CN114695406A - 图像感测装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及一种图像感测装置，该图像感测装置可以包括：基础基板；像素阵列和布置在像素阵列的第一表面外部的区域中的保护环区域，像素阵列由基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素；多个第一导电类型隔离层，多个第一导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第一深度形成在基础基板中；至少一个第二导电类型隔离层，其从保护环区域的第一表面到基础基板中的第二深度形成在基础基板中，并且被放置在第一导电类型隔离层之间；以及第一隔离层，其从保护环区域的第二表面到基础基板中的第三深度形成在基础基板中，第一隔离层延伸到彼此相邻的第一导电类型隔离层和第二导电类型隔离层。
Description
技术领域
本专利文档中公开的技术和实现方式总体上涉及一种图像感测装置。
背景技术
诸如CMOS图像传感器(CIS)的图像传感器的成像像素可以捕获光并将其转换为电信号。例如，成像像素将基于入射在光电二极管上的光子产生的电子引起的电位差转换为电信号。
成像像素可以彼此隔离。由每个隔离的成像像素检测到的光子可以被转换为电压，并且该电压被组合以表示图像。
近年来，CMOS图像传感器的分辨率的增大已经导致像素尺寸的减小。在这种趋势中，挑战之一是需要抑制相邻成像像素之间的光学串扰和电串扰。已经提出了许多像素隔离架构来抑制光学串扰和电串扰。
发明内容
本专利文档中公开的技术可以在各种实施方式中实现为提供一种可以减少像素阵列中的成像像素之间的串扰的图像感测装置。
在本公开的示例实施方式中，一种图像感测装置包括：基础基板；像素阵列和布置在像素阵列的第一表面外部的区域中的保护环区域，像素阵列由基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素；多个第一导电类型隔离层，多个第一导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第一深度形成在基础基板中；至少一个第二导电类型隔离层，至少一个第二导电类型隔离层从保护环区域的第一表面到基础基板中的第二深度形成在基础基板中，并且被放置在第一导电类型隔离层之间；以及第一隔离层，第一隔离层从保护环区域的第二表面到基础基板中的第三深度形成在基础基板中，第一隔离层延伸到彼此相邻的第一导电类型隔离层和第二导电类型隔离层。
根据示例实施方式，结隔离和背侧深沟槽隔离(BDTI)可以彼此连接以防止噪声渗入像素阵列中。
附图说明
图1示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的像素阵列的示例。
图2示出图1中所示的像素阵列和保护环区域的示例。
图3A和图3B示出基于所公开技术的示例实施方式的图2的截面图。
图4A和图4B示出基于所公开技术的示例实施方式的图2的截面图。
图5A和图5B示出基于所公开技术的示例实施方式的隔离层的示例。
图6示出使用基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的成像装置。
图7示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置。
图8示出基于所公开技术的示例实施方式的电子装置。
具体实施方式
通过参照附图的图像感测装置的示例来描述本专利文档中公开的技术的特征。
尽管将讨论所公开的技术的几个实施方式，但是所公开的技术可以以除了本文描述的示例的细节之外的各种方式来实现。
图1示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的像素阵列的示例。图2示出图1中的像素阵列和保护环区域。
在下文中，将参照图2详细讨论图1中的像素阵列和保护环。图2详细示出了图1中的区域“A”。
参照图1和图3A，图像感测装置10可以包括基础基板101。基础基板101可以被构造为包括用于支撑像素阵列110的像素阵列区域和用于支撑一个或更多个保护环的保护环区域120。
像素阵列110可以包括多个图像感测像素，并且每个图像感测像素对光作出响应以生成电信号作为表示由该像素检测到的光的像素信号。图像感测像素可以彼此隔离。每个图像感测像素可以包括将光转换为光电荷的光电检测元件，并且可以以包括例如光电二极管的各种配置来实现。
在一些实现方式中，图像感测装置10还可以包括被布置为围绕保护环区域120的外围电路(未示出)。外围电路可以电连接到像素阵列110。外围电路可以包括各种电路并且被配置为控制像素阵列110。例如，外围电路可以包括被配置为将电信号提供给布置在像素阵列110中的每个图像感测像素中的光电检测器(例如，光电二极管)的多个晶体管。外围电路的晶体管可以接收和处理来自图像感测像素的电信号。例如，外围电路可以包括诸如定时发生器、行解码器、行驱动器、相关双采样器(CDS)、模数转换器(ADC)和列解码器的逻辑电路。
参照图3A，基础基板101可以包括其中形成有像素阵列110和保护环区域120的区域。保护环区域120可以形成在像素阵列110的第一表面外部的区域中。保护环可以形成在保护环区域120中以电隔离或光学隔离像素阵列或者保护像素阵列免受噪声影响。
基础基板101可以包括例如可以是光电二极管区域的光感测区域(photo sensingregion)。光电二极管区域可以包括光电二极管以将光转换为由电流承载的光电荷。光电荷累积在连接到光电二极管的特定区域。
像素阵列110可以包括第一导电类型二极管区域111、第二导电类型隔离层113和第二隔离层137。第一导电类型二极管区域是包括第一导电类型杂质的二极管区域(例如，p掺杂区域)，并且第二导电类型二极管区域是包括第二导电类型杂质的二极管区域(例如，n掺杂区域)。这两个区域的界面区域(interface region)形成将光转换为光电荷的p-n结。
第一导电类型二极管区域111可以从像素阵列110的第一表面到基础基板101中的特定深度形成在基础基板101中。在一些实现方式中，可以在第一导电类型二极管区域111中形成多个光电二极管。
第二导电类型隔离层113可以从像素阵列110的第一表面到基础基板101中的特定深度形成在基础基板101中。第二导电类型隔离层113可以被放置在相邻的第一导电类型二极管区域111之间。第二导电类型隔离层113可以包括多个隔离层。例如，如图3A和图3B所示，第一导电类型二极管区域111和第二导电类型隔离层113可以交替布置。
第二隔离层137可以从像素阵列110的第二表面到基础基板101中的特定深度形成在基础基板101中，并且可以被形成为延伸到第二导电类型隔离层113。第二隔离层137可以被形成为使得第二隔离层137的端部插入到第二导电类型隔离层113中或与第二导电类型隔离层113接触。第二隔离层137可以包括多个隔离层。
如图3A和图3B所示，每个第二隔离层137可以被形成为使得每个二隔离层137的端部插入到第二导电类型隔离层113中的一个中或与第二导电类型隔离层113中的一个接触，以从像素阵列110的第一表面到第二表面进行屏蔽。
第二隔离层137可以包括背侧深沟槽隔离(back deep trench isolation，BDTI)。
在一个实现方式中，参照图3A和图3B，第一导电类型二极管区域111可以包括N型二极管区域。第二导电类型隔离层113可以包括P型隔离层。也就是说，图3A和图3B中的基础基板101可以具有包括P型基础基板和形成在P型基础基板中以形成P-N结的N型杂质区域的CIS像素结构。
在另一实现方式中，参照图4A和图4B，第一导电类型二极管区域111可以包括P型二极管区域。第二导电类型隔离层113可以包括N型隔离层。也就是说，图4A和图4B中的基础基板101可以具有包括N型基础基板和形成在N型基础基板中以形成P-N结的P型杂质区域的CIS像素结构。
如上所述，第一导电类型和第二导电类型可以是P型或N型。第一导电类型可以是N型或P型，并且第二导电类型可以是P型或N型。
参照图2，保护环区域120可以包括第一导电类型的隔离层121和125、第二导电类型的隔离层123和第一隔离层130(131和133)。
图3A和图3B示出基于所公开技术的示例实施方式的图2的截面图。
参照图3A和图3B，第一导电类型隔离层121和125可以从保护环120的第一表面到基础基板101中的特定深度形成在基础基板101中。第一导电类型隔离层121和125可以包括多个隔离层。图3A和图3B中的基础基板101可以具有包括形成在P型基础基板上的N型杂质区域的CIS像素结构。
第二导电类型隔离层123可以从保护环120的第一表面到基础基板101中的特定深度形成在基础基板101中。第二导电类型隔离层123可以被放置在第一导电类型隔离层121与125之间。第二导电类型隔离层123可以包括至少一个隔离层。
第一隔离层130(131、133、135)可以从保护环120的第二表面到基础基板101中的特定深度形成在基础基板101中，并且可以被形成为延伸到相邻的第一导电类型隔离层121和125以及第二导电类型隔离层123。第一隔离层131、135、133可以被形成为使得第一隔离层的端部分别插入到第一导电类型隔离层121和125以及第二导电类型隔离层123中或与第一导电类型隔离层121和125以及第二导电类型隔离层123接触。
参照图3A和图3B，第一导电类型隔离层121和125可以是P型隔离层。第二导电类型隔离层123可以是N型隔离层。
参照图3A，第一导电类型隔离层121、至少一个第二导电类型隔离层123和第一导电类型隔离层125可以被依次布置在远离像素阵列110的方向上。例如，第一P型隔离层121、N型隔离层123和第二P型隔离层125被依次布置在远离像素阵列110的方向上。
在一些实现方式中，第一隔离层131和133可以被形成为使得第一隔离层131和133的端部分别插入到第一P型隔离层121和N型隔离层123中或与第一P型隔离层121和N型隔离层123接触。
如图3A所示，图像感测装置10可以包括形成有第一隔离层133的下部和形成有N型隔离层123并且其中N型隔离层123与第一隔离层133连接的上部。在一些实现方式中，第一隔离层133连接到N型隔离层123以使得第一隔离层133的一端插入到N型隔离层123中或与N型隔离层123接触，从而防止噪声进入成像像素。
在一些实现方式中，第一隔离层133从保护环区域120的第二表面朝向基板的下部延伸。在一些实现方式中，N型隔离层123从保护环区域120的第一表面朝向基板的上部延伸。
在一些实现方式中，N型隔离层123可以包括N型结隔离层，并且第一隔离层133可以包括可以形成在保护环区域120的相同区域中的BDTI以阻挡噪声的渗入(infiltration)。
在一些实现方式中，参照图3B，第一隔离层131、133和135可以被形成为使得第一隔离层131、133和135的端部分别插入到第一P型隔离层121、N型隔离层123和第二P型隔离层125中或与第一P型隔离层121、N型隔离层123和第二P型隔离层125接触。
图4A和图4B示出基于所公开技术的示例实施方式的图2的截面图。
参照图4A和图4B，第一导电类型隔离层141和145中的每一个可以包括N型隔离层。第二导电类型隔离层143可以包括P型隔离层。
在一些实现方式中，第一导电类型隔离层141、至少一个第二导电类型隔离层143和第一导电类型隔离层145可以被依次布置在远离像素阵列110的方向上。例如，第一N型隔离层141、P型隔离层143和第二N型隔离层145被依次布置在远离像素阵列110的方向上。图4A和图4B中的基础基板101可以具有包括形成在N型基础基板上的P型杂质区域的CIS像素结构。
在一个实现方式中，参照图4A，第一隔离层131和133可以被形成为使得第一隔离层131和133的端部分别插入到第一N型隔离层141和P型隔离层143中或与第一N型隔离层141和P型隔离层143接触。
在另一实现方式中，参照图4B，第一隔离层131、133和135可以被形成为使得第一隔离层131、133和135的端部分别插入到第一N型隔离层141、P型隔离层143和第二N型隔离层145中或与第一N型隔离层141、P型隔离层143和第二N型隔离层145接触。
在一些实现方式中，第一隔离层130(131、133和135)可以包括BDTI。
第一隔离层130(131、133和135)可以被构造为将保护环区域120与像素阵列110电分离或光学分离。第一隔离层130(131、133和135)可以防止电串扰或光学串扰，从而提高信噪比。
此外，可以通过掺杂对光具有高反射率的材料来形成第一隔离层130(131、133和135)。因此，第一隔离层130(131、133和135)可以防止光在不想要的方向上朝向像素阵列110传播，从而减少光学串扰。
参照图3A，图像感测装置10可以包括平坦化层103、光屏蔽层105、滤色器107和透镜109。平坦化层103可以包括电绝缘材料。
滤色器107可以形成在基础基板101的表面的与像素阵列110的图像感测像素相对应的区域上。
如图3A所示，滤色器107可以选择性地透射特定波长的光，并且可以包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器、品红色滤色器和黄色滤色器。
光屏蔽层105可以形成在基础基板101的表面的与保护环区域120相对应的区域上。
当光入射到光接收层(未示出)上时，光屏蔽层105可以屏蔽装置免受入射光影响。在一个实现方式中，光屏蔽层105可以包括钨。光接收层可以指示从透镜109到基础基板101的上层的层。
透镜109可以形成在滤色器107上。透镜109可以用于将入射光聚焦到像素阵列110的像素的中央。透镜109可以包括微透镜。
图5A和图5B示出基于所公开技术的示例实施方式的隔离层的示例。
参照图5A，图3A、图3B、图4A和图4B所示的第一隔离层131、133和135以及第二隔离层137可以包括绝缘材料。
在一些实现方式中，隔离层130可以包括具有高介电常数的单个绝缘材料层。在一些实现方式中，隔离层130可以包括第一绝缘材料层130a和形成在第一绝缘材料层130a的表面处的第二绝缘材料层130b。第二绝缘材料层130b具有比第一绝缘材料层130a更高的介电常数。
图6示出使用基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置的成像装置。
参照图6，电子装置20可以包括图像感测装置1000、图像信号处理器(ISP)2000和显示单元3000。电子装置20可以包括数码相机、具有数字相机的便携式电子装置(例如，蜂窝电话、智能电话和平板个人电脑)。
图像感测装置1000可以包括CMOS图像传感器。图像感测装置1000可以通过透镜4000捕获从对象反射的光，并且图像信号处理器2000可以控制图像感测装置1000的操作。图像感测装置1000可以基于所捕获的光产生图像数据并将图像数据提供给图像信号处理器2000。图像信号处理器2000可以处理由图像感测装置1000生成的图像信号并将数字图像数据信号发送到显示单元3000。
图像感测装置1000和图像信号处理器2000可以包括诸如母板的印刷电路板(PCB)、集成电路(IC)和片上系统(SoC)。在示例实施方式中，图像感测装置1000和图像信号处理器2000可以合并到诸如多芯片封装(MIP)和系统级封装(SiP)的一个封装中。图像感测装置1000可以包括CMOS图像传感器芯片。
图7示出基于所公开技术的示例实施方式的图像感测装置。
参照图7，图像感测装置1000可以包括像素阵列100、行驱动器200、相关双采样器(CDS)300、模数转换器(ADC)400、缓冲器500、定时发生器600、控制寄存器电路700和斜坡信号发生器800。
像素阵列100可以包括有源像素(active pixel)区域、光学黑色像素区域和虚设区域。有源像素APX可以形成在有源像素区域中。光学黑色像素OBPX可以形成在光学黑色像素区域中。
有源像素APX可以连接到用于选择至少一个有源像素APX的行线和列线。每个有源像素APX可以生成与由有源像素APX捕获的光相对应的电信号(有源信号)。也就是说，每个有源像素APX可以将表示所捕获的图像的光学信号转换为电信号以通过列线将电图像信号输出到CDS 300。有源像素APX可以包括诸如光电二极管、钉扎光电二极管和光电门的光电检测器。
每个有源像素APX可以具有图3A、图3B、图4A和图4B所示的结构。
光学黑色像素区域(未示出)中的光学黑色像素(未示出)可以用于在屏蔽入射光的同时生成电信号。由光学黑色像素生成的电信号可以是具有“暗电平(dark level)”的光学黑色信号。在一些实现方式中，每个光学黑色像素OBPX可以包括光电检测器。
控制寄存器电路700可以生成用于控制定时发生器600、斜坡信号发生器800和缓冲器500的操作的至少一个控制信号。
行驱动器200可以逐行地激活像素阵列100。在一些实现方式中，行驱动器200可以生成用于选择像素阵列100中的至少一行的行选择信号。
在一些实现方式中，每个有源像素APX可以检测入射光以将有源信号输出到CDS300。在一些实现方式中，每个光学黑色像素OBPX可以将光学黑色信号输出到CDS 300。
CMOS图像传感器可以使用相关双采样(CDS)，从而通过对像素信号采样两次以去除这两个采样之间的差来去除不期望出现的像素偏移值。在一个示例中，相关双取样(CDS)可以通过比较在光信号入射到像素上之前和之后获得的像素输出电压来去除不期望出现的像素偏移值，从而能够仅测量基于入射光的像素输出电压。在所公开的技术的一些实现方式中，CDS 300可以使用所接收的有源信号和光学黑色信号来执行相关双采样。
在示例实施方式中，CDS 300可以保持和采样参考电压电平和接收的电子图像信号的电压电平。然后，CDS 300可以将与参考电压电平和电子图像信号的电压电平之间的差相对应的模拟信号发送到ADC 400。
ADC 400用于将模拟CDS信号转换为数字信号。ADC 400的示例可以包括斜坡比较型ADC，其中，将模拟像素信号与诸如斜坡上升或斜坡下降的斜坡信号的参考信号进行比较，并且计时器进行计数直到斜坡信号的电压与模拟像素信号匹配为止。在所公开的技术的一些实现方式中，ADC 400可以将由斜坡信号发生器800生成的斜坡信号与由CDS 300生成的相关双采样信号进行比较，以输出多个比较信号。ADC400可以将通过响应于时钟信号对比较信号的转变次数进行计数而获得的计数值发送到缓冲器500。
缓冲器500可以临时存储计数值(即，由ADC 400生成的数字有源信号(digitalactive signal))。缓冲器500可以感测、放大和输出数字有源信号。由缓冲器500保持的数字有源信号可以包括由光电检测器引起的暗电流。
图像信号处理器(ISP)2000可以基于暗电平校正值和校正系数来调整从图像感测装置1000的缓冲器500发送的数字图像信号的偏移值。
图8示出了基于所公开技术的示例实施方式的电子装置。
参照图8，电子装置5000可以包括图像处理器5100、通信装置5200、音频处理器5300、显示装置5400、缓冲存储器5500、非易失性存储器5600、用户接口5700和主处理器5800。
图像处理器5100可以通过透镜5110接收光学信号。图像处理器5100中的图像感测装置5120和图像信号处理器5130可以基于所接收的光学信号生成表示对象的图像数据。例如，图像感测装置5120和图像信号处理器5130可以具有与图6和图7中的图像感测装置和图像信号处理器的功能相同或相似的功能。
通信装置5200可以通过天线5210与外部装置交换信号。通信装置5200中的收发器5220和调制解调器5230可以基于各种无线通信协议或规则来处理与外部装置进行通信的信号。
音频处理器5300可以使用音频信号处理器5310处理音频信号。音频处理器5300可以通过麦克风5320接收音频信号以数字地处理音频信号。音频处理器5300可以再生音频信号以通过扬声器5330输出再生的音频信号。
显示装置5400可以从诸如主处理器5800的外部装置接收数据。显示装置5400可以基于所接收的数据通过显示面板来显示图像。
缓冲存储器5500可以存储用于电子装置5000的操作的数据。缓冲存储器5500可以临时存储由或将要由主处理器5800处理的数据。例如，缓冲存储器5500可以包括诸如静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等的易失性存储器，诸如相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、电阻RAM(ReRAM)、铁电RAM(FRAM)等的非易失性存储器。
非易失性存储器5600可以存储数据而不管是否供电。非易失性存储器5600可以包括闪存存储器、PRAM、MRAM、ReRAM、FRAM等中的至少一个。非易失性存储器5600可以包括诸如安全数字(SD)卡的可拆卸存储器和/或诸如嵌入式多媒体卡(eMMC)的嵌入式存储器。
用户接口5700可以为用户和电子装置5000之间的通信提供接口。例如，用户接口5700可以包括诸如小键盘、按钮、触摸屏、触摸板、陀螺仪、振动传感器、加速度传感器等的输入接口。用户接口5700可以包括诸如监视器、LED灯等的输出接口。
主处理器5800可以控制电子装置5000的操作。主处理器5800可以执行计算以操作电子装置5000。例如，主处理器5800可以包括诸如通用处理器、专用处理器、应用处理器和微处理器的至少一个处理器核心。
仅描述或图示了所公开技术的实现方式或实施方式的有限示例。基于本专利文档中公开和示出的内容，所公开的实现方式或实施方式的变化和增强以及其它实现方式或实施方式是可能的。
相关申请的交叉引用
本专利文档要求于2020年12月29日提交的韩国申请第10-2020-0186525号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
Claims (16)
1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
基础基板；
像素阵列和保护环区域，所述像素阵列由所述基础基板支撑并且被构造为包括响应于光而产生像素信号的多个图像感测像素，所述保护环区域布置在所述像素阵列外部的区域中；
多个第一导电类型隔离层，所述多个第一导电类型隔离层从所述保护环区域的第一表面到所述基础基板中的第一深度形成在所述基础基板中；
至少一个第二导电类型隔离层，所述至少一个第二导电类型隔离层从所述保护环区域的所述第一表面到所述基础基板中的第二深度形成在所述基础基板中，并且被放置在所述第一导电类型隔离层之间；以及
第一隔离层，所述第一隔离层从所述保护环区域的第二表面到所述基础基板中的第三深度形成在所述基础基板中，所述第一隔离层延伸到彼此相邻的所述第一导电类型隔离层和所述第二导电类型隔离层。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括背侧深沟槽隔离BDTI。
3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括电绝缘材料。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一隔离层包括具有高介电常数的材料。
5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层包括P型隔离层，并且所述第二导电类型隔离层包括N型隔离层。
6.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一P型隔离层、N型隔离层和第二P型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一P型隔离层和所述N型隔离层中或与所述第一P型隔离层和所述N型隔离层接触。
7.根据权利要求5所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一P型隔离层、N型隔离层和第二P型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一P型隔离层、所述N型隔离层和所述第二P型隔离层中或与所述第一P型隔离层、所述N型隔离层和所述第二P型隔离层接触。
8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层包括N型隔离层，并且所述第二导电类型隔离层包括P型隔离层。
9.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一N型隔离层、P型隔离层和第二N型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一N型隔离层和所述P型隔离层中或与所述第一N型隔离层和所述P型隔离层接触。
10.根据权利要求8所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型隔离层和所述至少一个第二导电类型隔离层包括在远离所述像素阵列的方向上依次布置的第一N型隔离层、P型隔离层和第二N型隔离层，并且其中，所述第一隔离层延伸以使得所述第一隔离层的端部插入到所述第一N型隔离层、所述P型隔离层和所述第二N型隔离层中或与所述第一N型隔离层、所述P型隔离层和所述第二N型隔离层接触。
11.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述像素阵列包括：
多个第一导电类型二极管区域，所述多个第一导电类型二极管区域从所述像素阵列的第一表面到所述基础基板中的特定深度形成在所述基础基板中；以及
多个第二导电类型隔离层，所述多个第二导电类型隔离层从所述像素阵列的所述第一表面到所述基础基板中的特定深度形成在所述基础基板中，其中，所述第二导电类型隔离层被放置在所述第一导电类型二极管区域之间。
12.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述像素阵列还包括第二隔离层，所述第二隔离层从所述像素阵列的第二表面到所述基础基板中的特定深度形成在所述基础基板中，并且所述第二隔离层延伸以使得所述第二隔离层的端部插入到所述第二导电类型隔离层中或与所述第二导电类型隔离层接触。
13.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型二极管区域包括N型二极管区域，并且所述第二导电类型隔离层包括P型隔离层。
14.根据权利要求11所述的图像感测装置，其中，所述第一导电类型二极管区域包括P型二极管区域，并且所述第二导电类型隔离层包括N型隔离层。
15.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述基础基板包括光电二极管区域。
16.根据权利要求1所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
滤色器，所述滤色器形成在所述基础基板的表面的与所述像素阵列相对应的区域上；
光屏蔽层，所述光屏蔽层形成在所述基础基板的表面的与所述保护环区域相对应的区域上；以及
透镜，所述透镜形成在所述滤色器上。
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