CN114758367A - 指纹识别装置和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种指纹识别装置和电子设备，具有更优的指纹识别性能。所述指纹识别的装置，设置在电子设备的显示屏或者盖板的下方，所述指纹识别装置包括：超声单元，包括压电层、位于所述压电层上方的第一电极、以及位于所述压电层下方的第二电极，所述超声单元用于向手指发出超声波信号，并接收所述手指返回的超声检测信号；基底，位于所述超声单元的下方，所述基底包括电路单元，所述电路单元用于控制所述超声单元产生所述超声波信号、以及对所述超声检测信号进行处理，所述第一电极和所述第二电极均与所述电路单元电连接，其中，所述基底的材料为硅，所述基底的厚度位于50微米至160微米之间。
Description
技术领域
本申请实施例涉及指纹识别领域，并且更具体地，涉及一种指纹识别装置和电子设备。
背景技术
随着社会进步，手机已成为现代生活必不可少的电子设备之一。目前市场上的手机都具有一种或多种身份认证方式，包括数字密码、手势图形、面部识别、指纹识别等。其中，指纹识别由于其应用方便、识别速度快和稳定可靠等特点，已经成为大多数手机的标配。指纹识别也发展出不同的技术路线，包括电容指纹识别、光学指纹识别和超声指纹识别等。
超声指纹识别不仅可以识别指纹的表层形貌，还可以识别到手指真皮层的信号，从而实现天然的3D防伪，并且相比于光学指纹识别，超声指纹识别对手指表面的洁净状态具有更高的容忍度。因此，超声指纹识别逐渐成为新一代的指纹识别方式。为此，如何提高超声指纹识别装置的性能，成为亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种指纹识别装置和电子设备，具有更优的指纹识别性能。
第一方面，提供了一种指纹识别装置，设置在压板的下方，所述压板为电子设备的显示屏或者盖板，所述指纹识别装置包括：
超声单元，包括压电层、位于所述压电层上方的第一电极、以及位于所述压电层下方的第二电极，所述超声单元用于向手指发出超声波信号，并接收所述手指返回的超声检测信号；
基底，位于所述超声单元的下方，所述基底包括电路单元，所述电路单元用于控制所述超声单元产生所述超声波信号、以及对所述超声检测信号进行处理，所述第一电极和所述第二电极均与所述电路单元电连接，其中，所述基底的材料为硅，所述基底的厚度位于50微米至160微米之间。
本申请实施例中，指纹识别装置包括基底以及设置在基底上方的超声单元，基底中包括电路单元，该超声单元包括压电层以及分别位于压电层上方和下方的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极与电路单元电连接。该基底的材料为硅，由于指纹识别的装置的工作频率为压电层的共振频率，硅基底的厚度会对压电层的共振频率造成影响，为此，将该基底的厚度设置在50微米至160微米之间，能够使得基底对压电层的共振频率造成的影响最小，从而提升指纹识别的性能。
在一种实现方式中，所述压电层的厚度位于4微米至20微米之间。
该实施例中，压电层的厚度也会对其共振频率造成影响，为此，将压电层的厚度设置在4微米至20微米之间，能够使其共振频率位于适用于指纹识别的频率范围内，从而提升指纹识别的性能。
在一种实现方式中，所述压电层的共振频率位于8MHz至26MHz之间。
在一种实现方式中，所述压电层的材料为聚偏二氟乙烯PVDF；或者，所述压电层的材料为聚偏二氟乙烯－三氟乙烯共聚物PVDF-TrFE。
在一种实现方式中，所述指纹识别装置还包括：耦合层，设置在所述超声单元与所述压板之间，用于连接所述超声单元与所述压板。
在一种实现方式中，所述耦合层的杨氏模量位于1GPa至10GPa之间。
耦合层位于超声单元与压板之间，为了减小信号经过耦合层时的损耗，需要考虑耦合层以及与其相邻的叠层之间的配合，该实施例中，采用具有合适的杨氏模量的耦合层。该实施例中，耦合层的杨氏模量位于1GPa至10GPa之间，使得耦合层以及与其相邻的叠层之间能够实现最优的阻抗匹配，减少信号经过耦合层时的损耗。
在一种实现方式中，所述耦合层的材料为绝缘材料。
在一种实现方式中，所述第一电极为平面结构，所述第二电极为由多个电极组成的电极阵列。
在一种实现方式中，所述指纹识别装置还包括：保护层，设置在所述第一电极的上方。
该实施例中，第一电极的上方设置有保护层，用于保护压电层和第一电极，以避免压电层和第一电极在高温、高湿等条件下的渗透和失效行为。
在一种实现方式中，所述指纹识别装置还包括：支撑层，设置在所述基底的下方。
该实施例中，基底下方设置有支撑层，该支撑层用于对指纹识别装置起支撑作用，提高指纹识别装置的机械强度，增加指纹识别装置的结构稳定性。
在一种实现方式中，所述第一电极的表面覆盖有钝化层，和/或，所述第二电极的表面覆盖有钝化层。
在一种实现方式中，所述盖板为玻璃盖板或者金属盖板。
第二方面，提供了一种电子设备，包括：显示屏；盖板，位于所述显示屏的上方；以及，根据第一方面或第一方面的任一实现方式中所述的指纹识别装置，所述指纹识别装置位于所述盖板或者所述显示屏的下方。
附图说明
图1是本申请实施例的指纹识别装置的示意性框图。
图2是本申请实施例的指纹识别装置的叠层结构的示意图。
图3是耦合层具有不同杨氏模量时压电层的共振频率的变化情况的示意图。
图4是耦合层具有不杨氏模量时压电层的声压强的变化情况的示意图。
图5是本申请实施例的叠层结构的示意图。
图6是基底厚度和共振频率对超声发射强度的影响的示意图。
图7是基底厚度对压电层的共振频率的影响的示意图。
图8是压电层厚度和共振频率对超声发射强度的影响的示意图。
图9是压电层厚度对压电层的共振频率的影响的示意图。
图10是压电层厚度和共振频率对超声发射强度的影响的示意图。
图11是压电层厚度对压电层的共振频率的影响的示意图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。
超声指纹识别装置通常包括叠层结构，不同的叠层结构的参数会对超声指纹识别装置的工作频率造成影响。工作频率越高，指纹识别的分辨率越高，但是较高的工作频率会增加超声波信号的衰减；工作频率越低，超声波信号的衰减越小，但是不利于分辨率的提升。
因此，为了提升指纹识别性能，超声指纹识别装置的工作频率需要位于合适的范围内。为此，本申请实施例中，通过优化叠层结构中关键叠层的材料和结构等参数，使指纹识别装置的工作频率位于最优的范围内，从而提升指纹识别的性能。
图1是本申请实施例的指纹识别装置100的示意性框图。指纹识别装置100可以设置在电子设备的显示屏或者盖板的下方。如图1所示，指纹识别装置100包括超声单元110和基底120。
超声单元110包括压电层111、位于压电层上方的第一电极112、以及位于压电层111下方的第二电极113，超声单元110用于向手指200发出超声波信号201，并接收手指200返回的超声检测信号202。
基底120位于超声单元110的下方，基底120包括电路单元121，第一电极112和第二电极113均与电路单元121之间电连接。其中，电路单元121用于控制超声单元110产生该超声波信号、以及对该超声检测信号进行处理。
本申请实施例中，采用硅材料作为基底120，基底120和压电层111的结构参数会对压电层111的共振频率造成影响，因此，通过对基底120和压电层111的结构参数进行设计，使得压电层111的共振频率具有合适的大小和带宽，以提升指纹识别的性能。
应理解，压电层111的共振频率为指纹识别装置100的工作频率，该共振频率即为压电层100产生的超声波信号的频率。
本申请实施例中，基底120的材料为硅，基底120的厚度位于50微米至160微米之间，即大于或等于50微米且小于或等于160微米。采用硅作为基底120的材料时，基底120的厚度对压电层111的共振频率造成影响，为此，将基底120的厚度设置在50微米至160微米之间，能够使得硅基底对压电层111的共振频率造成的影响最小，从而提升指纹识别的性能。
压电层111的材料例如可以为PVDF，或者为PVDF-TrFE。
压电层111的厚度也会对其共振频率造成影响，为此，在一种实现方式中，压电层111的厚度位于4微米至20微米之间，即压电层111的厚度大于或等于4微米且小于或等于20微米，以使压电层111的共振频率位于适用于指纹识别的频率范围内，从而进一步提升指纹识别的性能。
当基底120的厚度位于50微米至160微米之间，且压电层111的厚度位于4微米至20微米之间时，能够使压电层111的共振频率满足指纹识别的需求，例如，使压电层111的共振频率位于8MHz至26MHz之间。
进一步地，优选地，基底120的厚度可以位于50微米至150微米之间。例如，基底120的厚度可以是70微米、90微米、110微米、150微米等。
以下，分别对指纹识别装置100的叠层结构和关键叠层结构的参数设计进行描述。
首先，以图2为例，描述指纹识别装置100的叠层结构。
图2示出了指纹识别装置100的一种可能的叠层结构。如图2所示，指纹识别装置100设置于电子设备的压板300的下方。其中，压板300可以是电子设备的显示屏，例如显示屏中的有机复合结构；压板300也可以是盖板，该盖板例如为玻璃盖板或者金属盖板。
在进行指纹识别时，手指200与压板300的上表面接触。手指200包括指纹谷200a和指纹脊200b，指纹识别装置100通过向手指200发出超声波信号201，基于指纹谷200a和指纹脊200b返回不同强度的超声检测信号202，对手指进行指纹成像，并进行特征识别。
如图2所示，指纹识别装置100包括基底120、以及设置在基底120上方的超声单元110。基底120中包括超声单元120的电路单元121，超声单元110包括压电层111、以及分别位于压电层111上方和下方的第一电极112和第二电极113，第一电极112和第二电极113与电路单元121电连接。
电路单元121是用于指纹识别的专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)。电路单元121能够激励超声单元110产生超声波信号，并接收超声单元110在手指200返回的超声波信号的作用下产生的电信号，并对该电信号进行处理。
具体来说，在进行指纹识别时，电路单元121输出激励信号并加载至第一电极112和第二电极113，该激励信号例如是正弦波或脉冲波等，电路单元121可以控制其频率和幅值。在该激励信号的作用下，基于压电效应，压电层111产生振动，从而向手指200发射超声波信号201，超声波信号201经过通过不同的介质层之后传输至手指200的表面，在指纹谷200a和指纹脊200b处发生发射或散射而返回超声检测信号202。超声检测信号202通过不同的介质层传输至压电层111，基于逆压电效应，第一电极112和第二电极113之间产生电势差，得到相应的电信号，电路单元121获取该电信号并对其进行处理，得到手指200的指纹图案。
在一种实现方式中，第一电极112为平面结构，第二电极113包括由多个电极组成的电极阵列。
例如，如图2所示，第一电极112覆盖压电层111的整个上表面，作为压电层111的上电极，第二电极113是由多个电极组成的电极阵列。手指200返回的超声检测信号202会在第一电极112与电极阵列中每个电极之间产生电信号，每个电极对应的电信号作为该指纹图案中的一个像素的像素值，可以被单独获取和处理。
第一电极112例如可以通过溅射等方式形成在压电层111的上表面，其可以是金属层，也可以是金属混浆涂层；第二电极113例如可以通过溅射或者蒸镀等方式形成在压电层111的下表面，其材料可以是铝或者金。
此外，可选地，第一电极112和/或第二电极113的表面还可以覆盖有钝化层，以使超声单元110与除电路单元121之外的其他介质层之间电隔离。
在一种实现方式中，如图2所示，指纹识别装置100还包括耦合层130，耦合层130设置在超声单元110与压板300之间，用于连接超声单元110与压板300。耦合层130例如可以采用绝缘材料。
如图2所示，耦合层130位于超声单元110与压板300之间，用于实现超声单元110与压板300之间的贴合。超声波信号201和超声检测信号202在传输过程中会经过耦合层130，从而造成损耗。为了减小信号经过耦合层130时的损耗，还需要考虑耦合层130以及与其相邻的叠层之间的配合。为此，该实施例中，还对耦合层的选择进行了考量，以进一步提升指纹识别的性能。
声阻抗Z是评估耦合层130中超声波信号的传输情况的重要指标，Z＝ρc，ρ是耦合层130的材料密度，c是超声波的传输速度即声速。对于固体材料来说，声速c与其力学参数相关，满足
其中，Y为杨氏模量，ν为泊松比。
为了使信号经过耦合层130时拥有最佳的传输性能，还需要考虑与耦合层130相邻的两个叠层的声阻抗。当第一电极112的声阻抗为Z1，压板300为玻璃盖板且该玻璃盖板的声阻抗为Z2。当耦合层130的声阻抗
时，耦合层130以及与其相邻的叠层之间能够实现最优的阻抗匹配。
图3和图4分别是耦合层130具有不同杨氏模量时，压电层111的共振频率和声压强度的变化情况。可以看出，耦合层130的杨氏模量在0.1GPa-5GPa的范围内变化时，压电层111的共振频率和声压强度均会先增加再减小。杨氏模量在0.1GPa-5GPa的范围内时，压电层111的共振频率从15MHz增加至18MHz，声压强度增加约55％。耦合层130的杨氏模量在5GPa-50GPa的范围内变化时，压电层111的共振频率急剧降低，同时声压强度降低约20％。
为了保证合适的共振频率并增加声压强度，需要选择耦合层130具有合适的杨氏模量。为此，在选择耦合层130的材料时，在一种实现方式中，耦合层130的杨氏模量位于1GPa至10GPa之间。
由于采用了具有合适的杨氏模量的耦合层130，耦合层130的杨氏模量位于1GPa至10GPa之间，因此耦合层130以及与其相邻的叠层之间能够实现最优的阻抗匹配，以减少超声波信号经过耦合层时的损耗。
在一种实现方式中，如图2所示，指纹识别装置100还包括保护层140，保护层140设置在第一电极112的上方。
由于在第一电极112的上表面覆盖有保护层140，用于保护压电层111和第一电极112，以避免压电层111和第一电极112在高温、高湿等条件下的渗透和失效行为，因此提升了指纹识别装置100的安全性。
在一种实现方式中，如图2所示，指纹识别装置100还包括支撑层150，支撑层150设置在基底120的下方。
支撑层150可以采用金属或者高分子材料，例如不锈钢或者亚克力等，主要对指纹识别装置100起支撑作用，可以看作是指纹识别装置100的加强板，从而提高指纹识别装置100的机械强度，增加指纹识别装置100的结构稳定性。
支撑层150可以通过粘接层160贴合在基底120的下表面。粘接层160例如可以是高分子粘接材料。
以下，以图5所示的指纹识别装置100的叠层结构为例，描述如何设计指纹识别装置100的叠层结构中各参数的最优参数范围。
本申请实施例中，主要对压电层111和硅材料的基底120的厚度进行设计，以使压电层111的共振频率具有合适的大小和带宽，以提升指纹识别的性能。
与图2所示的叠层结构类似，如图5所示，指纹识别装置100包括支撑层150，这里设置的材料为金属。支撑层150通过粘接层160贴合在基底120的下表面。基底120的材料为硅。基底120的上表面具有较薄的一层绝缘层114，绝缘层114例如可以是二氧化硅。第二电极113位于绝缘层114。第二电极113与压电层111的下表面之间接触，同时压电层111的上表面覆盖有第一电极112。第二电极113是由多个电极组成的电极阵列，第一电极111为平面结构。在图5所示的叠层结构中，第二电极113的材料为Al，压电层111的材料为PVDF-Trfe，第一电极111的材料为Ag浆。耦合层130用于超声单元110与盖板300之间的贴合。为了简化，这里将压板300选择为玻璃盖板。在玻璃盖板300的上方为手指200，包括指纹谷200a与盖板300之间的空气间隙200a以及指纹脊200b。
图6和图7示出了图5中基底120厚度和共振频率对超声发射强度的影响。当压电层111的厚度为9um，叠层结构中的其他叠层的厚度是固定的，仅改变基底120的厚度时，图6中示出了6MHz-26MHz范围内的共振峰的分布情况。当基底120的厚度为300um时，出现两个共振峰。其中第一个共振峰为低频共振峰，其频率约为13MHz，第一个共振峰是压电层111的共振峰；第二个共振峰为高频共振峰，其频率约19MHz，第二个共振峰为基底120的共振峰。
从图6可以看出，随着基底120的厚度的减小，不仅使基底120的共振峰快速地向高频方向移动，也使压电层111的共振峰向高频方向移动，但是压电层111的共振峰向高频方向的移动速度，小于基底120的对应共振峰向高频方向的移动速度。此外，从图6还可以看出，随着基底120的厚度的减小，压电层111表现出更大的频率带宽。图7是基底120的厚度位于100um-300um范围内时，压电层111的共振频率的变化情况。从图7可以看出，通过调整基底120的厚度，可以实现对压电层111的共振峰位置的线性调整，其中基底120的厚度每增加10um，压电层111的共振峰的频率减少0.16MHz。但总的来说，基底120的厚度变化对于压电层111的共振频率的影响较小。
在实际应用中，需要指纹识别装置100工作在压电层111的共振频率上。从图6和图7可以看出，当基底120的厚度较大例如大于160um时，基底120的共振峰与压电层111的共振峰在频率上距离较近，此时，基底120的共振峰的存在，会抑制压电层111的共振峰的带宽，从而影响指纹识别的性能。因此，对于基底120的厚度，可以选择小于或等于160um。
图8和图9示出了压电层111的厚度和共振频率对超声发射强度的影响。当基底120的厚度为160um，叠层结构中的其他叠层的厚度是固定的，由图6可知，基底120的共振峰的频率将高于25MHz。
图8中示出了压电层111的厚度在4um-20um之间时，压电层111的不同厚度对其共振频率影响。从图8中可以看出，对于不同的压电层111厚度，在5MHz-27MHz的频率范围内，仅表现出压电层111的共振峰。其中压电层111对应的共振频率随着压电层111厚度的增加而减小。压电层111的厚度位于4um-20um范围内时，压电层111的共振频率位于10MHz-20MHz之间，该频率范围位于指纹识别装置100的工作频率范围内。图9是压电层111的厚度位于4um-20um范围内时，压电层111的共振频率的变化情况。从图9可以看出，通过调整压电层111的厚度，可以实现按照幂指数规律对压电层111的共振峰位置的线性调整。对比图7和图9可以看出，压电层111厚度变化对压电层111的共振频率的影响，远大于基底120厚度变化对压电层111的共振频率的影响。
图10和图11示出了压电层111的厚度和共振频率对超声发射强度的影响。当基底120的厚度为50um，叠层结构中的其他叠层的厚度是固定的，如图10所示，压电层111的厚度在4um-20um之间时，随着压电层111的厚度的增加，其共振峰的频率减小，压电层111的共振峰的频率范围为12MHz-25MHz。相比于基底120的厚度为160um的情况，在压电层111的厚度不变时，基底120的厚度越小，压电层111的共振峰的频率越高。压电层111的厚度和基底120的厚度会共同作用于压电层111的共振频率的变化。
综上，选择厚度50um-160um的基底120和厚度4um-20um的压电层111，可以实现在指纹识别装置100的工作频率在8MHz-26MHz。图11是基底120的厚度为50um，压电层111的厚度位于4um-20um范围内时，压电层111的共振频率的变化情况。从图9同样可以看出，通过调整压电层111的厚度，可以实现按照幂指数规律对压电层111的共振峰位置的线性调整。
在进行指纹识别时，指纹脊200b和手谷类200a类周期分布，其周期一般在300um-800um。为了保证指纹识别具有较好的效果，超声波信号的频率越高越好。但是过高的频率会导致超声波信号在介质中传播时产生的较大衰减，减少电路单元121接收到的电信号的信号量，不利于后续的信号处理。因此，对于指纹识别装置100来说，需要选择适中的工作频率，一般优选的工作频率的范围为8MHz-26MHz。
因此，基于上述的叠层结构，对指纹识别装置100的叠层结构中的关键参数进行了优化和选择。首先，更薄的基底120的厚度会让压电层111的共振峰远离指纹识别装置100的工作频率的范围，同时还会使压电层111的共振频率具有更大的带宽，并且能够降低叠层结构的厚度。其次，基底120的厚度位于50um-160um范围内时，压电层111的厚度选择为4um-20um，这样可以保证压电层111的共振频率更加适用于指纹识别的频段范围。
通过基底120的厚度和压电层111的厚度在上述范围内的相互组合，可以设计出具有8MHz-26MHz范围内任一工作频率的指纹识别装置100。
本申请还提供了一种电子设备，包括：显示屏；盖板，位于显示屏的上方；以及，上述的指纹识别装置100，指纹识别装置100位于盖板或者显示屏的下方。
作为示例而非限定，本申请实施例中的电子设备可以为终端设备、手机、平板电脑、笔记本电脑、台式机电脑、游戏设备、车载电子设备或穿戴式智能设备等便携式或移动计算设备，以及电子数据库、汽车、银行自动柜员机(Automated Teller Machine，ATM)等其他电子设备。该穿戴式智能设备包括功能全、尺寸大、可不依赖智能手机实现完整或部分功能的设备，例如智能手表或智能眼镜等，以及包括只专注于某一类应用功能并且需要和其它设备如智能手机配合使用的设备，例如各类进行体征监测的智能手环、智能首饰等设备。
需要说明的是，在不冲突的前提下，本申请描述的各个实施例和/或各个实施例中的技术特征可以任意的相互组合，组合之后得到的技术方案也应落入本申请的保护范围。
本申请实施例中所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的方法实施例的一些特征可以忽略或者不执行。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，单元的划分仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统。另外，各单元之间的耦合或各个组件之间的耦合可以是直接耦合，也可以是间接耦合，上述耦合包括电的、机械的或其它形式的连接。
本领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装置和设备的具体工作过程以及产生的技术效果，可以参考前述方法实施例中对应的过程和技术效果，在此不再赘述。
应理解，本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非限制本申请实施例的范围，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形均落在本申请的保护范围内。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (13)
1.一种指纹识别装置，其特征在于，设置在压板的下方，所述压板为电子设备的显示屏或者盖板，所述指纹识别装置包括：
超声单元，包括压电层、位于所述压电层上方的第一电极、以及位于所述压电层下方的第二电极，所述超声单元用于向手指发出超声波信号，并接收所述手指返回的超声检测信号；
基底，位于所述超声单元的下方，所述基底包括电路单元，所述电路单元用于控制所述超声单元产生所述超声波信号、以及对所述超声检测信号进行处理，所述第一电极和所述第二电极均与所述电路单元电连接，其中，所述基底的材料为硅，所述基底的厚度位于50微米至160微米之间。
2.根据权利要求1所述的指纹识别装置，其特征在于，所述压电层的厚度位于4微米至20微米之间。
3.根据权利要求1或2所述的指纹识别装置，其特征在于，所述压电层的共振频率位于8MHz至26MHz之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，
所述压电层的材料为聚偏二氟乙烯PVDF；或者，
所述压电层的材料为聚偏二氟乙烯－三氟乙烯共聚物PVDF-TrFE。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，所述指纹识别装置还包括：
耦合层，设置在所述超声单元与所述压板之间，用于连接所述超声单元与所述压板。
6.根据权利要求5所述的指纹识别装置，其特征在于，所述耦合层的杨氏模量位于1GPa至10GPa之间。
7.根据权利要求5或6所述的指纹识别装置，其特征在于，所述耦合层的材料为绝缘材料。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，所述第一电极为平面结构，所述第二电极为由多个电极组成的电极阵列。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，所述指纹识别装置还包括：
保护层，设置在所述第一电极的上方。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，所述指纹识别装置还包括：
支撑层，设置在所述基底的下方。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，所述第一电极的表面覆盖有钝化层，和/或，所述第二电极的表面覆盖有钝化层。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的指纹识别装置，其特征在于，所述盖板为玻璃盖板或者金属盖板。
13.一种电子设备，包括：
显示屏；
盖板，位于所述显示屏的上方；以及，
根据权利要求1至12中任一项所述的指纹识别装置，所述指纹识别装置位于所述盖板或者所述显示屏的下方。
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