CN114793101A - 一种兰姆波谐振器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种兰姆波谐振器，涉及半导体技术领域，本发明的兰姆波谐振器，包括压电层和设置在压电层上表面的第一叉指电极，第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极和第一负叉指电极，相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设有与压电层连接的凸起结构，凸起结构用于改变压电层的厚度。本发明提供的兰姆波谐振器，通过在相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设置与压电层连接的凸起结构，以使压电层具有不同的厚度，一种厚度对应一个谐振峰，以此实现双谐振峰或多谐振峰响应，解决无线通信的多频段难以高度集成的技术问题。

Description

一种兰姆波谐振器

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种兰姆波谐振器。

背景技术

随着无线通信的发展，第五代移动通信技术(5G)快速商业化，对宽频带和高度集成的要求越来越高。基于压电谐振器的滤波器在射频前端模块中发挥着重要的作用，其小型化和集成化是当今的发展趋势。

然而，现有的射频滤波器由于谐振器仅具有单谐振峰(单谐振模态)而呈现单频带响应，为满足多频段的需求，必须有多个滤波器嵌入同一手机空间，极大地增加了设备的大小和复杂性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种兰姆波谐振器，其能够解决手机多频段难以小型化和高度集成的技术问题。

本发明的实施例是这样实现的：

一种兰姆波谐振器，其包括压电层和设置在压电层上表面的第一叉指电极，第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极和第一负叉指电极，相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设有与压电层连接的凸起结构，凸起结构用于改变压电层的厚度。

可选的，作为一种可实施的方式，每个被相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极露出的压电层的子表面上均设有至少两个凹槽，至少两个凹槽沿第一正叉指电极和第一负叉指电极的依次设置方向间隔分布。

可选的，作为一种可实施的方式，与第一正叉指电极相邻的凹槽的侧壁与该第一正叉指电极的侧面平齐，与第一负叉指电极相邻的凹槽的侧壁与该第一负叉指电极的侧面平齐。

可选的，作为一种可实施的方式，凸起结构包括第一凸台，第一凸台设置在压电层露出于相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极的子表面，第一凸台分别与第一正叉指电极和第一负叉指电极间隔设置。

可选的，作为一种可实施的方式，第一凸台的高度与第一叉指电极的高度相同。

可选的，作为一种可实施的方式，压电层位于相邻的两个凹槽之间的子表面设有第二凸台，第二凸台的侧面与凹槽的侧壁平齐。

可选的，作为一种可实施的方式，第二凸台的高度与第一叉指电极的高度相同。

可选的，作为一种可实施的方式，凹槽垂直于第一正叉指电极或第一负叉指电极的延伸方向的横截面为矩形或梯形，第一正叉指电极和第一负叉指电极垂直于延伸方向的横截面为矩形或梯形。

可选的，作为一种可实施的方式，还包括设置在压电层下表面的第二叉指电极，第二叉指电极包括间隔交替分布的第二正叉指电极和第二负叉指电极，第二正叉指电极与第一负叉指电极一一对应设置，第二负叉指电极与第一正叉指电极一一对应设置。

可选的，作为一种可实施的方式，还包括设置在压电层的下表面的平板电极，第一叉指电极在平板电极上的正投影位于平板电极的边缘之内。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明提供的兰姆波谐振器，包括压电层和设置在压电层上表面的第一叉指电极，第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极和第一负叉指电极，相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设有与压电层连接的凸起结构，凸起结构用于改变压电层的厚度。上述兰姆波谐振器，通过在相邻的第一正叉指电极和第一负叉指电极之间设置与压电层连接的凸起结构，以使压电层具有不同的厚度，一种厚度对应一个谐振峰，以此实现双谐振峰或多谐振峰响应，解决无线通信的多频段难以高度集成的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本发明实施例提供的兰姆波谐振器的结构示意图之一；

图2为本发明实施例提供的兰姆波谐振器的结构示意图之二；

图3为本发明实施例提供的兰姆波谐振器的结构示意图之三；

图4为本发明实施例提供的兰姆波谐振器的仿真结果图；

图5为本发明实施例提供的兰姆波谐振器的结构示意图之四；

图6为本发明实施例提供的兰姆波谐振器的结构示意图之五；

图7为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置第二叉指电极的结构示意图之一；

图8为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置第二叉指电极的结构示意图之二；

图9为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置第二叉指电极的结构示意图之三；

图10为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置第二叉指电极的结构示意图之四；

图11为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置平板电极的结构示意图之一；

图12为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置平板电极的结构示意图之二；

图13为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置平板电极的结构示意图之三；

图14为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置平板电极的结构示意图之四；

图15为本发明实施例提供的兰姆波谐振器中压电层的下表面设置平板电极的结构示意图之五。

图标：100-兰姆波谐振器；110-压电层；111-子表面；121-第一正叉指电极；1211-第一正叉指电极的侧面；122-第一负叉指电极；1221-第一负叉指电极的侧面；130-凸起结构；131-凹槽；1311-凹槽的侧壁；132-第一凸台；133-第二凸台；134-凸块；141-第二正叉指电极；142-第二负叉指电极；150-平板电极。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。

应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。

除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样定义。

请参照图1至图3，本实施例提供一种兰姆波谐振器100，其包括压电层110和设置在压电层110上表面的第一叉指电极，第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122，相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间设有与压电层110连接的凸起结构130，凸起结构130用于改变压电层110的厚度。

压电层110可以通过磁控溅射沉积技术制备，根据逆压电效应实现电能与机械能的相互转换。压电层110具有相对设置的上表面和下表面，其中，上表面设有第一叉指电极。第一叉指电极用于施加交变电压，激励声波，可通过溅射沉积、光刻等工艺形成于压电层110表面。第一叉指电极的材料可以为Mo、Cu、Au、Ag、W或Al等。

第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122，第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的延伸方向相互平行。第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的数量均至少为一个，示例地，当第一正叉指电极121的数量为一个、第一负叉指电极122的数量为一个时，分布方式为：第一正叉指电极121-第一负叉指电极122；如图1所示，当第一正叉指电极121的数量为两个、第一负叉指电极122的数量为一个时，分布方式为：第一正叉指电极121-第一负叉指电极122-第一正叉指电极121。也即是，每两个第一正叉指电极121之间均设有第一负叉指电极122，每两个第一负叉指电极122之间也均设有第一正叉指电极121。

压电层110的上表面部分被第一叉指电极覆盖，未被覆盖的部分被第一正叉指电极121和第一负叉指电极122划分为多个子表面111，每个子表面111均位于相邻的一个第一正叉指电极121和一个第一负叉指电极122之间。压电层110的每个子表面111上均设有凸起结构130，凸起结构130用于改变压电层110的厚度，使压电层110具有至少两种厚度，请结合参照图4，每种厚度对应一个谐振峰，以此实现双频带或多频带响应。

需要说明的是，本实施例中，对凸起结构130的结构不作限定，只要其能够使位于第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间的压电层110具有不同的厚度即可。压电层110的每个子表面111上均设有凸起结构130，故凸起结构130的数量与子表面111的数量一致，而子表面111的数量由第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的数量决定。示例地，如图1所示，当第一正叉指电极121的数量为两个、第一负叉指电极122的数量为一个时，子表面111的数量为两个，此时，凸起结构130的数量也为两个。

综上所述，本实施例提供的兰姆波谐振器100，通过在相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间设置与压电层110连接的凸起结构130，以使压电层110具有不同的厚度，一种厚度对应一个谐振峰，以此实现双谐振峰或多谐振峰响应，解决无线通信的多频段难以高度集成的技术问题。

请参照图1和图5，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，每个被相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122露出的压电层110的子表面111上均设有至少两个凹槽131，至少两个凹槽131沿第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的依次设置方向间隔分布。

本实施例中，凸起结构130通过在压电层110的子表面111上加工凹槽131形成(例如采用反应离子刻蚀技术)。具体的，每个子表面111上都加工至少两个凹槽131，凹槽131与凹槽131之间间隔设置，并由第一正叉指电极121向第一负叉指电极122依次排布。凹槽131的设置使得位于相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间的压电层110具有不同的厚度，每种厚度均对应一个谐振峰。应理解，至少两个凹槽131的深度度可以相等，也可以不等。若相等，则压电层110仅具有两种厚度，对应两个谐振峰；若不等，压电层110可具有多种厚度，对应多个谐振峰。

如图1和图4所示，以凹槽131的数量为两个，两个凹槽131的深度相等为例进行说明，凹槽131的设置使得位于相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间的压电层110具有两种厚度，即图1中的H1和H2，以此实现兰姆波谐振器100的双谐振峰相应。图1中的H1对应图4中的高频谐振峰，图1中的H2对应图4中的低频谐振峰，通过改变凹槽131的深度，调节H1和H2的比值，进而调节两个谐振模态的间距，以设计特定频段的双频带射频滤波器。通过控制凹槽131的宽度(即图1中的D1)，调节两个谐振模态的强弱，以最终优化用于两个频段的谐振峰强度。

请参照图1、图5和图6，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，凹槽131垂直于第一正叉指电极121或第一负叉指电极122的延伸方向的横截面为矩形或梯形，第一正叉指电极121和第一负叉指电极122垂直于延伸方向的横截面为矩形或梯形。

第一正叉指电极121和第一负叉指电极122具有相同的延伸方向，该延伸方向垂直于第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的依次设置方向。凹槽131垂直于该延伸方向的横截面为矩形或梯形，第一正叉指电极121和第一负叉指电极122垂直于该延伸方向的横截面也为矩形或梯形。

需要说明的是，凹槽131、第一叉指电极和第二叉指电极垂直于上述延伸方向的横截面的形状可以相同，也可以不同。在一个实施例中，如图1所示，凹槽131、第一叉指电极和第二叉指电极垂直于上述延伸方向的横截面的形状均为矩形；在另一个实施例中，如图5所示，凹槽131、第一叉指电极和第二叉指电极垂直于上述延伸方向的横截面的形状均为梯形；在其他实施例中，如图6所示，凹槽131垂直于上述延伸方向的横截面的形状为梯形，而第一叉指电极和第二叉指电极垂直于上述延伸方向的横截面的形状为矩形。

请参照图1和图5，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，与第一正叉指电极121相邻的凹槽的侧壁1311与该第一正叉指电极的侧面1211平齐，与第一负叉指电极122相邻的凹槽的侧壁1311与该第一负叉指电极的侧面1221平齐。

位于第一正叉指电极121旁的凹槽131，该凹槽131靠近第一正叉指电极121的侧壁与该第一正叉指电极121的侧壁平齐，即位于同一平面内。位于第一负叉指电极122旁的凹槽131，该凹槽131靠近第一负叉指电极122的侧壁与该第一叉指电极的侧壁平齐。如此设置，更加便于凹槽131和第一叉指电极的加工。

请参照图2，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，凸起结构130包括第一凸台132，第一凸台132设置在压电层110露出于相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的子表面111，第一凸台132分别与第一正叉指电极121和第一负叉指电极122间隔设置。

本实施例中，凸起结构130通过在压电层110的子表面111上设置第一凸台132形成。具体的，每个子表面111上都设置至少一个第一凸台132，第一凸台132位于第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间。当第一凸台132的数量为一个时，第一凸台132的两侧分别与第一正叉指电极121和第一负叉指电极122间隔设置；当第一凸台132的数量为两个或者更多个时，两个或者更多个第一凸台132由第一正叉指电极121向第一负叉指电极122依次间隔排布，此时，最靠近第一正叉指电极121的第一凸台132的侧壁与第一正叉指电极121的侧壁间隔设置，最靠近第一负叉指电极122的第一凸台132的侧壁与第一负叉指电极122的侧壁间隔设置。

应理解，当第一凸台132的数量为两个或者更多个时，两个或者更多个第一凸台132的高度可以相等，也可以不等。若相等，则压电层110仅具有两种厚度，对应两个谐振峰；若不等，压电层110可具有多种厚度，对应多个谐振峰。

以第一凸台132的数量为一个进行说明，第一凸台132的设置使得位于相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间的压电层110具有两种厚度，即图2中的H3和H4，以此实现兰姆波谐振器100的双谐振峰相应。厚度H3对应高频谐振峰，厚度H4对应低频谐振峰，通过改变第一凸台132的高度，调节H3和H4的比值，进而调节两个谐振模态的间距，以设计特定频段的双频带射频滤波器。通过控制第一凸台132的宽度(即图2中的D2)，调节两个谐振模态的强弱，以最终优化用于两个频段的谐振峰强度。

第一凸台132的材料可以为金属材料，也可以为非金属材料，如Mo、Cu、Au、Ag、W、Al、SiO2、SiC或PDMS等材料。

采用在压电层110的子表面111额外设置第一凸台132的方式改变压电层110的厚度，避免了凸起结构130形成过程中对压电层110的刻蚀，保证压电层110的完整性和平整性，减小了对压电层110的影响，从而提高了兰姆波谐振器100的性能。

可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，第一凸台132的高度与第一叉指电极的高度相同。如此设置，方便在形成第一叉指电极的同时形成第一凸台132，以提高加工效率。当然，如果不只为形成双谐振峰，第一凸台132的高度也可以与第一叉指电极的高度不同，通过调整第一凸台132的高度来调节至少两个谐振模态之间的间距。

请参照图3，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，压电层110位于相邻的两个凹槽131之间的子表面111设有第二凸台133，第二凸台133的侧面与凹槽的侧壁1311平齐。

本实施例中，凸起结构130通过在压电层110的子表面111上加工凹槽131，并在剩余的子表面111上设置第二凸台133形成。具体的，在压电层110的每个子表面111上都加工至少两个凹槽131后，相邻的两个凹槽131之间会形成一个凸块134，第二凸台133设置在凸块134上，并且第二凸台133的两个侧面分别与凸块134的两个侧面平齐(即位于同一平面内)。应理解，相邻两个第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间，第二凸台133的数量比凹槽131的数量少一个。

以凹槽131的数量为两个，两个凹槽131的深度相等，第一凸台132的数量为一个进行说明，凹槽131和第二凸台133的设置使得位于相邻的第一正叉指电极121和第一负叉指电极122之间的压电层110具有两种厚度，即图3中的H5和H6，以此实现兰姆波谐振器100的双谐振峰相应。厚度H5对应高频谐振峰，厚度H6对应低频谐振峰，通过改变凹槽131的深度，和/或，第二凸台133的高度，调节H5和H6的比值，进而调节两个谐振模态的间距，以设计特定频段的双频带射频滤波器。通过控制凹槽131和第二凸台133的宽度(图3中的D1和D3)，调节两个谐振模态的强弱，以最终优化用于两个频段的谐振峰强度。

第二凸台133的材料可以为金属材料，也可以为非金属材料，如Mo、Cu、Au、Ag、W、Al、SiO2、SiC或PDMS等材料。

可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，第二凸台133的高度与第一叉指电极的高度相同。如此设置，方便在形成第一叉指电极的同时形成第二凸台133，以提高加工效率。当然，如果不只为形成双谐振峰，第二凸台133的高度也可以与第一叉指电极的高度不同，通过调整第二凸台133的高度来调节至少两个谐振模态之间的间距。

请参照图7至图10，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，还包括设置在压电层110下表面的第二叉指电极，第二叉指电极包括间隔交替分布的第二正叉指电极141和第二负叉指电极142，第二正叉指电极141与第一负叉指电极122一一对应设置，第二负叉指电极142与第一正叉指电极121一一对应设置。

本实施例中，压电层110的下表面还可以设置第二叉指电极，第二叉指电极中第二正叉指电极141和第二负叉指电极142的排布方式与第一叉指电极中第一正叉指电极121和第一负叉指电极122的排布方式相同，本实施例在此不再赘述。需要说明的是，沿垂直于压电层110上表面的方向上，第二正叉指电极141与第一负叉指电极122位置对应，第二负叉指电极142与第一正叉指电极121位置对应。第二叉指电极可以通过溅射沉积、光刻等工艺形成于基底的二氧化硅表面，然后通过干法刻蚀或湿法刻蚀等方法去除二氧化硅，使压电层110悬浮。第二叉指电极的材料可以为Mo、Cu、Au、Ag、W或Al等。

以图7为例进行说明，此时，第一正叉指电极121包括两个，第一负叉指电极122包括一个，以第一正叉指电极121-第一负叉指电极122-第一正叉指电极121的方式间隔分布；相应地，第二正叉指电极141包括一个，第二负叉指电极142包括两个，以第二负叉指电极142-第二正叉指电极141-第二负叉指电极142的方式间隔分布。

图7至图10分别示出了压电层110的上表面设置第一叉指电极，下表面设置第二叉指电极时，几种可行的凸起结构130的设置方式。凸起结构130的结构和有益效果已经在前述实施例中进行了详细描述，在此不再赘述。

请参照图11至图15，可选的，本发明实施例的一种可实现的方式中，还包括设置在压电层110的下表面的平板电极150，第一叉指电极在平板电极150上的正投影位于平板电极150的边缘之内。

本实施例中，压电层110的下表面还可以设置平板电极150，平板电极150沿垂直于压电层110上表面的方向上，与第一叉指电极的位置对应。平板电极150可以接地、接负极或不接电，当平板电极150接地时，兰姆波谐振器100具有三个电位(正、负和接地)；当平板电极150接负极或不接电时，兰姆波谐振器100具有两个电位(正和负)。

图11至图15分别示出了压电层110的上表面设置第一叉指电极，下表面设置第二叉指电极时，几种可行的凸起结构130的设置方式。凸起结构130的结构和有益效果已经在前述实施例中进行了详细描述，在此不再赘述。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种兰姆波谐振器，其特征在于，包括压电层和设置在所述压电层上表面的第一叉指电极，所述第一叉指电极包括间隔交替分布的第一正叉指电极和第一负叉指电极，相邻的所述第一正叉指电极和所述第一负叉指电极之间设有与所述压电层连接的凸起结构，所述凸起结构用于改变所述压电层的厚度。

2.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，每个被相邻的所述第一正叉指电极和所述第一负叉指电极露出的所述压电层的子表面上均设有至少两个凹槽，至少两个所述凹槽沿所述第一正叉指电极和所述第一负叉指电极的依次设置方向间隔分布。

3.根据权利要求2所述的兰姆波谐振器，其特征在于，与所述第一正叉指电极相邻的所述凹槽的侧壁与该第一正叉指电极的侧面平齐，与所述第一负叉指电极相邻的所述凹槽的侧壁与该第一负叉指电极的侧面平齐。

4.根据权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述凸起结构包括第一凸台，所述第一凸台设置在所述压电层露出于相邻的所述第一正叉指电极和所述第一负叉指电极的子表面，所述第一凸台分别与所述第一正叉指电极和所述第一负叉指电极间隔设置。

5.根据权利要求4所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述第一凸台的高度与所述第一叉指电极的高度相同。

6.根据权利要求2所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述压电层位于相邻的两个所述凹槽之间的子表面设有第二凸台，所述第二凸台的侧面与所述凹槽的侧壁平齐。

7.根据权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述第二凸台的高度与所述第一叉指电极的高度相同。

8.根据权利要求2所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述凹槽垂直于所述第一正叉指电极或所述第一负叉指电极的延伸方向的横截面为矩形或梯形，所述第一正叉指电极和所述第一负叉指电极垂直于所述延伸方向的横截面为矩形或梯形。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的兰姆波谐振器，其特征在于，还包括设置在所述压电层下表面的第二叉指电极，所述第二叉指电极包括间隔交替分布的第二正叉指电极和第二负叉指电极，所述第二正叉指电极与所述第一负叉指电极一一对应设置，所述第二负叉指电极与所述第一正叉指电极一一对应设置。

10.根据权利要求1至8中任意一项所述的兰姆波谐振器，其特征在于，还包括设置在所述压电层的下表面的平板电极，所述第一叉指电极在所述平板电极上的正投影位于所述平板电极的边缘之内。

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