CN114696766A - 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，所述方法包括：提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构；提供一带空腔的基底；将所述压电薄膜堆叠结构置于所述基底的空腔中，并使所述压电薄膜堆叠的至少一个弹性连接结构与所述基底固定连接；剥离所述剥离基板，形成薄膜体声波谐振器；本申请解决了相关技术中的薄膜体声波谐振器在压电薄膜堆叠结构与基底在键合连接处发生断裂的问题，提高了谐振器在结构上的稳定性。

Description

一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

技术领域

本申请涉及通信滤波技术领域，尤其是一种谐振式滤波技术领域，具体涉及薄膜体声波谐振器及其制备方法。

背景技术

随着无线通讯应用的发展，人们对于数据传输速度的要求越来越高。在移动通信领域，第一代通信技术是模拟技术，第二代通信技术实现了数字化语音通信，第三代通信技术以多媒体通信为特征，第四代通信技术将通信速率提高到1Gbps、时延减小到10ms，第五代通信技术是第四代通信技术之后的新一代移动通信技术，第五代通信技术拟解决人与人之外的人与物、物与物之间的沟通，实现“万物互联”的愿景。

数据率上升相对应的是频谱资源的高利用率以及通讯协议的复杂化。由于频谱有限，为了满足数据率的需求，必须充分利用频谱；同时为了满足数据率的需求，从第四代通信技术开始还使用了载波聚合技术，使得一台设备可以同时利用不同的载波频谱传输数据。另一方面，为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率，通信协议变得越来越复杂，因此对射频系统的各种性能也提出了严格的需求。射频滤波器最主流的实现方式是声表面波滤波器和基于薄膜体声波谐振器技术的滤波器。声表面波滤波器由于其自身的局限性，在1.5GHz以下使用比较合适。然而，目前的无线通讯协议已经早就使用大于2.5GHz的频段，这时必须使用基于薄膜体声波谐振器技术的滤波器。薄膜体声波薄膜体声波谐振器中的主要部件为薄膜体声波谐振器，相关技术中有一种薄膜体声波谐振器包括具有凹槽结构的基底和具有上电极、压电薄膜、下电极的压电薄膜堆叠结构，上电极和下电极通过与衬底层上的键合层进行键合，使压电薄膜堆叠结构设置在凹槽结构上方，从而在所述衬底上形成空腔结构。

相关技术中的压电薄膜堆叠结构锚接在所述衬底层上，相关技术中心，该锚接通过对电极加宽加粗的方式进行，但发明人们经过研究发现在其锚接处存在锚接能量损失(anchor loss)，一方面声波可通过该锚接处泄露，另一方面仅仅通过键合处的支撑力来克服其自身重力，从而悬挂于所述空腔上方，在上述薄膜体声波谐振器实现声波和电信号的转换时，压电薄膜堆叠结构会产生上下振动，增加了键合连接处的受力，存在键合连接处发生断裂的现象，影响谐振器的稳定性。

需要说明一点，本申请背景技术的描述不构成本申请所认为的现有技术，且不构成申请适用范围的限制。例如，本申请不仅可以应用于移动通信领域，且可以应用于WIFI等其他需要射频的领域。

发明内容

针对相关技术中所存在的不足，本申请提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，其解决了相关技术中的薄膜体声波谐振器在压电薄膜堆叠结构与基底在键合连接处发生断裂的问题，提高了谐振器在结构上的稳定性。

第一方面，本申请提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法，所述方法包括：提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构；提供一带空腔的基底；将所述压电薄膜堆叠结构置于所述基底的空腔中，并使所述压电薄膜堆叠的至少一个弹性连接结构与所述基底固定连接；剥离所述剥离基板，形成薄膜体声波谐振器。

可选地，提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构，包括：提供所述剥离基板，在所述剥离基板上涂布光刻层；对所述光刻层进行蚀刻，使在所述剥离基板上的预设区域形成若干个光刻凸起；在带有所述若干个光刻凸起的剥离基板上依次沉积第一电极层、压电层和第二电极层，使在所述若干个光刻凸起上形成至少一个弹性连接结构，得到所述带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构。

可选地，剥离所述剥离基板之后，所述方法还包括：对所述压电薄膜堆叠结构中若干个光刻凸起进行蚀刻，得到所述薄膜体声波谐振器。

可选地，提供带空腔的基底，包括：提供二氧化硅层，所述二氧化硅层具有相对设置的第一面和第二面；在所述二氧化硅层的第一面沉积第一绝缘层，在所述二氧化硅层的第二面沉积第二绝缘层；按照预设尺寸对所述第二绝缘层进行蚀刻，使在所述第二绝缘层中形成空腔；在带有所述空腔的第二绝缘层表面沉积金属层，得到所述带空腔的基底。

可选地，提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构，包括：提供所述剥离基板，在所述剥离基板上沉积缓冲层；在所述缓冲层上制备所述带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构。

可选地，所述若干个光刻凸起包括半球状、三角体状、圆柱状或长方体状。

可选地，所述至少一个弹性连接结构与所述第一电极层一体成型，和/或，所述至少一个弹性连接结构与所述第二电极成一体成型。

第二方面，本申请提供一种薄膜体声波谐振器，所述谐振器包括：带空腔的基底和带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构；所述压电薄膜堆叠结构设置在所述基底的空腔上，并使所述压电薄膜堆叠的至少一个弹性连接结构与所述基底固定连接。

可选地，所述压电薄膜堆叠结构包括：第一电极层、压电层、第二电极层和至少一个弹性连接结构；所述压电层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，且所述第一电极层和所述第二电极层相对设置；所述至少一个弹性连接结构用于使所述压电薄膜堆叠结构与所述基底固定连接。

可选地，所述至少一个弹性连接结构与所述第一电极层一体成型，和/或，所述至少一个弹性连接结构与所述第二电极成一体成型。

可选地，所述至少一个弹性连接结构的形状包括折线形、方波形、波浪形、Ω形或弹簧形。

可选地，所述基底包括：第一绝缘层、二氧化硅层、第二绝缘层和金属层；在所述第二绝缘层和所述金属层中设置有空腔，使所述压电薄膜堆叠结构设置在所述空腔上，所述第一电极层和/或所述第二电极层通过所述至少一个弹性连接结构与所述金属层固定连接。

可选地，所述至少一个弹性连接结构包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者组合。

相比于相关技术，本申请具有如下有益效果：

本申请通过弹性连接结构使压电薄膜堆叠结构与基底进行键合连接，通过该弹性连接结构的弹性形变的减少能量损失，且在键合连接处可以释放支撑应力，一定程度上防止连接处发生断裂，提高了谐振器在结构上的稳定性，一定程度上还可以对横向杂波的抑制作用，避免能量损失，提高了谐振器的滤波性能。

附图说明

图1所示为本申请一示例性实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图；

图2所示为本申请一示例性实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的制备方法的流程示意图；

图3所示为本申请一示例性实施例提供的图2中步骤S101的具体流程示意图；

图4所示为本申请一示例性实施例提供的压电薄膜堆叠结构制备示意图；

图5所示为本申请一示例性实施例提供的基底制备示意图；

图6所示为本申请一示例性实施例提供的基底和压电薄膜堆叠结构键合示意图；

图7所示为本申请一示例性实施例提供的剥离基板的剥离示意图；

图8所示为本申请一示例性实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的俯视示意图。

附图标记说明：100、基底；110、剥离基板；120、缓冲层；130、光刻层；140、光刻凸起；150、第一电极层；160、第二电极层；170、压电层；180、弹性连接结构；200、压电薄膜堆叠结构；210、二氧化硅层；220、第一绝缘层；230、第二绝缘层；240、空腔；250、金属层。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是固定连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。下面结合附图，对本申请示例性实施例进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

第一方面，本申请提供一种薄膜体声波谐振器，具体包括以下实施例：

示例性的实施例一

图1所示为本申请一示例性实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的结构示意图，如图1所示，本申请实施例提供一种薄膜体声波谐振器具体包括：

带空腔240的基底100和压电薄膜堆叠结构200；

所述压电薄膜堆叠结构200包括第一电极层150、压电层170、第二电极层160和至少一个弹性连接结构180，所述压电层170位于所述第一电极层150和所述第二电极层160之间，且所述第一电极层150和所述第二电极层160大致相对设置；

所述压电薄膜堆叠结构200设置在所述基底100的空腔240上，所述第一电极层150和/或所述第二电极层160通过所述至少一个弹性连接结构180与所述基底100固定连接。具体而言，所述第一电极层150和/或所述第二电极层160与所述基底100固定连接，其连接可称为锚接，所述锚接通过具有弹性形变能力的结构实现，所述具有弹性形变能力的结构即所述弹性连接结构。

所述第一电极层150的材质为钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者上述材质的组合。所述基底的材质为单晶硅、多晶硅、玻璃、石英或蓝宝石之一。

需要说明的是，在本申请的实施例中，所述弹性连接结构的数量包括一个或者多个，所述压电薄膜堆叠结构200的第一电极层150或/和第二电极层160通过所述弹性连接结构180实现与基底100的固定连接，由于弹性连接结构180本身具有一定的弹性形变能力，在压电薄膜堆叠结构200与基底100的连接处可以吸收/释放支撑应力，一方面减少了anchorloss，另一方面有效防止连接处发生断裂，提高了谐振器在结构上的稳定性，进而提高产品的稳定性。

另外地，本申请实施例提供的弹性连接结构可以将传播过程中的其他能量储存为弹性势能，并且可以将弹性势能转换成其他形式的能量，能够维持对横向杂波的抑制作用，较大程度的避免能量损失，提高了谐振器的滤波性能。

在申请的实施例中，在所述基底100从下到上依次设置有第一绝缘层220、二氧化硅层210、第二绝缘层230和金属层250；在所述第二绝缘层230和所述金属层250中设置有空腔240，使所述压电薄膜堆叠结构200设置在所述空腔240上，所述第一电极层150和/或所述第二电极层160通过所述至少一个弹性连接结构180与所述金属层250固定连接。在另外一些实施例中，所述基底只包含单晶硅。此处不受限制，可以实现功能即可。

需要说明的是，在本示例性实施例中，所述至少一个弹性连接结构与所述第一电极层一体成型，和/或，所述至少一个弹性连接结构与所述第二电极成一体成型。

需要说明的是，在本示例性实施例中，所述至少一个弹性连接结构的形状包括折线形、方波形、波浪形、Ω形或弹簧形。

需要说明的是，在本示例性实施例中，所述至少一个弹性连接结构的材质包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者上述材料的组合。

如图8所示，在本示例性实施例中，所述弹性连接结构180的设置位置可以采用对位设置弹性连接结构，从力学角度讲，该种连接结构相对稳固。可选的，弹性连接结构的位置可以任意设定，例如可以仅设定于一角，或者对角设置；具体说明的是，图8中的弹性连接结构180只是俯视示意图，实际上包括但不限于半球状、三角体状、圆柱状或长方体状组成的弹性连接结构，在图8中只示出了两个采用对未设置的弹性连接结构，根据实际需要可以在任一位置设置一个或者多个弹性连接件，并且图中只给出了第一电极层150与弹性连接结构180的示意图，而第二电极层160与所述弹性连接结构180的设置方式与本实施相同或类似，此处就不再赘述。

第二方面，本申请提供一种薄膜体声波谐振器的制备方法，具体包括以下实施例：

示例性的实施例二

图2所示为本申请一示例性实施例提供的一种薄膜体声波谐振器的制备方法的流程示意图，如图2所示，本申请提供的薄膜体声波谐振器的制备方法具体包括以下步骤，需要说明的是在工艺允许范围内，所述步骤可以调换，所述步骤不构成本方法的限制：

步骤S101，提供剥离基板110，在所述剥离基板110上制备带至少一个弹性连接结构180的压电薄膜堆叠结构200。

具体地，在本实施例中，如图3所示，提供剥离基板110，在所述剥离基板110上制备带至少一个弹性连接结构180的压电薄膜堆叠结构200，具体的，包括以下步骤：

步骤S201，提供所述剥离基板110，在所述剥离基板110上涂布光刻层130；

步骤S202，对所述光刻层130进行蚀刻，使在所述剥离基板110上的预设区域形成若干个光刻凸起140；

步骤S203，在带有所述若干个光刻凸起140的剥离基板110上依次沉积第一电极层150、压电层170和第二电极层160，使在所述若干个光刻凸起140上形成至少一个弹性连接结构180，得到所述带至少一个弹性连接结构180的压电薄膜堆叠结构200。

需要说明的是，如图4a所示，提供一剥离基板110，在所述剥离基板110上沉积缓冲层120，所述缓冲层120主要用于方便所述剥离基板110从压电薄膜堆叠结构200上进行分离；其中，该缓冲层120可以是二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和磷酸剥离等材料。

通过旋转涂布光刻胶的方式在所述缓冲层120上形成光刻层130，在所述光刻层130上的预设区域覆盖保护膜，对覆盖保护膜的光刻层130进行蚀刻，去除保护膜覆盖区域以外的光刻胶，使在所述缓冲层上形成若干个光刻凸起140，如图4b所示。其中，对所述若干个光刻凸起140再进行打磨加工，使所述光刻凸起140的形状包括但不限于半球状、三角体状、圆柱状或长方体状，所述光刻凸起140主要起到支撑作用，用于形成不用形状的弹性连接结构180。

进一步地，在带有所述若干个光刻凸起140的缓冲层上沉积第一电极层150、压电层170和第二电极层160，使在所述若干个光刻凸起上形成弹性连接结构180，如图4c可知，根据实际需要，在缓冲层120上可以形成一个或者多个弹性连接结构180；并且为了使薄膜体声波谐振器更加结构更加稳固，所述弹性连接结构180与第一电极层150或第二电极层160一体成型，从而形成所述带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构。

步骤S102，提供一带空腔240的基底100；

具体地，提供带空腔240的基底100具体包括：提供二氧化硅层210，所述二氧化硅层210具有相对设置的第一面和第二面；在所述二氧化硅层210的第一面沉积第一绝缘层220，在所述二氧化硅层210的第二面沉积第二绝缘层230；按照预设尺寸对所述第二绝缘层230进行蚀刻，使在所述第二绝缘层230中形成空腔240；在带有所述空腔240的第二绝缘层230表面沉积金属层250，得到所述带空腔240的基底100。

需要说明的是，如图5a和5b所示，提供具有相对设置的第一面和第二面的二氧化硅层210，在所述二氧化硅层210的第一面上沉积第一绝缘层220作为衬底，在所述二氧化硅层210的第二面上沉积第二绝缘层230作为支撑层，使用干法或湿法蚀刻所述第二绝缘层230，使在所述第二绝缘层中形成预设尺寸大小的空腔240，所述预设尺寸与上述压电薄膜堆叠结构的尺寸相匹配，使所述空腔240的横向宽度大于所述压电薄膜堆叠结构的横向宽度，并且所述第二绝缘层230的沉积厚度要大于所述压电薄膜堆叠结构的纵向高度，从而使所述空腔240的纵向高度大于所述压电薄膜堆叠结构的纵向高度。

最后，在带有所述空腔240的第二绝缘层表面沉积金属层250，得到所述带空腔的基底，如图5c所示。

步骤S103，将所述压电薄膜堆叠结构200置于所述基底100的空腔240中，并使所述压电薄膜堆叠200的至少一个弹性连接结构180与所述基底100固定连接。

在本申请实施例中，将所述压电薄膜堆叠结构200悬挂在所述基底100的空腔中时，且当所述弹性连接结构180的数量为2个时，并且与所述第一电极层150和所述第二电极层160一体成型，因此所述弹性连接结构180的第一端与所述第一电极层150的一体成型，所述弹性连接结构180的第二端与所述基底上的金属层250进行键合，从而使所述压电模板堆叠结构中的第一电极层150通过所述弹性连接结构180与所述基底弹性固定连接，相同的所述弹性连接结构180的第一端与所述第二电极层160的一体成型，所述弹性连接结构180的第二端与所述基底上的金属层250进行键合，从而使所述压电模板堆叠结构中的第二电极层160通过所述弹性连接结构180与所述基底弹性固定连接。

步骤S104，剥离所述剥离基板110，形成薄膜体声波谐振器。

在本申请的实施例中，如图6所示，将剥离基板110上的缓冲层120湿法去除，将所述剥离基板110和缓冲层120一起与所述第一电极层150和第二电极层160进行分离，然后对所述压电薄膜堆叠结构中的若干个光刻凸起140进行蚀刻，得到如图1所示的薄膜体声波谐振器。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (13)

1.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构；

提供一带空腔的基底；

将所述压电薄膜堆叠结构置于所述基底的空腔中，并使所述压电薄膜堆叠的至少一个弹性连接结构与所述基底固定连接；

剥离所述剥离基板，形成薄膜体声波谐振器。

2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构，包括：

提供所述剥离基板，在所述剥离基板上涂布光刻层；

对所述光刻层进行蚀刻，使在所述剥离基板上的预设区域形成若干个光刻凸起；

在带有所述若干个光刻凸起的剥离基板上依次沉积第一电极层、压电层和第二电极层，使在所述若干个光刻凸起上形成至少一个弹性连接结构，得到所述带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构。

3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，剥离所述剥离基板之后，所述方法还包括：

对所述压电薄膜堆叠结构中若干个光刻凸起进行蚀刻，得到所述薄膜体声波谐振器。

4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，提供带空腔的基底，包括：

提供二氧化硅层，所述二氧化硅层具有相对设置的第一面和第二面；

在所述二氧化硅层的第一面沉积第一绝缘层，在所述二氧化硅层的第二面沉积第二绝缘层；

按照预设尺寸对所述第二绝缘层进行蚀刻，使在所述第二绝缘层中形成空腔；

在带有所述空腔的第二绝缘层表面沉积金属层，得到所述带空腔的基底。

5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，提供剥离基板，在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构，包括：

提供所述剥离基板，在所述剥离基板上沉积缓冲层；

在所述缓冲层上制备所述带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构。

6.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述若干个光刻凸起包括半球状、三角体状、圆柱状或长方体状。

7.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述至少一个弹性连接结构与所述第一电极层一体成型，和/或，所述至少一个弹性连接结构与所述第二电极成一体成型。

8.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：

带空腔的基底和带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构；

所述压电薄膜堆叠结构设置在所述基底的空腔上，并使所述压电薄膜堆叠的至少一个弹性连接结构与所述基底固定连接。

9.如权利要求8所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电薄膜堆叠结构包括：

第一电极层、压电层、第二电极层和至少一个弹性连接结构；

所述压电层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，且所述第一电极层和所述第二电极层相对设置；

所述至少一个弹性连接结构用于使所述压电薄膜堆叠结构与所述基底固定连接。

10.如权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述至少一个弹性连接结构与所述第一电极层一体成型，和/或，所述至少一个弹性连接结构与所述第二电极成一体成型。

11.如权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述至少一个弹性连接结构的形状包括折线形、方波形、波浪形、Ω形或弹簧形。

12.如权利要求9所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述基底包括：

第一绝缘层、二氧化硅层、第二绝缘层和金属层；

在所述第二绝缘层和所述金属层中设置有空腔，使所述压电薄膜堆叠结构设置在所述空腔上，所述第一电极层和/或所述第二电极层通过所述至少一个弹性连接结构与所述金属层固定连接。

13.如权利要求8-12任一项所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述至少一个弹性连接结构包括钨、钼、铂白金、钌、铱、钛钨、铝之一或者组合。

Images