CN114842759A - 发光显示装置 - Google Patents

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金成虎
成硕济
安珍星
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Abstract

根据实施例，发光显示装置包括：显示面板，包括显示区域，所述显示面板的所述显示区域包括：透明显示区域；中间显示区域，从所述透明显示区域沿着第一方向位于一侧或两侧，并包括透明显示区域用像素电路部；以及一般显示区域，所述透明显示区域包括：第一阳极；以及传输晶体管，将从所述透明显示区域用像素电路部输出的发光电流传输至所述第一阳极。

Description

发光显示装置
技术领域
本公开涉及一种发光显示装置，更具体地涉及一种在显示区域的背面设置相机等光学装置的发光显示装置。
背景技术
显示装置作为显示画面的装置，有液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)等。这样的显示装置使用于移动电话、导航系统、数码相机、电子书、携带用游戏机或各种终端等之类各种电子设备。
尤其在移动电话之类小型电子设备中，相机或光学传感器等光学装置形成于显示区域的周边即边框区域，但是开发出如下技术：在将显示的画面的尺寸形成得大的同时显示区域的周边区域的尺寸逐渐减小，同时能够使相机或光学传感器位于显示区域的背面。
发明内容
实施例用于提供一种即使使相机或光学传感器等光学装置位于显示区域的背面，也能够在位于光学装置的前面的显示区域中显示图像，并在光学装置的前面显示的图像的分辨率也高的发光显示装置。
根据实施例的发光显示装置包括：显示面板，包括显示区域，所述显示面板的所述显示区域包括：透明显示区域；中间显示区域，从所述透明显示区域沿着第一方向位于一侧或两侧，并包括透明显示区域用像素电路部；以及一般显示区域，所述透明显示区域包括：第一阳极；以及传输晶体管，将从所述透明显示区域用像素电路部输出的发光电流传输至所述第一阳极。
可以是，在所述透明显示区域用像素电路部中连接所述传输晶体管的布线是包含透明导电物质的第一透明连接布线。
可以是，一个所述第一透明连接布线连接多个所述透明显示区域用像素电路部和多个所述传输晶体管。
可以是，所述第一透明连接布线包括第一部分、第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的连接部分，所述第一部分位于所述中间显示区域，并与多个所述透明显示区域用像素电路部连接，所述第二部分位于所述透明显示区域，并与多个所述传输晶体管连接。
可以是，所述连接部分向第一方向延伸而连接所述第一部分和所述第二部分，所述第一部分以及所述第二部分向垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
可以是，所述第一部分、所述第二部分以及所述连接部分由相同的透明导电物质一体地形成。
可以是，所述中间显示区域还包括：中间显示区域用像素电路部；以及阳极，接收所述中间显示区域用像素电路部的发光电流，并位于所述中间显示区域。
可以是，所述中间显示区域的所述透明显示区域用像素电路部和所述中间显示区域用像素电路部具有彼此相同的结构。
可以是，所述中间显示区域用像素电路部包括：驱动晶体管；以及输出控制晶体管，接收并输出所述驱动晶体管的发光电流，所述输出控制晶体管的栅极电极与发光控制线连接。
可以是，所述传输晶体管的栅极电极与所述发光控制线连接。
可以是，所述一般显示区域包括：一般显示区域用像素电路部；以及阳极，接收所述一般显示区域用像素电路部的发光电流，并位于所述中间显示区域。
可以是，所述一般显示区域用像素电路部包括：驱动晶体管；以及输出控制晶体管，接收并输出所述驱动晶体管的发光电流，所述输出控制晶体管的栅极电极与发光控制线连接。
可以是，所述传输晶体管的栅极电极与所述发光控制线连接。
可以是，所述透明显示区域还包括：第二阳极，不经过所述传输晶体管，并从所述透明显示区域用像素电路部直接接收发光电流。
可以是，所述第二阳极和所述透明显示区域用像素电路部通过包含透明导电物质的第二透明连接布线连接。
可以是，所述第一透明连接布线形成为比所述第二透明连接布线靠近基板。
可以是，包括所述透明显示区域以及所述中间显示区域的第二显示区域还包括：复制阳极，与所述第一阳极或所述第二阳极电连接。
可以是，所述第一阳极或所述第二阳极与所述复制阳极通过包含透明导电物质的第三透明连接布线连接，所述第三透明连接布线形成为比所述第一透明连接布线以及所述第二透明连接布线远离所述基板。
可以是，所述第一透明连接布线在制造包括在所述透明显示区域用像素电路部中的晶体管的工艺中或者制造所述晶体管后下一工艺前形成。
可以是，所述发光显示装置还包括位于所述显示面板的背面的光学元件，所述透明显示区域与所述光学元件在平面上重叠。
根据实施例，在发光显示装置的显示区域中，在背面设置有相机或光学传感器等光学装置的区域形成多个发光元件以及多个传输晶体管(第八晶体管)，将多个传输晶体管通过一个透明连接布线连接，从而在光学装置的前面也能够显示高分辨率的图像。另外，可以通过多个传输晶体管将多个发光元件通过一个透明连接布线连接，从而位于光学装置的前面的发光元件的PPI(Pixel Per Inch，每英寸像素)值也大。其结果，根据本实施例的发光显示装置所显示的画面能够在光学装置的前面以高分辨率显示图像，从而提升显示品质。
附图说明
图1是放大示出根据一实施例的发光显示装置的一部分区域的平面图。
图2是放大并简要示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的图。
图3是在根据一实施例的发光显示装置中以第二显示区域中的一部分构成要件为中心示出的配置图。
图4是在根据一实施例的发光显示装置中根据第2-2显示区域的第八晶体管以及周边结构的制造步骤示出的图。
图5以及图6是包括在根据一实施例的发光显示装置中的一个像素的电路图。
图7是根据一实施例的像素的配置图。
图8是沿着图7的VII-VII线的截面图。
图9是在根据一实施例的发光显示装置中第二显示区域的第六晶体管以及第八晶体管的截面图。
图10是示出在根据一实施例的发光显示装置中第二显示区域的配置图。
图11是示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的层状结构的截面图。
图12是示出在根据一实施例的发光显示装置中第二显示区域的配置图。
图13是示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的层状结构的截面图。
图14是示出根据一实施例的发光显示装置的制造步骤以及根据其的变形例的图。
图15是放大并简要示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的图。
图16是根据一实施例的发光显示装置的分解立体图。
图17是根据一实施例的发光显示装置的简要截面图。
(附图标记说明)
DA1：第一显示区域 DA2：第二显示区域
DA2-1：第2-1显示区域、中间显示区域
DA2-2：第2-2显示区域、透明显示区域
TCL1、TCL2、TCL3：透明连接布线 T8：传输晶体管
T6：第六晶体管、输出控制晶体管
155：栅极电极、发光控制线 ACL：阳极连接部件
Anode、Ada2-2、Arda1、Agda1、Abda1、Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1、Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2：阳极
Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c：复制阳极
Prda1、Pgda1、Pbda1、Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2：像素电路部
110：基板 111：缓冲层
141、142、143：栅极绝缘膜 161、162：层间绝缘膜
163、164、180、181：有机膜 ACT：第一半导体层
ACT2：氧化物半导体层 GAT1、GAT2、GAT3：栅极导电层
SD1、SD2：数据导电层
具体实施方式
以下，以所附的附图作为参考，针对本发明的多个实施例进行详细说明，以使在本发明所属的技术领域中具有通常知识的人能够容易地实施。本发明可以以各种不同的形式实现，不限于在此说明的实施例。
为了明确地说明本发明，省略了与说明无关的部分，贯穿说明书全文，针对相同或相似的构成要件，标注相同的附图标记。
另外，为了便于说明，附图中出现的各结构的尺寸以及厚度任意地示出，因此本发明不是必须限于图示。在附图中，为了明确地呈现多个层以及区域，放大厚度而示出。而且，在附图中，为了便于说明，夸张地示出一部分层以及区域的厚度。
另外，当说到层、膜、区域、板等部分“在”另一部分“之上”或“上”时，不仅包括其“直接在”另一部分“之上”的情况，还包括在其中间有又另一部分的情况。相反地，当说到某部分“直接在”另一部分“之上”时，表示在中间没有其它部分。另外，存在于成为基准的部分“之上”或“上”是位于成为基准的部分之上或之下，不意指必须位于向重力相反方向侧的“之上”或“上”。
另外，在说明书全文中，当说到某部分“包括”某构成要件时，在没有特别相反的记载的情况下，其不是将其它构成要件除外，意指可以还包括其它构成要件。
另外，在说明书全文中，当说到“平面上”时，其意指从上看对象部分的时候，当说到“截面上”时，其意指从旁边看垂直截取对象部分的截面。
首先，以下，通过图1，划分根据一实施例的发光显示装置的显示区域，并观察相机或光学传感器等光学装置的位置。
图1是放大示出根据一实施例的发光显示装置的一部分区域的平面图。
在图1中示出根据一实施例的显示装置中显示面板DP的一部分，利用移动电话用显示面板示出。
显示面板DP在前面设置显示区域DA，显示区域DA主要划分为第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
第一显示区域DA1形成有多个发光元件以及生成发光电流并传输于多个发光元件各自的多个像素电路部。在此，一个发光元件和一个像素电路部称为像素。在第一显示区域DA1，一个像素电路部和一个发光元件一对一形成。第一显示区域DA1以下也称为“一般显示区域”。
尽管在图1中未示出切割线之下的显示面板DP的结构，但是可以在切割线之下设置第一显示区域DA1。
在显示面板DP的背面设置相机或光学传感器等光学装置OS，在图1中光学装置OS位于背面并以虚线示出。
在光学装置OS的前面以及其周边设置第二显示区域DA2。第二显示区域DA2划分为第2-1显示区域DA2-1和第2-2显示区域DA2-2。
第2-2显示区域DA2-2是位于光学装置OS的前面的显示区域，形成有多个发光元件，但是没有形成生成发光电流并传输于发光元件的像素电路部。另一方面，根据一实施例的第2-2显示区域DA2-2附加地还形成有传输晶体管(以下也称为第八晶体管)以及透明连接布线。第2-2显示区域DA2-2的除设置多个发光元件或传输晶体管(第八晶体管)的区域之外的区域可以透明地形成，光学装置OS可以通过透明区域工作，从而相机或光学传感器拍摄或感测位于显示面板DP的前面的物体。在图1中，第2-2显示区域DA2-2示出为四边形。但是，第2-2显示区域DA2-2也可以根据实施例具有圆形等对应于光学装置OS的平面形状的模样。以下，第2-2显示区域DA2-2也称为“透明显示区域”。
第2-1显示区域DA2-1位于第2-2显示区域DA2-2的一侧或两侧，并位于第一显示区域DA1与第2-2显示区域DA2-2之间。第2-1显示区域DA2-1不仅一对一地形成有一个像素电路部和一个发光元件，附加地还包括用于分别将发光电流传输于形成于第2-2显示区域DA2-2的多个发光元件的像素电路部。以下，第2-1显示区域DA2-1也称为“中间显示区域”。
在图1中是在第2-2显示区域DA2-2的左右两侧设置第2-1显示区域DA2-1的实施例，一个第2-1显示区域DA2-1的左右宽度可以具有第2-2显示区域DA2-2的左右宽度的一半程度的宽度。另外，在第2-2显示区域DA2-2的相邻的区域，在不设置第2-1显示区域DA2-1的区域设置第一显示区域DA1。以第2-2显示区域DA2-2为基准，设置第2-1显示区域DA2-1的方向可以与和传输晶体管(第八晶体管)的栅极电极连接的布线的延伸方向(第一方向)一致。另外，形成于第2-2显示区域DA2-2的透明连接布线可以从第2-1显示区域DA2-1延伸到第2-2显示区域DA2-2。
尽管在图1中未图示，但是可以在显示区域DA的外侧还设置周边区域。另外，尽管在图1中示出移动电话用显示面板，但是若为能够在显示面板的背面设置光学元件OS的显示面板，则可以应用本实施例。
以下，通过图2，更详细地观察显示区域DA的结构。
图2是放大并简要示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的图。
在图2中详细示出在根据一实施例的第一显示区域(一般显示区域)DA1、第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1以及第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2中，构成像素的像素电路部以及发光元件的配置，以及在第二显示区域DA2附加的传输晶体管(以下也称为第八晶体管)以及透明连接布线的结构。
首先，第一显示区域(一般显示区域)DA1形成有以相同数量形成的多个发光元件以及多个像素电路部(以下也称为一般显示区域用像素电路部)Prda1、Pgda1、Pbda1。在图2中像素电路部Prda1、Pgda1、Pbda1简要示出为矩形的四边形，发光元件中的阳极Arda1、Agda1、Abda1简要示出为圆形。阳极Arda1、Agda1、Abda1可以比像素电路部Prda1、Pgda1、Pbda1位于上方而在平面图上与像素电路部Prda1、Pgda1、Pbda1重叠。另外，阳极Arda1、Agda1、Abda1是示出从圆形凸出的线形的连接部而明确地示出了阳极Arda1、Agda1、Abda1与哪个像素电路部Prda1、Pgda1、Pbda1连接。发光元件除阳极外还包括发光层以及阴极(参考图13)。发光元件的平面模样可以具有按照除连接部之外的阳极Arda1、Agda1、Abda1的模样的模样，根据实施例，除连接部之外的阳极Arda1、Agda1、Abda1可以具有菱形模样、六边形模样、八边形模样等各种模样。
在图2的实施例中，以四个像素为单位像素反复排列。构成一个单位像素的四个像素由一个红色像素、一个蓝色像素以及两个绿色像素构成。但是，根据实施例(参考图10)，可以包括至少一个红色像素、至少一个绿色像素以及至少一个蓝色像素。
在图2的实施例中，具有每行红色像素电路部Prda1和蓝色像素电路部Pbda1的位置转换的结构。
位于第二显示区域DA2的像素的PPI值形成为小于形成于第一显示区域DA1的像素的PPI值。
第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1设置有多个像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2以及多个发光元件，在图2中示出多个发光元件的阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1。第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的多个像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2划分为第2-1显示区域用像素电路部(以下也称为中间显示区域用像素电路部)Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和第2-2显示区域用像素电路部(以下也称为透明显示区域用像素电路部)Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2。第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1是将发光电流传输于位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1的像素电路部。第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1可以一对一对应。
第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1，但是生成要传输于位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的发光元件的发光电流。
第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2除与阳极连接的结构之外，具有彼此相同的平面结构以及电路结构。
在图2的实施例中，第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1连续形成有四个，在其两侧设置每两个的第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2。但是，根据实施例，可以以各种排列设置，作为一例(参考图10)，第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2也可以一个一个地交替配置。
在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2不形成像素电路部，形成多个发光元件、传输晶体管(第八晶体管)T8以及连接于这些的布线(透明连接布线TCL1以及发光控制线155)。
在图2中，在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2示出发光元件的阳极Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2、传输晶体管(第八晶体管)T8、透明连接布线TCL1以及发光控制线155。一个阳极Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2与一个传输晶体管(第八晶体管)T8连接。传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极与发光控制线155连接，发光控制线155可以是传输使得像素电路部可以将发光电流向发光元件输出的信号的布线，可以是连接于包括在像素电路部中的输出控制晶体管的栅极电极的布线。另外，传输晶体管(第八晶体管)T8的输入侧端子与透明连接布线TCL1连接，输出侧端子与阳极Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2连接。参考图2，传输晶体管(第八晶体管)T8具有与红色阳极Arda2-2以及蓝色阳极Abda2-2在平面图上整体重叠设置，但是与绿色阳极Agda2-2在平面图上仅一部分重叠而一部分不重叠的结构。参考图2，红色阳极Arda2-2以及蓝色阳极Abda2-2从在平面图上重叠的传输晶体管(第八晶体管)T8接收发光电流，绿色阳极Agda2-2从与绿色阳极Agda2-2仅一部分重叠的传输晶体管(第八晶体管)T8接收发光电流。但是，根据实施例，传输晶体管(第八晶体管)T8也可以在设置成还与绿色阳极Agda2-2在平面图上整体重叠或者不重叠的同时，形成为接收发光电流。
透明连接布线TCL1与位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2连接，从而接收发光电流而传输至传输晶体管(第八晶体管)T8。另外，透明连接布线TCL1由透明导电物质形成，从而形成为能够增加第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的透明的区域。通过这种结构，第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2相比于第一显示区域DA1以及第2-1显示区域DA2-1，阻挡光的构成要件(像素电路部以及布线等)形成得少，从而充分形成透明的区域。
透明连接布线TCL1向与发光控制线155的延伸方向(第一方向)垂直的方向(第二方向)延伸，并包括位于第2-1显示区域DA2-1的第一部分、向与发光控制线155的延伸方向(第一方向)垂直的方向(第二方向)延伸并位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的第二部分以及连接第一部分和第二部分并向与发光控制线155的延伸方向(第一方向)平行的方向形成的连接部分。在此，第一部分、第二部分以及连接部分由相同的透明导电物质一体地形成。通过透明连接布线TCL1的一个第一部分，沿着列方向(第二方向)排列的多个第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2连接。另外，通过透明连接布线TCL1的一个第二部分，沿着列方向(第二方向)排列的传输晶体管(第八晶体管)T8连接。通过一个透明连接布线TCL1施加于传输晶体管(第八晶体管)T8的通过发光控制线155的发光信号不在相同时间同时使传输晶体管(第八晶体管)T8导通，从而发光信号可以不在彼此重叠的同时施加。
在图2的实施例中，第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1从第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2沿着发光控制线155的延伸方向(第一方向)设置。即，可以沿着发光控制线155的延伸方向(第一方向)依次设置第一显示区域(一般显示区域)DA1、第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1以及第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2。发光控制线155遍布第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2而以金属布线连续地形成。但是，根据实施例，可以仅在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2中由透明导电物质形成。
根据实施例，在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2可以穿过在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1或第一显示区域(一般显示区域)DA1中需要的布线(扫描线以及初始化控制线等)。穿过的布线可以包含透明导电物质，根据实施例也可以包含不透明的金属。根据实施例，穿过的布线可以沿着第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的外围设置。
根据图2的实施例，位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1的数量与第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2的数量之和形成为位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素电路部Prda1、Pgda1、Pbda1的数量的一半。位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1与第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2的数量彼此相同，因此位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1或第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的像素(或发光元件)的数量是位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素(或发光元件)的数量的1/4个。
但是，根据实施例(参考图15)，位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1的数量与第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2的数量之和可以与位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素电路部Prda1、Pgda1、Pbda1的数量相同。此时，位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1或第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的像素(或发光元件)的数量可以是位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素(或发光元件)的数量的1/2个。另一方面，根据实施例，位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1或第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的发光元件的数量可以不同，各显示区域间的发光元件的数量比例也可以多样。
以上，基于图2整体观察了第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2的结构。
以下，通过图3，以第二显示区域DA2中使第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的发光元件发光的结构为中心进行观察。
图3是在根据一实施例的发光显示装置中以第二显示区域中的一部分构成要件为中心示出的配置图。
在图3中示出第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1，但是未示出用于使位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的发光元件发光的第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1，仅示出了第2-2显示区域用像素电路部Pda2-2。
在图3中，可以在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1中没有设置第2-2显示区域用像素电路部Pda2-2的区域设置第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1。
第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-2显示区域用像素电路部Pda2-2通过开口CNT1与透明连接布线TCL1电连接。透明连接布线TCL1向第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2延伸而与传输晶体管(第八晶体管)T8的输入侧端子通过开口CNT2电连接。在图3中示出传输晶体管(第八晶体管)T8的半导体SC8，并示出透明连接布线TCL1和半导体SC8的输入侧通过开口CNT2电连接的结构。另外，传输晶体管(第八晶体管)T8的半导体SC8的输出侧与阳极Ada2-2通过开口CNT3电连接。
在图3的实施例中，透明连接布线TCL1划分为通过上侧连接的布线和通过下侧连接的布线。示出形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1和第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2而且透明连接布线TCL1的第一部分以及第二部分在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1与第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的边界处靠近的布线之间连接的结构。根据这样的连接结构，具有由于透明连接布线TCL1彼此不交叉而能够以一个透明导电层形成的优点。
另一方面，在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1和第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2连续形成发光控制线155，发光控制线155与传输晶体管(第八晶体管)T8的半导体SC8交叉。发光控制线155中与半导体SC8在平面图上重叠的部分构成传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极，半导体SC8中与发光控制线155在平面图上重叠的部分构成传输晶体管(第八晶体管)T8的沟道。
半导体SC8可以由硅半导体或氧化物半导体形成，除沟道之外的部分(输入侧以及输出侧)可以被掺杂或等离子体处理而具有相当于导体的导电特性。
在图3中，第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2中传输晶体管(第八晶体管)T8示出于与阳极Ada2-2在平面图上不重叠的位置。但是，为了扩宽第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的透明区域，传输晶体管(第八晶体管)T8可以与阳极Ada2-2在平面图上重叠。
如图3，在本实施例中，使用多个传输晶体管(第八晶体管)T8，将第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的多个阳极Ada2-2和第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的多个第2-2显示区域用像素电路部Pda2-2通过一个透明连接布线TCL1连接。根据这样的实施例，相比于将位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的一个第2-2显示区域用像素电路部Pda2-2和位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的一个阳极Ada2-2通过一个连接布线形成的比较例，能够减少连接布线的数量。即，在比较例之类结构中，当在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2形成一个发光元件(或阳极Ada2-2)时，需要一个连接布线。其结果，在比较例中，可以在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2形成的发光元件(或阳极Ada2-2)的数量与连接布线的数量相同。
但是，在本实施例中，使用传输晶体管(第八晶体管)T8使得多个发光元件(或阳极Ada2-2)连接，因此能够超过连接布线的限制而在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2形成发光元件(或阳极Ada2-2)，并能够使得具有高分辨率或PPI。此时，使用透明连接布线TCL1，因此第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的透明特性不降低。另外，根据实施例，传输晶体管(第八晶体管)T8可以形成为与阳极Ada2-2或发光元件重叠，从而第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的透明特性能够不降低。
在图2以及图3中仅示出了在图1中示出的左右两个第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1中左侧的第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1。但是，在右侧也可以设置第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1，在这种情况下，图2以及图3可以具有左右对称的结构。
以下，使用图4，依次观察在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2形成传输晶体管(第八晶体管)T8以及阳极Ada2-2的方法。
图4是在根据一实施例的发光显示装置中根据第2-2显示区域的第八晶体管以及周边结构的制造步骤示出的图。
图4的(A)示出在基板110之上使用硅半导体或氧化物半导体形成半导体SC8的步骤。之后，在形成覆盖半导体SC8的绝缘膜后，如图4的(B)，形成发光控制线155。在形成发光控制线155后，将发光控制线155作为掩模，对半导体SC8进行掺杂或等离子体处理，除沟道之外进行导体化，从而使得具有相当于导体的特性。之后，在形成覆盖发光控制线155的绝缘膜后，如图4的(C)，在绝缘膜形成开口CNT2-1、CNT3-1而暴露半导体SC8的输入侧以及输出侧的一部分。之后，如图4的(D)，形成覆盖开口CNT2-1、CNT3-1的连接部件MCL2-1、MCL3-1。之后，形成覆盖连接部件MCL2-1、MCL3-1的绝缘膜，如图4的(E)，形成暴露连接部件MCL2-1的开口CNT2-2。之后，如图4的(F)，形成透明连接布线TCL1而通过开口CNT2-2使得与连接部件MCL2-1以及半导体SC8的输入侧电连接。之后，在形成覆盖透明连接布线TCL1的绝缘膜后，如图4的(G)，形成开口CNT3-2而暴露连接部件MCL3-1的一部分。之后，如图4的(H)，形成阳极连接部件ACL3-1而通过开口CNT3-2使得与连接部件MCL3-1以及半导体SC8的输出侧电连接。之后，如图4的(I)，形成与阳极连接部件ACL3-1电连接的阳极Ada2-2。
根据这样的结构，根据通过发光控制线155传输的发光控制信号，传输晶体管(第八晶体管)T8导通，此时将正传输于透明连接布线TCL1的发光电流向阳极Ada2-2传输。
根据实施例，可以还包括绝缘膜、开口、连接部件，或者省略一部分。
另外，在图4中示出的各工艺为在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2中形成传输晶体管(第八晶体管)T8、透明连接布线TCL1以及阳极Ada2-2的工艺，但是可以与在第一显示区域(一般显示区域)DA1以及第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1形成像素电路部的工艺一起形成。即，包括在像素电路部中的晶体管可以与图4的(A)以及(B)工艺一起形成半导体、栅极电极，通过掺杂工艺或等离子体工艺使一部分半导体导体化。
但是，根据实施例，可以使用包括不包含混合两种使用的半导体的晶体管的像素电路部，以下，通过图5至图9，针对具有将使用硅半导体的晶体管和使用氧化物半导体的晶体管全部包括的像素电路部的实施例进行观察。
图5以及图6是包括在根据一实施例的发光显示装置中的一个像素的电路图，图7是根据一实施例的像素的配置图，图8是沿着图7的VII-VII线的截面图，图9是在根据一实施例的发光显示装置中第二显示区域的第六晶体管以及第八晶体管的截面图。
首先，通过图5以及图6，观察包括像素电路部以及发光元件的一个像素的电路结构。
在图5中示出的电路结构是第一显示区域(一般显示区域)DA1以及形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的像素电路部以及发光元件的电路结构，在图6中示出的电路结构是在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1设置像素电路部，在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2设置发光元件以及传输晶体管(第八晶体管)T8的电路结构。
首先，通过图5，观察位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素以及形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部和位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的发光元件的电路结构。
根据一实施例的一个像素包括连接于多个布线127、128、151、152、153、155、171、172、741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、保持电容器Cst、升压电容器Cboost和发光元件LED。在此，发光元件LED为发光二极管，其余的晶体管以及电容器构成像素电路部。根据实施例，可以省略升压电容器Cboost。
在一个像素连接多个布线127、128、151、152、153、155、171、172、741。多个布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。在图5的实施例中，与第七晶体管T7连接的第一扫描线151还连接于第二晶体管T2，但是根据实施例，第七晶体管T7也可以与第二晶体管T2不同地连接至另外的旁路控制线。
第一扫描线151连接于扫描驱动部(未图示)而将第一扫描信号GW传输于第二晶体管T2以及第七晶体管T7。第二扫描线152可以在与第一扫描线151的信号相同的定时被施加与施加于第一扫描线151的电压相反极性的电压。例如，当在第一扫描线151施加负极性的电压时，可以在第二扫描线152施加正极性的电压。第二扫描线152将第二扫描信号GC传输于第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI传输于第四晶体管T4。发光控制线155将发光控制信号EM传输于第五晶体管T5以及第六晶体管T6。
数据线171作为传输从数据驱动部(未图示)生成的数据电压DATA的布线，由此传输于发光元件LED的发光电流的大小变化，从而发光元件LED发光的亮度也变化。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压Vinit，第二初始化电压线128传输第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加至发光元件LED的阴极。在本实施例中，施加于驱动电压线172、第一以及第二初始化电压线127、128以及公共电压线741的电压可以分别是恒定的电压。
驱动晶体管(或者也称为第一晶体管)T1作为p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。是根据驱动晶体管T1的栅极电极的电压(即，存储于保持电容器Cst的电压)的大小，调节输出至发光元件LED的阳极的发光电流的大小的晶体管。根据输出至发光元件LED的阳极电极的发光电流的大小，调节发光元件LED的亮度，因此可以根据施加于像素的数据电压DATA，调节发光元件LED的发光亮度。为此，驱动晶体管T1的第一电极配置为接收驱动电压ELVDD的施加，从而经由第五晶体管T5与驱动电压线172连接。另外，驱动晶体管T1的第一电极还与第二晶体管T2的第二电极连接，从而还接收数据电压DATA。另一方面，驱动晶体管T1的第二电极向发光元件LED输出发光电流，从而经由第六晶体管(以下也称为输出控制晶体管)T6与发光元件LED的阳极连接。另外，驱动晶体管T1的第二电极还与第三晶体管T3连接，从而将施加至第一电极的数据电压DATA向第三晶体管T3传输。另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极与保持电容器Cst的一电极(以下称为“第二保持电极”)连接。对此，根据存储于保持电容器Cst的电压，驱动晶体管T1的栅极电极的电压改变，由此驱动晶体管T1输出的发光电流变更。保持电容器Cst起到在一帧期间恒定地保持驱动晶体管T1的栅极电极的电压的作用。另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极可以还与第三晶体管T3连接，从而使得施加至驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA经过第三晶体管T3向驱动晶体管T1的栅极电极传输。另一方面，驱动晶体管T1的栅极电极可以还与第四晶体管T4连接，从而接收第一初始化电压Vinit而进行初始化。
第二晶体管T2作为p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。第二晶体管T2是将数据电压DATA接收至像素内的晶体管。第二晶体管T2的栅极电极与第一扫描线151以及升压电容器Cboost的一电极(以下称为“下升压电极”)连接。第二晶体管T2的第一电极与数据线171连接。第二晶体管T2的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。若通过通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW中负极性的电压而第二晶体管T2导通，则通过数据线171传输的数据电压DATA向驱动晶体管T1的第一电极传输，最终数据电压DATA传输至驱动晶体管T1的栅极电极并存储于保持电容器Cst。
第三晶体管T3作为n型晶体管，作为半导体层具有氧化物半导体。第三晶体管T3将驱动晶体管T1的第二电极与驱动晶体管T1的栅极电极电连接。其结果，是使得数据电压DATA被补偿驱动晶体管T1的阈值电压后存储于保持电容器Cst的第二保持电极的晶体管。第三晶体管T3的栅极电极与第二扫描线152连接，第三晶体管T3的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接。第三晶体管T3的第二电极与保持电容器Cst的第二保持电极、驱动晶体管T1的栅极电极以及升压电容器Cboost的另一电极(以下称为“上升压电极”)连接。第三晶体管T3通过通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC中正极性的电压导通，从而使驱动晶体管T1的栅极电极与驱动晶体管T1的第二电极连接，并将施加于驱动晶体管T1的栅极电极的电压传输至保持电容器Cst的第二保持电极而存储于保持电容器Cst。此时，存储于保持电容器Cst的电压以存储驱动晶体管T1截止时的驱动晶体管T1的栅极电极的电压而被补偿驱动晶体管T1的阈值电压Vth值的状态存储。
第四晶体管T4作为n型晶体管，作为半导体层具有氧化物半导体。第四晶体管T4起到使驱动晶体管T1的栅极电极以及保持电容器Cst的第二保持电极初始化的作用。第四晶体管T4的栅极电极与初始化控制线153连接，第四晶体管T4的第一电极与第一初始化电压线127连接。第四晶体管T4的第二电极连接于第三晶体管T3的第二电极、保持电容器Cst的第二保持电极、驱动晶体管T1的栅极电极以及升压电容器Cboost的上升压电极。第四晶体管T4通过通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI中正极性的电压导通，此时，将第一初始化电压Vinit传输于驱动晶体管T1的栅极电极、保持电容器Cst的第二保持电极以及升压电容器Cboost的上升压电极而初始化。
第五晶体管T5以及第六晶体管T6作为p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。
第五晶体管T5起到将驱动电压ELVDD传输于驱动晶体管T1的作用。第五晶体管T5的栅极电极与发光控制线155连接，第五晶体管T5的第一电极与驱动电压线172连接，第五晶体管T5的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。
第六晶体管T6起到将从驱动晶体管T1输出的发光电流传输至发光元件LED的作用。第六晶体管T6的栅极电极与发光控制线155连接，第六晶体管T6的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接，第六晶体管T6的第二电极与发光元件LED的阳极连接。
第七晶体管T7作为p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体或氧化物半导体。第七晶体管T7起到使发光元件LED的阳极初始化的作用。第七晶体管T7的栅极电极与第一扫描线151连接，第七晶体管T7的第一电极与发光元件LED的阳极连接，第七晶体管T7的第二电极与第二初始化电压线128连接。若通过第一扫描线151中负极性的电压而第七晶体管T7导通，则第二初始化电压AVinit施加至发光元件LED的阳极而初始化。另一方面，第七晶体管T7的栅极电极也可以与另外的旁路控制线连接而通过与第一扫描线151分开的布线控制。另外，根据实施例，被施加第二初始化电压AVinit的第二初始化电压线128可以与被施加第一初始化电压Vinit的第一初始化电压线127彼此相同。
说明了一个像素包括七个晶体管T1～T7、两个电容器(保持电容器Cst、升压电容器Cboost)，但是不限于此，根据实施例，也可以去除升压电容器Cboost。另外，尽管是第三晶体管以及第四晶体管形成为n型晶体管的实施例，但是也可以仅这些中的一个形成为n型晶体管，或者其它晶体管形成为n型晶体管。
以上通过图5，观察了位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素以及形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部和位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的发光元件的电路结构。
对此，以下通过图6，观察形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-2显示区域用像素电路部和位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的发光元件的电路结构。
在图6中示出的电路结构是在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1设置像素电路部，在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2设置发光元件以及传输晶体管(第八晶体管)T8的电路结构。
在图6中，通过虚线明确地示出电路结构中位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的元件是发光元件LED以及传输晶体管(第八晶体管)T8。
在图6中形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-2显示区域用像素电路部的结构与图5相同。即，一个像素电路部包括七个晶体管T1～T7以及两个电容器(保持电容器Cst、升压电容器Cboost)。
以下，以图6中与图5有区别的部分即位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的元件为中心观察如下。
在形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-2显示区域用像素电路部中，从第六晶体管T6输出的发光电流传输至传输晶体管(第八晶体管)T8。根据图2至图4，第六晶体管T6和传输晶体管(第八晶体管)T8间的连接可以通过透明连接布线TCL1实现。
位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的传输晶体管(第八晶体管)T8如第六晶体管T6那样作为p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。
传输晶体管(第八晶体管)T8起到通过第六晶体管T6接收从驱动晶体管T1输出的发光电流后，将其传输至位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的发光元件LED的作用。传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极与发光控制线155连接，传输晶体管(第八晶体管)T8的第一电极与第六晶体管T6的第二电极连接，传输晶体管(第八晶体管)T8的第二电极与发光元件LED的阳极连接。
传输晶体管(第八晶体管)T8、第六晶体管T6以及第五晶体管T5的栅极电极全部连接于相同的发光控制线155，从而通过相同的发光信号控制，并在相同的定时导通。
根据实施例，在第六晶体管T6是包含氧化物半导体的n型晶体管的情况下，传输晶体管(第八晶体管)T8也可以是包含氧化物半导体的n型晶体管。即，第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8可以是具有相同特性的晶体管，沟道的尺寸(长度以及宽度)也可以相同地形成。
以下，通过图7以及图8，观察位于具有图5的电路结构的第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素电路部以及形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部的配置以及截面结构。
在基板110之上设置由硅半导体形成的第一半导体层。第一半导体层包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133。另外，第一半导体层不仅包括驱动晶体管T1，而且包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7的沟道，在各沟道的两侧通过等离子体处理或掺杂具有具有导电层特性的区域，从而执行第一电极以及第二电极的作用。基板110可以包含玻璃等具有刚性(rigid)特性而不弯曲的物质，或者包含如塑料或聚酰亚胺(Polyimid)那样可以弯曲的柔性物质。
驱动晶体管T1的沟道1132可以构成为在平面上弯曲的形状。但是，驱动晶体管T1的沟道1132的形状不限于此，可以进行各种变更。例如，驱动晶体管T1的沟道1132也可以弯曲为其它形状，或者也可以构成为杆形状。在驱动晶体管T1的沟道1132的两侧可以设置驱动晶体管T1的第一区域1131以及第二区域1133。位于第一半导体层的第一区域1131以及第二区域1133执行驱动晶体管T1的第一电极以及第二电极的作用。驱动晶体管T1的第一区域1131在图4中向上下方向(第二方向)延伸，向下侧延伸的部分与第二晶体管T2的第二电极连接，向上侧延伸的部分与第五晶体管T5的第二电极连接。驱动晶体管T1的第二区域1133在平面上向上延伸而与第六晶体管T6的第一电极连接，向下侧延伸而与第三晶体管T3连接。
在包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133的第一半导体层之上可以设置第一栅极绝缘膜141。第一栅极绝缘膜141可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质。
在第一栅极绝缘膜141之上可以设置包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层。第一栅极导电层不仅包括驱动晶体管T1，而且包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6以及第七晶体管T7各自的栅极电极以及升压电容器Cboost的下升压电极151a。驱动晶体管T1的栅极电极1151可以与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132被驱动晶体管T1的栅极电极1151覆盖。
第一栅极导电层可以还包括第一扫描线151以及发光控制线155。第一扫描线151以及发光控制线155可以向大致横向方向(第一方向)延伸。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅极电极连接。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅极电极一体地构成。第一扫描线151还与第七晶体管T7的栅极电极连接，第五晶体管T5的栅极电极以及第六晶体管T6的栅极电极与发光控制线155连接。
可以在形成包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层后，执行等离子体处理或掺杂工艺，从而使第一半导体层的暴露的区域导体化。即，可以是，被第一栅极导电层遮挡的第一半导体层不被导体化，没有被第一栅极导电层覆盖的第一半导体层的部分具有与导电层相同的特性。其结果，包括导体化的部分的晶体管具有p型晶体管特性，从而驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7可以是p型晶体管。
在包括驱动晶体管T1的栅极电极1151的第一栅极导电层以及第一栅极绝缘膜141之上可以设置第二栅极绝缘膜142。第二栅极绝缘膜142可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质。
在第二栅极绝缘膜142之上可以设置包括保持电容器Cst的第一保持电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155以及第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层。下屏蔽层3155、4155可以分别位于第三晶体管T3以及第四晶体管T4的沟道下方，从而起到屏蔽(shielding)从下侧提供于沟道的光或电磁干涉等的作用。
第一保持电极1153与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠而构成保持电容器Cst。在保持电容器Cst的第一保持电极1153形成开口1152。保持电容器Cst的第一保持电极1153的开口1152可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第三晶体管T3的下屏蔽层3155可以与第三晶体管T3的沟道3137以及栅极电极3151重叠。第四晶体管T4的下屏蔽层4155可以与第四晶体管T4的沟道4137以及栅极电极4151重叠。
第二栅极导电层可以还包括下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127。下第二扫描线152a、下初始化控制线153a以及第一初始化电压线127可以向大致横向方向(第一方向)延伸。下第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155连接。下第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155一体地构成。下初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155连接。下初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155一体地构成。
在包括保持电容器Cst的第一保持电极1153、第三晶体管T3的下屏蔽层3155以及第四晶体管T4的下屏蔽层4155的第二栅极导电层之上可以设置第一层间绝缘膜161。第一层间绝缘膜161可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质，根据实施例，可以将无机绝缘物质形成得厚。但是，根据实施例，也可以包含有机物质。
在第一层间绝缘膜161之上可以设置包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138的氧化物半导体层。另外，氧化物半导体层可以包括升压电容器Cboost的上升压电极3138t。
第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138可以彼此连接而一体地构成。在第三晶体管T3的沟道3137的两侧设置第三晶体管T3的第一区域3136以及第二区域3138，在第四晶体管T4的沟道4137的两侧设置第四晶体管T4的第一区域4136以及第二区域4138。第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138连接。第三晶体管T3的沟道3137与下屏蔽层3155重叠，第四晶体管T4的沟道4137与下屏蔽层4155重叠。
升压电容器Cboost的上升压电极3138t与升压电容器Cboost的下升压电极151a重叠，从而构成升压电容器Cboost。
在包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138以及升压电容器Cboost的上升压电极3138t的氧化物半导体层之上可以设置第三栅极绝缘膜143。
第三栅极绝缘膜143可以位于氧化物半导体层以及第一层间绝缘膜161之上的整面。因此，第三栅极绝缘膜143可以覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136以及第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136以及第二区域4138、升压电容器Cboost的上升压电极3138t的上面以及侧面。但是，本实施例不限于此，第三栅极绝缘膜143也可以不位于氧化物半导体层以及第一层间绝缘膜161之上的整面。例如，第三栅极绝缘膜143也可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠，与第一区域3136以及第二区域3138不重叠。另外，第三栅极绝缘膜143也可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠，与第一区域4136以及第二区域4138不重叠。
在第三栅极绝缘膜143之上可以设置包括第三晶体管T3的栅极电极3151以及第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层。
第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅极电极3151可以与第三晶体管T3的下屏蔽层3155重叠。
第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅极电极4151可以与第四晶体管T4的下屏蔽层4155重叠。
第三栅极导电层可以还包括上第二扫描线152b以及上初始化控制线153b。
上第二扫描线152b以及上初始化控制线153b可以向大致横向方向(第一方向)延伸。上第二扫描线152b与下第二扫描线152a一起构成第二扫描线152。上第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅极电极3151连接。上第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅极电极3151一体地构成。上初始化控制线153b与下初始化控制线153a一起构成初始化控制线153。上初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅极电极4151连接。上初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅极电极4151一体地构成。
在形成包括第三晶体管T3的栅极电极3151以及第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层后，通过等离子体处理或掺杂工艺，被第三栅极导电层遮挡的氧化物半导体层的部分形成为沟道，没有被第三栅极导电层覆盖的氧化物半导体层的部分被导体化。第三晶体管T3的沟道3137可以位于栅极电极3151之下，以与栅极电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136以及第二区域3138可以不与栅极电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137可以位于栅极电极4151之下，以与栅极电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136以及第二区域4138可以不与栅极电极4151重叠。上升压电极3138t可以不与第三栅极导电层重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可以具有n型晶体管的特性。
在包括第三晶体管T3的栅极电极3151以及第四晶体管T4的栅极电极4151的第三栅极导电层之上可以设置第二层间绝缘膜162。第二层间绝缘膜162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘膜162可以包含氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等无机绝缘物质，根据实施例，可以包含有机物质。第二层间绝缘膜162可以包括第一开口1165、第二开口1166、第三开口3165以及第四开口3166。
第一开口1165可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151的至少一部分重叠。第一开口1165可以还形成于第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161以及第二栅极绝缘膜142。第一开口1165可以与第一保持电极1153的开口1152重叠。第一开口1165可以位于第一保持电极1153的开口1152的内侧。
第二开口1166可以与升压电容器Cboost至少一部分重叠。第二开口1166可以还形成于第三栅极绝缘膜143。
第三开口3165可以与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠。第三开口3165可以还形成于第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142以及第一栅极绝缘膜141。
第四开口3166可以与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠。第四开口3166可以还形成于第三栅极绝缘膜143。
在第二层间绝缘膜162之上可以设置包括第一连接电极1175以及第二连接电极3175的第一数据导电层。
第一连接电极1175可以与驱动晶体管T1的栅极电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过第一开口1165以及第一保持电极1153的开口1152与驱动晶体管T1的栅极电极1151连接。第一连接电极1175可以与升压电容器Cboost重叠。第一连接电极1175可以通过第二开口1166与升压电容器Cboost的上升压电极3138t连接。因此，通过第一连接电极1175，驱动晶体管T1的栅极电极1151和升压电容器Cboost的上升压电极3138t可以连接。此时，通过第一连接电极1175，驱动晶体管T1的栅极电极1151可以还与第三晶体管T3的第二区域3138以及第四晶体管T4的第二区域4138连接。
第二连接电极3175可以与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可以通过第三开口3165与驱动晶体管T1的第二区域1133连接。第二连接电极3175可以与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可以通过第四开口3166与第三晶体管T3的第一区域3136连接。因此，通过第二连接电极3175，驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136可以连接。
第一数据导电层可以还包括第二初始化电压线128。第二初始化电压线128可以向大致横向方向(第一方向)延伸。
在包括第一连接电极1175以及第二连接电极3175的第一数据导电层之上可以设置第一有机膜163。第一有机膜163可以由有机物质形成。
在第一有机膜163之上可以设置包括数据线171以及驱动电压线172的第二数据导电层。数据线171以及驱动电压线172可以向大致纵向方向(第二方向)延伸。数据线171可以与第二晶体管T2连接。驱动电压线172可以与第五晶体管T5连接。另外，驱动电压线172可以与第一保持电极1153连接。
参考图7，第二数据导电层可以附加地包括阳极连接部件ACL1。阳极连接部件ACL1与通过形成于第一有机膜163以及其之下的绝缘膜的开口3261暴露的第六晶体管T6的第二区域1163连接。阳极连接部件ACL1通过开口CNT1暴露而与阳极电连接。
在包括数据线171、驱动电压线172以及阳极连接部件ACL1的第二数据导电层之上可以设置附加有机膜164、第二有机膜180以及第三有机膜181。附加有机膜164、第二有机膜180以及第三有机膜181可以由有机物质形成。
在图7以及图8中省略了图示，但是在第二有机膜180之上且是第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1可以设置透明导电布线TCL1，透明导电布线TCL1被第三有机膜181覆盖。
另外，在图7以及图8中省略了图示，但是在第三有机膜181之上可以设置阳极。可以在阳极之上且与阳极的一端重叠的同时形成像素界定膜。形成于像素界定膜的开口使阳极暴露，在开口内形成发光元件层，在像素界定膜和发光元件层之上形成阴极，从而完成包括阳极、发光元件层、阴极的发光元件LED。另一方面，在阴极之上可以还包括覆盖其的封装层。
以上，根据图5的结构，观察了位于第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素电路部以及形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-1显示区域用像素电路部的实际配置结构。
以下，基于图6，以位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的阳极Ada2-2以及传输晶体管(第八晶体管)T8的截面结构为中心，观察第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的像素电路部中第六晶体管T6的截面结构以及连接关系。
第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第六晶体管T6和第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的传输晶体管(第八晶体管)T8具有相同的截面结构。
即，在位于基板110之上的第一半导体层设置第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8的沟道。在第一半导体层中第六晶体管T6的沟道1162的两侧设置第一区域1161以及第二区域1163。在传输晶体管(第八晶体管)T8的沟道的两侧也设置第一区域以及第二区域。
在包括第六晶体管T6的沟道1162、第一区域1161以及第二区域1163和传输晶体管(第八晶体管)T8的沟道、第一区域以及第二区域的第一半导体层之上设置第一栅极绝缘膜141。
在第一栅极绝缘膜141之上设置第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极155。第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极155与各自的沟道重叠。第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极155可以作为发光控制线155的一部分，一体地形成。
在第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8中，可以将栅极电极155作为掩模，对第一半导体层执行等离子体处理或掺杂工艺，使第一半导体层的暴露的区域导体化。即，通过栅极电极155，第一半导体层不被导体化而形成沟道，没有被栅极电极155覆盖的第一半导体层的部分被导体化为具有与导电层相同的特性。
在第六晶体管T6以及传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极155之上可以依次设置第二栅极绝缘膜142、第一层间绝缘膜161、第三栅极绝缘膜143以及第二层间绝缘膜162。
在第一栅极绝缘膜141、第二栅极绝缘膜142、第一层间绝缘膜161、第三栅极绝缘膜143以及第二层间绝缘膜162形成开口，从而使第一半导体层的一部分暴露。
通过开口3165，第六晶体管T6的第一区域1161暴露，通过位于第二层间绝缘膜162之上的第二连接电极3175，驱动晶体管T1的第二区域1133和第六晶体管T6的第一区域1161电连接。
通过开口CNT2-1、CNT3-1，传输晶体管(第八晶体管)T8的第一半导体层的第一区域以及第二区域分别暴露，通过连接部件MCL2-1、MCL3-1，与传输晶体管(第八晶体管)T8的第一区域以及第二区域连接。
第二连接电极3175以及连接部件MCL2-1、MCL3-1形成于第一数据导电层，并覆盖有覆盖第一数据导电层的第一有机膜163。
在第一有机膜163以及其之下的绝缘膜162、143、161、142、141形成开口3261，在开口3261暴露第六晶体管T6的第二区域1163。在第一有机膜163之上形成阳极连接部件ACL1作为第二数据导电层，从而与第六晶体管T6的第二区域1163连接。
设置覆盖第二数据导电层的附加有机膜164，通过开口CNT1、CNT2-2分别暴露阳极连接部件ACL1以及连接部件MCL2-1。通过开口CNT1、CNT2-2暴露的阳极连接部件ACL1以及连接部件MCL2-1通过位于附加有机膜164之上的透明连接布线TCL1彼此连接。透明连接布线TCL1被第二有机膜180覆盖。第二有机膜180、附加有机膜164以及第一有机膜163形成有开口CNT3-2，通过开口CNT3-2暴露连接部件MCL3-1。暴露的连接部件MCL3-1与位于第二有机膜180之上的阳极连接部件ACL3-1连接。阳极连接部件ACL3-1被第三有机膜181覆盖，通过位于第三有机膜181的开口，阳极Ada2-2和阳极连接部件ACL3-1连接。
根据如图9那样的截面结构，从第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第六晶体管T6输出的发光电流可以经过第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的传输晶体管(第八晶体管)T8传输至阳极Ada2-2。
以下，通过图10至图14，观察位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的阳极中的一部分使用传输晶体管(第八晶体管)T8连接，其余一部分没有传输晶体管(第八晶体管)T8而直接与第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的第2-2显示区域用像素电路部通过透明连接布线直接连接的结构。
首先，观察图10的实施例的结构如下。
图10是示出在根据一实施例的发光显示装置中第二显示区域的配置图。
在图10中，可以将位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的阳极Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2划分为第一阳极和第二阳极，第一阳极是没有传输晶体管(第八晶体管)T8而仅通过透明连接布线TCL1接收发光电流的阳极。另一方面，第二阳极是包括传输晶体管(第八晶体管)T8，并使用一个透明连接布线TCL2将发光电流接收于多个阳极的阳极。
图10的第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1设置有多个像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2以及多个发光元件，在图10中示出多个发光元件的阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1。第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的多个像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2划分为第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2。第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1是将发光电流传输于位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1的像素电路部。第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1可以一对一对应。
第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1，但是生成要传输于位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的发光元件的发光电流。
在图10的实施例中，第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1和第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2交替设置。但是，根据实施例，可以以各种排列设置。
另外，在图10的实施例中，以三个像素为单位像素反复排列。构成一个单位像素的三个像素由一个红色像素、一个蓝色像素以及一个绿色像素构成。但是，根据实施例，包括至少一个红色像素、至少一个绿色像素以及至少一个蓝色像素。
第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2中的一部分是每个像素电路部连接一个透明连接布线TCL1，一个透明连接布线TCL1与第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的一个阳极连接。透明连接布线TCL1向第一方向延伸。此时，参考图11，透明连接布线TCL1可以位于第二有机膜180之上，并被第三有机膜181覆盖。
另一方面，第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2中的其余一部分是在使用少数的透明连接布线TCL2的同时，包括传输晶体管(第八晶体管)T8而传输发光电流。即，在第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1中，多个像素电路部通过一个透明连接布线TCL2连接，一个透明连接布线TCL2在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2中也与多个传输晶体管(第八晶体管)T8连接而将发光电流传输于多个阳极。在图10中未示出发光控制线155，但是向第一方向延伸并与传输晶体管(第八晶体管)T8的栅极电极连接。其结果，可以通过施加于发光控制线155的发光信号导通，发光电流传输至连接于导通的传输晶体管(第八晶体管)T8的阳极。
在图10中，透明连接布线TCL2包括向与发光控制线155的延伸方向(第一方向)垂直的方向(第二方向)延伸并位于第2-1显示区域DA2-1的第一部分、向与发光控制线155的延伸方向(第一方向)垂直的方向(第二方向)延伸并位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的第二部分以及连接第一部分和第二部分并向与发光控制线155的延伸方向(第一方向)平行的方向形成的连接部分。此时，参考图11，透明连接布线TCL2可以位于第二层间绝缘膜162之上，并被第一有机膜163覆盖。即，两个透明连接布线TCL1、TCL2可以位于彼此不同的层而在平面图上交叉。
传输晶体管(第八晶体管)T8可以与第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的阳极在平面图上重叠，透明连接布线TCL2由透明导电物质形成，从而第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的透明区域能够不减少。
在图10中，使用传输晶体管(第八晶体管)T8连接的阳极示出四个，不使用传输晶体管(第八晶体管)T8连接的阳极示出了八个。但是，是否使用传输晶体管(第八晶体管)T8形成可以考虑在第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的面积能够形成的透明布线的数量，当需要通过一个布线连接多个时，形成为使用传输晶体管(第八晶体管)T8连接。此时，使用传输晶体管(第八晶体管)T8连接的阳极的数量可以更少。但是，根据实施例，也可以如在图2以及图3中那样，利用传输晶体管(第八晶体管)T8连接全部或多数量的阳极。
以下，通过图11，再观察根据与图8以及图9不同的实施例的截面结构。
图11是示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的层状结构的截面图。
参考图11，与图8以及图9不同，在基板110和第一半导体层ACT之间设置金属层BML以及缓冲层111。金属层BML可以与晶体管的沟道重叠。
与图8以及图9不同，图11的截面结构包括两个透明连接布线TCL1、TCL2，一个透明连接布线TCL1位于第二有机膜180之上，并被第三有机膜181覆盖，另一个透明连接布线TCL2位于第二层间绝缘膜162之上，并被第一有机膜163覆盖。
参考图11，以作为像素电路部的晶体管的包含硅半导体的晶体管LTPS TFT和包含氧化物半导体的晶体管Oxide TFT的层状结构为中心观察整体截面结构。
在图11中，基板110可以包含玻璃等具有刚性(rigid)特性而不弯曲的物质，或者包含如塑料或聚酰亚胺(Polyimid)那样可以弯曲的柔性物质。
在基板110之上设置金属层BML，金属层BML位于与第一半导体层ACT的沟道重叠的区域。金属层BML也称为下屏蔽层，可以包含铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。
在金属层BML之上可以设置覆盖其的缓冲层111，缓冲层111起到阻挡杂质元素渗透于第一半导体层的作用，并可以是包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘膜。
在缓冲层111之上设置第一半导体层ACT。第一半导体层ACT包括沟道区域和位于沟道区域的两侧的第一区域以及第二区域。
第一栅极绝缘膜141可以设置为覆盖第一半导体层ACT或仅与第一半导体层ACT的沟道区域重叠。第一栅极绝缘膜141可以是包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘膜。
在第一栅极绝缘膜141之上设置第一栅极导电层GAT1，第一栅极导电层GAT1包括包含硅半导体的晶体管LTPS TFT的栅极电极。第一栅极导电层GAT1可以包含铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。第一半导体层ACT中在平面上与栅极电极124重叠的区域可以是沟道区域。
第一栅极导电层GAT1被第二栅极绝缘膜142覆盖，第二栅极绝缘膜142可以是包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘膜。
在第二栅极绝缘膜142之上设置第二栅极导电层GAT2，第二栅极导电层GAT2包括构成栅极电极和保持电容器的第一保持电极以及位于氧化物半导体层ACT2的下方的氧化物半导体晶体管用下屏蔽层。第二栅极导电层GAT2可以包含铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。
第二栅极导电层GAT2被第一层间绝缘膜161覆盖，第一层间绝缘膜161可以包括包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘膜。
在第一层间绝缘膜161之上设置氧化物半导体层ACT2，氧化物半导体层ACT2包括沟道区域和位于沟道区域的两侧的第一区域以及第二区域。
氧化物半导体层ACT2被第三栅极绝缘膜143覆盖，第三栅极绝缘膜143可以包括包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘膜。
第三栅极绝缘膜143以及第一层间绝缘膜161可以具有与第二栅极导电层GAT2中的氧化物半导体晶体管用下屏蔽层的一部分重叠的开口。
在第三栅极绝缘膜143之上设置第三栅极导电层GAT3，第三栅极导电层GAT3包括氧化物半导体晶体管的栅极电极以及与氧化物半导体晶体管用下屏蔽层连接的连接部件。第三栅极导电层GAT3可以包含铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。
第三栅极导电层GAT3被第二层间绝缘膜162覆盖，第二层间绝缘膜162可以包括包含氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiONx)等的无机绝缘膜，根据实施例可以包含有机物质。
第二层间绝缘膜162以及位于其下方的绝缘膜可以包括与第一半导体层ACT以及氧化物半导体层ACT2重叠的开口。
在第二层间绝缘膜162之上设置第一数据导电层SD1，第一数据导电层SD1可以包括连接部件，从而起到将电压或电流提供于第一半导体层ACT以及氧化物半导体层ACT2或者将电压或电流传输至其它元件的作用。第一数据导电层SD1可以包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。
在此，在图11的根据实施例的发光显示装置中，在第二层间绝缘膜162之上可以形成透明连接布线TCL2。透明连接布线TCL2由氧化铟锡(ITO；Indium-Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO；Indium-Zinc Oxide)、氧化铟镓锌(IGZO；Indium-Gallium-Zinc Oxide)等透明导电物质形成，从而尽管相同地位于第二层间绝缘膜162之上，但可以通过与第一数据导电层SD1分开的掩模形成。如在图10中那样，透明连接布线TCL2可以是连接位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的像素电路部和位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的传输晶体管(第八晶体管)T8的布线。传输晶体管(第八晶体管)T8的结构可以具有图11的包含硅半导体的晶体管LTPS TFT的截面结构。
第一数据导电层SD1以及透明连接布线TCL2被第一有机膜163覆盖。第一有机膜163可以是包含有机物质的有机绝缘膜，作为有机物质可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组的一种以上的物质。
第一有机膜163可以包括与第一数据导电层SD1以及透明连接布线TCL2重叠的开口，在第一有机膜163之上设置第二数据导电层SD2。第二数据导电层SD2可以通过开口与第一数据导电层SD1或透明连接布线TCL2连接。第二数据导电层SD2可以包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。
第二数据导电层SD2被第二有机膜180覆盖。第二有机膜180可以是有机绝缘膜，可以包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组的一种以上的物质。
在第二有机膜180之上设置由氧化铟锡(ITO；Indium-Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO；Indium-Zinc Oxide)、氧化铟镓锌(IGZO；Indium-Gallium-Zinc Oxide)等透明导电物质形成的透明连接布线TCL1。如在图10中那样，透明连接布线TCL1可以是连接位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的像素电路部和位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的阳极的布线。
透明连接布线TCL1被第三有机膜181覆盖。第三有机膜181可以是有机绝缘膜，可以包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组的一种以上的物质。
在第三有机膜181之上可以设置阳极层Anode、Ada2-2，具有通过位于第三有机膜181及/或第二有机膜180的开口与第二数据导电层SD2或透明连接布线TCL1连接的结构。位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2并与透明连接布线TCL2连接的阳极可以通过与透明连接布线TCL2电连接的第二数据导电层SD2电连接。阳极层Anode、Ada2-2可以由包括透明导电性氧化膜以及金属物质的单层或包括它们的多层构成。透明导电性氧化膜可以包含氧化铟锡(ITO；Indium-Tin Oxide)、聚氧化铟锡(poly-ITO)、氧化铟锌(IZO；Indium-ZincOxide)、氧化铟镓锌(IGZO；Indium-Gallium-Zinc Oxide)以及氧化铟锡锌(ITZO；IndiumTin Zinc Oxide)等，金属物质可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)以及铝(Al)等。
在阳极层Anode、Ada2-2之上可以设置暴露阳极的同时覆盖阳极的至少一部分的像素界定膜380。像素界定膜(Pixel Defining Layer；PDL)380也称为隔壁，可以是包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组的一种以上的物质的有机绝缘膜。另外，根据实施例，像素界定膜380可以由具有黑色的黑色(Black)PDL(Pixel Defining Layer；像素界定膜)形成。
以上，利用图10以及图11，针对使用两个透明连接布线TCL1、TCL2的实施例进行了观察。
以下，通过图12至图14，针对包括被施加相同发光电流的多个发光元件(以下也称为复制发光元件)的实施例进行观察。
首先，通过图12，观察图10的变形实施例。
图12是示出在根据一实施例的发光显示装置中第二显示区域的配置图。
图12的实施例在图10的实施例中附加地还包括透明连接布线TCL3和连接于其的复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c。复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c在图12中以c表示。
原阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1、Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2是从像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2被直接施加发光电流的阳极，透明连接布线TCL3从原阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1、Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2或像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2将相同的发光电流传输至复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c。
包括复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c的发光元件是复制发光元件，与包括原阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1、Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2的原发光元件一直接收相同的发光电流而发出相同亮度的光。
这样的复制发光元件可以形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1以及第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2，具有像素数量看起来多的效果。尤其是，具有在与第一显示区域(一般显示区域)DA1相比像素数量减少的第二显示区域中像素数量以相当于第一显示区域(一般显示区域)DA1程度看起来多的优点。在第一显示区域(一般显示区域)DA1可以不形成复制发光元件。
形成于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c与原阳极Arda2-1、Agda2-1、Abda2-1通过透明连接布线TCL3连接。
另一方面，位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的复制阳极Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c与原阳极Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2通过透明连接布线TCL1、TCL2连接。
位于第2-2显示区域(透明显示区域)DA2-2的复制阳极Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c划分为没有传输晶体管(第八晶体管)T8而仅通过透明连接布线TCL1连接于接收发光电流的阳极的情况和使用传输晶体管(第八晶体管)T8以及透明连接布线TCL2连接于接收发光电流的阳极的情况。
在图12中，由于复制阳极Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c，像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2间的上下间隔可以比图10的实施例大。尽管在图12的实施例中未图示，但是在与复制阳极Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c在平面图上重叠的部分可以设置布线。
以下，通过图13，观察图12的结构的截面结构。
图13是示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的层状结构的截面图。
在图13的截面结构中，从金属层BML到像素界定膜380的结构可以与图10的结构实质上相同。
在图13中，与图10不同，作为基板110由多个层构成的实施例，示出可以是具有柔性特性的基板。即，如图13的实施例那样，具有柔性特性的基板110可以具有聚酰亚胺层和阻挡层的双层反复多次的结构，在图13中，具有聚酰亚胺层和阻挡层反复两次形成的结构。
另外，在图13的实施例中，与图10的实施例不同，示出为第三栅极导电层GAT3具有双层的结构。
在图13中附加形成的复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c与其它阳极Anode、Ada2-2在相同的层由相同的物质形成。
另一方面，在图13中，附加形成的透明连接布线TCL3比其它透明连接布线TCL1、TCL2位于上层，也比阳极Anode、Ada2-2形成于上层。
参考图13，在像素界定膜380之上设置间隔物385。间隔物385可以是包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组的一种以上的物质的有机绝缘膜。另一方面，根据实施例，可以由与像素界定膜380相同的物质与像素界定膜380一起形成。另外，根据实施例，间隔物385也可以如像素界定膜380那样由具有黑色的黑色有机物质形成。
在间隔物385以及像素界定膜380之上设置透明连接布线TCL3。透明连接布线TCL3可以包含氧化铟锡(ITO；Indium-Tin Oxide)、聚氧化铟锡(poly-ITO)、氧化铟锌(IZO；Indium-Zinc Oxide)、氧化铟镓锌(IGZO；Indium-Gallium-Zinc Oxide)以及氧化铟锡锌(ITZO；Indium Tin Zinc Oxide)等而形成。
根据图13，透明连接布线TCL3具有与通过形成于像素界定膜380的开口暴露的阳极Anode、Ada2-2直接连接的结构。
在阳极Anode、Ada2-2、间隔物385、像素界定膜380以及透明连接布线TCL3之上可以依次形成发光层EL以及阴极Cathod。发光层EL以及阴极Cathod可以遍布全区域形成，在这样的实施例中，发光层EL可以发出全部相同颜色(例如白色)的光。另一方面，根据实施例，发光层EL可以仅位于仅位于在像素界定膜380形成的开口内而暴露的阳极Anode、Ada2-2的上方。在这样的实施例中，各发光层EL可以发出彼此不同颜色的光。
发光层EL可以还包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层之类辅助层，可以是，在发光层EL的下方设置空穴注入层以及空穴传输层，在发光层EL的上方设置电子传输层以及电子注入层。
阴极Cathod可以由透光性电极或反射电极形成。根据实施例，阴极可以是透明或半透明电极，可以由包含锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)以及它们的化合物的功函数小的金属薄膜形成。另外，在金属薄膜之上可以还设置氧化铟锡(ITO；Indium-Tin Oxide)、氧化铟锌(IZO；Indium-Zinc Oxide)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)等透明氧化导电膜(TCO；transparent conductive oxide)。阴极可以遍布显示区域DA整面一体地形成，从而配置于发光层EL和像素界定膜380的上方。另外，阴极Cathod可以具有半透明特性，此时，可以与阳极Anode、Ada2-2一起构成微腔。根据微腔结构，通过两电极之间的间距以及特性，使得特定波长的光向上方发出，其结果，可以显示红色、绿色或蓝色。
在阴极Cathod之上设置封装层400。封装层400包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，根据实施例，可以具有包括第一无机封装层、有机封装层以及第二无机封装层的三层结构。封装层400可以用于保护发光元件LED免受可能从外部流入的水分或氧气等的影响。根据实施例，封装层400可以包括依次进一步叠层无机层和有机层的结构。
在封装层400之上，为了触摸感测，设置感测绝缘层510、多个感测电极540、541以及无机保护膜501。在图13的实施例中，可以利用两个感测电极540、541，以电容方式(capacitive type)感测触摸。
在封装层400之上形成无机保护膜501，在其之上形成多个感测电极540、541。多个感测电极540、541可以隔着感测绝缘层510绝缘，一部分可以通过位于感测绝缘层510的开口电连接。在此，感测电极540、541可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)等金属或金属合金，可以由单层或多层构成。
在上方的感测电极541之上设置遮光部件220以及滤色器层230。
遮光部件220可以设置为与感测电极540、541在平面上重叠，并可以设置为与阳极Anode、Ada2-2在平面上不重叠。这是为了使得能够显示图像的阳极Anode、Ada2-2不被遮光部件220以及感测电极540、541遮挡。
在感测绝缘层510以及遮光部件220之上设置滤色器层230。滤色器层230包括透射红色光(Red light)的红色滤色器、透射绿色光(Green light)的绿色滤色器以及透射蓝色光(Blue light)的蓝色滤色器。各个滤色器230可以设置为与发光元件的阳极Anode、Ada2-2在平面上重叠。从发光层EL发出的光可以在经过滤色器的同时变更为相应颜色，同时发出。
遮光部件220可以位于各个滤色器230之间。根据实施例，滤色器层230可以代替为颜色转换层，或者还包括颜色转换层。颜色转换层可以包含量子点(Quantum Dot)。
在滤色器层230之上设置覆盖滤色器层230的第一平坦化层550。在第一平坦化层550之上，为了提升显示装置的正面识别性以及出光效率，可以设置低折射层560以及第二平坦化层570。低折射层560包括开口部，整体地被第二平坦化层570覆盖。第一平坦化层550以及第二平坦化层570用于对发光显示装置的上面进行平坦化，第一平坦化层550以及第二平坦化层570可以是包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯以及酚醛树脂组成的组的一种以上的物质的有机绝缘膜。另外，第二平坦化层570可以包含具有高折射率的物质。另一方面，低折射层560可以包含具有低折射率的光透射性有机绝缘物质，作为其例，可以包括丙烯酸(acrylic)树脂、聚酰亚胺(polyimide)树脂、聚酰胺(polyamide)树脂以及三(8-羟基喹啉)铝(Alq3；Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium)中的至少一种。低折射层560可以具有比第二平坦化层570相对小的折射率。例如，低折射层560可以具有1.40～1.59的折射率，第二平坦化层570可以具有1.60～1.80的折射率。通过这样的低折射层560以及第二平坦化层570的结构，从发光层EL产生的光的至少一部分在低折射层560与第二平坦化层570之间的界面处全反射，从而光能够向正面聚光。
基于将如图13那样的结构使用掩模进行蚀刻的工艺而依次图示的话，可以如图14。
图14是示出根据一实施例的发光显示装置的制造步骤以及根据其的变形例的图。
在图14中，大体上在第一显示区域(一般显示区域)DA1中制造工艺的顺序在左侧示出，附加地形成透明连接布线TCL1、TCL2、TCL3的工艺在右侧附加地示出。在左侧，在各步骤记载的数字作为记载形成第一显示区域(一般显示区域)DA1时使用的掩模的数字，当在第一显示区域(一般显示区域)DA1形成到间隔物时，可以使用共16个掩模形成。
另一方面，在图14中示出了透明连接布线TCL1、TCL3的工艺顺序固定，但是透明连接布线TCL2的工艺顺序可以进行各种变更。但是，根据实施例，透明连接布线TCL1、TCL3的工艺顺序也可以位于透明连接布线TCL2的工艺顺序中的一个顺序。
根据图14，在第一显示区域(一般显示区域)DA1中利用第一个掩模在基板110之上形成金属层BML。在金属层BML之上形成缓冲层111之后，在其之上利用第二个掩模形成第一半导体层ACT。在第一半导体层ACT之上形成第一栅极绝缘膜141之后，使用第三个掩模形成第一栅极导电层GAT1。在第一栅极导电层GAT1之上形成第二栅极绝缘膜142，之后，使用第四个掩模形成第二栅极导电层GAT2。在第二栅极导电层GAT2之上形成第一层间绝缘膜161之后，使用第五个掩模形成氧化物半导体层ACT2。在氧化物半导体层ACT2之上形成第三栅极绝缘膜143之后，使用第六个掩模在第三栅极绝缘膜143以及第一层间绝缘膜161形成开口GCNT。之后，在第三栅极绝缘膜143之上使用第七个掩模形成第三栅极导电层GAT3。第三栅极导电层GAT3包括通过形成于第三栅极绝缘膜143以及第一层间绝缘膜161的开口GCNT与氧化物半导体晶体管用下屏蔽层连接的连接部件。在第三栅极导电层GAT3之上形成第二层间绝缘膜162之后，使用第八个掩模以及第九个掩模形成开口PCNT、OCNT。可以是，通过第八个掩模，在第二层间绝缘膜162、第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142以及第一栅极绝缘膜141形成开口PCNT而暴露第一半导体层ACT，通过第九个掩模，在第二层间绝缘膜162以及第三栅极绝缘膜143形成开口OCNT而暴露氧化物半导体层ACT2。在第二层间绝缘膜162之上使用第十个掩模形成第一数据导电层SD1。第一数据导电层SD1可以还包括通过开口PCNT与第一半导体层ACT连接的部分以及通过开口OCNT与氧化物半导体层ACT2连接的部分。在第一数据导电层SD1之上形成第一有机膜163，之后，使用第十一个掩模在第一有机膜163形成开口CNT。在第一有机膜163之上使用第十二个掩模形成第二数据导电层SD2。第二数据导电层SD2包括通过形成于第一有机膜163的开口CNT与第一数据导电层SD1连接的部分。第二数据导电层SD2形成第二有机膜180，之后，使用第十三个掩模在第二有机膜180形成开口CNT。在第二有机膜180之上使用第十四个掩模形成阳极层Anode。阳极层Anode在第二有机膜180通过开口CNT与第二数据导电层SD2连接。在第二有机膜180之上使用第十五个掩模形成像素界定膜380。之后，使用第十六个掩模在像素界定膜(BPDL)380之上形成间隔件(SPC)385。形成于其之上的发光层EL以及阴极Cathod可以没有掩模而形成于整个区域。
图12以及图13的实施例除如上那样的第一显示区域(一般显示区域)DA1的像素电路部以及发光元件的结构外，第二显示区域DA2附加地还形成三个透明连接布线TCL1、TCL2、TCL3。
在图12以及图13的实施例中，位于最下的透明连接布线TCL2可以使用单独的掩模形成于第二层间绝缘膜162之上。透明连接布线TCL2由透明导电物质形成，虽然在第二层间绝缘膜162之上位于与第一数据导电层SD1相同的层，但是通过单独的掩模形成。根据图14，透明连接布线TCL2可以在从形成第二栅极导电层GAT2之后到形成第一数据导电层SD1之后为止的步骤中的一个步骤中形成。
另一方面，在图12以及图13的实施例中，位于中间的透明连接布线TCL1使用单独的掩模形成，并在使用第十三个掩模形成开口CNT之后，使用第十四个掩模形成阳极层Anode之前形成。即，在第二有机膜180之上通过一个掩模形成透明连接布线TCL1，之后，形成覆盖透明连接布线TCL1的第三有机膜181，使用附加掩模在第三有机膜181形成开口CNT。之后，形成阳极层Anode。
另一方面，在图12以及图13的实施例中，位于最上的透明连接布线TCL3在形成间隔物(SPC)385后使用单独的掩模形成。
若如此形成三个透明连接布线TCL1、TCL2、TCL3，则可能还需要共四张掩模。另外，根据实施例，三个透明连接布线TCL1、TCL2、TCL3的上下位置关系也可以与图14不同而位于不同的层。
根据实施例，当将在透明显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2中连接传输晶体管(第八晶体管)T8的透明连接布线称为第一透明连接布线，将没有传输晶体管(第八晶体管)T8而直接连接阳极和透明显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2的透明连接布线称为第二透明连接布线时，第二透明连接布线可以形成为比第一透明连接布线靠近基板110。
另外，若将与复制阳极Arda2-1c、Agda2-1c、Abda2-1c、Arda2-2c、Agda2-2c、Abda2-2c连接的透明连接布线称为第三透明连接布线，则第三透明连接布线可以形成为比第一透明连接布线以及第二透明连接布线远离基板110。
另外，参考图14，第一透明连接布线可以在制造包括在透明显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2中的晶体管的工艺中或者制造晶体管后下一工艺前设置。
以下，通过图15，观察可以将比图2的实施例更多的发光元件形成于显示区域DA的实施例。
图15是放大并简要示出在根据一实施例的发光显示装置中第一显示区域以及第二显示区域的图。
图15是图2的变形例，具有比在图2中位于第2-1显示区域(中间显示区域)DA2-1的多个像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2的数量多两倍的数量的像素电路部Prda2-1、Prda2-2、Pgda2-1、Pgda2-2、Pbda2-1、Pbda2-2。图15的实施例相比于图2的实施例，第2-1显示区域用像素电路部Prda2-1、Pgda2-1、Pbda2-1的数量以及第2-2显示区域用像素电路部Prda2-2、Pgda2-2、Pbda2-2的数量也是两倍。
在图15的实施例中，连接于一个透明连接布线TCL1的传输晶体管(第八晶体管)T8以及阳极Arda2-2、Agda2-2、Abda2-2的数量也可以相比于图2的实施例是两倍。
位于第二显示区域DA2的像素的PPI(Pixel Per Inch，每英寸像素)值形成为比形成于第一显示区域DA1的像素的PPI值小。图15的实施例的PPI值也可以大于图2的实施例的PPI值。
针对此，以表进行整理，如下面的表1。
[表1]
Figure BDA0003340032080000421
Figure BDA0003340032080000431
在表1中记述在图2以及图15的实施例中形成于第一显示区域DA1的发光元件和形成于第2-2显示区域DA2-2的发光元件的关系，第一方向以及第二方向表示对应方向上的像素(像素电路部或发光元件)的数量关系，像素数表示一定面积中的像素(像素电路部或发光元件)的数量关系，PPI表示相对于英寸的像素数量。尤其是，关于第一方向、第二方向以及像素数，当将形成于第一显示区域DA1的发光元件的数量视为1时，记载在图2的实施例和图15的实施例中形成于第2-2显示区域DA2-2的发光元件的数量比。
首先，在图2的实施例中，形成于第2-2显示区域DA2-2的发光元件的数量在第一方向以及第二方向上分别是数量减少为一半，针对单位面积，形成于第2-2显示区域DA2-2的发光元件的数量具有1/4值。对此，PPI值具有第一显示区域DA1的PPI值的一半值。
另一方面，在图15的实施例中，形成于第2-2显示区域DA2-2的发光装置的数量仅在第一方向上数量减少为一半，针对单位面积，形成于第2-2显示区域DA2-2的发光元件的数量具有1/2值。对此，PPI值具有第一显示区域DA1的PPI值与图2的实施例的在第2-2显示区域DA2-2中的PPI值之间的值。
本发明的形成于第2-2显示区域DA2-2的发光元件通过一个透明连接布线TCL1连接多个传输晶体管(第八晶体管)T8以及阳极而能够减少连接至第2-2显示区域DA2-2的阳极的布线的数量，从而能够使得更多的阳极形成于第2-2显示区域DA2-2。
另一方面，通过一个透明连接布线TCL1施加于传输晶体管(第八晶体管)T8的通过发光控制线155的发光信号不在相同时间同时使传输晶体管(第八晶体管)T8导通，从而能够不在彼此重叠的同时施加发光信号。
另外，附加地，在图2以及图15的实施例中，也可以如图10那样附加复制阳极或复制发光元件。
以下，通过图16以及图17，整体观察包括如上那样的显示面板的显示装置的结构。
图16是根据一实施例的发光显示装置的分解立体图，图17是根据一实施例的发光显示装置的简要截面图。
参照图16以及图17，显示装置1000在通过第一方向DR1以及第二方向DR2界定的平面上朝向第三方向DR3显示图像。各部件的前面(或上面)和背面(或下面)通过第三方向DR3划分。第一至第三方向DR1、DR2、DR3指示的方向是相对概念，可以变换为其它方向。
显示装置1000包括覆盖窗WU、显示面板DP以及外壳部件HM。在本实施例中，覆盖窗WU、显示面板DP以及外壳部件HM可以结合而构成显示装置1000。
覆盖窗WU配置于显示面板DP上而保护显示面板DP。覆盖窗WU可以包括透射区域TA以及阻挡区域BA。透射区域TA可以是光学透明的区域，是使入射的光透射的区域。阻挡区域BA可以是与透射区域TA相比光透射率相对低的区域。阻挡区域BA界定透射区域TA的形状。阻挡区域BA可以围绕透射区域TA。阻挡区域BA可以呈现预定的颜色。阻挡区域BA可以与显示面板DP的非显示区域PA重叠而阻挡非显示区域PA从外部被识别。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，或者不限于此，是柔性显示面板。根据本发明的一实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板，对此不特别限制。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包含有机发光物质。量子点发光显示面板的发光层可以包含量子点以及量子棒等。以下，显示面板DP说明为有机发光显示面板。
显示面板DP在前面显示图像。显示面板DP的前面包括显示区域DA以及非显示区域PA。图像显示于显示区域DA。非显示区域PA可以围绕显示区域DA。
显示面板DP可以包括位于显示区域DA的多个像素。像素可以响应电信号而显示光。像素所显示的光可以实现图像。一像素所包括的晶体管的数量和电容器的数量以及连接关系可以进行各种变形。
根据一实施例的显示面板DP可以包括第一显示区域DA1以及第二显示区域DA2。第二显示区域DA2作为使得能够执行除显示图像的固有功能之外其它功能的部分，可以包括第2-1显示区域DA2-1以及第2-2显示区域DA2-2。第2-2显示区域DA2-2可以与光学装置OS重叠，并具有高光透射率，第2-1显示区域DA2-1可以以第2-2显示区域DA2-2为基准而位于第一方向DR1上两侧。在此，光透射率意指向第三方向DR3透射显示面板DP的光的透射率。光可以是可见光及/或可见光之外的波长的光(例如，红外光)。
在显示区域DA中，第二显示区域DA2可以进行各种配置。在图示的实施例中，第二显示区域DA2位于第一显示区域DA1内，并被第一显示区域DA1围绕。第二显示区域DA2可以接触于非显示区域PA设置，例如，在显示区域DA的上端，在左侧、右侧及/或中央分离为两个以上的区域来设置。第二显示区域DA2可以具有四边形、三角形等多边形、圆形、椭圆形等各种形状。
显示面板DP包括从显示区域DA延伸设置多个信号线以及焊盘部的非显示区域PA。在非显示区域PA可以设置数据驱动部50。根据一实施例，非显示区域PA的焊盘部可以与包括驱动芯片80的印刷电路板PCB电连接。
如图2所示，在显示面板DP与覆盖窗WU之间可以设置使显示面板DP以及覆盖窗WU结合的粘合层AD。另一方面，尽管本说明书未图示，但是可以还包括位于显示面板DP与覆盖窗WU之间的触摸单元。触摸单元可以为了显示装置1000的触摸屏功能，配置于显示面板DP上。触摸单元可以一体地形成于显示面板DP上。触摸单元可以包括各种图案的触摸电极，可以是电阻膜方式或电容方式等。
再次参照图1，光学装置OS包括用于使显示装置1000工作的各种功能性模组。光学装置OS可以通过未图示的连接器等与显示面板DP电连接。例如，光学装置OS可以是相机或者光学传感器等。
作为一例，光学装置OS可以感测通过显示面板DP的第2-2显示区域DA2-2以及覆盖窗WU的透射区域TA接收的外部被摄物体。光学装置OS可以接收通过第2-2显示区域DA2-2以及透射区域TA传输的外部输入或通过第2-2显示区域DA2-2以及透射区域TA提供输出。
例如，光学装置OS可以是发光模组、光感测模组以及拍摄模组中的至少任一个。例如，光学装置OS可以包括输出红外线的发光模组、用于红外线感测的CMOS(互补金属氧化物半导体)传感器、拍摄外部被摄物体的相机模组中的至少任一个。
外壳部件HM配置于显示面板DP的下侧。外壳部件HM与覆盖窗WU结合而构成显示装置1000的外观。外壳部件HM可以包含具有相对高刚性的物质。例如，外壳部件HM可以包括由玻璃、塑料、金属构成的多个框架及/或板。
外壳部件HM提供预定的容纳空间。显示面板DP可以容纳在容纳空间内而被保护免受外部冲击的影响。
以上，针对本发明的实施例进行了详细说明，但是本发明的权利范围不限于此，利用在权利要求书中定义的本发明的基本概念的本领域技术人员的各种变形及改良形式也属于本发明的权利范围。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，其中，包括：
显示面板，包括显示区域，
所述显示面板的所述显示区域包括：
透明显示区域；
中间显示区域，从所述透明显示区域沿着第一方向位于一侧或两侧，并包括透明显示区域用像素电路部；以及
一般显示区域，
所述透明显示区域包括：
第一阳极；以及
传输晶体管，将从所述透明显示区域用像素电路部输出的发光电流传输至所述第一阳极。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
在所述透明显示区域用像素电路部中连接所述传输晶体管的布线是包含透明导电物质的第一透明连接布线，
一个所述第一透明连接布线连接多个所述透明显示区域用像素电路部和多个所述传输晶体管。
3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，
所述第一透明连接布线包括第一部分、第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的连接部分，
所述第一部分位于所述中间显示区域，并与多个所述透明显示区域用像素电路部连接，
所述第二部分位于所述透明显示区域，并与多个所述传输晶体管连接，
所述连接部分向第一方向延伸而连接所述第一部分和所述第二部分，
所述第一部分以及所述第二部分向垂直于所述第一方向的第二方向延伸，
所述第一部分、所述第二部分以及所述连接部分由相同的透明导电物质一体地形成。
4.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，
所述中间显示区域还包括：
中间显示区域用像素电路部；以及
阳极，接收所述中间显示区域用像素电路部的发光电流，并位于所述中间显示区域。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，
所述中间显示区域的所述透明显示区域用像素电路部和所述中间显示区域用像素电路部具有彼此相同的结构。
6.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，
所述中间显示区域用像素电路部包括：
驱动晶体管；以及
输出控制晶体管，接收并输出所述驱动晶体管的发光电流，
所述输出控制晶体管的栅极电极与发光控制线连接，
所述传输晶体管的栅极电极与所述发光控制线连接。
7.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，
所述一般显示区域包括：
一般显示区域用像素电路部；以及
阳极，接收所述一般显示区域用像素电路部的发光电流，并位于所述中间显示区域。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，
所述一般显示区域用像素电路部包括：
驱动晶体管；以及
输出控制晶体管，接收并输出所述驱动晶体管的发光电流，
所述输出控制晶体管的栅极电极与发光控制线连接，
所述传输晶体管的栅极电极与所述发光控制线连接。
9.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，
所述透明显示区域还包括：第二阳极，不经过所述传输晶体管，并从所述透明显示区域用像素电路部直接接收发光电流，
所述第二阳极和所述透明显示区域用像素电路部通过包含透明导电物质的第二透明连接布线连接，
所述第一透明连接布线形成为比所述第二透明连接布线靠近基板。
10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中，
包括所述透明显示区域以及所述中间显示区域的第二显示区域还包括：复制阳极，与所述第一阳极或所述第二阳极电连接，
所述第一阳极或所述第二阳极与所述复制阳极通过包含透明导电物质的第三透明连接布线连接，
所述第三透明连接布线形成为比所述第一透明连接布线以及所述第二透明连接布线远离所述基板。
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