CN114784022B - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种阵列基板及其的制作方法、显示装置。其中，阵列基板包括第一基板和形成在第一基板上的第一金属功能层，第一基板设置有开口区和非开口区，第一金属功能层包括晶体管的栅极，栅极位于非开口区，阵列基板还包括：透明导电层，透明导电层包括同层设置的缓冲导电部和配向电极部，缓冲导电部设于栅极和第一基板之间，并与栅极相接触，缓冲导电部和第一基板之间的粘附力、缓冲导电部和栅极之间的粘附力均大于栅极和第一基板直接接触的粘附力，配向电极部至少部分位于开口区，配向电极部用于提供配向电场。本申请的技术方案能够提高金属膜层的牢固性，从而减少金属膜层的脱落。

Description

阵列基板及其制作方法、显示装置

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

显示面板中，在玻璃基板的表面设置一些金属膜层，这些金属膜层发挥传递各种电信号的作用。一般这些金属膜层直接设置在玻璃基板的表面，而玻璃基板是非金属。金属和非金属的性质差别较大，将金属膜层设置在玻璃基板的表面，两者之间的粘附力较小，容易导致金属膜层的脱落。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的一个目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少金属膜层的脱落。

根据本申请的一个方面，本申请提供一种阵列基板，包括第一基板和形成在所述第一基板上的第一金属功能层，所述第一基板设置有开口区和非开口区，所述第一金属功能层包括晶体管的栅极，所述栅极位于所述非开口区，所述阵列基板还包括：

透明导电层，所述透明导电层包括同层设置的缓冲导电部和配向电极部，所述缓冲导电部设于所述栅极和所述第一基板之间，并与所述栅极相接触，所述缓冲导电部和所述第一基板之间的粘附力、所述缓冲导电部和所述栅极之间的粘附力均大于所述栅极和所述第一基板直接接触的粘附力，所述配向电极部至少部分位于所述开口区，所述配向电极部用于提供配向电场。

在其中一个方面，所述配向电极部的部分完全覆盖所述开口区，所述配向电极部的另一部分覆盖所述非开口区靠近所述开口区的部分区域。

在其中一个方面，所述缓冲导电部在所述第一基板上的正投影面积大于或等于所述栅极在所述第一基板上的正投影面积；且所述栅极在所述第一基板上的正投影位于所述缓冲导电部在所述第一基板上的正投影内。

在其中一个方面，所述透明导电层的厚度与所述第一金属功能层的厚度之比范围为1/13-3/11。

在其中一个方面，所述透明导电层的厚度范围为50nm至130nm；所述第一金属功能层的厚度范围为550nm至650nm。

在其中一个方面，所述第一金属功能层还包括透明像素电极，所述透明像素电极位于所述第一金属功能层远离所述第一基板的一侧并与所述第一金属功能层绝缘设置，所述透明像素电极包括若干电极条，所述若干电极条间隔设置且位于所述开口区。

在其中一个方面，所述阵列基板还包括转接电极，所述第一金属功能层和所述转接电极同层设置，所述栅极和所述转接电极同层设置，所述转接电极设于所述配向电极部远离所述第一基板的一侧，且所述转接电极位于所述非开口区；

所述配向电极部在所述第一基板上的正投影面积大于所述转接电极在所述第一基板上的正投影面积。

在其中一个方面，所述透明导电层为氧化铟锡层，所述透明导电层的可见光透光率大于90％。

为了解决上述问题，根据本申请的一个方面，本申请还提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：

提供一第一基板，所述第一基板具有开口区和非开口区；

在所述第一基板的表面依次形成覆盖所述开口区和所述非开口区的透明导电薄膜、金属导电薄膜及光刻胶材料，所述透明导电薄膜和所述第一基板之间的粘附力、所述透明导电薄膜和所述金属导电薄膜之间的粘附力均大于所述金属导电薄膜和所述第一基板直接接触的粘附力；

采用半色调光罩曝光所述光刻胶材料，以形成光刻胶层，所述光刻胶层具有未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；

将与所述完全曝光区域对应的金属导电薄膜和透明导电薄膜进行完全刻蚀，以形成透明导电层，所述透明导电层包括位于所述开口区和所述非开口区的配向电极、以及位于非开口区的缓冲导电部，所述配向电极部用于提供配向电场；

再将与所述部分曝光区域对应的金属导电薄膜进行完全刻蚀，以形成第一金属功能层，所述第一金属功能层包括栅极和转接电极，所述栅极位于所述非开口区并与所述缓冲导电部接触，所述转接电极位于所述非开口区并与所述配向电极接触；

去除所述未曝光区域的光刻胶。

为了解决上述问题，根据本申请的一个方面，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上文所述的阵列基板、与所述阵列基板对盒设置的对置基板以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层；

所述对置基板包括第二基板和位于所述第二基板远离所述液晶层一侧的公共电极，所述公共电极的至少部分位于所述开口区并与所述配向电极部相对设置，所述公共电极与所述配向电极部能够施加有不同电压以形成配向电场。

本申请的技术方案中，在第一基板的表面设置栅极，缓冲导电部设置在栅极和第一基板之间，通过透明导电层的缓冲导电部来粘合栅极和第一基板。由于，缓冲导电部和第一基板之间的粘附力、以及缓冲导电部和栅极之间的粘附力均大于栅极和第一基板直接接触的粘附力。由此提高第一金属功能层中栅极和第一基板之间的粘附力，避免第一金属功能层的栅极脱落。

另外，本申请的技术方案中透明导电层可导电，通过向透明导电层的配向电极部施加电压，配向电极部还能够作为电极使用。在显示领域中，通过对配向电极部施加电压，使用于显示的液晶分子发生偏转。

进而可知，在本申请的技术方案中的透明导电层，不但能够提高栅极的粘附力，还能够作为电极使用，使液晶分子发生偏转。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。

附图说明

通过参照附图详细描述其示例实施例，本申请的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。

图1是本申请第一实施例中阵列基板的结构示意图。

图2是本申请中栅极和第一基板直接接触的结构示意图。

图3是本申请图1中带有第一基板、第一金属层和透明导电层的结构示意图。

图4是本申请第二实施例阵列基板的制作方法的流程步骤示意图。

图5是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S10时的结构示意图。

图6是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S20时的结构示意图。

图7是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S30时的结构示意图。

图8是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S40时的结构示意图。

图9是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S50中去除部分曝光区域的光刻胶的结构示意图。

图10是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S50中去除部分曝光区域对应的金属导电膜的结构示意图。

图11是本申请图4中阵列基板的制作方法步骤S60时的结构示意图。

图12是本申请第三实施例中显示装置的结构示意图。

附图标记说明如下：

10、第一基板；11、开口区；12、非开口区；20、透明导电层；21、缓冲导电部；22、配向电极部；30、第一金属功能层；31、栅极；32、转接电极；40、液晶层；41、支撑物；50、透明像素电极；51、电极条；60、公共电极；71、有源层；72、源极；73、漏极；74、绝缘层；80、第二基板；81、第一配向膜；82、第二配向膜；90、彩膜层；91、保护层；92、平坦层；110、光刻胶；111、未曝光区域；112、部分曝光区域；113、完全曝光区域；210、透明导电薄膜；310、金属导电薄膜。

具体实施方式

尽管本申请可以容易地表现为不同形式的实施方式，但在附图中示出并且在本说明书中将详细说明的仅仅是其中一些具体实施方式，同时可以理解的是本说明书应视为是本申请原理的示范性说明，而并非旨在将本申请限制到在此所说明的那样。

由此，本说明书中所指出的一个特征将用于说明本申请的一个实施方式的其中一个特征，而不是暗示本申请的每个实施方式必须具有所说明的特征。此外，应当注意的是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计，但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此，除非另有说明，所说明的组合并非旨在限制。

在附图所示的实施方式中，方向的指示(诸如上、下、左、右、前和后)用于解释本申请的各种元件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些元件处于附图所示的位置时，这些说明是合适的。如果这些元件的位置的说明发生改变时，则这些方向的指示也相应地改变。

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些示例实施方式使得本申请的描述将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本申请的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。

以下结合本说明书的附图，对本申请的较佳实施方式予以进一步地详尽阐述。

实施例一

参阅图1至图3所示，本申请提供一种阵列基板，包括第一基板10和形成在第一基板10上的第一金属功能层30。第一基板10是一种透明板材，第一基板10可以是玻璃板，也可以是塑料板。第一基板10设置有开口区11和非开口区12，开口区11可以理解为可视区，或者是需要光线穿过的区域。非开口区12可以理解为非可视区，或者是不需要光线穿过的区域。第一金属功能层30包括晶体管的栅极31，为了避免影响开口区11的光线，栅极31设置在非开口区12。第一金属功能层30还包括转接电极32，转接电极32用于供电，配合产生配向电压。

阵列基板还包括：透明导电层20，透明导电层20包括同层设置的缓冲导电部21和配向电极部22，缓冲导电部21设于栅极31和第一基板10之间，缓冲导电部21与栅极31相接触。缓冲导电部21和第一基板10之间的粘附力、缓冲导电部21和栅极31之间的粘附力均大于栅极31和第一基板10直接接触的粘附力。可以这样理解，再次参阅图2所示，栅极31直接接触第一基板10是指两者之间没有缓冲导电部21。而设置了缓冲导电部21后，缓冲导电部21的一面和栅极31直接接触，缓冲导电部21的另一面和第一基板10直接接触，缓冲导电部21是一个过渡粘接的作用，更好的粘附栅极31和第一基板10，使栅极31的设置更加牢固。本申请中，粘附力是指两种物质接触在一起时的牢固程度。还可以这样理解，透明导电层20具有一部分金属性质，还具有一部分非金属性质。例如，透明导电层20是一种金属氧化物，在非金属材料中添加部分金属元素。如此透明导电层20既有金属特性，又有非金属特性的特点，起到过渡粘附的作用，从而提高栅极31和第一基板10之间的粘附力。

透明导电层20的设置方式主要采用真空镀膜的方式，将透明导电层20镀制在第一基板10的表面。镀膜的方式可以提高膜层的致密性和牢固性。镀膜方式也可以采用多种，例如真空蒸镀或者磁控溅射等。镀膜的原理可以采用物理气相沉积(Physical VaporD1eposition，PVD)，物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。镀膜的原理还可以选择化学气相沉积(Chemical Vapor D1eposition，CVD)，化学气相沉积是一种利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。栅极31的设置方式也可以采用镀膜的方式。提高栅极31在缓冲导电部21上的粘附力。

配向电极部22至少部分位于开口区11，配向电极部22用于提供配向电场。通过向配向电极部22施加电压，配向电极部22形成用于改变液晶分子配向的配向电压。其中，电力的来源可以是第一金属功能层30的栅极31来提供，也可以是其它器件提供。图2显示的是部分位置的截面图，在远端，栅极31可以连接配向电极部22，以此向配向电极部22供电。配向电极部22设置在开口区11，有利于提高开口区11对应液晶分子配向的一致性。

本实施例中，在第一基板10的表面设置栅极31，缓冲导电部21设置在栅极31和第一基板10之间，通过透明导电层20的缓冲导电部21来粘合栅极31和第一基板10。由于，缓冲导电部21和第一基板10之间的粘附力、以及缓冲导电部21和栅极31之间的粘附力均大于栅极31和第一基板10直接接触的附力。由此，提高第一金属功能层30中栅极31和第一基板10之间的粘附力，减少第一金属功能层30的栅极31脱落。

另外，本申请的技术方案中透明导电层20可导电，通过向透明导电层20的配向电极部22施加电压，配向电极部22还能够作为电极使用。在显示领域中，通过对配向电极部22施加电压，使显示的液晶分子发生偏转。进而可知，在本申请的技术方案中的透明导电层20，不但能够提高栅极31的粘附力，还能够作为电极使用，使液晶分子发生偏转。

再者，透明导电层20还具有阻隔离子迁移的作用，有效防止栅极31的离子扩散到第一基板10中，避免栅极31的导电特性发生变化。

为了进一步提高开口区11的液晶分子转向一致性，配向电极部22的部分完全覆盖开口区11，配向电极部22的另一部分覆盖非开口区12靠近开口区11的部分区域。配向电极部22将开口区11区域的位置覆盖住，从而使开口区11的液晶分子转向一致，避免出现液晶分子向其它方位偏转。尤其是在开口区11的边缘位置，电场有时难以到达该边缘位置，或者是在该边缘位置电场的方向偏移。为了进一步避免开口区11的边缘位置的液晶分子出现其它方向的转向，配向电极部22也能够覆盖到开口区11的边缘位置。

为了进一步提高栅极31在第一基板10粘附力，缓冲导电部21在第一基板10上的正投影面积大于或等于栅极31在第一基板10上的正投影面积；且栅极31在第一基板10上的正投影位于缓冲导电部21在第一基板10上的正投影内。也就是说，栅极31的位置正对缓冲导电部21设置。其中，缓冲导电部21的边缘可以和栅极31的边缘对齐。也可以是缓冲导电部21的边缘凸出于栅极31的边缘。这样缓冲导电部21和第一基板10的接触面积更大，从而能够提高更强的粘附力。当然，两者边缘对齐的方式也能够将栅极31稳定的固定在第一基板10上，并且加工难度低。

在其中一个方面，阵列基板需要光线穿过。为了既保证光线的透射效果，又能够提高栅极31和第一基板10之间的粘附力。透明导电层20的厚度与第一金属功能层30的厚度之比范围为1/13-3/11。透明导电层20的厚度越小，第一金属功能层30的厚度越厚，两者的比例值越小。

如果比例过小，就说明第一金属功能层30太厚，而透明导电层20的厚度太薄，越厚的第一金属功能层30需要更强的粘附力，而透明导电层20厚度太薄，小于1/13这个数值，难以为第一金属功能层30提供足够的粘附力。因此，设置透明导电层20的厚度与第一金属功能层30的厚度之比大于或等于1/13。

如果两者比例过大，就说明透明导电层20的厚度接近第一金属功能层30的厚度。第一金属功能层30的厚度一般较厚，如果透明导电层20的厚度接近第一金属功能层30的厚度，则说透明导电层20的厚度太厚，而透明导电层20太厚，会影响光线的透射，导致光线的透射率太低。因此设置透明导电层20的厚度与第一金属功能层30的厚度之比小于或等于3/11。从而将透明导电层20的厚度与第一金属功能层30的厚度之比范围控制在1/13-3/11，既保证光线的透射效果，又能够提高栅极31和第一基板10之间的粘附力。第一金属功能层30的厚度就是栅极31的厚度。

进一步地，透明导电层20的厚度范围为50nm至130nm；第一金属功能层30的厚度范围为550nm至650nm。一般来说，透明导电层20的厚度越厚，可见光的透过率越低，但透明导电层20的厚度越厚，粘附效果越好。为了避免透明导电层20的厚度太低，无法起到粘附作用，将透明导电层20的厚度控制在大于等于50nm。并且为了保证透明导电层20的透光效果，将透明导电层20的厚度控制在小于等于130nm。另外，第一金属功能层30的厚度范围一般在550nm-650nm之间，相应的，将透明导电层20的厚度范围控制在50nm至130nm。缓冲导电部21和配向电极部22同层设置，透明导电层20的厚度就是缓冲导电部21和配向电极部22的厚度。

其中，透明导电层20的厚度可选至少包括50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm。第一金属功能层30的厚度可选至少包括550nm、560nm、570nm、580nm、590nm、600nm、610nm、620nm、630nm、640nm、650nm。

为了提高阵列基板的可视角度，阵列基板还包括透明像素电极50，透明像素电极50位于第一金属功能层30远离第一基板10的一侧并与第一金属功能层30绝缘设置。在透明像素电极50与第一金属功能层30之间设置绝缘层74。透明像素电极50包括若干电极条51，若干电极条51间隔设置且位于开口区11。在透明像素电极50通电的情况下，可以产生改变液晶分子转向的电压。电极条51之间由于相互间隔，在相邻的电极条51之间的边缘位置电场的方向向两侧发散，由此经过的光线并不仅仅通过开口区11射出，还能够射向开口区11的边缘位置。这样在阵列基板的边缘位置也能够看到光线。从而提高了阵列基板的可视角度，使用户在第一基板10的侧方也能够观看到图像。

进一步地，阵列基板还包括：晶体管的有源层71和第二金属功能层，第二金属功能层包括晶体管的源极72和漏极73。源极72和漏极73同层设置。有源层71设于栅极31背离第一基板10的一侧；源极72和漏极73设于有源层71背离第一基板10的表面，源极72和漏极73间隔设置，透明像素电极50连接于源极72或漏极73。比如，透明像素电极50通过一个通孔下沉，透明像素电极50通过下沉的通孔和漏极73连接。此时漏极73向透明像素电极50输出电流，从而使透明像素电极50产生改变液晶分子转向的电压。漏极73和源极72的位置可以相互对调，此时，透明像素电极50连接的就是源极72。

阵列基板还包括：彩膜层90、保护层91和平坦层92。彩膜层90、保护层91和平坦层92自透明像素电极50向第一基板10的方向依次设置。保护层91的材料可以包括硅氮化合物，用于保护平坦层92和彩膜层90，平坦层92起到平整支撑作用，保证彩膜层90的平整度。

在其中一个方面，第一金属功能层30还包括转接电极32，栅极31和转接电极32同层设置。转接电极32设于配向电极部22远离第一基板10的一侧，且转接电极32位于非开口区12；一般栅极31和转接电极32不透光。为了避免遮挡穿过开口区11的光线，将栅极31和转接电极32设置在非开口区12。配向电极部22在第一基板10上的正投影面积大于转接电极32在第一基板10上的正投影面积。配向电极部22的面积较大，这样才能覆盖住开口区11的位置。本实施例中，配向电极部22的电力可以来自转接电极32。转接电极32可以是连接基板公共电极(Array Com，A-com)。

其中，需要说明的是，由于栅极31和转接电极32同层设置，栅极31的厚度就是转接电极32的厚度。应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度，从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。

在其中一个方面，透明导电层20为氧化铟锡层，透明导电层20的可见光透光率大于90％。氧化铟锡是一种混合物，透明茶色薄膜或黄偏灰色块状，由90％In2O3和10％SnO2混合而成，主要用于制作液晶显示器、平板显示器、等离子显示器、触摸屏、电子纸、有机发光二极管、太阳能电池、抗静电镀膜等。本实施例中阵列基板应用在显示领域，为了提高光线的透过率，透明导电层20的可见光透过率大于90％，进一步地，还可以是透过率大于91％，92％，93％，94％，95％等。氧化铟锡也称呼为ITO(Indium tin oxide)，ITO是一种n型半导体材料，由此可知ITO既具有金属性质，又具有非金属性质。将ITO作为缓冲导电部21能够很好的粘附栅极31和第一基板10。

实施例二

参阅图4至图11所示，本申请还提供一种阵列基板的制作方法，阵列基板的制作方法包括：

步骤S10，提供一第一基板10，第一基板10具有开口区11和非开口区12。第一基板10是一种透明板材，第一基板10可以是玻璃板，也可以是塑料板。第一基板10设置有开口区11和非开口区12，开口区11可以理解为可视区，或者是需要光线穿过的区域。非开口区12可以理解为非可视区，或者是不需要光线穿过的区域。

步骤S20，在第一基板10的表面依次形成覆盖开口区11和非开口区12的透明导电薄膜210、金属导电薄膜310及光刻胶材料，透明导电薄膜210和第一基板10之间的粘附力、透明导电薄膜210和金属导电薄膜310之间的粘附力均大于金属导电薄膜310和第一基板10直接接触的粘附力；设置透明导电薄膜210和金属导电薄膜310的方式可以是采用物理气相沉积的技术。采用镀膜的方式可以提高透明导电薄膜210在第一基板10的表面粘附力。另外，镀膜的方式也能很好的完成透明导电薄膜210的厚度精确控制。金属导电薄膜310可以用来传递信号，例如金属铜，金属铜可以用来制作作为晶体管的栅极。

步骤S30，采用半色调光罩曝光光刻胶材料，以形成光刻胶层110，光刻胶层110具有未曝光区域111、部分曝光区域112和完全曝光区域113。通过一道半色调光罩(Half tonemask，HTM)或一道灰阶光罩(Gray tone mask，GTM)形成高低不同厚度的光刻胶区域。光刻胶层110包括未曝光区域111、部分曝光区域112和完全曝光区域113。依据半色调光罩进行半色调掩模，半色调光罩包括透射部和遮光部，透射部的光透射和遮光部的光半透射。通过使用半色调掩模，能够以一次曝光将曝光量不同的图案制作完成。因此，能够预期减少光掩模的使用片数，减少制造工序，进而减少制造成本。

步骤S40，将与完全曝光区域113对应的金属导电薄膜310和透明导电薄膜210进行完全刻蚀，以形成透明导电层20，透明导电层20包括位于开口区11和非开口区12的配向电极22、以及位于非开口区12的缓冲导电部21，配向电极部22用于提供配向电场。对完全曝光区域113蚀刻金属导电薄膜310和透明导电薄膜210裸露部分，以去除裸露的金属导电薄膜310形成栅极31，去除裸露的透明导电薄膜210形成设于栅极31和第一基板10之间的缓冲导电部21。其中，缓冲导电部21和第一基板10之间的粘附力、缓冲导电部21和栅极31之间的粘附力均大于栅极31和第一基板10直接接触的粘附力；对裸露的金属导电薄膜310和透明导电薄膜210进行蚀刻。对金属导电薄膜310的蚀刻和透明导电薄膜210的蚀刻可以在同一个蚀刻步骤下完成，也可以分开两个步骤分别蚀刻。比如，先对金属导电薄膜310进行蚀刻，加工出栅极31。更换蚀刻液，再对透明导电薄膜210进行蚀刻，加工出缓冲导电部21。

步骤S50，再将与部分曝光区域112对应的金属导电薄膜310进行完全刻蚀，以形成第一金属功能层30，第一金属功能层30包括栅极31和转接电极32，栅极31位于非开口区12并与缓冲导电部21接触，转接电极32位于非开口区12并与配向电极22接触。对部分曝光区域112进行曝光，去除部分曝光区域112对应光刻胶。蚀刻去除掉部分曝光区域112对应的金属导电薄膜310后，剩下金属导电薄膜310就是转接电极32。剩余的透明导电薄膜210就是需要的配向电极部22。

步骤S60，去除未曝光区域的光刻胶。去除金属导电薄膜310的表面剩余光刻胶，完成对阵列基板的加工。可以这样理解步骤S40加工出所需的栅极31和缓冲导电部21的图案，步骤S50加工出所需的转接电极32和配向电极部22的图案。金属导电薄膜310蚀刻后的图案与透明导电薄膜210蚀刻后的图案不同。配向电极部22的图案面积在第一基板10上的正投影面积大于转接电极32的图案面积。

再者，需要强调的是，本申请中，采用一个半色调光罩的工艺能够完成金属导电薄膜310和透明导电薄膜210的不同图案设计需求，减少了光罩的使用。并且，将加工出的透明导电层20分成两个部分使用，缓冲导电部21和配向电极部22。缓冲导电部21用来作为加强和晶体管的栅极31与第一基板10的粘附力。配向电极部22用来配合公共电极60形成改变液晶分子的配向电压。加工出一个膜层，完成了两个功能的使用，简化了阵列基板的结构设计，减少了工艺步骤。

实施例三

参阅图12所示，本申请还提供一种显示装置，显示装置包括阵列基板、与阵列基板对盒设置的对置基板以及位于阵列基板与对置基板之间的液晶层40；对置基板包括第二基板80和位于第二基板80远离液晶层40一侧的公共电极60，公共电极60至少部分位于开口区11并与配向电极部22相对设置，公共电极60与配向电极部22能够施加有不同电压以形成配向电场。公共电极60和配向电极部22之间形成电压差，从而在液晶层40形成配向电场。为了提高液晶分子的转向的一致性，公共电极60和配向电极部22均采用整面状图案设置，使液晶层40的每一处均能够形成配向电场。一般公共电极60连接CF-Com(Color Filter Com)，A-Com和CF-Com是不同控制信号的电压输出端。

其中，第一基板10和第二基板80为玻璃基板，第一基板10为玻璃基板，第二基板80为塑料基板。第一基板10和第二基板80都是透明板。

显示装置还包括第一配向膜81和第二配向膜82。第一配向膜81设于第二基板80和液晶层40之间；第二配向膜82设于透明像素电极50面向液晶层40的表面，第一配向膜81的配向方向和第二配向膜82的配向方向可以平行，也可以正交。在第一配向膜81和第二配向膜82之间还设置支撑物41，支撑物41用于支撑开液晶层40的空间，防止变形。

本发明的显示装置的实施例包括上述阵列基板全部实施例的全部技术方案，且所达到的技术效果也完全相同，在此不再赘述。

虽然已参照几个典型实施方式描述了本申请，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本申请能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质，所以应当理解，上述实施方式不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随附权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括第一基板和形成在所述第一基板上的第一金属功能层，所述第一基板设置有开口区和非开口区，所述第一金属功能层包括晶体管的栅极，所述栅极位于所述非开口区，其特征在于，所述阵列基板还包括：

透明导电层，所述透明导电层包括同层设置的缓冲导电部和配向电极部，所述缓冲导电部设于所述栅极和所述第一基板之间，并与所述栅极相接触，所述缓冲导电部和所述第一基板之间的粘附力、所述缓冲导电部和所述栅极之间的粘附力均大于所述栅极和所述第一基板直接接触的粘附力，所述配向电极部至少部分位于所述开口区，所述配向电极部用于提供配向电场；

所述配向电极部的部分完全覆盖所述开口区，所述配向电极部的另一部分覆盖所述非开口区靠近所述开口区的部分区域；

在远端，所述栅极连接所述配向电极部，向所述配向电极部供电。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲导电部在所述第一基板上的正投影面积大于或等于所述栅极在所述第一基板上的正投影面积；且所述栅极在所述第一基板上的正投影位于所述缓冲导电部在所述第一基板上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度与所述第一金属功能层的厚度之比范围为1/13－3/11。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层的厚度范围为50nm至130nm；所述第一金属功能层的厚度范围为550nm至650nm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括透明像素电极，所述透明像素电极位于所述第一金属功能层远离所述第一基板的一侧并与所述第一金属功能层绝缘设置，所述透明像素电极包括若干电极条，所述若干电极条间隔设置且位于所述开口区。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属功能层还包括转接电极，所述栅极和所述转接电极同层设置，所述转接电极设于所述配向电极部远离所述第一基板的一侧，且所述转接电极位于所述非开口区；

所述配向电极部在所述第一基板上的正投影面积大于所述转接电极在所述第一基板上的正投影面积。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡层，所述透明导电层的可见光透光率大于90％。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一第一基板，所述第一基板具有开口区和非开口区；

在所述第一基板的表面依次形成覆盖所述开口区和所述非开口区的透明导电薄膜、金属导电薄膜及光刻胶材料，所述透明导电薄膜和所述第一基板之间的粘附力、所述透明导电薄膜和所述金属导电薄膜之间的粘附力均大于所述金属导电薄膜和所述第一基板直接接触的粘附力；

采用半色调光罩曝光所述光刻胶材料，以形成光刻胶层，所述光刻胶层具有未曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；

将与所述完全曝光区域对应的金属导电薄膜和透明导电薄膜进行完全刻蚀，以形成透明导电层，所述透明导电层包括位于所述开口区和所述非开口区的配向电极部、以及位于非开口区的缓冲导电部，所述配向电极部用于提供配向电场，所述配向电极部的部分完全覆盖所述开口区，所述配向电极部的另一部分覆盖所述非开口区靠近所述开口区的部分区域；

再将与所述部分曝光区域对应的金属导电薄膜进行完全刻蚀，以形成第一金属功能层，所述第一金属功能层包括栅极和转接电极，所述栅极位于所述非开口区并与所述缓冲导电部接触，所述转接电极位于所述非开口区并与所述配向电极部接触，在远端，所述栅极连接所述转接电极，向所述配向电极部供电；

去除所述未曝光区域的光刻胶。

9.一种显示装置，所述显示装置包括如权利要求1至7中任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板对盒设置的对置基板以及位于所述阵列基板与所述对置基板之间的液晶层；其特征在于，

所述对置基板包括第二基板和位于所述第二基板远离所述液晶层一侧的公共电极，所述公共电极的至少部分位于所述开口区并与所述配向电极部相对设置，所述公共电极与所述配向电极部能够施加有不同电压以形成配向电场。

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