CN114696749A - 一种低噪声放大器电路、芯片及电子设备 - Google Patents

一种低噪声放大器电路、芯片及电子设备 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种低噪声放大器电路、芯片及电子设备。所述低噪声放大器电路包括：第一处理模块，用于对输入端的输入电压信号进行放大，并将其转换为至少两路第一电流信号；第二处理模块，用于实现所述低噪声放大器电路输入端的阻抗匹配，并用于对所述输入端的输入电压信号进行放大后将其转换为至少两路第二电流信号；电压输出模块，与所述第一处理模块和所述第二处理模块相连，用于将所述第一电流信号和所述第二电流信号对应合并后转换为所述输出电压信号。所述低噪声放大器电路能够实现单路输入电压信号到至少两路输出电压信号的转换，适用于射频前端具有多输出端的场景。

Description

一种低噪声放大器电路、芯片及电子设备
技术领域
本申请属于通信技术领域，涉及一种低噪声放大器电路，特别是涉及一种适用于单输入多输出的低噪声放大器电路、芯片及电子设备。
背景技术
目前，射频前端越来越多地被设计成具有多个输出端，以便同时接收多个信道上的信号。例如，对于机顶盒(Set Top Box，STB)来说，同时接收两个或多个信道的信号允许机顶盒实现诸如画中画(Pictrue-In-Pictrue，PIP)、个人视频录制(Personal VideoRecording，PVR)以及节目的快速切换等功能，因此，越来越多的机顶盒被设计成具有多个调谐器以便实现在多个信道上同时接收信号。然而，传统的射频前端往往只能实现在单个信道上进行信号接收，因而其内部所采用的低噪声放大电路也是针对单输出端的射频前端设计，很难应用到多输出端的场景。因此，如何设计一种适用于多输出端场景的低噪声放大电路成为本领域专业技术人员亟需解决的问题之一。
发明内容
本申请的目的在于提供一种低噪声放大器电路、芯片及电子设备，以解决现有技术中射频前端所采用的低噪声放大器电路难以应用到多输出端场景的问题。
根据本申请的第一方面，提供了一种低噪声放大器电路，所述电路具有单个输入端和至少两个输出端，用于对输入端的输入电压信号进行放大并转换为至少两路输出电压信号，各输出电压信号经对应的输出端输出；所述低噪声放大器电路包括：第一处理模块，用于对输入端的输入电压信号进行放大，并将其转换为至少两路第一电流信号；第二处理模块，用于实现所述低噪声放大器电路输入端的阻抗匹配，并用于对所述输入端的输入电压信号进行放大后将其转换为至少两路第二电流信号；电压输出模块，所述电压输出模块与所述第一处理模块和所述第二处理模块相连，用于将所述第一电流信号和所述第二电流信号对应合并后转换为所述输出电压信号；其中，所述输出电压信号的数量与所述第一电流信号的数量相同。
在一些实施例中，所述第一处理模块包括：第一放大器，用于对所述输入端的输入电压信号进行放大，以获得第一电压信号；至少两个第一跨导级，所述至少两个第一跨导级与所述第一放大器相连；所述至少两个第一跨导级用于将所述第一电压信号转换为所述至少两路第一电流信号。
在一些实施例中，所述第一放大器包括：第三跨导级，用于将所述输入端的输入电压信号转换为第三电流信号；第一MOSFET，所述第一MOSFET的栅极和漏极相连，并且其栅极与各所述第一跨导级相连以构成至少两个电流镜，其漏极与所述第三跨导级相连；所述第一MOSFET基于所述第三电流信号在其栅极形成所述第一电压信号。
在一些实施例中，所述第二处理模块包括：匹配放大电路，用于实现所述低噪声放大器电路输入端的阻抗匹配，并对所述输入端的输入电压信号进行放大以获得第二电压信号，且将所述第二电压信号转换为反馈信号并反馈至所述输入端；至少两个第二跨导级，与所述匹配放大电路相连；所述第二跨导级用于将所述第二电压信号转换为所述至少两路第二电流信号。
在一些实施例中，所述匹配放大电路包括：第二放大器，用于对所述输入端的输入电压信号进行放大，以获得所述第二电压信号；反馈电路，所述反馈电路与所述第二放大器和所述输入端相连，用于将所述第二电压信号转换为所述反馈信号并反馈至所述输入端。
在一些实施例中，所述电压输出模块包括：至少两个电流合并单元，分别与所述第一处理模块和所述第二处理模块相连；所述电流合并单元用于对所述第一电流信号和所述第二电流信号对应合并以获得第四电流信号；其中，所述第四电流信号的数量与所述第一电流信号的数量相同；至少两个电流电压转换单元，分别与对应的电流合并单元相连；所述至少两个电流电压转换单元用于将所述第四电流信号转换为所述输出电压信号。
在一些实施例中，所述第一电流信号和所述第二电流信号为差分电流信号；或者所述第一电流信号和所述第二电流信号为单端电流信号。
根据本申请的第二方面，提供了一种芯片，所述芯片包括本申请第一方面所述的低噪声放大器电路。
根据本申请的第三方面，提供了一种电子设备，所述电子设备包括本申请第一方面所述的低噪声放大器电路。
可以看出，本申请的低噪声放大器电路通过第一处理模块和第二处理模块分别将输入端的电压有效地放大并将其转换为多路电流信号，并通过电压输出模块将第一和第二处理模块输出的多路电流信号对应相加并转换为多路输出电压信号实现单端输入到多端输出的转换，实现了多个信道的同时接收。所述第二处理模块中匹配放大电路的噪声，作为整个低噪声放大器电路的主要噪声源，经过第一和第二处理模块产生的噪声电流相位相反，经电流合并后可实现每条信号路径上的噪声全部或部分消除。这使得本申请的低噪声放大器电路可以实现很好的噪声性能。所述匹配放大电路噪声消除的实现，第一处理模块中的电流镜设计，以及第二处理模块中匹配放大电路对第二跨导级噪声的抑制，使得本申请的低噪声放大器电路能够具有很高的设计自由度来实现较高的线性度和较低的功耗。此外，本申请的低噪声放大器电路的每一条从输入到输出的信号路径之间的互相影响很小。并且，本申请的噪声放大器电路可在不使用巴伦的情况下实现单端到差分的转换，可有效降低成本。本申请所述低噪声放大器电路尤其适用于宽带场景，是一种带有噪声消除的多输出宽带低噪声放大器。
附图说明
图1显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中的结构示意图。
图2显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中第一处理模块的结构示意图。
图3显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中第一处理模块的结构示意图。
图4显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中第二处理模块的结构示意图。
图5显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中第二处理模块的结构示意图。
图6显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中的结构示意图。
图7A显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中的结构示意图。
图7B显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中第一处理模块的结构示意图。
图7C显示为本申请所述低噪声放大器电路于一具体实施例中第二处理模块的结构示意图。
图8显示为本申请所述芯片于一具体实施例中的结构示意图。
元件标号说明
1 低噪声放大器电路
11 第一处理模块
111 第一放大器
1111 第三跨导级
1112 第一MOSFET
112 第一跨导级
12 第二处理模块
121 匹配放大电路
1211 第二放大器
1212 反馈电路
122 第二跨导级
13 电压输出模块
131 电流合并单元
132 电流电压转换单元
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，遂图示中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。此外，在本文中，诸如“第一”、“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
目前，射频前端越来越多地被设计成具有多个输出端，以便同时接收多个信道上的信号。然而，传统的射频前端往往只能实现在单个信道上进行信号接收，因而其内部所采用的低噪声放大电路也是针对单输出端的射频前端设计，很难应用到射频前端具有多输出端的场景。
为了实现在多个信道上同时接收信号，现有的接收机系统通常采用无源分配器、多个SISO(single-input single-output，单输入单输出)低噪声放大器、电流分裂共源低噪声放大器(Current Splitting Common-Source LNA)或电压分裂拓扑来实现对多路信号的同时接收，但是现有的这些方法存在的问题，使其难以应用到多输出端场景。
无源分配器虽然具有良好的线性度，但不可避免地会引入信号损耗，从而导致整个接收机系统的灵敏度降低。此外，无源分配器通常是射频输入端的一个分立元件，在芯片上实现会增加芯片面积。
将多个SISO低噪声放大器直接连接到同一个射频输入端以产生多个输出的结构，会存在不同接收路径之间的互相影响问题，特别是阻抗匹配和噪声性能方面的问题。
电流分裂共源低噪声放大器通常使用源极电感退化来实现阻抗匹配，这限制了该方案在宽带场景中的应用，而且电流分裂也会恶化电路的噪声性能。
电压分裂拓扑基本由级联的电压放大器组成，其中，第一级为射频输入端的低噪声放大器，第二级为多个电压放大器或跨导，虽然这种结构可以实现单输入多输出功能，但是级联电压放大器会限制电路的线性度性能，导致电路中存在较大的失真，并且第一级的低噪声放大器仍然会面临噪声系数、阻抗匹配、线性度等方面的问题。
针对上述问题，本申请提供一种低噪声放大器电路，能够实现单路输入电压信号到至少两路输出电压信号的转换，因而所述低噪声放大器电路能够适用于射频前端具有多输出端的场景。
请参阅图1，于本申请的一实施例中，所述低噪声放大器电路1具有单个输入端和至少两个输出端，用于对所述输入端的输入电压信号VIN进行放大并转换为至少两路输出电压信号，各输出电压信号经对应的输出端输出。所述低噪声放大器电路1包括第一处理模块11、第二处理模块12和电压输出模块13。
所述第一处理模块11用于对输入端的输入电压信号VIN进行放大，并将其转换为至少两路第一电流信号，例如I1-1、I1-2…I1-n，n为大于等于2的整数。
所述第二处理模块12用于实现所述低噪声放大器电路1输入端的阻抗匹配，并用于对所述输入端的输入电压信号VIN进行放大后将其转换为至少两路第二电流信号，例如I2-1、I2-2…I2-n。其中，所述第二电流信号的数量与所述第一电流信号的数量相同，且所述第二电流信号与所述第一电流信号一一对应。本实施例中，所述第二处理模块12可以采用与现有低噪声放大器相同的方式实现所述阻抗匹配，具体方式此处不做过多赘述。
所述电压输出模块13与所述第一处理模块11和所述第二处理模块12相连，用于将所述第一电流信号和所述第二电流信号对应合并后转换为所述输出电压信号。具体地，所述对应合并是指对于任一路第一电流信号，所述电压输出模块13将该路第一电流信号与其对应的第二电流信号合并(例如叠加)为一路电流信号，并将合并得到的一路电流信号转换为一路输出电压信号，例如，请参阅图1和图6，对于第一电流信号I1-1，其对应的第二电流信号为I2-1，将I1-1与I2-1相叠加得到一路电流信号I4-1，电流信号I4-1流过电阻等负载电路后可获得一路输出电压信号Vout-1。
根据以上描述可知，本实施例所述低噪声放大器电路1能够对其输入端的一路输入电压信号进行放大，得到多路输出电压信号，因而能够实现单端输入到多端输出的转换，适用于具有多输出端的射频前端。
请参阅图2，于本申请的一实施例中，所述第一处理模块11包括第一放大器(A1)111以及至少两个第一跨导级112。
所述第一放大器111用于对所述输入端的输入电压信号VIN进行放大，以获得一第一电压信号V1。优选地，所述第一放大器111为一低噪声电压放大器。
所述至少两个第一跨导级112与所述第一放大器111相连，用于将所述第一电压信号转换为所述至少两路第一电流信号；具体地，所述第一跨导级112中的每一个均与所述第一放大器111的输出端相连，并能够将所述第一电压信号V1转换为一路第一电流信号；例如，第一跨导级GM1-1能够将所述第一电压信号V1转换为一路第一电流信号I1-1。所有第一跨导级GM1-1、GM1-2、……、GM1-n的输出即为所述第一处理模块11的输出，其中n为大于等于2的整数。所述第一跨导级可以采用MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)实现，也可以采用其他方式实现，此处不做限制。
请参阅图3，于本申请的一实施例中，所述第一放大器111包括第三跨导级1111以及第一MOSFET 1112。其中，所述第三跨导级1111用于将所述输入端的输入电压信号VIN转换为第三电流信号I3。所述第一MOSFET 1112的栅极和漏极相连形成二极管，且所述第一MOSFET 1112的栅极与各所述第一跨导级相连以构成对应的至少两个电流镜。所述第一MOSFET 1112基于所述第三电流信号I3在其栅极形成所述第一电压信号V1。所述第三电流信号I3通过各所述电流镜形成所述至少两路第一电流信号，例如，所述第一MOSFET 1112与第一跨导级GM1-1构成一个电流镜，所述第三电流I3通过该电流镜后形成一路第一电流信号I1-1；所述第一MOSFET1112与第一跨导级GM1-2构成另一电流镜，所述第三电流I3通过该另一电流镜后形成另一路第一电流信号I1-2。
根据以上描述可知，本实施例所述第一MOSFET与各所述第一跨导级相连并构成了对应的至少两个电流镜，所述第三跨导级输出的第三电流信号I3在电流镜的内部被转换成二极管连接的MOSFET上的电压V1，其后经由各所述电流镜内部的第一跨导级转换成至少两路第一电流信号并输出。尽管本实施例中所述第一放大器111的输出为电压信号，然而电流镜的存在能够保证信号的线性度不会降低，因而能够保证本实施例中所述第一跨导级具有良好的线性度。
需要说明的是，本实施例中以单端信号为例对所述第一放大电路进行了介绍，实际应用中也可以根据需求对所述第一放大电路的结构进行调整以使其具备对差分信号的处理能力，具体方式此处不做赘述。
请参阅图4，于本申请的一实施例中，所述第二处理模块12包括匹配放大电路121和至少两个第二跨导级122。其中，所述匹配放大电路121用于实现所述低噪声放大器电路输入端的阻抗匹配，并对所述输入端的输入电压信号进行放大以获得第二电压信号V2；所述匹配放大电路121还用于将所述第二电压信号V2转换为反馈信号FB并反馈至所述输入端。所述至少两个第二跨导级122的输入端与所述匹配放大电路121的输出端相连。所述第二跨导级用于将所述第二电压信号V2转换为所述至少两路第二电流信号，具体地，所述第二跨导级122中的每一个均将所述第二电压信号V2转换为一路第二电流信号，例如：第二跨导级GM2-1能够将所述第二电压信号V2转换为一路第二电流信号I2-1。所有第二跨导级GM2-1、GM2-2、……、GM2-n的输出即为所述第二处理模块12的输出，其中n为大于等于2的整数。具体应用中，各所述第二跨导级可以通过MOSFET实现，也可以采用其他方式实现，此处不作限制。
本实施例中，所述匹配放大电路能够对所述输入端的输入电压信号进行放大，因此，所述匹配放大电路会对所述第二跨导级的噪声产生抑制，因而所述第二跨导级的噪声不会成为所述低噪声放大器电路中的主要噪声，从而允许所述第二跨导级可以设计成具有较高的线性度。
请参阅图5，于本申请的一实施例中，所述匹配放大电路121包括第二放大器(A2)1211和反馈电路1212。其中，所述第二放大器1211用于对所述输入端的输入电压信号VIN进行放大，以获得所述第二电压信号V2；所述反馈电路1212与所述第二放大器1211和所述输入端相连，用于将所述第二电压信号转换为所述反馈信号FB并反馈至所述输入端。
在实际应用中，所述匹配放大电路121可能会产生噪声，此时，所述第二电压信号V2包含所述匹配放大电路121产生的全部或部分噪声电压，一方面，所述噪声电压经所述反馈电路到达所述输入端，并经所述第一处理模块的第一跨导级后形成第一噪声电流；另一方面，所述噪声电压经所述第二处理模块的第二跨导级后形成第二噪声电流。特别地，当所述低噪声放大器电路1采用图6所示的电路实现时，所述第一噪声电流和所述第二噪声电流的相位相反。需要说明的是，图6仅是所述低噪声放大器电路的一个示例，当所述低噪声放大器电路采用其他方式实现时，可以通过在电路中使用反相放大器等组件对所述第一噪声电流和/或所述第二噪声电流的相位进行调整，以保证所述第一噪声电流与所述第二噪声电流的相位相反。
请继续参阅图6，于本申请的一实施例中，所述电压输出模块13包括至少两个电流合并单元131以及至少两个电流电压转换单元132，其中，所述电流电压转换单元132的数量与所述电流合并单元131的数量相同且一一对应相连。
所述至少两个电流合并单元131分别与所述第一处理模块11和所述第二处理模块12相连，以使各所述电流合并单元与所述第一处理模块11输出的各路第一电流信号一一对应，并使各所述电流合并单元与所述第二处理模块12输出的各路第二电流信号一一对应。每一所述电流合并单元均用于将其对应的一路第一电流信号与其对应的一路第二电流信号进行合并，以获得一路第四电流信号。例如，对于电流合并单元Adder1，其对应的一路第一电流信号为I1-1，其对应的一路第二电流信号为I2-1，该电流合并单元Adder1能够对第一电流信号I1-1和第二电流信号I2-1进行合并得到对应的第四电流信号I4-1。
特别地，当所述低噪声放大器电路中存在所述第一噪声电流和所述第二噪声电流时，所述电流合并单元还用于将所述第一噪声电流和所述第二噪声电流进行合并，由于所述第一噪声电流和所述第二噪声电流的相位相反，因此，将二者进行合并之后能够实现所述第一噪声电流和所述第二噪声电流的部分抵消或者全部抵消，从而减少甚至消除所述低噪声放大器电路中的噪声电流。
每一所述电流电压转换单元分别与对应的电流合并单元相连；所述第四电流信号流经所述电流电压转换单元后形成所述输出电压信号。具体地，每一所述电流电压转换单元均用于对一路所述第四电流信号进行转换，并得到一路输出电压信号；所有电流电压转换单元的输出电压信号即为所述低噪声放大器电路的输出电压信号。
根据以上描述可知，本实施例所述低噪声放大器电路能够通过所述电流合并单元实现对第一噪声电流和第二噪声电流的合并，以实现所述第一噪声电流和所述第二噪声电流的部分或者全部抵消，有利于减少所述第二放大器A2产生的噪声，此时，所述第二放大器A2具有足够的设计自由度，从而保证所述第二放大器能够被设计为具有较好的性能指标，例如较高的线性度或者较低的功耗。
于本申请的一实施例中，所述第一电流信号和所述第二电流信号为差分电流信号，或者为单端电流信号。当二者为单端电流信号时，所述低噪声放大器电路的实现方式如图6所示。
当所述第一电流信号和所述第二电流信号为差分电流信号时，所述低噪声放大器电路的实现方式如图7A所示，其中，第一放大器A1和第二放大器A2均采用单端差分配置来实现，相应的，电路中所采用的第一跨导级、第二跨导级、反馈电路、电流合并单元以及电流电压转换单元也采用差分配置以便对电路中的差分信号进行处理。在该低噪声放大器电路中，来自第二放大器A2的噪声在差分模式下被消除。电路结构用差分形式实现，可以保证所述低噪声放大器电路具有良好的电源抑制、共模抑制和二阶线性度。
具体地，当所述第一电流信号和所述第二电流信号为差分电流信号时，所述第一处理模块的一种实现方式如图7B所示。其中，第三跨导级GM3具有单端输入和差分输出，其输出电流被转换成二极管连接的MOSFET上的电压，并经电流镜再度转换成电流。由于电流镜的特性，尽管第一放大器A1的输出为电压信号，所述第一处理模块中信号的线性度也不会降低。所述第二处理模块的一种实现方式如图7C所示，其中所采用的的反馈电路采用差分输入单端输出的方式实现。
根据以上描述可知，本实施例所述低噪声放大器电路能够实现单端输入差分输出。在一些实施例中，射频前端对差分信号的接收通常采用巴伦实现；而本实施例所述低噪声放大器电路中允许第一放大器和第二放大器采用单端差分配置，从而实现对差分信号的接收，此时，所述低噪声放大器电路无需使用巴伦，有利于降低成本。
基于以上对所述低噪声放大器电路的描述，本申请还提供一种芯片。请参阅图8，于本申请的一实施例中，所述芯片包括本申请所述低噪声放大器电路中的至少部分器件。例如，所述芯片可以包含整个低噪声放大器电路，也可以只包含所述低噪声放大器电路中的第一处理模块和/或第二处理模块。所述芯片可表示为利用半导体技术在晶圆上制造的电压放电电路进行封装而成的可售有源器件；或者表示为利用PCB封装技术将所述低噪声放大器电路进行封装而成的可售有源器件。
基于以上对所述低噪声放大器电路的描述，本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括本申请所述的低噪声放大器电路，所述电子设备包括但不限于机顶盒。
本申请所述低噪声放大器电路中输入端的电压VIN能够被第一处理模块和第二处理模块有效地放大，并在每个电流合并单元处相加。所述第一处理模块中可以包含由第一MOSFET和第三跨导级构成的电流镜，电流镜的存在使得所述第一处理模块能够被设计成具有较高的线性度。在所述第二处理模块中，第二放大器A2会对第二跨导级中的噪声产生抑制，因而所述第二跨导级中的噪声不会成为电路中的主要噪声，故所述第二跨导级可以被设计成具有较高的线性度；第二放大器A2的噪声是由于阻抗匹配要求而引入的主要噪声源，该噪声通过第一处理模块和第二处理模块传输到每个电流合并单元，由于来自第一处理模块的第一噪声电流和来自第二处理模块的第二噪声电流相位相反，因而在所述电流合并单元处能够实现噪声电流的减弱甚至消除，这就给第二放大器A2的设计提供了足够高的设计自由度，故第二放大器A2能够被设计成具有较高的线性度。本申请所述低噪声放大器电路尤其适用于宽带场景，是一种带有噪声消除的多输出宽带低噪声放大器。
此外，本申请所述低噪声放大器电路可以被配置为能够实现单端输入、差分输出，因而能够减少巴伦的使用，有利于降低成本。
综上所述，本申请有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本申请的原理及其功效，而非用于限制本申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本申请的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种低噪声放大器电路，其特征在于，具有单个输入端和至少两个输出端，用于对输入端的输入电压信号进行放大并转换为至少两路输出电压信号，各输出电压信号经对应的输出端输出；所述低噪声放大器电路包括：
第一处理模块，用于对所述输入端的输入电压信号进行放大，并将其转换为至少两路第一电流信号；
第二处理模块，用于实现所述低噪声放大器电路输入端的阻抗匹配，并用于对所述输入端的输入电压信号进行放大后将其转换为至少两路第二电流信号，其中，所述第二电流信号的数量与所述第一电流信号的数量相同；
电压输出模块，所述电压输出模块与所述第一处理模块和所述第二处理模块相连，用于将所述第一电流信号和所述第二电流信号对应合并后转换为所述输出电压信号；其中，所述输出电压信号的数量与所述第一电流信号的数量相同。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一处理模块包括：
第一放大器，用于对所述输入端的输入电压信号进行放大，以获得第一电压信号；
至少两个第一跨导级，所述至少两个第一跨导级与所述第一放大器相连；所述至少两个第一跨导级用于将所述第一电压信号转换为所述至少两路第一电流信号。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一放大器包括：
第三跨导级，用于将所述输入端的输入电压信号转换为第三电流信号；
第一MOSFET，所述第一MOSFET的栅极和漏极相连，并且其栅极与各所述第一跨导级相连以构成至少两个电流镜，其漏极与所述第三跨导级相连；所述第一MOSFET基于所述第三电流信号在其栅极形成所述第一电压信号。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二处理模块包括：
匹配放大电路，用于实现所述低噪声放大器电路输入端的阻抗匹配，并对所述输入端的输入电压信号进行放大以获得第二电压信号，且将所述第二电压信号转换为反馈信号并反馈至所述输入端；
至少两个第二跨导级，与所述匹配放大电路相连；所述第二跨导级用于将所述第二电压信号转换为所述至少两路第二电流信号。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述匹配放大电路包括：
第二放大器，用于对所述输入端的输入电压信号进行放大，以获得所述第二电压信号；
反馈电路，所述反馈电路与所述第二放大器和所述输入端相连，用于将所述第二电压信号转换为所述反馈信号并反馈至所述输入端。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于，所述电压输出模块包括：
至少两个电流合并单元，分别与所述第一处理模块和所述第二处理模块相连；所述电流合并单元用于对所述第一电流信号和所述第二电流信号对应合并以获得第四电流信号；其中，所述第四电流信号的数量与所述第一电流信号的数量相同；
至少两个电流电压转换单元，分别与对应的电流合并单元相连；所述至少两个电流电压转换单元用于将所述第四电流信号转换为所述输出电压信号。
7.根据权利要求1所述的低噪声放大器电路，其特征在于：
所述第一电流信号和所述第二电流信号为差分电流信号；或者
所述第一电流信号和所述第二电流信号为单端电流信号。
8.一种芯片，其特征在于：所述芯片包括权利要求1-7任一项所述的低噪声放大器电路。
9.一种电子设备，其特征在于：所述电子设备包括权利要求1-7任一项所述的低噪声放大器电路。
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