CN114731473A - 在共振节点处连接有下落环的声学换能器 - Google Patents

Abstract

一种声学换能器，其包括壳体、隔膜、支承片、马达和下落环。马达包括背板、前板、磁体和音圈。下落环在下落环的周缘上将隔膜连接到下落环。下落环相对于壳体的中心轴线平行延伸。支承片的周缘与马达间隔开，并在隔膜的共振节点处连接到隔膜。

Description

在共振节点处连接有下落环的声学换能器

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年11月19日提交的美国临时专利申请第62/937,380号和2020年7月6日提交的美国临时专利申请第63/048,240号的优先权，通过引用将这些专利申请的全部内容并入本文。

技术领域

本文描述的实施方式涉及声学换能器。

背景技术

图1示出了穿过低音音箱100和层叠部件的示例截面。低音音箱100包括筐体或壳体105、隔膜110、马达115和支承片120(spider)。马达115包括背板125、音圈130和前板135。支承片120在成型件140处连接到音圈130。低音音箱100包括至少两个间隙偏移。第一间隙偏移被限定为马达115的背板125和音圈130的基底之间的距离D₁。第二间隙偏移被限定为支承片120和壳体105的一部分之间的距离D₂。第三距离D_D可以用于描述隔膜110和前板135之间的距离。图1中示出的隔膜110是平坦隔膜。替代地，一些低音音箱将隔膜110成形(例如，为锥形)以增加隔膜110的结构刚度。

低音音箱100包括一个自由度(即，沿正交于背板125的方向的线性运动)。低音音箱100的低频声学输出由空气体积位移或偏移(例如，隔膜110从静止位置行进多远)来控制。

发明内容

对于电声设计师来说，在具有小产品尺寸的产品中实现高质量的低音再现是非常困难的。难度随着产品尺寸变得更小且仍存在对高质量低音再现的期望而增加。使用更小的扬声器可以实现更小的产品尺寸。然而，与低音再现(即产生低频声波)相关的物理特性不利于小型扬声器或具有小隔膜尺寸的扬声器。

低音音箱的低频输出受空气体积位移或偏移(例如，扬声器的隔膜从静止位置行进多远)控制。因此，隔膜作为刚性活塞运行，其在马达驱动下以线性方式移动。隔膜的最终线性运动应密切代表到马达的电输入波形，即使在更高的振幅下也应如此，这会是为了实现与扬声器系统中其他互补性(如更高频率)扬声器相平衡的声压水平所需要的。然而，低音再现需要更大的隔膜偏移。在低音音箱中使用大偏移意味着，除了包括扬声器内的马达部件外，还应考虑隔膜和所附接部件的运动，以便防止它们之间的机械接触(例如，过度偏移，触底等)。

在一些实施例中，本文所描述的声学换能器包括壳体、隔膜、支承片、马达和下落环。马达包括背板、前板、磁体和音圈。下落环将隔膜在支承片的自由周缘处连接到支承片。下落环相对于壳体的中心轴线平行延伸。支承片的自由周缘与马达间隔开，并在隔膜的共振节点处连接到隔膜。

在一些实施例中，本文所描述的制造声学换能器的方法包括确定隔膜的节点部位，经由环绕悬挂将隔膜附接到壳体或筐体，在支承片的自由周缘处将支承片附接到下落环，以及在节点部位处将下落环附接到隔膜。

因此，本文所描述的实施例能够通过利用马达周围的空间来降低下落环使低音音箱的深度或厚度能够减小，并同时确保低音音箱在运行过程中的稳定性或刚性。例如，通过将下落环安装在径向远离马达组件或安装在马达组件径向外侧并平行于中心轴线，下落环利用了与马达相同的线性空间以及马达的偏移余量(allowance)。下落环因此就不需要为其自身的运动单独提供偏移余量。马达的偏移余量和下落环的偏移余量被有效地组合成单一的偏移余量，而没有牺牲低音音箱的性能。

另外，安装成径向远离马达组件的下落环可以在如下位置处连接到隔膜，该位置帮助保持隔膜的刚度，直到低音音箱被衰减出系统并使用更高频率的扬声器的频率。该位置由扬声器组件的动态分析确定，例如是隔膜的共振节点位置。

作为额外的热鲁棒性考虑，由于下落环安装成径向远离马达组件，音圈加热不会影响支承片粘接结合部。高机械应力和从音圈的热热传递的结合会导致马达脱离(detachment)，并且这是驱动器中常见的故障模式。

另外，由于支承片安装成径向远离马达组件，支承片具有增加的总直径(外直径和内直径)。支承片的增加的直径提高了支承片运动的轴向线性度，因为支承片的变形导致较低的机械应力。出于这个原因，支承片的增加的直径也提高了马达的性能和可靠性(例如，鲁棒性)。

关于本文描述的过程、系统、方法、启发等，应当理解的是，虽然这些过程的步骤等已经被描述为根据某个有序的顺序发生，这些过程可以按本文描述的顺序以外的顺序执行所述步骤。应当进一步理解，某些步骤可以同时执行，可以增加其他步骤，或者可以省略本文描述的某些步骤。换言之，本文中对过程的描述是为了说明某些实施方式的目的而提供的，而不应该以任何方式解释为限制权利要求。

因此，应该理解，上述描述旨在说明性的，而不是限制性的。除所提供的实施方式外，许多实施方式和应用在阅读上述说明后变得清楚。范围的确定不应参照上述说明，而应参照所附的权利要求，以及这些权利要求所享有的全部等价替换的范围来确定。未来的发展预计和打算出现在本文讨论的技术中，并且所公开的系统和方法将被纳入这种未来的实施方式中。总之，应当理解，本申请是可以修改和变化的。

权利要求中使用的所有术语都被赋予其最广泛的合理解释以及本领域技术人员所理解的他们的普通含义，除非本文有明确的相反说明。尤其是单数条款的使用，如“一”、“该”、“所述”等，应理解为列举一个或多个所指明的要素，除非权利要求中有明确的相反的限制。

通过对具体实施方式和附图的考虑，本发明实施方式的其他方面将变得清楚。

附图说明

图1示出了低音音箱。

图2是根据本文所描述的实施例的低音音箱的透视图。

图3是图2的低音音箱的侧视图。

图4是根据本文所描述的实施例的图2的低音音箱移除隔膜后的透视图。

图5是根据本文所描述的实施例的图2的低音音箱的横截面透视侧视图。

图6是根据本文所描述的实施例的图2的低音音箱的横截面侧视图。

图7示出了根据本文所描述的实施例的低音音箱。

图8示出了根据本文所描述的实施例的低音音箱。

图9A示出了根据本文所描述的实施例的低音音箱。

图9B示出了根据本文所描述的实施例的低音音箱。

图10示出了根据本文所描述的实施例的低音音箱。

图11A、11B和11C示出了用于低音音箱的下落环构造。

图11D是图11A、11B和11C所示的下落环构造的声压与频率的关系图。

图12A、12B和12C示出了用于低音音箱的下落环构造。

图12D是图12A、12B和12C所示的下落环构造的声压与频率的关系图。

图13A、13B、13C和13D示出了用于低音音箱的下落环构造。

图13E是图13A、13B、13C和13D所示的下落环构造的声压与频率的关系图。

图13F是带和不带低通滤波器的图13D所示的下落环构造的声压与频率的关系图。

具体实施方式

图2和图3示出了声学换能器200(例如，扬声器、低音音箱等)的实施例。图2和图3所示的声学换能器200是低音音箱，其包括筐体或壳体205(例如，大体上圆柱形的框体)、隔膜210、防尘帽215以及环绕件220。低音音箱200被构造成降低或最小化低音音箱200的深度D_S(见图3)。为了降低或最小化低音音箱200的深度D_S，低音音箱200的内部结构被设计成最大限度地利用低音音箱200的内部空间。

图4示出了移除隔膜210、防尘帽215和环绕件220的低音音箱200。如图4所示，低音音箱200包括支承片或阻尼支承片400、成型件405、音圈410以及辅助部件或下落环415(例如，连接器、刚性连杆或用于将阻尼支承片400固定到隔膜的类似部件)。成型件405和下落环415相对于筐体205的中心轴线彼此大致平行。在一些实施例中，成型件405和/或下落环415是由铝、泡沫塑料或类似材料制成。在一些实施例中，成型件405和/或下落环415被制造成隔膜210的一部分。

低音音箱200在图5中以透视横剖面视图示出。如图5所示，低音音箱200包括马达500。马达500包括背板505、前板510、磁体515、成型件405和音圈410。由于支承片400安装在马达500的外侧或径向远离马达500(例如，相对于筐体205的中心轴)，相对于图1的作为对比的低音音箱100，支承片400具有增加的内侧直径和外侧直径(inside diameter andoutside diameter)D_支承片。支承片400的较大直径提高了支承片400的运动的轴向线性度，因为支承片400的变形产生较低的机械应力。支承片400的增加的直径也提高了马达500的性能和可靠性(例如，鲁棒性)。

在一些实施例中，基于例如用于制造低音音箱200的材料，支承片的直径D_支承片大于隔膜210的直径D_隔膜。在其他实施例中，基于例如用于制造低音音箱200的材料，支承片的直径D_支承片大约等于隔膜210的直径D_隔膜。在其他实施例中，基于例如用于制造低音音箱200的材料，支承片D_支承片的直径小于隔膜210的直径D_隔膜。在一些实施例中，低音音箱200包括多于两个的下落环。

参照图6，低音音箱200包括相对于低音音箱200的后表面的中心轴600。下落环415与马达500间隔开(例如，支承片400与马达500没有物理连接)。在一些实施例中，下落环415与马达500间隔开(例如，支承片400可以与马达500物理连接)。下落环415连接在支承片400的第一端或周缘处，并且在对应于隔膜210的振动共振节点的节点部位605处连接到隔膜210。支承片400在第二端或周缘处连接到筐体205。在一些实施例中，测量从低音音箱200的中心轴600到节点部位605(例如，到下落环415和支承片400)的距离D_N。

节点部位605对应于隔膜210经受弯曲所围绕的最小运动区域。隔膜210上的节点部位605的位置可以根据一些变量而变化，例如，低音音箱200的尺寸、隔膜210的尺寸、隔膜210的厚度、构造隔膜210的材料等。这些变量中的每一个都可以影响隔膜210的弯曲共振频率，因此也可以影响到节点部位605的位置。节点部位605可以使用例如有限元模型来定位，该有限元模型具有与低音音箱200的材料和低音音箱200的几何形状有关的输入。通过将下落环415和隔膜210之间的连接定位在节点部位605，隔膜的刚度和稳定性得到提高，同时弯曲共振减少。以这样的方式稳定隔膜210使得低音音箱200在低音音箱产生的频率上限附近的性能得到改善。例如，在一些实施例中，低音音箱200被构造为产生在大约30赫兹(Hz)至大约200Hz范围内的频率。随着在所产生频率的上限处(即接近200Hz)的性能得到改善，低音音箱能够产生高质量的声音直至低音音箱200的上限，在该上限点处，低音音箱200被衰减(attenuate)出系统并且使用更高频率的扬声器。

对低音音箱200的节点部位605进行定位可以使用物理建模技术(例如，有限元法["FEM"])来实现。FEM可以用于定位节点部位以及动态调整(tune)低音音箱200的结构，使得通常存在于隔膜210中的弯曲共振能够被操纵(例如，改变频率和/或降低幅度)。例如，通过修改下落环415到隔膜210的附接位置，修改隔膜210的质量，修改支承片400的机械阻尼等可以操纵共振。对隔膜210的共振的这种操作使得隔膜210能够使用平坦的(例如，非锥形的)设计。与非平坦的隔膜相比，平坦的隔膜210允许低音音箱200的整体深度减少。因此，低音音箱200不使用凹陷的或锥形的隔膜来增加隔膜的刚性，这可能会带来深度损失(penalty)。

图7示出了声学换能器700的另一实施例。图7中示出的声学换能器700是低音音箱700。低音音箱700包括筐体或壳体705、隔膜710、支承片715以及马达720。马达720包括背板725、前板730、磁体735、音圈740以及成型件745。低音音箱700还包括下落环750和筐体705的中心轴755。如图7所示，成型件745和下落环750分别与低音音箱700的中心轴755大致平行。

与上述关于图6的构造类似，下落环750在节点部位760处连接到隔膜710。到节点部位760的距离D_N是从低音音箱700的中心轴755测量的。在图7中所示的低音音箱700(或图2-6中所示的低音音箱200)的辅助下落环构造的情况下，可以限定相对于低音音箱700的移动部分的间隙偏移。第一间隙偏移被限定为马达720的背板725和音圈740的基底之间的第一距离D₁。第二间隙偏移被限定为支承片715和筐体705的后部之间的第二距离D₂。由于下落环750的存在，限定第二间隙偏移的第二距离D₂也限定了隔膜710的间隙偏移。另外，第三距离D₃可以用于描述隔膜710和前板730之间的距离。在一些实施例中，第一距离D₁大于第二距离D₂和第三距离D₃。在其他实施例中，第一距离D₁大约等于第二距离D₂和第三距离D₃。在一些实施例中，第三距离D₃大于第二距离D₂。在其他实施例中，第三距离D₃大约等于第二距离D₂。在其他实施例中，第三距离D₃小于第二距离D₂。

图8示出了另一实施例的声学换能器800的局部视图。图8所示的声学换能器800是低音音箱800。以下对进一步的实施例的描述集中在与先前描述的实施例的不同之处。因此，应该假定先前描述的实施例的特征是或至少可以在这些进一步的实施例中实现，除非明确地另行说明。低音音箱800包括筐体或壳体805、隔膜810、支承片815、辅助构件或下落环820，筐体805的中心轴线825，以及筐体805的内部830。低音音箱800与本文所描述的其他低音音箱类似的地方在于下落环与低音音箱800的中心轴线825大致平行。然而，低音音箱800具有支承片815，支承片815在第一端处连接到下落环820，并在第二端处连接到筐体805的内部部分830。将支承片815连接到筐体805的内部830，使得支承片815定位在下落环820的内部，产生与支承片定位在下落环820外部时不同的刚度-位移特性。在一些实施例中，相比于当支承片定位在下落环820的外部，这样的构造提供了有用的配重平衡(counterbalancing)。

图9A示出了另一实施例的声学换能器900的局部视图。图9A中所示的声学换能器900是低音音箱900。以下对进一步实施例的描述集中在与先前描述的实施例的不同之处。因此，应该假定先前描述的实施例的特征是或至少可以在这些进一步的实施例中实现，除非明确地另行说明。低音音箱900包括筐体或壳体905、隔膜910、第一支承片915、第二支承片920(例如，提供额外的阻尼)、筐体905的中心轴线925、以及马达930。图9A中所示的低音音箱900不包括下落环。相反，隔膜910是向内成曲形，以便与第一支承片915和第二支承片920连接。在其他实施例中，低音音箱900包括下落环，第一支承片915和第二支承片920两者均与该下落环连接。将第一支承片915和第二支承片920结合在实现低音音箱900的目标刚度-便宜特性(例如，以改善马达930的大信号性能)上提供了设计灵活性。

图9B也示出了声学换能器900的局部视图。然而，图9B的声学换能器900包括加固的盖环935。盖环935的功能是作为隔膜910的支承环，以增加隔膜910的结构刚性。在一些实施例中，盖环935在隔膜制造完成后被粘附(例如，胶粘)到隔膜上。

本文所描述的实施例还包括制造或构造声学换能器(例如，扬声器、低音音箱等)的方法。以下对进一步实施例的描述集中在与先前描述的实施例的不同之处。因此，应该假定先前描述的实施例的特征是或至少可以在这些进一步的实施例中实现，除非明确地另行说明。例如，参照图10和声学换能器1000的实施例，制造声学换能器包括提供筐体或壳体1005。隔膜1010被附接到筐体1005。支承片1015在支承片1015的第一周缘处附接到筐体1005。支承片1015在支承片的第二周缘处附接到构件或下落环1020。支承片1015的第二周缘与马达间隔开。在一些实施例中，下落环1020与筐体1005的中心轴线1025平行。如前所述，制造声学换能器1000的方法包括确定隔膜1010的节点部位1030。然后将下落环1020在节点部位1030处附接到隔膜1010。图10中的双侧箭头示出根据声学换能器1000在不同换能器之间的属性或特性的变化，节点部位1030可以位于隔膜1010的不同位置处，并且到节点部位1030的距离D_N可以因换能器而异。

具体来说，图10示出了节点部位1030可以如何相对于中心轴线1025定位。例如，节点部位1030可以位于更接近或更远离中心轴线1025的径向方向。使用数值建模工具(例如，FEM)确定节点部位1030位于哪里可以考虑低音音箱1000及其结构的分布式模型行为(distributed model behavior)。使用这些数值建模技术，隔膜1010的共振行为(例如谐波失真)、隔膜1010的刚度以及低音音箱1000的偏移特性都可以得到平衡，以达到期望的性能水平。

图11A-11C示出了另一实施例的声学换能器1100的局部视图，为了描述的目的，移除了一些部件。图11A-11C所示的声学换能器1100例如是低音音箱1100。以下对进一步实施例的描述集中在与先前描述的实施例的不同之处。因此，应该假定先前描述的实施例的特征是或至少可以在这些进一步的实施例中实现，除非明确地另行说明。图11A中的声学换能器1100包括隔膜1105和成型件1110。在图11A中示出了没有下落环的声学换能器1100，以便显示在声学换能器1100中包括下落环时声学换能器1100的性能改进。图11B示出了定位在隔膜1105节点部位处的下落环1115。下落环1115，例如，由轻质泡沫塑料材料制成，并且具有大约2mm的均匀的宽度(例如，形状上呈矩形)。图11C示出了定位在隔膜1105的节点部位外侧的下落环1115(即，比节点部位更远离隔膜中心)。

图11D是示出图11A、11B和11C的声学换能器1100的频率响应特性的关系图。当声学换能器1100的频率达到约125Hz(即，声学换能器1100的共振频率)时，不包括下落环的声学换能器1100的实施例显示出声压的显著降低。与隔膜组件共振相关的弯曲导致声压损失，并在扬声器的输出中产生不期望的谐波失真。如此一来，隔膜组件共振发生的频率越高，声学换能器1100的性能就越好。如果声学换能器1100是低音音箱，其通常不会以大于约200Hz的频率工作，让声压降低发生在大于200Hz的频率将显著改善声学换能器1100的整体性能。如图11D所示，包括下落环1115(在声学换能器1100的节点部位和节点部位外侧)的声学换能器1100的两个实施例均显示出在大于约200Hz(例如约250Hz)的频率处的声压降低。因此，下落环1115显著改善了声学换能器1100的频率响应特性。

图12A-12C示出了另一实施例的声学换能器1200的局部视图，为了描述的目的，移除了一些部件。图12A-12C所示的声学换能器1200例如是低音音箱1200。以下对进一步实施例的描述集中在与先前描述的实施例的不同之处。因此，应该假定先前描述的实施例的特征是或至少可以在这些进一步的实施例中实现，除非明确地另行说明。图12A中的声学换能器1200包括隔膜1205和成型件1210。在图12A中示出了没有下落环的声学换能器1200，以便显示在声学换能器1200中包括下落环时声学换能器1200的性能改进。图12B示出了定位在隔膜1205的节点部位处的下落环1215。图12C示出了定位在隔膜1205的节点部位外侧的下落环1215(即，比节点部位更远离隔膜中心)。

下落环1215例如由轻质泡沫塑料材料制成并具有梯形形状。与规范形状(如矩形)的下落环相比，梯形形状在下落环1215和隔膜1205之间产生了更大的粘附面积，但增加更少的质量。限制下落环1215的质量有助于提高声学换能器1200的共振频率。梯形下落环1215的第一或较小端将连接到声学换能器1200的支承片。梯形下落环1215的第二或较大端连接到隔膜1205。在图12B和12C所示的实施例中，梯形下落环1215的较大端与梯形下落环1215的较小端之比约为4：2。在一些实施例中，梯形下落环1215的较小端具有约为2mm的宽度，并且梯形下落环1215的较大端具有约为4mm的宽度。在图12B所示的实施例中，声学换能器1200的节点部位位于梯形下落环1215的较大端的中心。

图12D是示出图12A、12B和12C的声学换能器1200的频率响应特性的关系图。当声学换能器1200的频率达到约125Hz(即，声学换能器1200的共振频率)时，不包括下落环的声学换能器1200的实施例再次显示出声压的显著降低。与隔膜组件共振相关的弯曲导致声压损失，并在扬声器的输出中产生不期望的谐波失真。如此一来，隔膜组件共振发生的频率越高，声学换能器1200的性能就越好。如果声学换能器1200是低音音箱，它通常不会以大于约200Hz的频率工作，让声压降低发生在大于200Hz的频率将显著改善声学换能器1200的整体性能。如图12D所示，包括下落环1215(在声学换能器1200的节点部位和节点部位外侧)的声学换能器1200的两个实施例中均显示出在大于约200Hz(例如，对于下落环在节点部位外侧约为250Hz，对于下落环在节点部位处约为290Hz)的频率处的声压降低。因此，下落环1215显著改善了声学换能器1200的频率响应特性。

图13A-13D示出了另一实施例的声学换能器1300的局部视图，为了描述的目的，移除了一些部件。图13A-13D所示的声学换能器1300例如是低音音箱1300。以下对进一步实施例的描述集中在与先前描述的实施例的不同之处。因此，应该假定先前描述的实施例的特征是或至少可以在这些进一步的实施例中实现，除非明确地另行说明。图13A中的声学换能器1300包括隔膜1305和成型件1310。在图13A中示出了没有下落环的声学换能器1300，以便显示在声学换能器1300中包括下落环时声学换能器1300的性能改进。图13B、13C和13D示出了定位在隔膜1305的节点部位处的下落环1315。

下落环1315例如是由泡沫塑料材料制成并具有梯形形状。与规范形状(如矩形)下落环相比，梯形形状在下落环1315和隔膜1305之间产生了更大的粘附面积，但增加更少的质量。限制下落环1315的质量有助于提高声学换能器1300的共振频率。梯形下落环1315的第一或较小端将连接到声学换能器1300的支承片。梯形下落环1315的较大的第二端连接到隔膜1305。在图13B所示的实施例中，梯形下落环1315的较大端与梯形下落环1315的较小端之比约为6：2。在一些实施例中，梯形下落环1315的较小端具有约为2mm的宽度，并且梯形下落环1315的较大端具有约为6mm的宽度。在图13C所示的实施例中，梯形下落环1315的较大端与梯形下落环1315的较小端之比约为8：2。在一些实施例中，梯形下落环1315的较小端具有约2mm的宽度，并且梯形下落环1315的较大端具有约8mm的宽度。在图13D所示的实施例中，梯形下落环1315的较大端与梯形下落环1315的较小端之比约为10：2。在一些实施例中，梯形下落环1315的较小端具有约2mm的宽度，梯形下落环1315的较大端具有约10mm的宽度。在图13B、13C和13D所示的实施例中，声学换能器1300的节点部位位于梯形下落环1315的较大端的中心。

图13E是示出了图13A、13B、13C和13D的声学换能器1300的频率响应特性的关系图。当声学换能器1300的频率达到约125Hz(即隔膜组件的共振频率)时，不包括下落环的声学换能器1300的实施例再次显示出声压的显著降低。与隔膜组件共振相关的弯曲导致声压损失，并在扬声器的输出中产生不期望的谐波失真。如此一来，隔膜组件共振发生的频率越高，声学换能器1300的性能就越好。如果声学换能器1300是低音音箱，它通常不会以大于约200Hz的频率工作，让声压降低发生在大于200Hz的频率将显著改善声学换能器1300的整体性能。如图13E所示，包括下落环1315的声学换能器1300的每个实施例都显示出在大于约200Hz的频率处的声压降低(例如，对于每个实施例至少300Hz和对于图13D的实施例约350Hz)。因此，下落环1315显著改善了声学换能器1300的频率响应特性。

图13F是示出图13D的声学换能器1300包括和不包括低通滤波器(“LPF”)的频率响应特性的关系图，例如四阶巴特沃斯(Butterworth)LPF，当在系统中实现时，其通常可应用于声学换能器，如声学换能器1300。如图13F所示，没有LPF的声学换能器1300的频率响应特性在大约350Hz的频率处由于弯曲共振而经受了声学输出阶跃。然而，这个假象发生在大约70分贝的声压水平上。带有LPF的声学传感器1300的频率响应特性在大约350Hz的频率处再次经受了由于弯曲共振而导致的声学输出阶跃。然而，这个假象发生在大约40分贝的声压水平上，当例如中频换能器被交叉(cross over)以再现该范围内的频率时，这是听不见的。

本公开的系统、方法和装置可以采取以下任何一种或多种构造。因此，本发明可以以本文所描述的任何形式体现，包括但不限于以下列举的实施方式(EEE)，这些列举的实施方式描述了本发明某些部分的结构、特征和功能。

(EEE1)一种低音音箱，包括：

壳体；

隔膜；

支承片；以及

马达，所述马达包括背板、前板、磁体和音圈，

下落环，所述下落环在所述支承片的周缘处将所述隔膜连接到所述支承片，所述下落环相对于所述壳体的中心轴线平行延伸。

其中，所述支承片的周缘与所述马达间隔开，并且

其中，所述下落环在所述隔膜的共振节点处连接到所述隔膜。

(EEE2)根据(EEE1)所述的低音音箱，其中，所述支承片的所述周缘与所述马达间隔开。

(EEE3)根据(EEE1)或(EEE2)所述的低音音箱，其中，外支承片直径大于外隔膜直径。

(EEE4)根据(EEE1)至(EEE3)中任一项所述的低音音箱，进一步包括：

对应于所述背板和所述音圈的基底之间的第一距离的第一间隙偏移；以及

对应于所述支承片和所述壳体的后部之间的第二距离的第二间隙偏移。

(EEE5)根据(EEE4)所述的低音音箱，其中，所述第一间隙偏移的所述第一距离大于所述第二间隙偏移的所述第二距离。

(EEE6)根据(EEE4)或(EEE5)所述的低音音箱，还包括：

对应于所述隔膜和所述前板之间的第三距离的第三间隙偏移。

(EEE7)根据(EEE6)所述的低音音箱，其中，所述第三间隙偏移的所述第三距离大约等于所述第二间隙偏移的所述第二距离。

(EEE8)根据(EEE1)至(EEE7)中的任一项所述的低音音箱，其中：

所述支承片包括外支承片直径；以及

所述隔膜包括外隔膜直径。

(EEE9)根据(EEE8)所述的低音音箱，其中：

所述外支承片直径大于所述外隔膜直径。

(EEE10)根据(EEE1)至(EEE9)中的任一项所述的低音音箱，其中，所述支承片被构造成在所述支承片的第二周缘处连接到所述壳体。

(EEE11)根据(EEE3)至(EEE10)中的任一项所述的低音音箱，还包括：

成型件，所述成型件被构造成将所述音圈连接到所述隔膜，所述成型件相对于所述壳体的所述中心轴线平行延伸。

(EEE12)根据(EEE1)所述的低音音箱，其中，所述支承片被构造成在所述支承片的第二周缘处连接到所述马达。

(EEE13)根据(EEE12)所述的低音音箱，其中，外支承片直径小于外隔膜直径。

(EEE14)根据(EEE1)至(EEE13)中的任一项所述的低音音箱，其中，所述隔膜是平坦的隔膜。

(EEE15)根据(EEE1)至(EEE14)中的任一项所述的低音音箱，其中，所述下落环是梯形形状。

(EEE16)根据(EEE15)所述的低音音箱，其中，所述下落环的第一端长度与所述下落环的第二端长度之比为至少4：2。

(EEE17)一种制造低音音箱的方法，包括：

确定隔膜的节点部位；

将所述隔膜附接到壳体；

在所述支承片的周缘处将所述支承片附接到下落环；

在所述节点部位处将所述下落环附接到所述隔膜。

(EEE18)根据(EEE17)所述的方法，其中：

所述下落环平行于所述壳体的中心轴线。

(EEE19)根据(EEE17)或(EEE18)所述的方法，其中：

所述支承片的所述周缘与所述马达间隔开。

(EEE20)根据(EEE17)至(EEE19)中任一项所述的方法，还包括：

在所述支承片的第二周缘处将所述支承片附接到所述壳体。

因此，本文所述的实施例，除其他外，提供了一种低音音箱，其具有降低的深度，并且在低音音箱产生的频率范围的上限附近具有改善的性能。

提供摘要是为了让读者快速确定技术公开的性质。它的提交是基于这样的理解：它不会被用来解释或限制权利要求的范围或含义。此外，在前面的具体实施方式中，可以看到各种特征在不同的实施方式中被组合在一起，以达到简化公开的目的。这种公开方法不应被解释为反映出一种意图，即所要求保护的实施方式包含比每项权利要求中明确限定的更多的特征。相反，正如以下权利要求所反映的，创造性的主题在于少于单一公开的实施方式的所有特征。因此，以下权利要求在此被纳入具体实施方式，每项权利要求作为单独的权利要求主题而独立存在。

Claims (20)

1.一种低音音箱，包括：

壳体；

隔膜；

支承片；以及

马达，所述马达包括背板、前板、磁体和音圈，

下落环，所述下落环在所述支承片的周缘处将所述隔膜连接到所述支承片，所述下落环相对于所述壳体的中心轴线平行延伸，

其中，所述支承片的所述周缘与所述马达间隔开，并且

其中，所述下落环在所述隔膜的共振节点处连接到所述隔膜。

2.根据权利要求1所述的低音音箱，其中，所述支承片的所述周缘与所述马达间隔开。

3.根据权利要求2所述的低音音箱，其中，外支承片直径大于外隔膜直径。

4.根据权利要求1所述的低音音箱，还包括：

对应于所述背板和所述音圈的基底之间的第一距离的第一间隙偏移；以及

对应于所述支承片和所述壳体的后部之间的第二距离的第二间隙偏移。

5.根据权利要求4所述的低音音箱，其中，所述第一间隙偏移的所述第一距离大于所述第二间隙偏移的所述第二距离。

6.根据权利要求5所述的低音音箱，还包括：

对应于所述隔膜和所述前板之间的第三距离的第三间隙偏移。

7.根据权利要求6所述的低音音箱，其中，所述第三间隙偏移的所述第三距离大约等于所述第二间隙偏移的所述第二距离。

8.根据权利要求1所述的低音音箱，其中：

所述支承片包括外支承片直径；以及

所述隔膜包括外隔膜直径。

9.根据权利要求8所述的低音音箱，其中：

所述外支承片直径大于所述外隔膜直径。

10.根据权利要求1所述的低音音箱，其中，所述支承片被构造成在所述支承片的第二周缘处连接到所述壳体。

11.根据权利要求10所述的低音音箱，还包括：

成型件，所述成型件被构造成将所述音圈连接到所述隔膜，所述成型件相对于所述壳体的所述中心轴线平行延伸。

12.根据权利要求1所述的低音音箱，其中，所述支承片被构造成在所述支承片的第二周缘处连接到所述马达。

13.根据权利要求12所述的低音音箱，其中，外支承片直径小于外隔膜直径。

14.根据权利要求1所述的低音音箱，其中，所述隔膜是平坦的隔膜。

15.根据权利要求1所述的低音音箱，其中，所述下落环是梯形形状。

16.根据权利要求15所述的低音音箱，其中，所述下落环的第一端长度与所述下落环的第二端长度之比为至少4：2。

17.一种制造声学换能器的方法，包括：

确定隔膜的节点部位；

将所述隔膜附接到壳体；

在支承片的周缘处将所述支承片附接到下落环；

在所述节点部位处将所述下落环附接到所述隔膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其中：

所述下落环平行于所述壳体的中心轴线。

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

所述支承片的所述周缘与所述马达间隔开。

20.根据权利要求17所述的方法，还包括：

在所述支承片的第二周缘处将所述支承片附接到所述壳体。

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