CN114696694A - 一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质。其中，弱磁方法包括：基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
Description
技术领域
本申请涉及电机技术领域，尤其涉及一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
无电解电容控制技术可以显著减小电控系统的体积、降低成本，并能提高电控系统的可靠性，因此是近年来的研究热点。薄膜电容是一种常见的无电解电容，由于薄膜电容的容量较小，薄膜电容上的母线电压会以两倍频网侧电压进行周期性波动，可能会出现母线电压跌落至零的情况，为了避免这种情况的出现，在薄膜电容中采用弱磁算法尤为重要。
电机如果使用小容量的薄膜电容，在弱磁电流达到最大或者未及时调节弱磁电流的情况下，在一些工况下电机能量会回灌至母线电容，导致母线电压进行周期性回冲。回冲电压的频率与母线电压频率一致，无法使用低通滤波滤除；回冲电压会导致母线电压的平均值升高，进而减小弱磁电流。由于母线电压回冲是因为弱磁电流较小造成的，而回冲造成平均电压升高，会进一步减小弱磁电流，使得电控系统更加失控。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例的主要目的在于提供一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质，以解决相关技术中母线电压回冲造成的电控系统失控的问题。
为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：
本申请实施例提供了一种弱磁方法，所述方法包括：
基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；
在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；
基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
上述方案中，所述电压采样结果还包括交流电压值的采样结果；所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；其中，
所述第一电压变化率表征母线电压值的采样结果对应的电压变化率；所述第二电压变化率表征交流电压值的采样结果对应的电压变化率。
上述方案中，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第一设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
上述方案中，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，还包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于第一设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第一设定时长后，更新平均母线电压值。
上述方案中，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第二设定阈值的情况下，将母线电压值对应的采样结果替换为交流电压值的采样结果；
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于所述第二设定阈值的情况下，保存母线电压值对应的采样结果；
在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第二设定时长后，更新平均母线电压值。
上述方案中，所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值大于第三设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
上述方案中，所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，还包括：
在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值不大于所述第三设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值采样至第三设定时长后，更新平均母线电压值。
本申请实施例还提供了一种弱磁装置，所述装置包括：
计算单元，用于基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；
更新单元，用于在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；
控制单元，用于基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
本申请实施例还提供了一种电子设备，包括：处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器，其中，
所述处理器用于运行所述计算机程序时，执行上述任一方法的步骤。
本申请实施例还提供了一种存储介质，其上存有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一方法的步骤。
在本申请实施例中，通过基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制，这样，每次在母线电压出现回冲时都会及时更新平均母线电压值，从而避免了出现母线电压过大造成的弱磁电流变小的情况，提高了电控系统的稳定性。
附图说明
图1为实际情况下母线电压周期性回冲的工况示意图；
图2为理想情况下母线电压值与交流电压值的示意图；
图3为本申请实施例提供的弱磁方法的实现流程示意图；
图4为本申请实施例提供的弱磁电流的生成过程示意图；
图5为本申请实施例提供的另一弱磁方法的实现流程图；
图6为本申请实施例提供的另一弱磁方法的实现流程图；
图7为本申请实施例提供的另一弱磁方法的实现流程图；
图8为本申请实施例提供的弱磁装置的示意图；
图9为本申请实施例电子设备的硬件组成结构示意图。
具体实施方式
相关技术中，弱磁电流通常由两部分构成：平均弱磁电流和波动弱磁电流，其中，平均弱磁电流的获取过程为：基于母线电压与目标工作电压确定电压余量，对该电压余量进行低通滤波处理获得平均电压余量，根据平均电压余量以及预设的平均电压余量设定值确定平均弱磁电流；弱磁电流波动量根据母线电压的基波分量确定。
相关技术中，并没有考虑母线电压存在周期性回冲的工况。
图1示出了实际情况下母线电压周期性回冲的工况示意图，请参见图1，其中，实线部分Vdc表征实际工况下的母线电压，虚线部分|Vs|表征交流电压的绝对值。
图2示出了理想情况下母线电压值与交流电压值的示意图。请参见图2，在理想工况中，母线电压的波动曲线与交流电压的绝对值的波动曲线是重合的。
而在图1的实际工况中，在一个周期2π内，只有2θ部分母线电压与交流电压的绝对值的波动曲线是重合的，在2δ部分由于出现母线电压回冲，母线电压值均大于交流电压的绝对值，其中2π＝2θ+2δ。从图1可以看出，回冲电压会导致母线电压的平均值升高，而母线电压平均值的升高会减小弱磁电流，母线电压回冲是由于弱磁电流变小导致的，而因为回冲工况而升高的平均母线电压会进一步减小弱磁电流，从而使电控系统更加失控。
基于此，本申请实施例提供了一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质，通过基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制，这样，每次在母线电压出现回冲时都会及时更新平均母线电压值，从而避免了出现母线电压过大造成的弱磁电流变小的情况，提高了电控系统的稳定性。
下面结合附图及实施例对本申请再作进一步详细的描述。
图3为本申请实施例提供的弱磁方法的实现流程示意图。如图3所示，所述方法包括：
步骤301：基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期。
这里，在每个控制周期内对电压进行采样，基于当前控制周期的前一个控制周期的电压采样结果，计算电压采样结果对应的电压变化率。由于平均母线电压值与控制周期内的每个母线电压值相关，所以在每个控制周期内至少对母线电压值进行采样。
步骤302：在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲。
这里，在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，在通过所述电压变化率可以得知母线电压出现回冲的情况下，更新平均母线电压值，从而可以避免出现回冲造成的平均母线电压值升高。
步骤303：基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
这里，基于更新后的平均母线电压值计算弱磁电流，基于弱磁电流对电控系统进行弱磁控制。
无电解电容系统中，母线电压会周期性波动，有两种方式基于母线电压确定弱磁电流：
方式1：根据实时波动的母线电压与目标电压进行运算得到波动的弱磁电流；
方式2：根据2倍频网侧电压周期内的平均母线电压与目标电压进行运算得到直流的弱磁电流。
由于方式1计算得出的弱磁电流比实际的弱磁电流偏大，并且母线电压波动后弱磁电流损耗加大，会造成电控系统控制效率明显下降，所以在无电解电容控制系统中利用方式1计算弱磁电流并不合适，实际应用中一般采用方式2进行弱磁控制。
图4为本申请实施例提供的弱磁电流的生成过程示意图，请参见图4，其中：
uq为电机交轴(q轴)电流调节器输出的电压，单位V；
ud为电机直轴(d轴)电流调节器输出的电压，单位V；
Vdc为母线电压，单位V；
k为一个常数；
PI为比例积分调节器；
idref为弱磁电流，单位A。
内置式永磁同步电机在d、q轴旋转坐标系下的电压限制方程如公式1所示：
其中，Rs为电机相电阻，单位Ω；
id表示d轴电流，即：弱磁电流；
Ld表示d轴电感；
p为电机的极对数；
Lq表示q轴电感，
iq表示q轴电流；
Ldid表示d轴磁链，单位Wb；
Lqiq表示q轴磁链，单位Wb；
ωe表示电机电角频率，单位rad/s；
在忽略电机的电阻压降，且只考虑电机处于稳态的情况下，电压限制方程如公式2所示：
所以，在确定平均母线电压值后，基于公式1和公式2确定弱磁电流id；基于确定出的弱磁电流进行弱磁控制。
在一实施例中，所述电压采样结果还包括交流电压值的采样结果；所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；其中，
所述第一电压变化率表征母线电压值的采样结果对应的电压变化率；所述第二电压变化率表征交流电压值的采样结果对应的电压变化率。
这里，在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，由于交流电压值是母线电压值在理想情况下的取值，所以在理想情况下，交流电压值的变化率与母线电压值的变化率是同步的，在母线电压出现回冲的情况下，母线电压值的变化率与交流电压值的变化率会出现不同步，因此，可以通过母线电压值的变化率与交流电压值的变化率来反应母线电压是否出现回冲，在出现回冲的情况下，更新平均母线电压值。
通过在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，可以通过母线电压值的变化率和交流电压值的变化率直观、简便地判断是否需要更新平均母线电压值，可以在母线电压出现回冲的情况下及时更新平均母线电压值，从而避免了回冲造成的电控系统的失控，提高了电控系统的稳定性。
图5为本申请实施例提供的另一弱磁方法的实现流程图，请参见图5，在一实施例中，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第一设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
这里，在第一电压的变化率与第二电压的变化率大于第一设定阈值的情况下，表明母线电压值的变化率已经明显大于交流电压值的变化率，在这种情况下，表明母线电压已经出现回冲，因此需要及时更新平均母线电压值。具体的，计算第一控制周期内所有母线电压值的采样结果的平均值，作为更新后的平均母线电压值。
通过在第一电压的变化率与第二电压的变化率大于第一设定阈值的情况下，更新平均母线电压值，可以在母线电压出现回冲的情况下及时更新平均母线电压值，从而避免了回冲造成的电控系统的失控，提高了电控系统的稳定性。
在一实施例中，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，还包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于第一设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第一设定时长后，更新平均母线电压值。
这里，在第一电压的变化率与第二电压的变化率不大于第一设定阈值的情况下，表示第一控制周期内母线电压没有出现回冲，因此只需在当前控制周期对电压值的采样时长达到第一设定时长后，更新平均母线电压。其中，第一设定时长为设定的平均母线电压值的更新周期。
在第一电压的变化率与第二电压的变化率不大于第一设定阈值的情况下，通过在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第一设定时长后，更新平均母线电压，可以根据最新的平均母线电压值进行弱磁控制，提高了弱磁控制的准确性。
图6为本申请实施例提供的另一弱磁方法的实现流程图，请参见图6，在一实施例中，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第二设定阈值的情况下，将母线电压值对应的采样结果替换为交流电压值的采样结果；
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于所述第二设定阈值的情况下，保存母线电压值对应的采样结果；
在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第二设定时长后，更新平均母线电压值。
这里，在第一电压变化率与第二电压变化率的差值大于第二设定阈值的情况下，表示第一控制周期内母线电压出现了回冲，因此，将母线电压值对应的采样结果替换为交流电压值的采样结果。
在第一电压变化率与第二电压变化率的差值不大于第二设定阈值的情况下，表示第一控制周期内母线电压没有出现回冲，因此，保存母线电压值对应的采样结果。
在当前控制周期对母线电压值和交流电压值的采样时长达到第二设定时长后，更新平均母线电压。其中，第二设定时长为设定的平均母线电压值的更新周期。
通过根据第一电压变化率和第二电压变化率的差值是否大于第二设定阈值来确定母线电压值的取值，可以减缓平均母线电压值的变大速度，进一步减轻了母线电压的回冲对弱磁电流造成的影响，从而提高了电控系统的稳定性。
图7为本申请实施例提供的另一弱磁方法的实现流程图，请参见图7，在一实施例中，所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值大于第三设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
这里，母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率之间的差值大于第三设定阈值的情况下，表示第一控制周期内母线电压出现了回冲，因此需要更新平均母线电压值。
通过在母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值大于第三设定阈值的情况下，更新平均母线电压，可以在母线电压出现回冲的情况下及时更新平均母线电压值，从而避免了回冲造成的电控系统的失控，提高了电控系统的稳定性。
在一实施例中，所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，还包括：
在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值不大于第三设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值采样至第三设定时长后，更新平均母线电压值。
这里，母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值不大于第三设定阈值，表示第一控制周期内母线电压没有出现回冲，因此只需在当前控制周期对母线电压值的采样时长达到第三设定时长后，更新平均母线电压值。其中，第三设定时长为设定的平均母线电压值的更新周期。从而可以根据最新的平均母线电压值进行弱磁控制，提高了弱磁控制的准确性。
在本申请实施例中，通过基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制，这样，每次在母线电压出现回冲时都会及时更新平均母线电压值，从而避免了出现母线电压过大造成的弱磁电流变小的情况，提高了电控系统的稳定性。
为实现本申请实施例的方法，本申请实施例还提供了一种弱磁装置，图8为本申请实施例提供的弱磁装置的示意图，请参见图8，该装置包括：
计算单元801，用于基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期。
更新单元802，用于在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲。
控制单元803，用于基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
在一实施例中，所述电压采样结果还包括交流电压值的采样结果；所述更新单元802，还用于在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；其中，
所述第一电压变化率表征母线电压值的采样结果对应的电压变化率；所述第二电压变化率表征交流电压值的采样结果对应的电压变化率。
在一实施例中，所述更新单元802，还用于在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第一设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述更新单元802，还用于在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于第一设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第一设定时长后，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述更新单元802，还用于在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第二设定阈值的情况下，将母线电压值对应的采样结果替换为交流电压值的采样结果；
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于所述第二设定阈值的情况下，保存母线电压值对应的采样结果；
在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第二设定时长后，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述更新单元802，还用于在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值大于第三设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述更新单元802，还用于在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值不大于所述第三设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值采样至第三设定时长后，更新平均母线电压值。
实际应用时，所述计算单元801、所述更新单元802、所述控制单元803可通过终端中的处理器，比如中央处理器(CPU，Central Processing Unit)、数字信号处理器(DSP，Digital Signal Processor)、微控制单元(MCU，Microcontroller Unit)或可编程门阵列(FPGA，Field－Programmable Gate Array)等实现。
需要说明的是：上述实施例提供的弱磁装置在进行信息显示时，仅以上述各程序模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述处理分配由不同的程序模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的程序模块，以完成以上描述的全部或者部分处理。另外，上述实施例提供的弱磁装置与弱磁方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
基于上述程序模块的硬件实现，且为了实现本申请实施例的方法，本申请实施例还提供了一种电子设备。图9为本申请实施例电子设备的硬件组成结构示意图，如图9所示，电子设备包括：
通信接口901，能够与其它设备比如网络设备等进行信息交互；
处理器902，与所述通信接口901连接，以实现与其它设备进行信息交互，用于运行计算机程序时，执行上述终端侧一个或多个技术方案提供的方法。而所述计算机程序存储在存储器903上。
具体地，所述处理器902，用于基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
在一实施例中，所述电压采样结果还包括交流电压值的采样结果；所述处理器902还用于在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；其中，
所述第一电压变化率表征母线电压值的采样结果对应的电压变化率；所述第二电压变化率表征交流电压值的采样结果对应的电压变化率。
在一实施例中，所述处理器902还用于在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第一设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述处理器902还用于在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于第一设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第一设定时长后，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述处理器902还用于在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第二设定阈值的情况下，将母线电压值对应的采样结果替换为交流电压值的采样结果；
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于所述第二设定阈值的情况下，保存母线电压值对应的采样结果；
在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第二设定时长后，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述处理器902还用于在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值大于第三设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
在一实施例中，所述处理器902还用于在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值不大于所述第三设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值采样至第三设定时长后，更新平均母线电压值。
当然，实际应用时，电子设备中的各个组件通过总线系统904耦合在一起。可理解，总线系统904用于实现这些组件之间的连接通信。总线系统904除包括数据总线之外，还包括电源总线、控制总线和状态信号总线。但是为了清楚说明起见，在图9中将各种总线都标为总线系统904。
本申请实施例中的存储器903用于存储各种类型的数据以支持电子设备的操作。这些数据的示例包括：用于在电子设备上操作的任何计算机程序。
可以理解，存储器903可以是易失性存储器或非易失性存储器，也可包括易失性和非易失性存储器两者。其中，非易失性存储器可以是只读存储器(ROM，Read Only Memory)、可编程只读存储器(PROM，Programmable Read-Only Memory)、可擦除可编程只读存储器(EPROM，Erasable Programmable Read-Only Memory)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM，Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)、磁性随机存取存储器(FRAM，ferromagnetic random access memory)、快闪存储器(Flash Memory)、磁表面存储器、光盘、或只读光盘(CD-ROM，Compact Disc Read-Only Memory)；磁表面存储器可以是磁盘存储器或磁带存储器。易失性存储器可以是随机存取存储器(RAM，Random AccessMemory)，其用作外部高速缓存。通过示例性但不是限制性说明，许多形式的RAM可用，例如静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)、同步静态随机存取存储器(SSRAM，Synchronous Static Random Access Memory)、动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)、同步动态随机存取存储器(SDRAM，SynchronousDynamic Random Access Memory)、双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)、增强型同步动态随机存取存储器(ESDRAM，Enhanced Synchronous Dynamic Random Access Memory)、同步连接动态随机存取存储器(SLDRAM，SyncLink Dynamic Random Access Memory)、直接内存总线随机存取存储器(DRRAM，Direct Rambus Random Access Memory)。本申请实施例描述的存储器903旨在包括但不限于这些和任意其它适合类型的存储器。
上述本申请实施例揭示的方法可以应用于处理器902中，或者由处理器902实现。处理器902可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器902中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器902可以是通用处理器、DSP，或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。处理器902可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤，可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于存储介质中，该存储介质位于存储器903，处理器902读取存储器903中的程序，结合其硬件完成前述方法的步骤。
处理器902执行所述程序时实现本申请实施例的各个方法中的相应流程。
在示例性实施例中，本申请实施例还提供了一种存储介质，即计算机存储介质，具体为计算机可读存储介质，例如包括存储计算机程序的存储器903，上述计算机程序可由处理器902执行，以完成前述方法所述步骤。计算机可读存储介质可以是FRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory、磁表面存储器、光盘、或CD-ROM等存储器。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置、终端和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合、或通信连接可以是通过一些接口，设备或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性的、机械的或其它形式的。
上述作为分离部件说明的单元可以是、或也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是、或也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，也可以分布到多个网络单元上；可以根据实际的需要选择其中的部分或全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各实施例中的各功能单元可以全部集成在一个处理单元中，也可以是各单元分别单独作为一个单元，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中；上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
或者，本申请上述集成的单元如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请实施例的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台电子设备(可以是个人计算机、服务器、或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分。而前述的存储介质包括：移动存储设备、ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种弱磁方法，其特征在于，所述方法包括：
基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；
在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；
基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
2.根据权利要求1所述的弱磁方法，其特征在于，所述电压采样结果还包括交流电压值的采样结果；所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；其中，
所述第一电压变化率表征母线电压值的采样结果对应的电压变化率；所述第二电压变化率表征交流电压值的采样结果对应的电压变化率。
3.根据权利要求2所述的弱磁方法，其特征在于，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第一设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
4.根据权利要求3所述的弱磁方法，其特征在于，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，还包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于第一设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第一设定时长后，更新平均母线电压值。
5.根据权利要求2所述的弱磁方法，其特征在于，所述在第一电压变化率与第二电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值大于第二设定阈值的情况下，将母线电压值对应的采样结果替换为交流电压值的采样结果；
在所述第一电压变化率与所述第二电压变化率的差值不大于所述第二设定阈值的情况下，保存母线电压值对应的采样结果；
在当前控制周期对母线电压值和交流电压值采样至第二设定时长后，更新平均母线电压值。
6.根据权利要求1所述的弱磁方法，其特征在于，所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，包括：
在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值大于第三设定阈值的情况下，更新平均母线电压值。
7.根据权利要求6所述的弱磁方法，其特征在于，所述在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值，还包括：
在所述母线电压值的采样结果对应的电压变化率与设定电压变化率的差值不大于所述第三设定阈值的情况下，在当前控制周期对母线电压值采样至第三设定时长后，更新平均母线电压值。
8.一种弱磁装置，其特征在于，所述装置包括：
计算单元，用于基于第一控制周期的电压采样结果，计算所述电压采样结果对应的电压变化率；所述电压采样结果至少包括母线电压值的采样结果；所述第一控制周期表征当前控制周期的前一个控制周期；
更新单元，用于在所述电压采样结果对应的电压变化率满足设定条件的情况下，更新平均母线电压值；所述设定条件表征所述母线电压出现回冲；
控制单元，用于基于更新后的平均母线电压值进行弱磁控制。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器和用于存储能够在处理器上运行的计算机程序的存储器，其中，
所述处理器用于运行所述计算机程序时，执行权利要求1-7任一项所述方法的步骤。
10.一种存储介质，其上存有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-7任一项所述方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011598685.6A CN114696694A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011598685.6A CN114696694A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114696694A true CN114696694A (zh) | 2022-07-01 |
Family
ID=82131468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011598685.6A Pending CN114696694A (zh) | 2020-12-29 | 2020-12-29 | 一种弱磁方法、装置、电子设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114696694A (zh) |
-
2020
- 2020-12-29 CN CN202011598685.6A patent/CN114696694A/zh active Pending
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