基板101的一侧设置有第一颜色发光单元1021e。在一个示例中，该第一颜色发光单元1021e为第一颜色发光层，在第一颜色发光单元1021e的远离第一衬底基板101的一侧设置有第二电极126，该第二电极126可以为阴极。

例如，在另一个示例中，该第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e、第三颜色发光单元1023e可以是白光发光元件和第一滤光层、第二滤光层、第三滤光层的组合，该第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层可以分别是红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层，本公开的实施例对此不作限定。

例如，在另一个示例中，该第一颜色发光单元1021e、第二颜色发光单元1022e、第三颜色发光单元1023e和第四颜色发光单元1024e可以是白光发光元件和第一滤光层、第二滤光层、第三滤光层和透光层的组合，该第一滤光层、第二滤光层和第三滤光层可以分别是红色滤光层、绿色滤光层和蓝色滤光层，本公开的实施例对此不作限定。

例如，如图16所示，该第一漏极D11和第一遮光层103通过第一过孔V11连接，该第一过孔V11依次贯穿层间绝缘层112和缓冲层114。该第一漏极D11和有源层115通过第二过孔V12连接，第一源极S11和有源层115通过第二过孔V12连接，该第二过孔V12贯穿层间绝缘层112。例如，该栅极G11设置在有源层115的远离第一衬底基板101的一侧。

需要说明的是，本公开的实施例中的薄膜晶体管可以是底栅型薄膜晶体管，也可以是顶栅型薄膜晶体管，本公开的实施例的附图以薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管为例进行说明。

例如，该像素界定层124具有多个开口，像素界定层124的各个开口与显示装置20的各个子像素的开口区域一一对应。

例如，第一颜色发光单元1021e覆盖像素界定层124以及像素界定层124的多个开口。如图16所示，第一颜色发光单元1021e中位于像素界定层124所具有的多个开口内的部分与第一电极123(阳极)接触，第一颜色发光单元1021e的覆盖在像素界定层124上的部分不与第一电极123(阳极)接触。这样，在第一颜色发光单元1021e实现发光功能时，第一颜色发光单元1021e与像素界定层124不接触的部分发光，第一颜色发光单元1021e的覆盖在像素界定层124上的部分不发光。

例如，该第一颜色发光单元1021e为第一颜色发光层，在另一些实施例中，第一颜色发光单元1021e除了包括第一颜色发光层之外，还包括电子传输层(electiontransporting layer，ETL)、电子注入层(election injection layer，EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，HIL)中的一层或多层。

例如，该显示基板100还包括第一薄膜封装层129和第二薄膜封装层127。第二薄膜封装层127覆盖在第二电极126(阴极)的远离第一衬底基板101的一侧，起到封装的作用，第一薄膜封装层129可以用于封装后续提及的量子点层。第一薄膜封装层129设置在支撑层132的远离第二衬底基板302的一侧。在显示基板100和盖板300对盒形成显示装置20后，第一薄膜封装层129和第二薄膜封装层127相对设置。

例如，该第二薄膜封装层127可以为高阻水型膜层，该高阻水型膜层可以用于防止外界的水和氧气对显示基板100造成影响。例如，该第二薄膜封装层127可以由氮化硅或氧化硅等材料制作而成。

例如，如图16所示，该显示装置20还包括设置在盖板300和显示基板100之间的填充材料128。该填充材料128可以填充显示装置20的盖板300和显示基板100对盒后形成的空隙。该填充材料128具体设置在第一薄膜封装层129和第二薄膜封装层127之间。第一薄膜封装层129和第二薄膜封装层127，以及设置于二者之间的填充材料128构成封装结构，起到对显示装置100封装的作用。该填充材料128既可以起到对显示装置20的盖板300进行支撑的作用，也可以起到对显示装置20的盖板300和显示基板100进行封装的作用。当该填充材料128为可固化的透明液体时，显示装置100还包括设置在显示基板100的第二薄膜封装层127远离第一衬底基板101的一侧的填充材料挡墙结构，填充材料挡墙结构呈环形围绕在第二薄膜封装层127的周边，该填充材料128填充在填充材料挡墙结构所围绕的区域内。

例如，如图16所示，显示基板100的像素界定层124的各个开口与显示装置20的各个子像素的开口区域一一对应，显示装置20的盖板300的各开口区域S与显示基板100的像素界定层124的各个开口一一对应。在显示装置20实现显示功能时，第一颜色发光单元1021e与像素界定层124不接触的部分发射出的光线通过显示装置20的盖板300的各开口区域S后进入人眼，从而实现画面的显示。

例如，如图16所示，该盖板300包括第二衬底基板301，以及层叠设置在第二衬底基板301的靠近显示基板100的一侧的黑矩阵303和支撑层304。黑矩阵303和支撑层304均具有多个开口，且黑矩阵303的多个开口分别与支撑层304的多个开口至少部分重叠，例如，大部分重叠或者基本重叠，以形成上述多个开口区域S。该黑矩阵303用于避免显示基板100的第一颜色发光单元1021e发射出的侧向光线照射至相邻的子像素，从而可以避免显示装置20出现混色的问题。该支撑层304具有特定的高度，可以用于作为隔垫物。在显示基板100和盖板300对盒后，支撑层304可以用于支撑显示装置20的盖板300。

例如，在一个示例中，可以是黑矩阵303相对于支撑层304远离第二衬底基板301。在另一个示例中，也可以是黑矩阵303相对于支撑层304靠近第二衬底基板301。

例如，本公开的实施例对于黑矩阵303的材料不作限定，可以以能够达到防止像素漏光的功能为标准进行材料的选取。例如，黑矩阵303的材料可以为金属材料，例如，铬、铝、银或者铝银合金等。

例如，如图16所示，该显示装置20的盖板300还包括设置在第二衬底基板301上的量子点层302，该量子点层302包括多个量子点单元3021，每个量子点单元3021位于一个开口区域S内。

例如，由于各个开口区域S与显示基板100的像素界定层124的各个开口一一对应，因此，位于各个开口区域S内的各个量子点单元3021也与像素界定层124的各个开口一一对应。显示基板100的第一颜色发光单元1021e与像素界定层124不接触的部分发射出的光线，在通过各个开口区域S的过程中，会穿过各个量子点单元3021。

例如，该量子点单元3021中的量子点是由Ⅱ-Ⅵ、或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的球形半导体纳米微粒，量子点的粒径在几纳米至数十纳米之间。量子点材料由于量子限域效应的存在，原本连续的能带变成分立的能级结构，量子点受外界光线激发后可以发射可见光。发射出的可见光的频率会随着量子点的粒径的改变而变化，通过调节量子点的粒径就可以控制其发射出的光的颜色。在本公开的实施例中，各个量子点单元3021在显示基板100的第一颜色发光单元1021e发射出的光线的激发下可以发射出相应颜色的光，以增强色域。

例如，受量子点材料性能的影响，量子点单元可能无法完全吸收照射至其上的激发光线。可以通过增加量子点单元的厚度，使得量子点单元尽可能多的对激发光线进行吸收，以提高量子点单元的发光效率。例如，还可以将黑矩阵作为挡墙结构隔离各个量子点单元，以保证不同颜色的量子点单元之间不会出现混色的现象。受黑矩阵的材料以及制造工艺的影响，黑矩阵的厚度还不能做到2μm及以上，各个量子点单元的厚度也就不能做到2μm以上。因此，单独依靠黑矩阵作为挡墙结构隔离各个量子点单元很难将量子点单元做的很厚，从而限制了量子点单元的厚度。

例如，每个量子点单元3021位于黑矩阵303和支撑层304形成的开口区域S内，黑矩阵303和支撑层304构成了每个量子点单元3021的挡墙结构。支撑层304的材料可以采用能够制作的较厚的材料，这样，由于支撑层304可以制作的较厚，从而使得黑矩阵303和支撑层304构成的挡墙结构也可以制作的较厚，进而可以将各个第一颜色发光单元1021e的厚度制作的较厚，从而使得第一颜色发光单元1021e尽可能多的对激发光线进行吸收，以提高第一颜色发光单元1021e的发光效率，进而可以提高显示装置100的发光效率。

例如，如图16所示，显示装置100可以是顶发射型显示装置，显示基板100的第一颜色发光单元1021e发出的光线依次透过第二电极126、第二薄膜封装层127和第一薄膜封装层129照射至量子点层302。

例如，如图16所示，本公开的实施例提供的显示装置20的盖板300还包括设置在第一颜色发光单元1021e与第二衬底基板301之间的彩膜层305。彩膜层305包括多个滤光单元3051，每个滤光单元3051位于一个开口区域S内。例如，位于一个开口区域S内的滤光单元3051和量子点单元3021所对应的颜色相同。例如，在图16所示的结构中，该滤光单元3051为红色滤光单元。

例如，在一个示例中，滤光单元3051可以包括多个红色滤光单元、多个绿色滤光单元和多个蓝色滤光单元，多个量子点单元3021包括多个红色量子点单元、多个绿色量子点单元的情况下，多个红色滤光单元和多个红色量子点单元位于一个开口区域S内，多个绿色滤光单元和多个绿色量子点单元位于一个开口区域S内。

本公开的实施例还提供一种显示基板的制备方法，该制备方法包括：提供第一衬底基板；在第一衬底基板上形成多个子像素，其中，形成该多个子像素包括形成第一子像素和第二子像素；形成该第一子像素包括形成第一像素电路和第一有效发光区域；形成第二子像素包括形成第二像素电路和第二有效发光区域；在第一像素电路和第一衬底基板之间形成第一遮光层，该第一遮光层在第一衬底基板上的正投影和第一像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；在第二像素电路和第一衬底基板之间形成第二遮光层，该第二遮光层在第一衬底基板上的正投影和第二像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从第一有效发光区域出射的光线的波长大于从第二有效发光区域出射的光线的波长，该第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值为a，第二遮光层的面积与第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120，通过该种制备方法形成的显示基板可以调整多个子像素102的开口率以使得最终混光的效果更好，而且该制备显示基板的工艺过程更加简单，且具有更高的发光效率。

例如，图17为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图，如图17所示，该制备方法包括如下步骤。

S11：提供第一衬底基板；

S12：在第一衬底基板上形成多个子像素，其中，形成该多个子像素包括形成第一子像素和第二子像素；

S13：形成该第一子像素包括形成第一像素电路和第一有效发光区域；

S14：形成第二子像素包括形成第二像素电路和第二有效发光区域；

S15：在第一像素电路和第一衬底基板之间形成第一遮光层，该第一遮光层在第一衬底基板上的正投影和第一像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

S16：在第二像素电路和第一衬底基板之间形成第二遮光层，该第二遮光层在第一衬底基板上的正投影和第二像素电路在第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；从第一有效发光区域出射的光线的波长大于从第二有效发光区域出射的光线的波长，该第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值为a，第二遮光层的面积与第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120。

例如，该第一衬底基板的材质可以包括玻璃、塑料或者其它透光的材质。

例如，在第一衬底基板上形成的多个子像素可以呈矩阵排列，即在相互交叉的第一方向和第二方向上均设置有多个子像素。

例如，该多个子像素包括的第一子像素和第二子像素可以是在一个像素单元中沿着第二方向并排设置的相邻的两个子像素，或者是在一个像素单元中沿着第二方向并排设置的相互间隔的两个子像素，本公开的实施例对此不作限定，只要能够满足该第一子像素和第二子像素是在同一个像素单元中即可。

例如，在一个示例中，该第一子像素和第二子像素分别为红色子像素和绿色子像素，对应地，第一有效发光区域为红色发光区域，该第二有效发光区域为绿色发光区域。通常红色子像素的发光面积大于绿色子像素的发光面积，即第一有效发光区域的面积大于第二有效发光区域的面积，通过将第一遮光层的面积设置成大于第二遮光层的面积可以调整多个子像素的开口率以使得混光的效果更好，而且该显示基板的制备工艺过程更加简单，且具有更高的发光效率。

例如，该第一遮光层和第二遮光层可以在同一工艺步骤中采用相同的材料形成，该第一遮光层和第二遮光层的材料可以为具有遮光性能的金属材料，或者其他具有遮光性能的导电材料，本公开的实施例对此不作限定。

例如，当a与b的比值M1小于1.020时，第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值a偏小，使得第一子像素的开口率大，第二子像素的开口率小，使得最终混色的效果不佳。当a与b的比值M1大于1.120时，第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值a偏大，使得第一子像素的开口率小，第二子像素的开口率大，从而使得最终混色的效果不佳。

例如，在一个示例中，该第一子像素的开口率为n1(1-a), 第二子像素的开口率为n2(1-b)，(n1/n2)(1-a)/(1-b)=M2*K1*K2可以推导出(1-a)/(1-b)=(n2/n1)M2*K1*K2，该K1为第二子像素的初始亮度和第一子像素的初始亮度的比值，K2为第二子像素的寿命和第一子像素的寿命的比值，n1为第一子像素中的开口区域的面积与第一子像素中除了第一遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，n2为第二子像素中的开口区域的面积与第二子像素中除了第二遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n1)M2的取值范围为1.000~1.130，且(1-a)/(1-b)的取值范围为0.877~0.997。

例如，上述公式(n1/n2)(1-a)/(1-b)=M2*K1*K2可以采用以下公式：

(子像素的初始亮度*像素的开口率/像素单元的初始亮度)*子像素的发光寿命=C_常数推导出，具体的推导过程可以参见上述显示基板的相关描述，在此不再赘述。

例如，形成多个子像素中的一个子像素(例如，第一子像素)的过程如下图18A~18H所示，图18A~18H以该子像素为第一子像素为例进行说明，即图18A~18H为本公开至少一实施例提供的一种第一子像素的形成过程图。

例如，如图18A所示，提供第一衬底基板101，并在第一衬底基板101上形成第一遮光层103。例如，该第一衬底基板101和第一遮光层103的材料可以参见上述中关于显示基板的相关描述，在此不再赘述。

例如，可以在第一衬底基板101上形成第一遮光层薄膜，该形成第一遮光层薄膜的过程包括蒸镀具有遮光性质的金属材料或者采用磁控溅射的方式形成该第一遮光层薄膜，然后采用光刻工艺对第一遮光层薄膜进行图案化处理形成第一遮光层103。

例如，如图18B所示，在该第一遮光层103上依次形成缓冲层114和有源层115。

例如，该缓冲层114覆盖整个第一衬底基板101，该有源层115在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影交叠，例如，该有源层115在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积为该有源层115在第一衬底基板101上的正投影面积的75%~95%。例如：该有源层115在第一衬底基板101上的正投影和第一遮光层103在第一衬底基板101上的正投影的交叠面积为该有源层115在第一衬底基板101上的正投影面积的90%以上。

例如，如图18C所示，在有源层115的远离第一衬底基板101的一侧形成栅绝缘层薄膜和第一金属层薄膜，对该栅绝缘层薄膜和第一金属层薄膜进行构图工艺形成栅绝缘层113和第一金属层133，该第一金属层133包括第二电源电压线111、第一栅线116和第二感应线109。

例如，如图18D所示，在第一金属层133的远离第一衬底基板101的一侧形成层间绝缘层112，形成贯穿该层间绝缘层112、栅绝缘层113和缓冲层114的第一过孔V11，并形成贯穿层间绝缘层112的第二过孔V12，以及贯穿层间绝缘层112和栅绝缘层113的多个第三过孔V13。

例如，如图18E所示，在层间绝缘层112的远离第一衬底基板101的一侧形成第二金属层134，该第二金属层134包括第一电源电压线110、数据线107、第一感应线108、第一驱动晶体管T11的第一源极S11、第一驱动晶体管T11的第一漏极D11、第一开关晶体管N11的源极、第一开关晶体管N11的漏极、第一感应晶体管M11的源极和第一感应晶体管M11的漏极。该第一驱动晶体管T11的第一源极S11和第二电源电压线111通过第二过孔V12连接。第一感应晶体管M11的漏极和第二感应线109通过第二过孔V12连接。该第一驱动晶体管T11的第一漏极D11和第一遮光层103通过第一过孔V11连接。第一驱动晶体管T11的第一源极S11通过第三过孔V13和有源层115连接，第一驱动晶体管T11的第一漏极D11通过第三过孔V13和有源层115连接，第一开关晶体管N11的源极通过第三过孔V13和有源层115连接，第一开关晶体管N11的漏极通过第三过孔V13和有源层115连接，第一感应晶体管M11的源极通过第三过孔V13和有源层115连接，以及第一感应晶体管M11的漏极通过第三过孔V13和有源层115连接。

例如，如图18F所示，在第二金属层134的远离第一衬底基板101的一侧形成钝化层121和平坦化层122，并形成贯穿钝化层121和平坦化层122的第四过孔V14。例如，该第四过孔V14可以为阳极过孔，即后续形成的阳极可以通过第四过孔V14与第二金属层134电连接。

例如，如图18G所示，在平坦化层122的远离第一衬底基板101的一侧形成第一电极123，该第一电极123为阳极，该第一电极123通过第四过孔V14与第二金属层134电连接。

例如，如图18H所示，在第一电极123的远离第一衬底基板101的一侧形成第一颜色发光单元1021e，该第一颜色发光单元1021e包括第一颜色发光层。例如，该第一颜色发光层为发射红色光线的发光层。

例如，在一个示例中，和该第一子像素位于同一个像素单元中的第二子像素、第三子像素和第四子像素的形成过程可以参见上述第一子像素的形成过程的相关描述，在此不再赘述。

例如，在一个示例中，该第二子像素、第三子像素和第四子像素可以分别为绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，最终形成的显示基板的结构可以参见上述中关于显示基板的相关描述，在此不再赘述。

本公开至少一实施例提供的显示基板及其制备方法和显示装置，具有以下至少一项有益技术效果：

(1)本公开至少一实施例提供的显示基板，通过对不同的子像素对应的遮光层的尺寸进行设计来调整不同的子像素对应的开口率，以使得整个制备显示基板的工艺过程变得更加简单。

(2)本公开至少一实施例提供的显示基板，将第一遮光层的面积与第一子像素的面积的比值a和第二遮光层的面积与第二子像素的面积的比值b的比值M1的范围设定为1.020~1.120，可以使得最终混色的效果更好。

(3)本公开至少一实施例提供的显示基板，通过将第一遮光层的面积设置成大于第二遮光层的面积可以调整第一子像素和第二子像素的开口率以使得最终混光的效果更好，而且制备该显示基板的工艺过程更加简单，且该显示基板具有更高的发光效率。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (30)

1.一种显示基板, 包括：

第一衬底基板；

设置在所述第一衬底基板上的多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；其中，

所述第一子像素包括第一像素电路和第一有效发光区域；

所述第二子像素包括第二像素电路和第二有效发光区域；

在所述第一像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第一遮光层，且所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

在所述第二像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第二遮光层，且所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

从所述第一有效发光区域出射的光线的波长大于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，所述第一遮光层的面积与所述第一子像素的面积的比值为a，所述第二遮光层的面积与所述第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，

所述第一子像素的面积等于所述第二子像素的面积；在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第一遮光层的面积和所述第二遮光层的面积的比值等于所述M1。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

所述第一子像素的开口率为n1(1-a), 所述第二子像素的开口率为n2(1-b)；

(1-a)/(1-b)=(n2/n1)M2*K1*K2，其中，K1为所述第二子像素的初始亮度和所述第一子像素的初始亮度的比值，K2为所述第二子像素的寿命和所述第一子像素的寿命的比值，n1为所述第一子像素中的开口区域的面积与所述第一子像素中除了所述第一遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，n2为所述第二子像素中的开口区域的面积与所述第二子像素中除了所述第二遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n1)M2的取值范围为1.000~1.130，且(1-a)/(1-b)的取值范围为0.877~0.997。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，

所述多个子像素还包括第三子像素；

所述第三子像素包括第三像素电路和第三有效发光区域；

在所述第三像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第三遮光层，且所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

从所述第三有效发光区域出射的光线的波长小于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，且在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第三遮光层的面积占比c等于所述第三遮光层的面积与所述第三子像素的面积的比值，所述第三子像素的开口率为n3(1-c)；

(1-c)/(1-b)=(n2/n3)M3*K3*K4，其中，K3为所述第二子像素的初始亮度和所述第三子像素的初始亮度的比值，K4为所述第二子像素的寿命和所述第三子像素的寿命的比值，n3为所述第三子像素中的开口区域的面积与所述第三子像素中除了所述第三遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n3)M3的取值范围为0.190~0.260，且(1-c)/(1-b)的取值范围为1.002~1.350。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述多个子像素还包括第四子像素；

所述第四子像素包括第四像素电路和第四有效发光区域；

在所述第四像素电路和所述第一衬底基板之间设置有第四遮光层，且所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

从所述第四有效发光区域出射的光线的波长大于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，且在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第四遮光层的面积占比d等于所述第四遮光层的面积与所述第四子像素的面积的比值，所述第四子像素的开口率n4(1-d)的取值范围为0.230~0.950，其中，n4为所述第四子像素中的开口区域的面积与所述第四子像素中除了所述第四遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其中，

所述第一子像素还包括第一发光元件，所述第一像素电路控制所述第一发光元件发光，且所述第一发光元件发射的光线的颜色和从所述第一有效发光区域出射的光线的颜色相同；

所述第二子像素还包括第二发光元件，所述第二像素电路控制所述第二发光元件发光，且所述第二发光元件发射的光线的颜色和从所述第二有效发光区域出射的光线的颜色相同；

所述第三子像素还包括第三发光元件，所述第三像素电路控制所述第三发光元件发光，且所述第三发光元件发射的光线的颜色和从所述第三有效发光区域出射的光线的颜色相同。

7.根据权利要求5所述的显示基板，其中，

所述第一子像素还包括第一发光元件，所述第一像素电路控制所述第一发光元件发光；

所述第二子像素还包括第二发光元件，所述第二像素电路控制所述第二发光元件发光；

所述第三子像素还包括第三发光元件，所述第三像素电路控制所述第三发光元件发光；

所述第四子像素还包括第四发光元件，所述第四像素电路控制所述第四发光元件发光；

所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件和所述第四发光元件均为白光发光元件，且在所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件和所述第四发光元件的远离所述第一衬底基板的一侧分别设置有第一滤光层、第二滤光层、第三滤光层和透光层；

从所述第一滤光层出射的光线的颜色和从所述第一有效发光区域出射的光线的颜色相同，从所述第二滤光层出射的光线的颜色和从所述第二有效发光区域出射的光线的颜色相同，从所述第三滤光层出射的光线的颜色和从所述第三有效发光区域出射的光线的颜色相同，从所述透光层出射的光线的颜色和从所述第四有效发光区域出射的光线的颜色相同。

8.根据权利要求7所述的显示基板，其中，

所述第一滤光层的材料的透过率为λ1、所述第二滤光层的材料的透过率为λ2、所述第三滤光层的材料的透过率为λ3、所述透光层的材料的透过率为λ4；

所述第一滤光层、所述第二滤光层、所述第三滤光层和所述透光层的总透过率T(λ)＝n1(1-a)λ1+ n2 (1-b)λ2+ n3(1-c)λ3+ n4(1-d)λ4，且λ4的取值范围为0.260~0.950；

所述第一滤光层、所述第二滤光层和所述第三滤光层的透过率的加和与所述透光层的透过率满足：

[n1(1-a)λ1+ n2(1-b)λ2+ n3(1-c)λ3]:[ n4(1-d)λ4]＝1:1，且n4(1-d)的取值范围为0.260~0.860。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第一滤光层、所述第二滤光层、所述第三滤光层和所述透光层的面积的总和与所述第一遮光层、所述第二遮光层、所述第三遮光层和所述第四遮光层的面积的总和的比值的范围为1.050~6.800。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第一滤光层的面积与所述第一遮光层的面积的比值的范围为2.000~3.000。

11.根据权利要求9所述的显示基板，其中，在平行于所述第一衬底基板的主表面的平面上，所述第二滤光层的面积与所述第二遮光层的面积的比值的范围为1.1074~1.6938。

12.根据权利要求5所述的显示基板，还包括：沿着第一方向延伸的数据线和第一感应线和沿着第二方向延伸的第二感应线，其中，

所述数据线和所述第二感应线相交以限定多个像素区，每个所述像素区中具有所述子像素；

在相邻的所述子像素之间设置有平行于所述数据线的第一电源电压线，在所述第一有效发光区域的靠近所述第一遮光层的一侧设置有平行于所述第二方向的第二电源电压线，所述第二电源电压线和所述第一电源电压线相交且和所述第一像素电路中第一驱动晶体管的第一漏极连接，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其中，

所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠，且和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影相交叠。

15.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积。

16.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积。

17.根据权利要求13所述的显示基板，其中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积；

所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积；

所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积大于所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积。

18.根据权利要求13所述的显示基板，其中，

在一个所述第一子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0.03~0.30平方微米；

在一个所述第二子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第四遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0.02~0.20平方微米；

在一个所述第三子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第三遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0~0.05平方微米；以及

在一个所述第四子像素中，所述第二电源电压线在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影的交叠面积为0~0.08平方微米。

19.根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述第二电源电压线包括相互分离的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分通过不同的过孔结构和所述第一电源电压线连接。

20.根据权利要求19所述的显示基板，其中，

所述第一部分和所述第一像素电路中所述第一驱动晶体管的所述第一漏极以及所述第二像素电路中第二驱动晶体管的第二漏极连接；

所述第二部分和所述第三像素电路中第三驱动晶体管的第三漏极以及所述第四像素电路中第四驱动晶体管的第四漏极连接。

21.根据权利要求20所述的显示基板，其中，所述第一部分的延伸方向和所述第二部分的延伸方向平行，所述第一部分和所述第二部分均沿直线延伸，且所述第一部分在所述第二部分的靠近所述第二感应线的一侧。

22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第一部分和所述第一漏极以及所述第二漏极的中部区域连接，所述第二部分和所述第三漏极的远离所述第二感应线的边缘以及所述第四漏极的远离所述第二感应线的边缘连接。

23.根据权利要求20所述的显示基板，其中，所述第一部分和所述第二部分均沿折线延伸，所述第一部分和所述第一漏极的远离所述第二感应线的边缘连接，以及和所述第二漏极的中部区域连接；所述第二部分和所述第三漏极的远离所述第二感应线的边缘连接，以及和所述第四漏极的中部区域连接。

24.根据权利要求20所述的显示基板，其中，所述第一漏极和所述第一遮光层通过依次贯穿层间绝缘层、栅绝缘层和缓冲层的第一过孔连接。

25.根据权利要求12所述的显示基板，还包括沿着所述第二方向延伸的第一栅线，以及从所述第一栅线上延伸出且向靠近所述第二电源电压线的一侧延伸的第一栅极，其中，

所述第一遮光层的平面形状包括沿着所述第一方向延伸的第一子部分和第二子部分，所述第一子部分的靠近所述第一栅线的第一边与所述第一栅线之间的第一距离大于所述第二子部分的靠近所述第一栅极的第二边与所述第一栅极之间的第二距离。

26.根据权利要求25所述的显示基板，还包括平行于所述第一栅线的第二栅线，其中，所述第一栅极配置为第一开关晶体管的栅极，所述第二栅线配置为所述第一像素电路包括的第一感应晶体管的栅极，所述第二像素电路包括的第二感应晶体管的栅极，所述第三像素电路包括的第三感应晶体管的栅极，以及所述第四像素电路包括的第四感应晶体管的栅极。

27.一种显示装置，包括权利要求1~26中任一项所述的显示基板以及和所述显示基板相对设置的盖板，其中，所述盖板包括第二衬底基板，在所述第二衬底基板的靠近所述显示基板的一侧设置有量子点层，所述量子点层包括多个量子点单元，多个所述量子点单元和多个所述子像素一一对应，多个所述量子点单元每个的颜色和对应的所述子像素的颜色相同。

28.根据权利要求27所述的显示装置，还包括：设置在所述第二衬底基板的靠近所述显示基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵具有多个开口，每个所述量子点单元位于一个所述开口内。

29.一种显示基板的制备方法, 包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板上形成多个子像素，其中，形成所述多个子像素包括形成第一子像素和第二子像素；

形成所述第一子像素包括形成第一像素电路和第一有效发光区域；

形成所述第二子像素包括形成第二像素电路和第二有效发光区域；

在所述第一像素电路和所述第一衬底基板之间形成第一遮光层，其中，所述第一遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第一像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

在所述第二像素电路和所述第一衬底基板之间形成第二遮光层，其中，所述第二遮光层在所述第一衬底基板上的正投影和所述第二像素电路在所述第一衬底基板上的正投影至少部分交叠；

从所述第一有效发光区域出射的光线的波长大于从所述第二有效发光区域出射的光线的波长，所述第一遮光层的面积与所述第一子像素的面积的比值为a，所述第二遮光层的面积与所述第二子像素的面积的比值为b，a与b的比值M1的范围为1.020~1.120。

30.根据权利要求29所述的制备方法, 其中，

所述第一子像素的开口率为n1(1-a), 所述第二子像素的开口率为n2(1-b)；

(1-a)/(1-b)=(n2/n1)M2*K1*K2，其中，K1为所述第二子像素的初始亮度和所述第一子像素的初始亮度的比值，K2为所述第二子像素的寿命和所述第一子像素的寿命的比值，n1为所述第一子像素中的开口区域的面积与所述第一子像素中除了所述第一遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，n2为所述第二子像素中的开口区域的面积与所述第二子像素中除了所述第二遮光层遮挡的区域之外的部分的面积的比值，(n2/n1)M2的取值范围为1.000~1.130，且(1-a)/(1-b)的取值范围为0.877~0.997。

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