CN113300732A - 一种功率分配电路和射频前端收发设备 - Google Patents

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CN113300732A CN202110404744.XA CN202110404744A CN113300732A CN 113300732 A CN113300732 A CN 113300732A CN 202110404744 A CN202110404744 A CN 202110404744A CN 113300732 A CN113300732 A CN 113300732A
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Abstract

本申请实施例提出了一种功率分配电路和射频前端收发设备，所述功率分配电路应用于所述射频前端收发设备，包括：公共级放大电路和支路级放大电路，其中，所述支路级放大电路至少包括两路并联的通道放大电路；所述公共级放大电路，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的射频信号进行第一信号处理，得到第一功率信号，将所述第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理；每一路所述通道放大电路，用于对所述第一功率信号进行第二信号处理，得到第二功率信号，将所述第二功率信号输出给所述射频前端收发设备的无线电收发装置；所述第二信号处理至少包括：低噪声放大处理。

Description

一种功率分配电路和射频前端收发设备
技术领域
本申请涉及射频电路技术，尤其涉及一种功率分配电路和射频前端收发设备。
背景技术
相关技术中，通过在至少两个并联通道低噪声放大器前增加功分器来实现单输入多输出的功率分配，功分器的引入恶化了输出端噪声系数，因此，可以在功分器前端加入低噪声放大器以增加通道增益并减小通道输出端的噪声系数，但该方法将导致射频前端收发设备占用较大的面积。
发明内容
本申请实施例期望提供一种功率分配电路和射频前端收发设备。
一方面，本申请实施例提供了一种功率分配电路，应用于射频前端收发设备，其特征在于，包括：公共级放大电路和支路级放大电路，其中，所述支路级放大电路至少包括两路并联的通道放大电路；所述公共级放大电路，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的射频信号进行第一信号处理，得到第一功率信号，将所述第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理；每一路所述通道放大电路，用于对所述第一功率信号进行第二信号处理，得到第二功率信号，将所述第二功率信号输出给所述射频前端收发设备的无线电收发装置；所述第二信号处理至少包括：低噪声放大处理。
另一方面，本申请实施例还提供了一种射频前端收发设备，所述射频前端收发设备包括上述所述的功率分配电路。
在本申请实施例中，通过在每一路所述通道放大电路的前端设置能够对射频前端收发设备天线接收的射频信号进行缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理的公共级放大电路，来实现单输入多输出的功率分配，在去掉功分器的情况下，也能降低输出端噪声系数，同时，减小了射频前端收发设备的占用面积。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，这些附图示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于说明本申请的技术方案。
图1为相关技术中射频前端收发设备的组成结构示意图；
图2为相关技术中采用功分器实现单输入双输出一分二功率分配电路的组成结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种功率分配电路的组成结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种功率分配电路的组成结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种功率分配电路的组成结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种一分二功率分配电路的组成结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种一分二功率分配电路的组成方框图；
图8为本申请实施例提供的一种一分二功率分配电路对应的等效电路的组成结构示意图；
图9为本申请实施例提供的另一种一分二功率分配电路对应的等效电路的组成结构示意图；
图10为本申请实施例提供的一种射频前端收发设备的组成结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所提供的实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。另外，以下所提供的实施例是用于实施本申请的部分实施例，而非提供实施本申请的全部实施例，在不冲突的情况下，本申请实施例记载的技术方案可以任意组合的方式实施。
需要说明的是，在本申请实施例中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的电路不仅包括所明确记载的要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为电路所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括该要素的电路中还存在另外的相关要素。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，U和/或W，可以表示：单独存在U，同时存在U和W，单独存在W这三种情况。另外，本文中术语“至少一种”表示多种中的任意一种或多种中的至少两种的任意组合，例如，包括U、W、V中的至少一种，可以表示包括从U、W和V构成的集合中选择的任意一个或多个元素。
4G通信中引入了载波聚合(Carrier Aggregation，CA)用于增加传输带宽，5G通信中除了CA之外还有(EUTRA-NR Dual Connection，EN-DC)模式、多输入多输出(Multiple-Input Multiple-Output，MIMO)模式。这三种模式都要求至少有两路通道可以同时接收和发送信号。
对于接收(RX)通道天线只有一个的情况，也就是两个频段共用一个输入端口和一个天线的情况，射频前端收发设备的组成结构参见图1。如图1所示，天线101用于接收射频信号，并将接收的射频信号输出给通道1低噪声放大器102和通道2低噪声放大器103；通道1低噪声放大器102和通道2低噪声放大器103用于对天线101接收的射频信号进行低噪声放大处理，并将低噪声放大处理后的功率信号输出给无线电收发装置104。由于天线101接收的射频信号直接输出给通道1低噪声放大器102和通道2低噪声放大器103，未进行隔离处理、缓冲处理等处理，因此，通道输出端得到的功率信号的效果很差。
相关技术中，实现单输入双输出一分二的主要方法是采用功分器(spliter)法。该方法为在射频前端收发设备的天线和通道低噪声放大电路增加功分器，参见图2，从天线接收的射频信号RFin连接在功分器201的输入端，功分器201的输出端1连接通道1低噪声放大器202；功分器201的输出端2连接通道2的低噪声放大器203，通道1低噪声放大器202的输出为通道1射频功率输出信号RX1_out；通道2低噪声放大器203的输出为通道2射频功率输出信号RX2_out。
可以理解的是，通道1低噪声放大器202和通道2低噪声放大器203的电路组成结构相同，均包括输入阻抗匹配电路、共源共栅电路结构、射频保护电路和输出阻抗匹配电路。其中，通道1低噪声放大器202包括：RX1输入阻抗匹配电路2021、RX1共源共栅电路结构2022、RX1射频保护电路2023和RX1输出阻抗匹配电路2024；通道2低噪声放大器203包括：RX2输入阻抗匹配电路2031、RX2共源共栅电路结构2032、RX2射频保护电路2033和RX2输出阻抗匹配电路2034；
这里，RX1输入阻抗匹配电路2021的一端与功分器的输出端1相连接，RX1输入阻抗匹配电路2021的另一端与RX1共源共栅电路结构2022的输入端相连接，RX1共源共栅电路结构2022的输出端与RX1输出阻抗匹配电路2024的输入端相连接；RX1输出阻抗匹配电路2024的输出端为通道1射频功率输出信号RX1_out；RX1射频保护电路2023连接在输出端与RX1共源共栅电路结构2022的直流电源之间。
图2中，RX1共源共栅电路结构2022包括第一电容C1和第二电容C2、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电感L1、第一偏置电压Vg11、第二偏置电压Vg12、直流电源正端VCC和接地端SGND；RX1射频保护电路2023包括：第三电容C3和第二电感L2；
其中，C1连接在输入阻抗匹配电路2021的输出端与Vg11的正极之间，Vg11的负极连接在SGND上，C1用于对经过输入阻抗匹配电路2021的射频信号进行抗干扰处理，Vg11用于向Q1提供偏置电压；Q1的栅级连接在C1与Vg11的公共节点上，Q1的源级通过串联L1连接SGND，用于保持电路的稳定；Q1的漏极连接在Q2的源极上，Q2的栅极连接在C2和Vg12的公共节点上；Vg12的正极与C2的一端相连接，C2的另一端连接在SGND上，Vg12的负极连接在SGND上；Q2的漏极通过串联L2连接在VCC上，以防止射频信号窜入电路；C3跨界在VCC与SGND之间，用于去除VCC上的射频干扰；Q2的漏极作为RX1共源共栅电路结构2022的输出端。
Q2的漏极与RX1输出阻抗匹配电路2024的输入端相连，RX1输出阻抗匹配电路2024的输出端作为通道1射频功率输出信号RX1_out。
由于通道1低噪声放大器202和通道2低噪声放大器203的电路组成结构相同，这里，不对通道2低噪声放大器203的电路组成进行具体描述。
可以理解的是，功分器的有功损耗恶化了通道输出端的噪声因子。若功分器有功损耗为L，那么噪声因子便恶化L倍，参见公式(1)，
Fout_RX1/RX2＝L*FRX1/RX2*2 (1)；
其中，FRX1/RX2表示RX1或RX2通道的噪声因子；Fout_RX1/RX2表示RX1或RX2输出端的噪声因子。
RX1输出端的噪声因子为功分器的等分个数2乘以功分器的有功损耗L，再乘以RX1通道的噪声因子。同理，RX2输出端的噪声因子为功分器的等分个数2乘以功分器的有功损耗L，再乘以RX2通道的噪声因子。
通过公式(1)可以看出，功分器的引入增加了RX1或RX2输出端的噪声因子，即，通道输出端的噪声因子。
基于上述技术问题，本申请实施例提供了一种功率分配电路，参见图3，所述功率分配电路300应用于射频前端收发设备，包括：公共级放大电路301和支路级放大电路302，其中，所述支路级放大电路302至少包括两路并联的通道放大电路；
所述公共级放大电路301，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的射频信号进行第一信号处理，得到第一功率信号，将所述第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理；
每一路所述通道放大电路，用于对所述第一功率信号进行第二信号处理，得到第二功率信号，将所述第二功率信号输出给所述射频前端收发设备的无线电收发装置；所述第二信号处理至少包括：低噪声放大处理。
可以理解的是，射频前端收发设备可以是包括收发天线、至少两个收发通道和无线电收发装置。
在一个示例中，公共级放大电路301可以是低噪声放大器(Low Noise Amplifier，LNA)；通道放大电路也可以是LNA，即，支路级放大电路302也可以至少包括两路并联的LNA。
在一些可能的实施方式中，不对第一信号处理中低噪声放大处理的放大倍数进行限定，实际应用中，可以根据具体的设计需求来确定放大倍数。
可以理解的是，支路级放大电路302中的各路通道放大电路可以等效为公共级放大电路301的并联负载，即，公共级放大电路301的输出功率分配至各路通道放大电路，在各路放大电路的输入阻抗相同的情况下，可以实现一分多的等功率分配。
在一些可能的实施方式中，在每一路所述通道放大电路的输入阻抗的阻抗值相同的情况下，每一路所述通道放大电路输出功率值相同。
在本申请实施例中，通过在每一路所述通道放大电路的前端设置能够对射频前端收发设备天线接收的射频信号进行缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理的公共级放大电路，来实现单输入多输出的功率分配，在去掉功分器的情况下，也能降低输出端噪声系数，同时，减小了射频前端收发设备的占用面积。
图4为本申请实施例提供的另一种功率分配电路的组成结构示意图，如图4所示，所述功率分配电路400应用于射频前端收发设备，包括：输入阻抗匹配电路401、低噪声放大电路结构402、射频抗干扰电路403、第1至第N路放大电路404，N为大于2的整数；
其中，输入阻抗匹配电路401，用于对所述射频前端收发设备的天线405接收的射频信号进行输入阻抗匹配处理，得到输入阻抗匹配处理后的射频信号，将所述输入阻抗匹配处理后的射频信号输出给所述低噪声放大电路结构402；
所述低噪声电路放大结构402，用于对所述输入阻抗匹配处理后的射频信号进行所述第一信号处理，得到所述第一功率信号，将搜书第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：所述缓冲处理、所述隔离处理和所述低噪声放大处理；
所述射频抗干扰电路403，连接在所述低噪声放大电路结构的输出端与所述低噪声放大电路结构的直流电源之间，用于防止射频信号窜入所述直流电源，实现对所述公共级放大电路的射频干扰保护。
第1至第N路放大电路404，用于对所述第一功率信号进行所述第二信号处理，得到所述第二功率信号，将所述第二功率信号输出给所述射频前端收发设备的无线电收发装置406；所述第二信号处理至少包括：所述低噪声放大处理。
在一种可能的实施方式中，低噪声放大电路结构为以下之一：共源电路结构、共源共栅电路结构。这里，共源电路结构和共源共栅电路结构都可以是用于实现特定倍数放大的低噪声放大的电路，用于提高带宽增益、稳定性以及输入阻抗。共源电路结构、共源共栅电路结构中的晶体管可以是金氧半场效晶体管(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)，也可以是双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)或场效应晶体管(Field Effect Transistor，FET)。
在一个示例中，输入阻抗匹配电路401可以是根据输入的射频信号的带宽所设计的，用于使得电路工作在最大输出功率的状态。
本申请实施例中，通过输入阻抗匹配电路、低噪声放大电路结构和射频抗干扰电路，来对所述射频前端收发设备的天线接收的射频信号进行缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理，得到第一功率信号，因此，得到的第一功率信号可以是缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理后的信号，通过每一路所述通道放大电路对第一功率信号进行第二处理，可以得到噪声因子更小的输出功率信号。
图5为本申请实施例提供的又一种功率分配电路的组成结构示意图，如图5所示，所述功率分配电路500应用于射频前端收发设备，包括：公共级放大电路501、级间匹配电路502和支路级放大电路503；其中，所述支路级放大电路503至少包括两路并联的通道放大电路；
所述公共级放大电路501，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的射频信号进行第一信号处理，得到第一功率信号，将所述第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理；
级间匹配电路502，用于对所述公共级放大电路与每一路所述通道放大电路进行阻抗匹配；
每一路所述通道放大电路，用于对所述第一功率信号进行第二信号处理，得到第二功率信号，将所述第二功率信号输出给所述射频前端收发设备的无线电收发装置；所述第二信号处理至少包括：低噪声放大处理。
本申请实施例中，连接在所述公共级放大电路与每一路通道放大电路之间的级间匹配电路，可以是包括电容的电路。在一个示例中，级间匹配电路可以是设置的特定参数的电容，该电容可以是用于进行隔直处理的电容，但也具有阻抗匹配的效果。
在上述实施例的基础上，本申请实施例提供了一种一分二功率分配电路的组成结构示意图，如图6所示，所述功率分配电路包括第一级电路60、第二级电路61和级间匹配电路62，所述第二级电路61包括第一子电路610和第二子电路611；第一级电路60的输出端连接在级间匹配电路62的输入端上，级间匹配电路62的输出端分别与第一子电路610和第二子电路611的输入端相连接，第一子电路610和第二子电路611的输出端分别为RX1输出端和RX2输出端；其中，RX1和RX2分别表示通道1和通道2。
本申请实施例中，第一级电路60为公共级电路，在第一级电路60的输出端直接连接第二级电路61(级间匹配电路可以忽略)，也就是说，第一子电路610和第二子电路611都同时挂载在第一级电路60的输出端上。由于第一子电路610和第二子电路611在第一级电路60的输出端等效为第一级电路60的负载，第一子电路610和第二子电路611两者属于并联关系，第一级电路60的输出功率由第一子电路610和第二子电路611均分。如此，可以实现不通过功分器将信号一分为二的处理。
图6中，由于第一级电路60、第一子电路610和第二子电路611的电路组成结构比较类似，都包括共源共栅结构和射频抗干扰电阻组成的综合放大电路600，区别仅在于第一级电路61还包括输入阻抗匹配电路612，第一子电路610还包括第一输出阻抗匹配电路613和第七电容C7，第二子电路还包括第二输出阻抗匹配电路614和第八电容C8。
可以看出，第一级电路60中，输入阻抗匹配电路612的输出端与综合放大电路600的输入端相连接，综合放大电路600的输出端为第一级电路60的输出端；第一子电路610中，C7连接在级间匹配电路62的输出端与综合放大电路600的输入端之间，综合放大电路600的输出端与第一输出阻抗匹配电路613的输入端相连接，将第一输出阻抗匹配电路613的输出端作为RX1输出端；第二子电路611中，C8连接在级间匹配电路62的输出端与综合放大电路600的输入端之间，综合放大电路600的输出端与第二输出阻抗匹配电路613的输入端相连接，将第二输出阻抗匹配电路614的输出端作为RX2输出端。
其中，第一级电路60中的综合放大电路600包括第九电容C9和第十电容C10、第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第五电感L5、第六电感L6、第五偏置电压Vg31、第六偏置电压Vg32、直流电源正端VCC和接地端SGND；
其中，输入阻抗匹配电路612的输出端与Vg31的正极连接，Vg31的负极连接在SGND上；Q5的栅级连接在Vg31与输入阻抗匹配电路612的公共节点上，Vg31用于向Q5提供偏置电压；Q5的源级通过串联L5连接SGND，用于保持电路的稳定；Q5的漏极连接在Q6的源极上，Q6的栅极连接在C9和Vg32的公共节点上；Vg32的正极与C9的一端相连接，C9的另一端连接在SGND上，Vg32的负极连接在SGND上；Q6的漏极通过串联L6连接在VCC上，以防止射频信号窜入电路；C10跨界在VCC与SGND之间，用于去除VCC上的射频干扰；Q6的漏极作为综合放大电路600的输出端。
第一子电路610中的综合放大电路600包括第十一电容C11和第十二电容C12、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8、第七电感L7、第八电感L8、第七偏置电压Vg41、第八偏置电压Vg42、直流电源正端VCC和接地端SGND；
其中，Vg41的正极与C7的一端连接，Vg41的负极连接在SGND上；Q7的栅级连接在Vg41与C7的公共节点上，Vg41用于向Q7提供偏置电压；Q7的源级通过串联L7连接SGND，用于保持电路的稳定；Q7的漏极连接在Q8的源极上，Q8的栅极连接在C11和Vg42的公共节点上；Vg42的正极与C11的一端相连接，C11的另一端连接在SGND上，Vg42的负极连接在SGND上；Q8的漏极通过串联L8连接在VCC上，以防止射频信号窜入电路；C12跨界在VCC与SGND之间，用于去除VCC上的射频干扰；Q8的漏极作为综合放大电路600的输出端。
第二子电路611中的综合放大电路600包括第十三电容C13和第十四电容C14、第九晶体管Q9、第十晶体管Q10、第九电感L9、第十电感L10、第九偏置电压Vg51、第十偏置电压Vg52、直流电源正端VCC和接地端SGND；
其中，Vg51的正极与C8的一端连接，Vg51的负极连接在SGND上；Q9的栅级连接在Vg51与C8的公共节点上，Vg51用于向Q9提供偏置电压；Q9的源级通过串联L9连接SGND，用于保持电路的稳定；Q9的漏极连接在Q10的源极上，Q10的栅极连接在C13和Vg52的公共节点上；Vg52的正极与C13的一端相连接，C13的另一端连接在SGND上，Vg52的负极连接在SGND上；Q10的漏极通过串联L10连接在VCC上，以防止射频信号窜入电路；C14跨界在VCC与SGND之间，用于去除VCC上的射频干扰；Q10的漏极作为综合放大电路600的输出端。
可以理解的是，当第一子电路610对应的RX1通道和第二子电路611对应的RX2通道中的某一路通道单独工作时候，另外一路通道处于关闭状态，即，另外一路通道的输出阻抗呈现高阻抗，相当于开路，对处于工作状态的电路不构成影响。
图7为本申请实施例提供的一分二功率分配电路的组成方框图，如图7所示，所述功率分配电路包括：来自天线的射频信号RFin、第一级电路701、第一通道子电路702、第二通道子电路703、第一通道子电路702的输出端704和第二通道子电路703的输出端705。其中，Zin_12表示第一通道子电路702的等效输入阻抗；Zin_22表示第二通道子电路703的等效输入阻抗。
基于图7，在第一通道子电路702处于工作状态，第二通道子电路703处于关闭状态的情况下，由于第二通道子电路703的等效输入阻抗Zin_22处于高阻，相当于开路，如图8所示，虚线框内为第二通道子电路703在关闭状态的等效阻抗Zin_22_OFF，可以看出，Zin_22_OFF远大于第一子电路在工作状态下的等效阻抗Zin_12_On。
图9为本申请实施例提供的另一种一分二功率分配电路对应的等效电路的组成结构示意图，如图9所示，将第一级电路60等效为电流源I_1-SOURCE，Zin_12和Zin_22分别为RX1通道和RX2通道的输入阻抗。由于Zin_12＝Zin_22，所以I1＝I2，I1^2*Zin_12＝I2^2*Zin_22。
图10为本申请实施例提供的一种射频前端收发设备的组成结构示意图，如图10所示，所述射频前端收发设备1000包括天线1001、与所述天线1001连接的功率分配电路1002以及与所述功率分配电路1002线连接的无线电收发装置1003。
这里，天线1001用于接收或发送射频信号，并将射频信号发送给功率分配电路1002，通过功率分配电路1002对所述射频信号进行一路分多路的功率分配和放大处理，得到多路功率信号，并将得到的多路功率信号发送给无线电收发装置1003。
上文对各个实施例的描述倾向于强调各个实施例之间的不同之处，其相同或相似之处可以互相参考，为了简洁，本文不再赘述。
本申请所提供的各电路实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的电路实施例。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的实施方式，上述的实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本申请的保护之内。

Claims (9)

1.一种功率分配电路，应用于射频前端收发设备，其特征在于，包括：公共级放大电路和支路级放大电路，其中，所述支路级放大电路至少包括两路并联的通道放大电路；
所述公共级放大电路，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的射频信号进行第一信号处理，得到第一功率信号，将所述第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：缓冲处理、隔离处理和低噪声放大处理；
每一路所述通道放大电路，用于对所述第一功率信号进行第二信号处理，得到第二功率信号，将所述第二功率信号输出给所述射频前端收发设备的无线电收发装置；
所述第二信号处理至少包括：低噪声放大处理。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述公共级放大电路包括低噪声放大电路结构，所述低噪声放大电路结构，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的所述射频信号进行所述第一信号处理，得到所述第一功率信号。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述低噪声放大电路结构为以下之一：共源电路结构、共源共栅电路结构。
4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述公共级放大电路还包括：输入阻抗匹配电路；
所述输入阻抗匹配电路，用于对所述射频前端收发设备的天线接收的所述射频信号进行输入阻抗匹配处理，得到输入阻抗匹配处理后的射频信号，将所述输入阻抗匹配处理后的射频信号输出给所述低噪声放大电路结构；
对应地，所述低噪声放大电路结构，用于对所述输入阻抗匹配处理后的射频信号进行所述第一信号处理，得到所述第一功率信号，将所述第一功率信号输出给每一路所述通道放大电路；所述第一信号处理至少包括：所述缓冲处理、所述隔离处理和所述低噪声放大处理。
5.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述公共级放大电路还包括：射频抗干扰电路；
所述射频抗干扰电路，连接在所述低噪声放大电路结构的输出端与所述低噪声放大电路结构的直流电源之间，用于防止射频信号窜入所述直流电源，实现对所述公共级放大电路的射频干扰保护。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，还包括：
级间匹配电路，连接在所述公共级放大电路与每一路所述通道放大电路之间，用于对所述公共级放大电路与每一路所述通道放大电路进行阻抗匹配。
7.根据权利要求1至6任一项所述的电路，其特征在于，所述公共级放大电路为低噪声放大器。
8.根据权利要求1至6任一项所述的电路，其特征在于，在每一路所述通道放大电路的输入阻抗的阻抗值相同的情况下，每一路所述通道放大电路输出功率值相同。
9.一种射频前端收发设备，其特征在于，所述射频前端收发设备包括权利要求1至8任一项所述的功率分配电路。
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