CN114914371A - 量子点发光二极管及其制备方法 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114914371A
CN114914371A CN202110179268.6A CN202110179268A CN114914371A CN 114914371 A CN114914371 A CN 114914371A CN 202110179268 A CN202110179268 A CN 202110179268A CN 114914371 A CN114914371 A CN 114914371A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
electrode
dot light
layer
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110179268.6A
Other languages
English (en)
Inventor
严怡然
敖资通
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110179268.6A priority Critical patent/CN114914371A/zh
Priority to PCT/CN2021/141802 priority patent/WO2022170870A1/zh
Publication of CN114914371A publication Critical patent/CN114914371A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：获取第一电极基板或含有第一电极的预制器件，在预制器件背离所述第一电极的表面或第一电极基板的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液；将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，制备得到电子传输层；在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层，得到至少包含第一电极、量子点发光层、电子传输层和第二电极的量子点发光二极管。本申请通过对溶液状态的氧化物纳米颗粒进行溶剂化处理，改善电子传输层的表面形貌，进而提高电子传输能力。

Description

量子点发光二极管及其制备方法
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
相较于传统发光二极管，半导体量子点发光二级管(QLED)具有较窄的半高峰宽(FWHM)，可控发光波长，及可溶液法制备及打印等优点，作为下一代显示器件，具有较好的应用前景。随着研发的不断推进，量子点发光二极管的外量子效率(EQE)也有了显著的提高，特别是红、绿量子点发光二极管器件，其外量子效率均已高于25％，可比拟有机发光二极管(OLED)。然而，蓝色量子点发光二极管器件的发光效率及使用寿命，仍然与有机发光二极管存在较大差距。
与OLED器件较为相似，QLED器件结构通常由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极组成。电子和空穴分别从两端注入，在量子点发光层复合发光。现有电子传输层通常为纳米氧化锌粒子组成，溶液成膜如旋涂形成的功能膜层，尤其是纳米粒子经溶液成膜后得到的功能膜层，膜层表面易产生较多不平整及缺陷，影响载流子传输。
发明内容
本申请的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决溶液法成膜得到的电子传输层，膜层表面不平整和产生缺陷，影响载流子传输的问题。
为实现上述申请目的，本申请采用的技术方案如下：
第一方面，本申请提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
获取第一电极基板或含有第一电极的预制器件，在所述预制器件背离所述第一电极的表面或所述第一电极基板的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液；
将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，制备得到电子传输层；
在所述电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层，得到至少包含第一电极、量子点发光层、电子传输层和第二电极的量子点发光二极管。
第二方面，本申请提供一种量子点发光二极管，至少包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层，所述量子点发光二极管由上述的量子点发光二极管的制备方法制备获得。
本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，通过将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，增强氧化物纳米颗粒在膜层中的运动能力，使膜层中的微相分离结构排列更加有序，从而改善电子传输层的表面形貌，提高电子传输能力和稳定性。通过该方法制备得到的量子点发光二极管，器件效率和稳定性得到提高。
本申请提供的量子点发光二极管，电子传输层采用上述方法制成，因此，器件效率和稳定性得到提高。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的量子点发光二极管的制备工艺流程图；
图2是本申请实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；
图3是本申请实施例提供的正置量子点发光二极管的结构示意图；
图4是本申请实施例提供的倒置量子点发光二极管的结构示意图；
图5是本申请实施例2提供的电子传输层的AFM形貌图；
图6是对比例1提供的电子传输层的AFM形貌图；
图7是本申请实施例1提供的量子点发光二极管电质发光的形貌图；
图8是本申请实施例2提供的量子点发光二极管电质发光的形貌图；
图9是本申请实施例3提供的量子点发光二极管电质发光的形貌图；
图10是本申请实施例4提供的量子点发光二极管电质发光的形貌图；
图11是本申请对比例1提供的量子点发光二极管电质发光的形貌图。
具体实施方式
为了使本申请要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质、界面、消息、请求和终端彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如，在不脱离本申请实施例范围的情况下，第一XX也可以被称为第二XX，类似地，第二XX也可以被称为第一XX。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
本申请实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本申请实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本申请实施例说明书公开的范围之内。具体地，本申请实施例说明书中所述的质量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
术语“DMF”表示N,N-二甲基甲酰胺；
术语“DMSO”表示二甲基亚砜；
术语“AFM”为“Atomic Force Microscope”的简称，表示原子力显微镜。如图1所示，本申请实施例第一方面提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
S10.获取第一电极基板或含有第一电极的预制器件，在预制器件背离第一电极的表面或第一电极基板的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液；
S20.将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，制备得到电子传输层；
S30.在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层，得到至少包含第一电极、量子点发光层、电子传输层和第二电极的量子点发光二极管。
本申请提供的量子点发光二极管的制备方法，通过将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，增强氧化物纳米颗粒在膜层中的运动能力，使膜层中的微相分离结构排列更加有序，从而改善电子传输层的表面形貌，提高电子传输能力和稳定性。通过该方法制备得到的量子点发光二极管，器件效率和稳定性得到提高。
具体的，上述步骤S10中，先提供需要制备电子传输层的基板或者预制器件。
在一种实施方式中，量子点发光二极管为正置结构量子点发光二极管，此时，步骤S10中，在第一基板的表面制备电子传输层，且第一电极基板为阴极基板。对应的，在第一电极基板的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液的步骤，为：在阴极基板的阴极表面沉积氧化物纳米颗粒溶液。在一些实施例中，在沉积氧化物纳米颗粒溶液之前，还包括在阴极基板的阴极表面沉积电子注入材料，制备电子注入层；在电子注入层背离阴极的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液。
在另一种实施方式中，量子点发光二极管为倒置结构量子点发光二极管，此时，步骤S10中，在预制器件的表面制备电子传输层，且预制器件为至少包括阳极和量子点发光层的结构。在一些实施例中，预制器件包括阳极基板，以及结合在阳极基板的阳极表面上的量子点发光层。在一些实施例中，预制器件包括阳极基板，以及结合在阳极基板的阳极表面上的空穴功能层，以及在空穴功能层背离阳极的表面结合的量子点发光层。
上述两种实施方式中，沉积氧化物纳米颗粒溶液采用溶液加工法实现，包括但不限于：旋涂、刮涂、打印等方式。在预制器件背离第一电极的表面或第一电极基板的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液后，不进行退火处理，直接进入步骤S20。
上述步骤S20中，应当注意的是，本申请实施例将预制器件背离第一电极的表面或第一电极基板的表面处于湿润状态的氧化物纳米颗粒进行溶剂化处理，使得氧化物纳米颗粒在形成的液态膜中发生运动迁移，最终改善膜层不平整的问题。具体的，将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，在有机溶剂气氛环境中，以溶液状态存在的氧化物纳米颗粒在膜层上运动增加并进行自组装，得到表面平整的电子传输预制膜。在本申请一些实施例中，也将“溶液状态存在的氧化物纳米颗粒在膜层上运动增加并进行自组装”的过程，称为溶剂化过程或溶剂退火过程。
在一种实施方式中，将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，包括：将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于含有液态有机溶剂的密闭容器中，在气压为1atm-1.2atm的条件下静置处理，使氧化物纳米颗粒进行自组装。气压的高低影响有机溶剂的沸点变化，即在一定时间内可控制有机溶剂蒸汽的密度，过低的有机溶剂密度环境不能完整的达到处理薄膜的期望效果，过高的有机溶剂密度环境则可能对薄膜造成损伤(影响氧化物纳米颗粒的运动或者自组装)，因此，该实施例通过控制密闭容器中的气压在上述范围内，使液态有机溶剂挥发并充斥在密闭环境中，促使氧化物纳米颗粒在形成的液态膜中发生自组装，改善电子传输层的表面形貌特别是平整度。
在另一种实施方式中，将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，包括：将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于含有气态有机溶剂的环境中静置处理，使氧化物纳米颗粒进行自组装。在这种情况下，可以通过直接控制气态有机溶剂的含量，促使氧化物纳米颗粒在形成的液态膜中发生自组装，改善电子传输层的表面形貌特别是平整度。在一些实施例中，将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于含有气态有机溶剂的密闭环境中静置处理，使氧化物纳米颗粒进行自组装。在一些实施例中，将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件静置处理后，通过控制气态有机溶剂的流速，持续地向环境中通入气态有机溶剂进行溶剂化处理，使氧化物纳米颗粒进行自组装。
在一些实施例中，将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理的步骤中，包括：有机溶剂的气氛环境中，有机溶剂蒸汽密度：0.02-0.03kg/m3。在这种情况下，在合适含量的有机溶剂气氛中，液态膜中的氧化物纳米颗粒运动增强，且有序的排列，从而改善电子传输层的表面形貌。当样品置于有机溶剂的体积百分含量过低，气压的高低影响有机溶剂的沸点变化，即在一定时间内可控制溶剂蒸汽的密度，过低的有机溶剂密度环境不能完整的达到处理薄膜的期望效果，过高的有机溶剂密度环境则可能对薄膜造成损伤(影响氧化物纳米颗粒的运动或者自组装)。
在一些实施例中，静置处理的时间为5～30分钟。在气态有机溶剂的作用下，液态膜中的氧化物纳米颗粒在上述时间内能够完成自组装，提高膜层的平整性。
在一些实施例中，将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理的步骤，在加热条件下进行，且加热的温度低于氧化物纳米颗粒溶液的溶剂温度。通过加热处理，可以提高有机溶剂分子的运动速率，进而加快氧化物纳米颗粒的自组装进程。特别的，当将将沉积有氧化物纳米颗粒溶液的第一电极基板或预制器件置于含有液态有机溶剂的密闭容器中，有机溶剂蒸汽密度：0.02-0.03kg/m3的条件下进行静置处理，使氧化物纳米颗粒进行自组装时，加热处理可以提高液态有机溶剂的挥发速度，加速溶剂化处理的进程。
本申请实施例中，有机溶剂用于使本申请实施例处于溶液状态的氧化物纳米颗粒在气态溶剂作用下发生自组装，因此，有机溶剂选自对氧化物纳米颗粒有溶解性的有机溶剂，在一些实施例中，有机溶剂对氧化物纳米颗粒的溶解度为100-200mg/ml。在一些实施例中，有机溶剂选自醇类、酮类、烷烃类、DMF和DMSO中的至少一种。优选采用醇类、酮类、DMF和DMSO，在这种情况下，上述溶剂的官能团如羟基，在溶剂化过程中结合在氧化物纳米颗粒表面，增加氧化物纳米颗粒的表面官能团如羟基含量，提高氧化物纳米颗粒的到电子能力，进一步提高电子在量子点发光二极管中的注入能力，从而提高量子点发光二极管的发光效率。在一些实施例中，醇类包括甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇和戊醇中的一种或多种；酮类包括丙酮和/或丁酮。
上述步骤S30中，在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层。在一种实施方式中，预制器件包括第一电极和量子点发光层，包含第二电极的膜层为第二电极，其中，第一电极为阳极，第二电极为阴极。在这种情况下，在一些实施例中，在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层的步骤，包括：在电子传输层的表面制备制备阴极。在一些实施例中，在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层的步骤，包括：在电子传输层的表面制备制备电子注入层，在电子注入层背离电子传输层的表面制备阴极。
在另一种实施方式中，第一电极基板为阴极基板，包含第二电极的膜层包括量子点发光层和第二电极，第二电极为阳极。在这种情况下，在一些实施例中，在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层的步骤，包括：在电子传输层的表面制备制备量子点发光层，在量子点发光层背离电子传输层的表面制备阳极。在一些实施例中，在电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层的步骤，包括：在电子传输层的表面制备制备量子点发光层，在量子点发光层背离电子传输层的表面制备空穴功能层，在空穴功能层的表面制备阳极。
本申请实施例中，空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层中的至少一种。
如图2所示，本申请实施例第二方面提供了一种一种量子点发光二极管，至少包括相对设置的阴极6和阳极1，设置在阴极6和阳极1之间的量子点发光层4，以及设置在量子点发光层4和阴极6之间的电子传输层5，量子点发光二极管由上述的量子点发光二极管的制备方法制备获得。
本申请提供的量子点发光二极管，电子传输层5采用上述方法制成，因此，器件效率和稳定性得到提高。
在一些实施例中，量子点发光二极管还包括在阳极1和量子点发光层4之间设置的空穴功能层；在一些实施例中，量子点发光二极管还包括在阴极6和电子传输层5之间设置的电子注入层；在一些实施例中，量子点发光二极管还包括在阳极1和量子点发光层4之间设置的空穴功能层，以及在阴极6和电子传输层5之间设置电子注入层。其中，空穴功能层包括空穴注入层2、空穴传输层3、空穴阻挡层中的至少一种。
本申请实施例中，量子点发光二极管还可以包括衬底7，阳极1或阴极6设置在衬底7上。
本申请实施例提供的量子点发光二极管分为正置结构量子点发光二极管和倒置结构量子点发光二极管。
在一种实施方式中，正置结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极1和阴极6，设置在阳极1和阴极6之间的量子点发光层4，以及设置在阴极6和量子点发光层4之间的电子传输层5，且阳极1设置在衬底7上。进一步的，阴极6和电子传输层5之间可以设置电子注入层；在阳极1和量子点发光层4之间可以设置空穴传输层3、空穴注入层2和电子阻挡层等空穴功能层。如图3所示，在一些正置结构量子点发光二极管的实施例中，量子点发光二极管包括衬底7，设置在衬底7表面的阳极1，设置在阳极1表面的空穴注入层2，设置在空穴注入层2表面的空穴传输层3，设置在空穴传输层3表面的量子点发光层4，设置在量子点发光层4表面的电子传输层5和设置在电子传输层5表面的阴极6。
在一种实施方式中，倒置结构量子点发光二极管包括包括相对设置的阳极1和阴极6的叠层结构，设置在阳极1和阴极6之间的量子点发光层4，以及设置在阴极6和量子点发光层4之间的电子传输层5，且阴极6设置在衬底7上。进一步的，阴极6和电子传输层5之间可以设置电子注入层；在阳极1和量子点发光层4之间可以设置空穴传输层3、空穴注入层2和电子阻挡层等空穴功能层。如图4所示，在一些倒置结构量子点发光二极管的实施例中，量子点发光二极管包括衬底7，设置在衬底7表面的阴极6，设置在阴极6表面的电子传输层5，设置在电子传输层5表面的量子点发光层4，设置在量子点发光层4表面的空穴传输层3，设置在空穴传输层3表面的空穴注入层2和设置在空穴注入层2表面的阳极1。
下面结合具体实施例进行说明。
实施例1
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
通过旋涂的方式，在ITO透明电极上旋涂PEDOT，在100℃下退火处理30min，制备空穴注入层；
在惰性气氛(如氮气)中，在空穴注入层上旋涂TFB，在150℃下退火处理30min，制备空穴传输层；
在惰性气氛中(如氮气)，在空穴传输层上旋涂绿色量子点，制备量子点发光层；
在惰性气氛中(如氮气)，在量子点发光层上旋涂ZnO纳米颗粒溶液，得到电子传输液态膜；
将电子传输液态膜置于体积为25cm3的密闭腔体内，使用10mL丁醇在1atm气压下溶剂化处理30mins，制备得到电子传输预制膜；将电子传输预制膜进行退火处理，得到电子传输层；
在电子传输层上沉积金属阴极，阴极对可见光反射不低于98％。
实施例2
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
通过旋涂的方式，在ITO透明电极上旋涂PEDOT，在100℃下退火处理30min，制备空穴注入层；
在惰性气氛(如氮气)中，在空穴注入层上旋涂TFB，在150℃下退火处理30min，制备空穴传输层；
在惰性气氛中(如氮气)，在空穴传输层上旋涂绿色量子点，制备量子点发光层；
在惰性气氛中(如氮气)，在量子点发光层上旋涂ZnO纳米颗粒溶液，得到电子传输液态膜；
将电子传输液态膜置于体积为35cm3的密闭腔体内，在温度为80℃的条件下，使用10mL丁醇在1atm气压下溶剂化处理30mins，制备得到电子传输预制膜；将电子传输预制膜进行退火处理，得到电子传输层；
在电子传输层上沉积金属阴极，阴极对可见光反射不低于98％。
实施例3
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
通过旋涂的方式，在ITO透明电极上旋涂ZnO纳米颗粒溶液，得到电子传输液态膜；
将电子传输液态膜置于体积为50cm3的密闭腔体内，使用10mL DMSO在1atm气压下溶剂化处理30mins，制备得到电子传输预制膜；将电子传输预制膜进行退火处理，得到电子传输层；
在惰性气氛中(如氮气)，在电子传输层上旋涂绿色量子点，制备量子点发光层；
在惰性气氛中(如氮气)，在量子点发光层上旋涂TFB，在150℃下退火处理30min，制备空穴传输层；
在惰性气氛(如氮气)中，在空穴传输层上旋涂PEDOT，在100℃下退火处理30min，制备空穴注入层；
在空穴注入层上沉积金属阳极，阴极对可见光反射不低于90％。
实施例4
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
通过旋涂的方式，在ITO透明电极上旋涂PEDOT，在100℃下退火处理30min，制备空穴注入层；
在惰性气氛(如氮气)中，在空穴注入层上旋涂TFB，在150℃下退火处理30min，制备空穴传输层；
在惰性气氛中(如氮气)，在空穴传输层上旋涂绿色量子点，制备量子点发光层；
在惰性气氛中(如氮气)，在量子点发光层上旋涂ZnO纳米颗粒溶液，得到电子传输液态膜；
将电子传输液态膜置于体积为40cm3的密闭腔体内，使用5mL丁醇及5mL丙酮在1atm气压下溶剂化处理30mins，制备得到电子传输预制膜；将电子传输预制膜进行退火处理，得到电子传输层；
在电子传输层上沉积金属阴极，阴极对可见光反射不低于98％。
对比例1
一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
通过旋涂的方式，在ITO透明电极上旋涂PEDOT，在100℃下退火处理30min，制备空穴注入层；
在惰性气氛(如氮气)中，在空穴注入层上旋涂TFB，在150℃下退火处理30min，制备空穴传输层；
在惰性气氛中(如氮气)，在空穴传输层上旋涂绿色量子点，制备量子点发光层；
在惰性气氛中(如氮气)，在量子点发光层上旋涂ZnO纳米颗粒溶液，退火处理，得到电子传输层；
在电子传输层上沉积金属阴极，阴极对可见光反射不低于98％。
将上述对实施例1～4和对比例1得到的电子传输层和量子点发光二极管进行性能测试，结果如表1所示，以2mA恒流驱动器件时：
(1)L表示器件亮度，在相同电流下，器件亮度越高表示器件效率越好；
(2)T95表示器件亮度由100％衰减至95％所用的时间，在相同电流下，器件T95时间越长表示器件性能越好，稳定性越出色；
(3)T95-1K表示当器件在1000nit亮度下，亮度由100％衰减至95％所用时间。此值由L与T95的值计算得出；
(4)C.E表示器件的电流效率，在发光区面积和驱动电流一致的前提下，C.E越高器件性能越好；
(5)Rq表示均方根粗糙度，为器件薄膜表面粗糙度的表征数据，此值越小，薄膜平整度越高。
表1
L(cd/m<sup>2</sup>) T95(h) T95_1K(h) C.E(cd/A) Rq
对比例1 40681 4.12 2243 63.87 1.81
实施例1 53410 5.23 4523 83.85 1.12
实施例2 58110 5.41 5400 91.23 0.97
实施例3 53220 5.19 4462 83.56 1.11
实施例4 53570 5.16 4486 84.10 1.15
实施例2和对比例1得到的电子传输层的AFM形貌分别如图5和图6所示，由图可见，通过本申请实施例方法制备的电子传输层，膜层具有更好的致密性和平整度。
实施例1～4和对比例1得到的量子点发光二极管电质发光的形貌图(可以直观的表现出器件的发光区形貌)分别如图7-11所示，由图可见，本申请实施例提供的量子点发光二极管具有更好的发光均匀性，这归因于本申请实施例制备得到的电子传输层具有更好的致密性和膜层平整度。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取第一电极基板或含有第一电极的预制器件，在所述预制器件背离所述第一电极的表面或所述第一电极基板的表面沉积氧化物纳米颗粒溶液；
将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，制备得到电子传输层；
在所述电子传输层的表面制备包含第二电极的膜层，得到至少包含第一电极、量子点发光层、电子传输层和第二电极的量子点发光二极管。
2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂的气氛环境中，有机溶剂蒸汽密度：0.02-0.03kg/m3。
3.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述静置处理的时间为5～30分钟。
4.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂选自醇类、酮类、烷烃类、DMF和DMSO中的至少一种。
5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述醇类包括甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇和戊醇中的一种或多种；
所述酮类包括丙酮和/或丁酮。
6.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，包括：
将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于含有液态有机溶剂的密闭容器中，在气压为1atm-1.2atm的条件下静置处理。
7.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理，包括：
将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于含有气态有机溶剂的环境中静置处理。
8.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述将沉积有所述氧化物纳米颗粒溶液的所述第一电极基板或所述预制器件置于有机溶剂的气氛环境中静置处理的步骤，在加热条件下进行，且所述加热的温度低于所述氧化物纳米颗粒溶液的溶剂温度。
9.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述预制器件包括第一电极和量子点发光层，所述包含第二电极的膜层为第二电极，其中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；或
所述第一电极基板为阴极基板，所述包含第二电极的膜层包括量子点发光层和第二电极，所述第二电极为阳极。
10.一种量子点发光二极管，至少包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层和所述阴极之间的电子传输层，其特征在于，所述量子点发光二极管由权利要求1至9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法制备获得。
CN202110179268.6A 2021-02-09 2021-02-09 量子点发光二极管及其制备方法 Pending CN114914371A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110179268.6A CN114914371A (zh) 2021-02-09 2021-02-09 量子点发光二极管及其制备方法
PCT/CN2021/141802 WO2022170870A1 (zh) 2021-02-09 2021-12-27 量子点发光二极管及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110179268.6A CN114914371A (zh) 2021-02-09 2021-02-09 量子点发光二极管及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114914371A true CN114914371A (zh) 2022-08-16

Family

ID=82762011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110179268.6A Pending CN114914371A (zh) 2021-02-09 2021-02-09 量子点发光二极管及其制备方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114914371A (zh)
WO (1) WO2022170870A1 (zh)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8193010B2 (en) * 2009-06-29 2012-06-05 Board Of Regents, The University Of Texas System Uniform transfer of luminescent quantum dots onto a substrate
CN103904178B (zh) * 2014-04-11 2016-08-17 浙江大学 量子点发光器件
CN108630827B (zh) * 2017-03-15 2020-01-14 Tcl集团股份有限公司 一种量子点固态膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN108695413B (zh) * 2017-04-11 2019-11-12 Tcl集团股份有限公司 一种电致发光器件及其制备方法
US11063231B2 (en) * 2018-10-05 2021-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and display device including the same
CN111384278B (zh) * 2018-12-29 2021-07-16 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN111384273B (zh) * 2018-12-29 2021-07-16 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022170870A1 (zh) 2022-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105576139B (zh) 一种量子点电致发光二极管及其制备方法、显示器
Hu et al. Flexible organic light-emitting diodes with transparent carbon nanotube electrodes: problems and solutions
CN106531892B (zh) 一种有机无机复合电致发光器件及其制备方法
Kang et al. Spray-coated ZnO electron transport layer for air-stable inverted organic solar cells
Lee et al. A two-dimensional DNA lattice implanted polymer solar cell
CN1828969A (zh) 有机发光器件和白光发射器件
DE102007000791A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode oder einer organischen Solarzelle und hergestellte organische Leuchtdioden oder Solarzellen
CN109244256B (zh) 高效非掺杂超薄发光层热活化延迟荧光有机发光二极管及其制备方法
Zubair et al. Improvement of solution based conjugate polymer organic light emitting diode by ZnO–graphene quantum dots
Shi et al. High luminance organic light-emitting diodes with efficient multi-walled carbon nanotube hole injectors
CN108417739A (zh) 一种基于喷涂工艺的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN103333355A (zh) 一种提高薄膜电致发光器件稳定性的方法
Zhou et al. Improved stability of OLEDs with mild oxygen plasma treated PEDOT: PSS
US11508929B2 (en) Conductor and method of manufacturing the same
CN105489781B (zh) 发光器件及其制造方法和显示装置
CN114914371A (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN111384247B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
US8329505B2 (en) Method for deposition of cathodes for polymer optoelectronic devices
JP2005026003A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2003257631A (ja) 有機ｅｌ素子の形成方法
EP3905360B1 (en) Preparation method for quantum dot light emitting diode
KR101562558B1 (ko) 유기발광소자 및 이의 제조방법
Ishikawa et al. Small-area deposition of light emission polymer by evaporative spray deposition from ultradilute solution technique
Gomez et al. Fabrication of natural DNA-containing organic light emitting diodes
Lee et al. Single-layer organic-light-emitting devices fabricated by screen printing method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination