CN114808115A - 液口距测量方法及液口距测试装置 - Google Patents

液口距测量方法及液口距测试装置 Download PDF

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CN114808115A CN202210463208.1A CN202210463208A CN114808115A CN 114808115 A CN114808115 A CN 114808115A CN 202210463208 A CN202210463208 A CN 202210463208A CN 114808115 A CN114808115 A CN 114808115A
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Abstract

本申请提供了一种液口距测量方法及液口距测试装置,液口距测量方法包括:使导流筒位于坩埚的上方,水冷屏设置有用于限定测试组件位置的定位部,将水冷屏下降至与导流筒衔接的位置;将测试组件移动至定位部,并使得测试组件的定位端定位于定位部;升高坩埚直至坩埚内的液面与测试组件的接触端接触,标定液口距校准值;改变坩埚的高度并利用视觉检测系统得出坩埚的高度变化值,通过高度变化值和液口距校准值得到实际值。本申请提供的液口距测量方法及液口距测试装置利用测试组件与导流筒下沿之间的相对距离及测试组件本身的形状尺寸再加上视觉检测系统测量出坩埚的高度变化值,最终解算出液口距的实际值,提高了液口距的测试精度及测试效率。

Description

液口距测量方法及液口距测试装置
技术领域
本发明涉及光伏技术领域,尤其涉及一种液口距测量方法及液口距测试装置。
背景技术
在光伏电池生产制造的过程中,需要利用单晶炉制备单晶。而在直拉法单晶拉制工艺中,液口距(指的是导流筒下沿到坩埚内液面的距离)是非常重要的工艺参数,其很大程度上决定了制程是否顺利。
现有技术中液口距的测量方法多采用人工目测,测试精度不高而且费时费力,影响了单晶的生产节奏及生产效率。
发明内容
有鉴于此,本申请提供了一种液口距测量方法,用以解决现有技术中液口距测量准确度低、测试效率低的问题。
本申请提供一种液口距测量方法,所述液口距测量方法应用于单晶炉,所述单晶炉包括水冷屏、导流筒、测试组件、坩埚及视觉检测系统,所述水冷屏升降活动设置于所述导流筒上,所述测试组件能与所述导流筒定位连接,所述坩埚位于所述导流筒下方,所述视觉检测系统朝向所述坩埚的内腔设置;所述液口距测量方法包括:使所述导流筒位于所述坩埚的上方,所述水冷屏设置有用于限定所述测试组件位置的定位部,将所述水冷屏下降至与所述导流筒衔接的位置,此时所述定位部高于所述导流筒的下沿且二者之间在高度方向上的间距为a;将所述测试组件移动至所述定位部,并使得所述测试组件的定位端定位于所述定位部;升高所述坩埚直至所述坩埚内的液面与所述测试组件的接触端接触,所述接触端与所述定位端之间在高度方向上的距离为b,标定液口距校准值为b-a;改变所述坩埚的高度并利用视觉检测系统得出所述坩埚的高度变化值c,通过所述高度变化值c和所述液口距校准值b-a得到实际值d。
在上述方案中,利用测试组件与导流筒下沿之间的相对距离及测试组件本身的形状尺寸在测试组件与坩埚内的液面接触时即可得到液口距的校准值,再利用视觉检测系统测量出坩埚的高度变化值,最终根据液口距的校准值与高度变化值得出液口距的实际值。上述测量方法的精度及自动化程度高,能提高单晶拉制工艺的准确度及效率。
在一种可能的设计中,所述实际值d满足:d=c+(b-a)。
在上述方案中,实际值d为液口距校准值b-a与坩埚的高度变化值c求和而来,计算方法简单,计算效率高。
在一种可能的设计中,利用柔性连接件悬吊并移动所述测试组件。
在上述方案中,测试组件由柔性连接件悬挂,所以其能较为柔和的定位于水冷屏,避免了测试组件损坏影响测试精度。
在一种可能的设计中,所述升高所述坩埚直至所述坩埚内的液面与所述测试组件接触具体包括:利用所述视觉检测系统观察所述坩埚内的液面与所述测试组件的接触情况,当所述坩埚内的液面与所述测试组件接触时,停止升高所述坩埚。
在上述方案中,利用视觉检测系统观察坩埚内的液面变化来判断坩埚内的液面与所述测试组件的接触情况,提高了液口距测量方法的自动化程度及准确度。
在一种可能的设计中,所述视觉检测系统通过观察所述坩埚内液面上所述测试组件的倒影并检测所述倒影的边缘在图像中的位置变化来计算所述坩埚的高度变化值c。
在上述方案中,因为测试组件在液面上的倒影的边缘较为清晰、明显,以此为基准能提高识别精度。
本申请还提供一种液口距测量装置,包括:水冷屏、导流筒、测试组件、坩埚及视觉检测系统;所述水冷屏活动设置且能与所述导流筒衔接或脱离,所述水冷屏设置有用于定位所述测试组件的定位部;所述测试组件活动设置于所述水冷屏的中心位置,所述测试组件能定位于所述水冷屏的所述定位部或与所述水冷屏相脱离;所述坩埚升降设置于所述导流筒的下方;所述视觉检测系统设置于所述水冷屏上方且朝向所述坩埚设置。
在上述方案中,水冷屏能够衔接于导流筒上,测试组件能够定位于水冷屏上,当测试组件与坩埚内的液面接触时,即可结合测试组件的尺寸数据标定液口距校准值。结合上述液口距校准值及视觉检测系统所测试出的高度变化值即可得出实际液口距值。本方案提供的液口距测量装置的精度及自动化程度高,能提高单晶拉制工艺的准确度及效率。
在一种可能的设计中,所述水冷屏的中心设置有空腔,所述定位部从所述空腔的内壁向水冷屏的中心位置延伸。
在上述方案中,定位部设置于水冷屏的空腔位置,便于测试组件与定位部接触定位。
在一种可能的设计中,所述测试组件和/或所述定位部上设置有缺口部,所述视觉检测系统能透过所述缺口部观察所述坩埚内的液面。
在上述方案中,测试组件和/或定位部上设置有缺口部,能方便视觉检测系统观察坩埚内的液面,从而提高测试精度。
在一种可能的设计中,所述测试组件包括提拉头、连接于提拉头的柔性连接件及连接于所述提拉头下方的测试件。
在上述方案中,测试组件由柔性连接件、提拉头及测试件组成,柔性连接件能悬吊提拉头并带动提拉头运动,有助于提拉头与水冷屏柔性定位。而提拉头与测试件组装连接则便于调整及测量测试组件上接触端到定位端的距离。
在一种可能的设计中,所述测试件为单晶硅棒或石英棒。
在上述方案中,因为测试件需要和液面接触,所以采用单晶硅棒或石英棒作为测试件,能避免其余杂质污染坩埚内的液态硅。
本申请实施例的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请实施例而了解。本申请实施例的目的和其他优点在说明书以及附图所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的液口距测试装置的流程示意图;
图2为本申请实施例提供的液口距测试装置的结构示意图;
图3为图2中A处的放大图;
图4为本申请实施例提供的测试组件、水冷屏及导流筒的组装示意图;
图5为本申请又一实施例提供的测试组件的示意图。
附图标记:
100、液口距测试装置;
1、水冷屏;
11、定位部;
12、空腔;
2、导流筒;
21、导流筒下沿;
3、测试组件;
31、提拉头;
32、测试件;
33、定位端;
34、接触端;
35、柔性连接件;
4、坩埚;
5、视觉检测系统。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了更好的理解本申请的技术方案,下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其它含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要注意的是,本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的,不应理解为对本申请实施例的限定。此外,在上下文中,还需要理解的是,当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时,其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”,也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
下面根据本申请实施例提供的液口距测量方法的结构,对其具体实施例进行说明。
在现有技术中的直拉法单晶拉制工艺中,液口距(指的是导流筒下沿21到坩埚4内液面的距离)是非常重要的工艺参数,其很大程度上决定了制程是否顺利。
现有的方案中,液口距的测量主要是通过炉盖上方摄像机取景,再通过景像测算出液口距的大小,或者结合外导流筒2在液面的倒影,然后计算出液口距的大小。这种方法在实际的生产过程中,因炉内高温,存在热波动和机械波动,同时外导表面可能附着有小硅滴或氧化物,所以通过图像测量液口距时非常不准确,影响单晶拉制的精度及成功率。
有鉴于此,请参阅图1,本申请提供一种液口距测量方法,液口距测量方法应用于单晶炉,单晶炉是太阳能电池制造领域中一种重要的设备,其主要在惰性气体(氩气、氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶。单晶炉包括水冷屏1、导流筒2、测试组件3、坩埚4及视觉检测系统5,水冷屏1升降活动设置于导流筒2上,测试组件3能与导流筒2定位连接,坩埚4位于导流筒2下方,视觉检测系统5朝向坩埚4的内腔设置。
水冷屏1设置有用于限定测试组件3位置的定位部11,将水冷屏1下降至与导流筒2衔接的位置,此时定位部11高于导流筒下沿21且二者之间在高度方向上的间距为a,a根据水冷屏和导流筒的型号或结构不同而有所不同,在某些单晶炉的结构下,a可以等于0,一般情况下,a的值在0-30mm之间。水冷屏1能相对导流筒2上下运动,且水冷屏1能与导流筒2通过常规定位结构衔接固定为一体。水冷屏1上设置有定位部11,测试组件3具有定位端33,定位端33能够与定位部11相互定位连接,测试组件3还具有接触端34,接触端34与定位端33在高度方向上的距离为b。
液口距测量方法包括:
使导流筒2位于坩埚4的上方,进一步的,导流筒2可以设置于坩埚4的正上方。
将测试组件3移动至定位部11,并使得测试组件3的定位端33定位于定位部11。测试组件3可以通过机械臂或者悬吊移动装置等装置或设备移动至水冷屏1上方再下降,如此测试组件3的定位端33能与定位部11定位连接。
升高坩埚4直至坩埚4内的液面与测试组件3的接触端34接触,接触端34与定位端33之间在高度方向上的距离为b,标定液口距校准值为b-a。坩埚4可以通过常规升降结构驱动运动。当接触端34接触液面时,液面会有明显变化,例如液面上会出现环状光圈或颜色突变。如此,可以通过人工肉眼判断或者使用视觉检测系统5判断液面与测试组件3的接触端34接触与否。当接触端34接触液面的瞬间,停止升高坩埚4,并标定此时的液口距校准值为b-a。因为此时与液口距的校准值相关的b与a均为易于测量的实际物理值,所以通过此方法标定的液口距校准值精度较高。标定液口距校准值后可以将测试组件3移开以方便后续操作。
改变坩埚4的高度并利用视觉检测系统5得出坩埚4的高度变化值c。其中,高度变化值c可以是正值或负值。当标定液口距校准值后,坩埚4下降一定距离,此时高度变化值c为正值;当标定液口距校准值后,坩埚4上升一定距离,此时高度变化值c为负值。
在其中一个实施例中,视觉检测系统5通过观察坩埚4内液面上测试组件3的倒影并检测倒影的边缘在图像中的位置变化来计算坩埚4的高度变化值c。因为测试组件3在液面上的倒影的边缘较为清晰、明显,以此为基准能提高识别精度。
最终,通过高度变化值c和液口距校准值b-a得到实际值d。在其中一个实施例中,实际值d满足:d=c+(b-a)。实际值d为液口距校准值b-a与坩埚4的高度变化值c求和而来,计算方法简单,计算效率高。
在其中一个实施例中,利用柔性连接件35悬吊并移动测试组件3。
请参阅图2,测试组件3由柔性连接件35悬挂并移动,如此,在将测试组件3放置于水冷屏1的定位部11上时其能较为柔和的定位于水冷屏1,降低了测试组件3的损坏概率,提高了测试精度。在某些实施例中,柔性连接件35可以是籽晶提拉头的一部分,因此其整体结构位于导流筒中心位置。需要注意的是,在本实施例中,柔性连接件35在悬吊并移动测试组件3定位于水冷屏1后,测试组件3可以完成后续与坩埚4内的液面接触、校准、测量等步骤,随后柔性连接件35可以将测试组件3从水冷屏1中移出,如此,水冷屏1朝向坩埚4的通道不会被阻挡,可以从水冷屏1上方向坩埚4内加料。
在其中一个实施例中,升高坩埚4直至坩埚4内的液面与测试组件3接触具体包括:利用视觉检测系统5观察坩埚4内的液面与测试组件3的接触情况,当坩埚4内的液面与测试组件3接触时,停止升高坩埚4。可以理解,利用视觉检测系统5观察坩埚4内的液面变化来判断坩埚4内的液面与测试组件3的接触情况,提高了液口距测量方法的自动化程度及准确度。
上述实施例中的液口距测量方法利用测试组件3与导流筒下沿21之间的相对距离及测试组件3本身的形状尺寸在测试组件3与坩埚4内的液面接触时即可得到液口距的校准值,再利用视觉检测系统5测量出坩埚4的高度变化值,最终根据液口距的校准值与高度变化值得出液口距的实际值。上述测量方法的精度及自动化程度高,能提高单晶拉制工艺的准确度及效率。
本申请提供一种液口距测量装置,包括:水冷屏1、导流筒2、测试组件3、坩埚4及视觉检测系统5;水冷屏1活动设置且能与导流筒2衔接或脱离,水冷屏1设置有用于定位测试组件3的定位部11;测试组件3活动设置于水冷屏1的中心位置,测试组件3能定位于水冷屏1的定位部11或与水冷屏1相脱离;坩埚4升降设置于导流筒2的下方;视觉检测系统5设置于水冷屏1上方且朝向坩埚4设置。
请参阅图2至图4,导流筒2位于坩埚4的上方,坩埚4升降设置于导流筒2的下方,坩埚4可以在底部侧壁等部位设置有常规升降结构以控制坩埚4相对导流筒2升降运动。其中,升降结构可以是液压升降机构、电机齿轮升降结构等。导流筒2的中心可以开设有竖直设置的通孔结构,水冷屏1活动设置且能够在与导流筒2衔接的位置及与导流筒2脱离的位置之间运动。
水冷屏1设置有用于定位测试组件3的定位部11,定位部11可以设置于水冷屏1下边沿的内侧,定位部11的具体形状结构可以根据测试组件3的实际形状调整。在某些实施例中,水冷屏1的中心设置有空腔12,定位部11从空腔12的内壁向水冷屏1的中心位置延伸从而形成平台结构。水冷屏1的空腔12可以是锥形空腔,锥形空腔的小端朝下大端朝上,空腔12靠下一端的直径可以是300-400mm,定位部可以为圆环结构,且其外圆部分与空腔12靠下一端的内壁连接,圆环结构的内圆直径可以比外圆小10-50mm,即圆环的环宽可以为10-50mm,在此范围内,可以保证测试组件较好地定位。在水冷屏1与导流筒2衔接后,水冷屏1的定位部11在高度方向上始终会高于导流筒下沿21。需要注意的是,水冷屏1与导流筒2衔接的位置根据不同型号的单晶炉而略有不同,但无论是何种型号的单晶炉,水冷屏1都能衔接定位于导流筒2上。
测试组件3活动设置于水冷屏1的中心位置,具体地,测试组件3可以在水冷屏1的中心位置升降运动,如此,测试组件3能定位于水冷屏1的定位部11或与水冷屏1的定位部11相脱离。测试组件3可以具有定位端33及接触端34,且使得接触端34位于定位端33的下方,定位端33能够与定位部11接触,而接触端34用于接触坩埚4内的液面。测试组件3可以包括内侧的定位结构,定位结构可以是圆盘形结构等回转体结构,在圆盘的外围可以设置圆环结构,圆环结构可以与定位结构的外围过渡连接,二者也可以一体设置。在定位结构与定位部11接触定位时,圆环结构能起到阻挡来自坩埚4方向的热量的作用,如此,能帮助坩埚4内的硅更快速地融化,节省能耗。定位部11和测试组件3之间可以采用常见的卡扣结构、卡合结构进行连接,例如,一种可选的实现方式中,测试组件3设置有卡槽、定位部11设置有凸缘,或者测试组件3设置有凸缘,定位部11设置有卡槽。由此,通过凸缘与卡槽的配合,可以将测试组件3连接于定位部11上,结构简单,连接顺畅,优化了使用效果。
视觉检测系统5可以包括CCD相机等视觉检测器,视觉检测系统5朝向坩埚4的内腔设置,其能拍摄到坩埚4的液面,并根据液面本身或者液面上倒影的变化来判断测试组件3是否接触液面及坩埚4升降的距离,可以理解,当液面上倒影的图像变小时,坩埚4正沿远离导流筒2方向向下运动,当液面上倒影的图像变大时,坩埚4正沿靠近导流筒2方向向上运动。而具体的移动值可以根据图像具体的变化情况计算得出。
应用上述液口距测量装置测试实际液口距的方法举例如下:
S1:在水冷屏1与导流筒2衔接后,测量定位部11到导流筒下沿21之间的距离a,因为定位部11高于导流筒下沿21所以a为正值。
S2:测量测试组件3沿高度方向从定位端33到接触端34之间的距离b。
S3:将水冷屏1移动至与导流筒2衔接的位置,将测试组件3移动至使其定位端33与定位部11接触的位置,再将坩埚4升起直至坩埚4内的液面与测试组件3的接触端34接触,此时判断接触与否可以由视觉检测系统5自动判断。
S4:标定此时的液口距校准值为b-a。
S5:升降坩埚4,并利用视觉检测系统5观察并计算坩埚4内液面的倒影变化得出高度变化值c,当坩埚4上升时上述高度变化值c为负值,当坩埚4下降时上述高度变化值c为正值。
S6:对液口距校准值及高度变化值求和得到实际值。
本实施例中的液口距测量装置,其水冷屏1能够衔接于导流筒2上,测试组件3能够定位于水冷屏1上,当测试组件3与坩埚4内的液面接触时,即可结合测试组件3的尺寸数据标定液口距校准值。结合上述液口距校准值及视觉检测系统5所测试出的高度变化值即可得出实际液口距值。本方案提供的液口距测量装置的精度及自动化程度高,能提高单晶拉制工艺的准确度及效率。
在其中一个实施例中,水冷屏1的中心设置有空腔12,定位部11从空腔12的内壁向水冷屏1的中心位置延伸。
请参阅图2及图3,水冷屏1中心的空腔12可以是圆柱形腔体结构或者漏斗形腔体结构,而定位部11可以从空腔12的内壁向水冷屏1的中心位置延伸,定位部11可以环绕围成环形结构,环形结构的中心形成孔结构,该孔结构可以供测试组件3的接触端34穿过。定位部11设置于水冷屏1的空腔12位置,便于测试组件3与定位部11接触定位。
在其中一个实施例中,测试组件3和/或定位部11上设置有缺口部,视觉检测系统5能透过缺口部观察坩埚4内的液面。
请参阅图2,因为视觉检测系统5通常设置于导流筒2边沿的上方,所以其视线往往需要穿过水冷屏1的中心才能照射到坩埚4的液面,而测试组件3及定位部11恰好阻挡于视觉检测系统5的视线上,为了避免测试组件3及定位部11阻挡视觉检测系统5的视线,本实施例在测试组件3和/或定位部11上设置有缺口部,缺口部的数量可以设置一个或多个,设置缺口部能保证视觉检测系统5顺利观察到坩埚4内的液面,从而确保测试精度及测试稳定性。缺口部可以是长方形、扇形、圆形、环形等任意形状的缺口,缺口部的投影面积可以在5平方厘米到30平方厘米之间,缺口部过小会影响视觉检测系统观察,缺口部过大会使得坩埚的热量沿缺口部透过,影响坩埚的保温效果。
在其中一个实施例中,测试组件3包括提拉头31及连接于提拉头31下方的测试件32。测试组件3还可以包括连接于提拉头31的柔性连接件35,柔性连接件35可以是柔性绳索,柔性连接件35可以连接于提拉头31上端的中心位置,如此,在悬吊并移动提拉头31时能保持较好的平衡性能。
请参阅图4,测试组件3由提拉头31及测试件32组成,提拉头31可以是圆盘结构,提拉头31是单晶炉中一种常规的部件。测试件32可以是棒状结构,测试件32竖直连接于提拉头31的下方,进一步地,测试件32可以连接于提拉头31的中心位置以保证测试组件3整体的平衡性。在某些实施例中,提拉头31与测试件32连接的一面即为测试组件3的定位端33,测试件32远离提拉头31的一端即为测试组件3的接触端34,当测试组件3定位于定位部11时,提拉头31的定位端33与定位部11接触,而接触端34与定位端33在高度方向上的距离b即为测试件32在高度方向上的长度值,因为测试件32的长度可以根据实际情况灵活选用,所以b的值可以是任意大于0的值,例如b的值可以为20mm。
通过上述设置,能方便地调整及测量测试组件3上接触端34到定位端33的距离。
在其中一个实施例中,测试件32为单晶硅棒或石英棒。
因为测试件32在测试过程中需要和液面接触,为了避免其余杂质污染坩埚4内的物质(坩埚4内注意包括液态硅),本实施例采用单晶硅棒或石英棒作为测试件32,需要指出的是,测试件32也可采用其他不会与坩埚4内的物质反应的材料。测试件32的长度可以为10-30mm,在某些实施例中,测试件32的长度为15mm、20mm、25mm。测试件32的直径及可以为10-20mm,在某些实施例中,测试件32的直径为10mm、15mm,测试件32的直径过大则容易碰撞、擦伤,影响测试精度,测试件32的直径过小时测试件32与坩埚4内的液面接触则不明显,同样影响测试精度。当采用单晶硅棒作为测试件32时,测试件32的硅含量可以大于99.99%,当采用石英棒作为测试件32时,测试件32的二氧化硅的含量可以大于99.99%。如此,在校准、测量的过程中,测试件32与坩埚4内的溶液接触后不会污染坩埚4内的溶液,保证了其纯度。
请参阅图5,在其中一个实施例中,测试组件3中的提拉头31包括主体部分及连接于主体部分的定位端33,定位端33可以是圆盘结构,其可以通过螺纹连接、卡接等方式连接于主体部分上,主体部分开设有沿竖直方向设置的通孔,测试件32的上端可以设置较大的膨胀部,如此,测试件32可以插入通孔内,而膨胀部的尺寸大于通孔的尺寸,所以测试件32可以在通孔内定位。
需要注意的是,在校准及测试液口距之后,提拉头31的主体部分可以与定位端33相脱离,如此,提拉头31可以不受影响地进行剩余操作。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种液口距测量方法,其特征在于,所述液口距测量方法应用于单晶炉,所述单晶炉包括水冷屏、导流筒、测试组件、坩埚及视觉检测系统,所述水冷屏升降活动设置于所述导流筒上,所述测试组件能与所述导流筒定位连接,所述坩埚位于所述导流筒下方,所述视觉检测系统朝向所述坩埚的内腔设置;
所述液口距测量方法包括:
使所述导流筒位于所述坩埚的上方,所述水冷屏设置有用于限定所述测试组件位置的定位部,将所述水冷屏下降至与所述导流筒衔接的位置,此时所述定位部高于所述导流筒的下沿且二者之间在高度方向上的间距为a;
将所述测试组件移动至所述定位部,并使得所述测试组件的定位端定位于所述定位部;
升高所述坩埚直至所述坩埚内的液面与所述测试组件的接触端接触,所述接触端与所述定位端之间在高度方向上的距离为b,标定液口距校准值为b-a;
改变所述坩埚的高度并利用视觉检测系统得出所述坩埚的高度变化值c,通过所述高度变化值c和所述液口距校准值b-a得到实际值d。
2.根据权利要求1所述的液口距测量方法,其特征在于,所述实际值d满足:d=c+(b-a)。
3.根据权利要求1所述的液口距测量方法,其特征在于,利用柔性连接件悬吊并移动所述测试组件。
4.根据权利要求1所述的液口距测量方法,其特征在于,所述升高所述坩埚直至所述坩埚内的液面与所述测试组件接触具体包括:利用所述视觉检测系统观察所述坩埚内的液面与所述测试组件的接触情况,当所述坩埚内的液面与所述测试组件接触时,停止升高所述坩埚。
5.根据权利要求1所述的测量方法,其特征在于,所述视觉检测系统通过观察所述坩埚内液面上所述测试组件的倒影并检测所述倒影的边缘在图像中的位置变化来计算所述坩埚的高度变化值c。
6.一种液口距测试装置,其特征在于,包括:水冷屏、导流筒、测试组件、坩埚及视觉检测系统;
所述水冷屏活动设置且能与所述导流筒衔接或脱离,所述水冷屏设置有用于定位所述测试组件的定位部;
所述测试组件活动设置于所述水冷屏的中心位置,所述测试组件能定位于所述水冷屏的所述定位部或与所述水冷屏相脱离;
所述坩埚升降设置于所述导流筒的下方;
所述视觉检测系统设置于所述水冷屏上方且朝向所述坩埚设置。
7.根据权利要求6所述的液口距测试装置,其特征在于,所述水冷屏的中心设置有空腔,所述定位部从所述空腔的内壁向水冷屏的中心位置延伸。
8.根据权利要求6所述的液口距测试装置,其特征在于,所述测试组件和/或所述定位部上设置有缺口部,所述视觉检测系统能透过所述缺口部观察所述坩埚内的液面。
9.根据权利要求6所述的液口距测试装置,其特征在于,所述测试组件包括提拉头、连接于所述提拉头的柔性连接件及连接于所述提拉头下方的测试件。
10.根据权利要求9所述的液口距测试装置,其特征在于,所述测试件为单晶硅棒或石英棒。
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