CN114695209A - 机台工艺环境的配置方法与装置 - Google Patents

机台工艺环境的配置方法与装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114695209A
CN114695209A CN202210603065.XA CN202210603065A CN114695209A CN 114695209 A CN114695209 A CN 114695209A CN 202210603065 A CN202210603065 A CN 202210603065A CN 114695209 A CN114695209 A CN 114695209A
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
valve
transfer chamber
process chamber
target
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210603065.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN114695209B (zh
Inventor
阮正华
张剑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co ltd
Jiangsu Yiwen Microelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Jiangsu Yiwen Microelectronics Technology Co Ltd
Advanced Materials Technology and Engineering Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Yiwen Microelectronics Technology Co Ltd, Advanced Materials Technology and Engineering Inc filed Critical Jiangsu Yiwen Microelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202210603065.XA priority Critical patent/CN114695209B/zh
Publication of CN114695209A publication Critical patent/CN114695209A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114695209B publication Critical patent/CN114695209B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本申请提供一种机台工艺环境的配置方法与装置,机台包括PLC、传送腔室和工艺腔室,方法包括:确定PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,基于AI点位的输入值确定传送腔室与工艺腔室的初始压力差,并在初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息对目标阀门进行第一开关操作,对传送腔室和工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且工艺腔室与传送腔室的当前压力差大于预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至工艺腔室与传送腔室的压力差不大于预设阈值,基于第二阀门配置信息对目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息,能够提高机台工艺环境的配置效率和质量。

Description

机台工艺环境的配置方法与装置
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种机台工艺环境的配置方法与装置。
背景技术
半导体工艺机台在进行工艺之前需要对机台内部腔室的环境进行配置以满足工艺需求。现有技术往往通过人工手动操作机台内部腔室的相应阀门启闭以实现工艺环境的配置,该方式不但耗时耗力,且容易出现操作失误,导致工艺环境配置失败。同时,现有的工艺环境配置方式往往是按照预设流程进行操作,而某些特殊阀门的启闭对当前环境有相应要求,若仅按照预设流程操作将导致工艺环境的配置结果达不到预期标准,并且对于不同腔室工艺环境的配置通常是独立进行,由于人工手动操作存在滞后性,因此存在进行反复调整后仍难以保证不同腔室工艺环境一致性的情况,影响工艺质量。
发明内容
本申请提供一种机台工艺环境的配置方法与装置,以用于解决现有技术不但耗时耗力,且工艺环境的配置结果达不到预期标准,同时难以保证不同腔室工艺环境一致性的问题,提高机台工艺环境的配置效率和质量。
本申请提供一种机台工艺环境的配置方法,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:
步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;
步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;
步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;
步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
根据本申请提供的一种机台工艺环境的配置方法,所述步骤S102还包括:
在所述初始压力差不大于预设阈值的情况下,确定初始压力较大的目标腔室的充气阀门对应的目标DO点位,调整所述目标DO点位的输出值以控制所述PLC对所述充气阀门进行开启操作,并对所述目标腔室进行充气操作直至所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于所述预设阈值;
基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作。
根据本申请提供的一种机台工艺环境的配置方法,所述对目标阀门进行第一开关操作,具体包括:
所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行关闭操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的充气阀门进行关闭操作。
根据本申请提供的一种机台工艺环境的配置方法,所述对所述目标阀门进行第二开关操作,具体包括:
所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门和充气阀门进行关闭操作。
根据本申请提供的一种机台工艺环境的配置方法,所述步骤S103还包括:
在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差不大于所述预设阈值的情况下,跳转执行步骤S104。
根据本申请提供的一种机台工艺环境的配置方法,所述对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,具体包括:
基于所述传送腔室和所述工艺腔室的压力值,确定所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间;
基于所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作。
根据本申请提供的一种机台工艺环境的配置方法,所述对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,具体包括:
对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作,并基于所述AI点位的输入值确定所述传送腔室与所述工艺腔室的实时压力值;
在所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下,停止对所述目标腔室的抽真空操作。
本申请还提供一种机台工艺环境的配置装置,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述装置具体包括:
I/O点位确定模块,用于确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;
第一开关操作执行模块,用于基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;
抽真空模块,用于对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;
第二开关操作执行模块,用于基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述机台工艺环境的配置方法的步骤。
本申请还提供一种计算机程序产品,包括计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述任一种所述机台工艺环境的配置方法的步骤。
本申请提供的机台工艺环境的配置方法与装置,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位,步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作,能够满足某些特殊阀门的启闭对当前环境的要求,避免工艺环境的配置结果达不到预期标准的问题。步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,能够保证不同腔室工艺环境的一致性,避免影响工艺质量。步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息,工艺环境的配置过程自动进行,提高了机台工艺环境的配置效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的机台工艺环境的配置方法的流程示意图;
图2是本申请提供的机台的结构示意图;
图3是本申请提供的机台工艺环境的配置装置的结构示意图;
图4是本申请提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请中的附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
图1为本申请提供的机台工艺环境的配置方法的流程示意图,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,如图1所示,该方法具体包括:
步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位。
具体的,部分半导体工艺机台出于保证工艺质量的考虑,对于工艺环境有很严苛的要求,例如,刻蚀机台需要在真空环境下进行工艺,因此,刻蚀机台在进行工艺之前需要对机台内部腔室的环境进行配置以满足真空需求。可以理解的是,本申请实施例中的机台可以是刻蚀机台,也可以是其它需要在真空环境下进行工艺的机台,本申请实施例对此不作具体限定。
图2为本申请提供的机台的结构示意图,如图2所示,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC(Programmable Logic Controller)、至少一个传送腔室和至少一个工艺腔室。可以理解的是,所述机台还包括晶圆片的运输设备,例如机械手等,本申请实施例在此不做穷举。机台的具体工艺流程如下:机械手先从机台外的晶圆盒中取出待工艺晶圆片并运输到传送腔室,待目标工艺腔室空闲时,机械手将传送腔室中的待工艺晶圆片通过传送腔室和目标工艺腔室之间的连通阀门送入目标工艺腔室中进行目标工艺,待工艺结束后,机械手再将已完成目标工艺的晶圆片通过传送腔室和目标工艺腔室之间的连通阀门取回传送腔室中以便将其送入冷却腔室中进行冷却或送入其它工艺腔室中进行工艺。可以理解的是,将已完成目标工艺的晶圆片送入冷却腔室或其它工艺腔室也是通过传送腔室与所述冷却腔室或所述其它工艺腔室之间的连通阀门实现的。因此,一个传送腔室可以用于至少一个工艺腔室的晶圆片传送,即一个传送腔室与至少一个工艺腔室之间存在连通阀门。在进行机台工艺环境配置时,可以预先确定传送腔室与工艺腔室的对应关系,进而控制对应阀门的开闭并进行抽真空操作即可实现不同腔室的工艺环境配置。
所述机台中不同腔室均设置有多种不同类型的阀门,例如充气阀门、抽气阀门(排气阀门)和前述连通阀门,同时,不同腔室中还设置有相应的工艺环境参数检测装置,用于检测腔室内的工艺环境参数,例如压力值、温度等。要实现机台工艺环境的精准配置,需要掌握机台工艺腔室和传送腔室的当前工艺环境参数,并对各阀门进行精准的开闭,以便进行抽真空或充大气操作。现有技术进行机台工艺环境配置时,通过人工手动操作控制阀门开闭,不但耗时耗力,且容易出现操作失误,导致工艺环境配置失败,甚至可能引起生产事故,基于此,本申请实施例通过PLC实现机台工艺环境参数的自动检测以及阀门开闭的自动控制,具体地:
PLC包括多个I/O点位,在进行机台工艺环境的配置之前,为机台中的全部工艺环境参数检测装置和阀门分配一一对应的I/O点位,并基于所述对应关系,将PLC的I/O接口与对应的工艺环境参数检测装置和阀门电连接,基于此,所述PLC即可通过I/O点位接收工艺环境参数检测装置测得的工艺环境参数,并对相应的阀门进行开关控制。在对机台工艺环境进行配置时,机台工艺环境的配置装置首先基于工艺环境参数检测装置和阀门与PLC的I/O点位的对应关系,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位(与工艺环境参数检测装置对应)和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位(与阀门对应)。获取所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位之后,即可进行后续工艺环境配置的自动操作。
步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作。
具体的,现有的工艺环境配置方式往往是按照预设流程进行操作,即直接基于预设流程控制对应阀门开闭,并进行抽真空操作,待预设流程执行完毕则认为工艺环境配置完成。而本申请发明人通过研究发现,工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门的启闭对机台内的当前环境有相应要求,若仅按照预设流程操作而忽略连通阀门的启闭对当前环境的要求,将导致工艺环境的配置结果达不到预期标准。更具体地,由于工艺腔室和传送腔室需要独立进行工艺环境配置操作以避免工艺环境配置过程中相互影响,因此,工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门在进行工艺环境配置操作时需要关闭。本申请发明人发现,仅当工艺腔室与连通腔室的压力差足够大时,才能保证工艺腔室和连通腔室的密闭性,最大限定的避免两者的工艺环境配置过程相互影响。基于此,本申请实施例在对所述传送腔室和所述工艺腔室执行抽着空操作之前,首先基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力值,并基于所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力值确定两者的初始压力差。仅在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,才对所述工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门以及其它充气和抽气阀门进行对应的开关操作,以为后续抽真空操作做准备。开关操作的实现方式为:基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作。所述目标阀门即前述工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门以及其它充气和抽气阀门,所述第一阀门配置信息中包括不同阀门的状态(开关状态)指示信息,基于所述第一阀门配置信息即可确定不同阀门需求的开关状态,进而对相应DO点位的输出值进行设置,所述PLC基于设置好的DO点位的输出值,即可对目标阀门进行对应的开关操作。可以理解的是,由于进行抽真空操作时各阀门需求的开关状态是已知的,因此,基于该已知的各阀门需求的开关状态即可预先生成所述第一阀门配置信息,进而基于所述第一阀门配置信息对目标阀门进行开关操作。
步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值。
具体的,当机台中的目标阀门的开关状态设置完毕之后,机台工艺环境的配置装置即可对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作。由于抽气管路单位时间内的空气流量已知,因此,基于前述传送腔室与工艺腔室的初始压力差即可确定对应的抽气时长,当抽真空操作达到所述抽气时长时即停止抽真空操作。现有技术往往在执行完抽真空操作之后,便认为工艺环境配置已完成(即认为工艺腔室和传送腔室均已达到真空状态),进而打开所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门并开始对晶圆片进行工艺。然而本申请发明人通过研究发现,由于温度等环境因素的影响,在完成前述抽真空操作之后,所述工艺腔室和传送腔室不一定能达到预期的真空状态,同时,可以理解的是,由于抽真空设备的抽真空能力有限,因此本申请实施例中所述预期的真空状态并不是理想的真空状态,同时由于前述温度等环境因素的影响,此时工艺腔室和传送腔室仍然会存在压力差。
基于前述内容可知,在所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于预设阈值的情况下才能关闭所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门,相应的,在所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下才能打开所述连通阀门。其原理在于:当所述压力差过大时打开所述连通阀门会存在很大阻力,导致开启所需作用力大,开启时间长,如果操作不慎,还有可能损坏机台设备,同时,若所述压力差过大,意味着其中压力较大的腔室与预期的真空状态偏差较大,此时即使强行打开所述连通阀门,压力较大的腔室中的空气将会进入到压力较小的腔室中,进而导致两种腔室均无法达到预期的真空状态,从而导致机台工艺环境配置失败。基于此,本申请实施例在抽真空操作结束时,会进一步判断所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差是否大于所述预设阈值,若是,则对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,基于该二次抽真空操作既可以避免压力差过大导致连通阀门开启困难以及可能损坏机台设备的风险,同时可以保证所述工艺腔室与所述传送腔室的工艺环境达到预期的真空状态,并可以在所述连通阀门打开后,使所述工艺腔室与所述传送腔室的工艺环境能够快速达到平衡。由于晶圆片工艺过程中需要保证各腔室的工艺环境一致以使晶圆片始终处于稳定状态,避免对晶圆片工艺质量造成影响,因此,使所述工艺腔室与所述传送腔室的工艺环境快速达到平衡,能够最大限度避免对晶圆片工艺质量的影响。
步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
具体的,在对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值时,即可确定所述工艺腔室与所述传送腔室均已达到预期的真空状态。基于此,即可对所述工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门以及其它充气和抽气阀门进行对应的第二开关操作,以为后续晶圆片工艺流程的执行做准备。对前述第一开关操作相似,所述第二开关操作的实现方式为:基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第二开关操作。所述目标阀门即前述工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门以及其它充气和抽气阀门,所述第二阀门配置信息中亦包括不同阀门的状态(开关状态)指示信息,基于所述第二阀门配置信息即可确定不同阀门需求的开关状态,进而对相应DO点位的输出值进行设置,所述PLC基于设置好的DO点位的输出值,即可对目标阀门进行对应的第二开关操作。可以理解的是,由于进行晶圆片工艺时各阀门需求的开关状态也是已知的,因此,基于该已知的各阀门需求的开关状态即可预先生成所述第二阀门配置信息,进而基于所述第二阀门配置信息对目标阀门进行开关操作。同时,所述机台工艺环境的配置装置还会输出工艺环境配置完成提示信息,以提醒相关工作人员可以执行晶圆片的工艺流程,保证晶圆片工艺执行的及时性。
本申请实施例提供的方法,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位,步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作,能够满足某些特殊阀门的启闭对当前环境的要求,避免工艺环境的配置结果达不到预期标准的问题。步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,能够保证不同腔室工艺环境的一致性,避免影响工艺质量。步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息,工艺环境的配置过程自动进行,提高了机台工艺环境的配置效率。
基于上述实施例,所述步骤S102还包括:
在所述初始压力差不大于预设阈值的情况下,确定初始压力较大的目标腔室的充气阀门对应的目标DO点位,调整所述目标DO点位的输出值以控制所述PLC对所述充气阀门进行开启操作,并对所述目标腔室进行充气操作直至所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于所述预设阈值;
基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作。
具体的,基于前述实施例可知,仅在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,才能对所述工艺腔室和传送腔室之间的连通阀门以及其它充气和抽气阀门进行对应的开关操作,以为后续抽真空操作做准备。基于此,在所述初始压力差不大于预设阈值的情况下,首先确定初始压力较大的目标腔室的充气阀门对应的目标DO点位,确定目标DO点位后,即可调整所述目标DO点位的输出值以控制所述PLC对所述充气阀门进行开启操作,并对所述目标腔室进行充气操作直至所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于所述预设阈值。通过对初始压力较大的目标腔室进行充气操作,能够使所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差快速增加并以最快的速度达到并超过所述预设阈值,进而可以对目标阀门进行第一开关操作,提高了机台工艺环境的配置效率。
本申请实施例提供的方法,在所述初始压力差不大于预设阈值的情况下,确定初始压力较大的目标腔室的充气阀门对应的目标DO点位,调整所述目标DO点位的输出值以控制所述PLC对所述充气阀门进行开启操作,并对所述目标腔室进行充气操作直至所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于所述预设阈值,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作,能够快速调整所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差,提高机台工艺环境的配置效率。
基于上述任一实施例,所述对目标阀门进行第一开关操作,具体包括:
对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行关闭操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的充气阀门进行关闭操作。
具体地,基于前述实施例可知,对目标阀门进行第一开关操作是为抽真空操作做准备,而工艺腔室和传送腔室的抽真空操作是独立进行。因此,需要对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行关闭操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的充气阀门进行关闭操作,即仅开启用于抽真空的抽气阀门,以保证抽真空操作的顺利进行。所述关闭和开启操作均是基于PLC自动控制,提高了阀门开关操作的效率和准确性,进而保证了工艺环境配置的效率和质量。
本申请实施例提供的方法,所述对目标阀门进行第一开关操作,具体包括:对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行关闭操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的充气阀门进行关闭操作,能够自动对机台阀门进行精准的开关操作,保证工艺环境配置的效率和质量。
基于上述任一实施例,所述对所述目标阀门进行第二开关操作,具体包括:
对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门和充气阀门进行关闭操作。
具体地,基于前述实施例可知,对目标阀门进行第二开关操作是为后续晶圆片工艺流程的执行做准备,而晶圆片工艺流程执行过程中,需要通过所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门传送晶圆片,同时,需要保证机台中各腔室保持真空状态,即与外界环境隔离。基于此,对所述目标阀门进行第二开关操作具体包括:对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门和充气阀门进行关闭操作。即仅开启用于传送晶圆片的连通阀门,以保证晶圆片工艺的顺利进行。所述关闭和开启操作均是基于PLC自动控制,提高了阀门开关操作的效率和准确性,进而保证后续晶圆片工艺流程的效率。
本申请实施例提供的方法,所述对所述目标阀门进行第二开关操作,具体包括:对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门和充气阀门进行关闭操作,能够在机台工艺环境配置完成时,自动对机台阀门进行精准的开关操作,保证后续晶圆片工艺流程的效率。
基于上述任一实施例,所述步骤S103还包括:
在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差不大于所述预设阈值的情况下,跳转执行步骤S104。
具体的,基于前述实施例可知,在所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下,即可判断所述工艺腔室与所述传送腔室的工艺环境达到预期的真空状态,在该情况下执行后续阀门开闭操作以为晶圆片工艺做准备。既可以避免压力差过大导致连通阀门开启困难以及可能损坏机台设备的风险,也可以在所述连通阀门打开后,使所述工艺腔室与所述传送腔室的工艺环境能够快速达到平衡,避免对晶圆片工艺质量的影响。因此,在抽真空操作结束时,若判断所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差不大于所述预设阈值,则直接跳转执行步骤S104。
本申请实施例提供的方法,所述步骤S103还包括:在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差不大于所述预设阈值的情况下,跳转执行步骤S104,能够使所述工艺腔室与所述传送腔室的工艺环境快速达到平衡,进而最大限度避免对晶圆片工艺质量的影响。
基于上述任一实施例,所述对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,具体包括:
基于所述传送腔室和所述工艺腔室的压力值,确定所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间;
基于所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作。
具体的,基于前述实施例可知,由于抽气管路单位时间内的空气流量已知,因此,基于所述传送腔室和所述工艺腔室的压力值,即可确定所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,再基于所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,即可达到所述传送腔室和所述工艺腔室工艺环境的精准配置,保证机台工艺环境的配置效率和质量。
本申请实施例提供的方法,所述对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,具体包括:基于所述传送腔室和所述工艺腔室的压力值,确定所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,基于所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,能够对各腔室进行精准的抽真空操作,保证机台工艺环境的配置效率和质量。
基于上述任一实施例,所述对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,具体包括:
对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作,并基于所述AI点位的输入值确定所述传送腔室与所述工艺腔室的实时压力值;
在所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下,停止对所述目标腔室的抽真空操作。
具体的,所述对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作的目的是为了对目标腔室的压力值进行精准微调,以使机台工艺环境快速达到预期状态。为了保证对抽真空过程的精准控制,本申请实施例,基于所述AI点位的输入值确定所述传送腔室与所述工艺腔室的实时压力值,以便实时确定所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差是否大于所述预设阈值,能够对机台腔室的压力值进行精准微调,同时准确把握抽真空操作的停止时机,使机台工艺环境快速达到预期状态,保证机台工艺环境的配置效率和质量。
本申请实施例提供的方法,所述对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,具体包括:对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作,并基于所述AI点位的输入值确定所述传送腔室与所述工艺腔室的实时压力值,在所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下,停止对所述目标腔室的抽真空操作,能够对机台腔室的压力值进行精准微调,使机台工艺环境快速达到预期状态,保证机台工艺环境的配置效率和质量。
下面对本申请提供的机台工艺环境的配置装置进行描述,下文描述的机台工艺环境的配置装置与上文描述的机台工艺环境的配置方法可相互对应参照。
基于上述任一实施例,图3为本申请提供的机台工艺环境的配置装置的结构示意图,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,如图3所示,该装置具体包括:
I/O点位确定模块301,用于确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;
第一开关操作执行模块302,用于基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;
抽真空模块303,用于对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;
第二开关操作执行模块304,用于基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
本申请实施例提供的装置,所述装置具体包括:I/O点位确定模块,用于确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位,第一开关操作执行模块,用于基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作,能够满足某些特殊阀门的启闭对当前环境的要求,避免工艺环境的配置结果达不到预期标准的问题。抽真空模块,用于对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,能够保证不同腔室工艺环境的一致性,避免影响工艺质量。第二开关操作执行模块,用于基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息,工艺环境的配置过程自动进行,提高了机台工艺环境的配置效率。
基于上述实施例,所述第一开关操作执行模块302还用于执行以下操作:
在所述初始压力差不大于预设阈值的情况下,确定初始压力较大的目标腔室的充气阀门对应的目标DO点位,调整所述目标DO点位的输出值以控制所述PLC对所述充气阀门进行开启操作,并对所述目标腔室进行充气操作直至所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于所述预设阈值;
基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作。
基于上述任一实施例,所述对目标阀门进行第一开关操作,具体包括:
对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行关闭操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的充气阀门进行关闭操作。
基于上述任一实施例,所述对所述目标阀门进行第二开关操作,具体包括:
对所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门和充气阀门进行关闭操作。
基于上述任一实施例,所述对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,具体包括:
基于所述传送腔室和所述工艺腔室的压力值,确定所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间;
基于所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作。
基于上述任一实施例,所述对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,具体包括:
对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作,并基于所述AI点位的输入值确定所述传送腔室与所述工艺腔室的实时压力值;
在所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下,停止对所述目标腔室的抽真空操作。
图4示例了一种电子设备的实体结构示意图,如图4所示,该电子设备可以包括:处理器(processor)401、通信接口(Communications Interface)402、存储器(memory)403和通信总线404,其中,处理器401,通信接口402,存储器403通过通信总线404完成相互间的通信。处理器401可以调用存储器403中的逻辑指令,以执行上述各方法所提供的机台工艺环境的配置方法,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
此外,上述的存储器403中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
另一方面,本申请还提供一种计算机程序产品,所述计算机程序产品包括计算机程序,计算机程序可存储在非暂态计算机可读存储介质上,所述计算机程序被处理器执行时,计算机能够执行上述各方法所提供的机台工艺环境的配置方法,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
又一方面,本申请还提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各方法提供的机台工艺环境的配置方法,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如ROM/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述方法具体包括:
步骤S101,确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;
步骤S102,基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;
步骤S103,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;
步骤S104,基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
2.根据权利要求1所述的机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述步骤S102还包括:
在所述初始压力差不大于预设阈值的情况下,确定初始压力较大的目标腔室的充气阀门对应的目标DO点位,调整所述目标DO点位的输出值以控制所述PLC对所述充气阀门进行开启操作,并对所述目标腔室进行充气操作直至所述传送腔室与所述工艺腔室的压力差大于所述预设阈值;
基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作。
3.根据权利要求2所述的机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述对目标阀门进行第一开关操作,具体包括:
所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行关闭操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的充气阀门进行关闭操作。
4.根据权利要求3所述的机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述对所述目标阀门进行第二开关操作,具体包括:
所述传送腔室与所述工艺腔室之间的连通阀门进行开启操作,对所述传送腔室和所述工艺腔室的抽气阀门和充气阀门进行关闭操作。
5.根据权利要求1所述的机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述步骤S103还包括:
在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差不大于所述预设阈值的情况下,跳转执行步骤S104。
6.根据权利要求1所述的机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,具体包括:
基于所述传送腔室和所述工艺腔室的压力值,确定所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间;
基于所述传送腔室和所述工艺腔室分别对应的抽气时间,对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作。
7.根据权利要求6所述的机台工艺环境的配置方法,其特征在于,所述对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值,具体包括:
对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作,并基于所述AI点位的输入值确定所述传送腔室与所述工艺腔室的实时压力值;
在所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值的情况下,停止对所述目标腔室的抽真空操作。
8.一种机台工艺环境的配置装置,其特征在于,所述机台包括可编程逻辑控制器PLC、传送腔室和工艺腔室,所述装置具体包括:
I/O点位确定模块,用于确定所述PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,所述用于工艺环境配置的I/O点位包括用于获取所述机台中腔室压力值的模拟量输入AI点位和用于控制所述机台中阀门开关的数字量输出DO点位;
第一开关操作执行模块,用于基于所述AI点位的输入值,确定所述传送腔室与所述工艺腔室的初始压力差,并在所述初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对目标阀门进行第一开关操作;
抽真空模块,用于对所述传送腔室和所述工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且所述工艺腔室与所述传送腔室的当前压力差大于所述预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至所述工艺腔室与所述传送腔室的压力差不大于所述预设阈值;
第二开关操作执行模块,用于基于第二阀门配置信息设置所述DO点位的输出值以控制所述PLC对所述目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息。
9.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7任一项所述机台工艺环境的配置方法的步骤。
10.一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述机台工艺环境的配置方法的步骤。
CN202210603065.XA 2022-05-31 2022-05-31 机台工艺环境的配置方法与装置 Active CN114695209B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210603065.XA CN114695209B (zh) 2022-05-31 2022-05-31 机台工艺环境的配置方法与装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210603065.XA CN114695209B (zh) 2022-05-31 2022-05-31 机台工艺环境的配置方法与装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114695209A true CN114695209A (zh) 2022-07-01
CN114695209B CN114695209B (zh) 2022-08-23

Family

ID=82131189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210603065.XA Active CN114695209B (zh) 2022-05-31 2022-05-31 机台工艺环境的配置方法与装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114695209B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101173357A (zh) * 2006-11-02 2008-05-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室压力控制的装置和方法
CN105552001A (zh) * 2015-12-10 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 一种真空系统
CN110610881A (zh) * 2019-10-16 2019-12-24 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备
CN112281143A (zh) * 2020-09-25 2021-01-29 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及腔室压力控制方法
CN113699590A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备及其工艺腔室内压力的控制方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101173357A (zh) * 2006-11-02 2008-05-07 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种反应腔室压力控制的装置和方法
CN105552001A (zh) * 2015-12-10 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 一种真空系统
CN110610881A (zh) * 2019-10-16 2019-12-24 北京北方华创微电子装备有限公司 腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备
CN112281143A (zh) * 2020-09-25 2021-01-29 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及腔室压力控制方法
CN113699590A (zh) * 2021-08-27 2021-11-26 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体热处理设备及其工艺腔室内压力的控制方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114695209B (zh) 2022-08-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7376490B2 (en) Operational control device, operational control method, program and storage medium thereof, for a plurality of power consumption systems
US9443748B2 (en) Substrate processing apparatus, program for controlling the same, and method for fabricating semiconductor device
JP2018021546A (ja) 真空発生器を含む真空システムの制御
CN104241174B (zh) 片盒腔室、等离子体加工设备及片盒腔室的吹扫方法
JP2014179508A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN114695209B (zh) 机台工艺环境的配置方法与装置
CN112281143A (zh) 半导体设备及腔室压力控制方法
KR20220154238A (ko) 슬릿 밸브 공압 제어
JP6596496B2 (ja) ロードロックチャンバを通気する方法、ロードロックシステム及びコンピュータ可読記憶媒体
CN112349616B (zh) 控片自动更换系统及控片自动更换方法
JP2011071166A (ja) 基板処理システム
CN104078382A (zh) 真空处理装置的运转方法
CN100521104C (zh) 一种半导体刻蚀设备的控制方法
CN116864422A (zh) 去胶机台及其控制方法
CN114683291B (zh) 机械手取片异常处理方法、装置、电子设备和存储介质
JP2012049306A (ja) プラズマ処理装置
CN115020173A (zh) 电感耦合等离子体刻蚀系统及其刻蚀控制方法
CN211263094U (zh) 一种检测半导体设备的装置
EP3712723A1 (en) Constant input resistance for redundant input modules employed in high availability systems
JP2013207013A (ja) 真空処理装置
CN113941561A (zh) 载入端装置、气体闸及气体提供方法
US20140295672A1 (en) Vacuum processing apparatus and operating method of the same
US20050246051A1 (en) Method for controlling semiconductor process
CN104805418B (zh) 常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统
JP2017002353A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 226400 No.1 Jinshan Road, zuegang street, Rudong County, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee after: Jiangsu Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Patentee after: Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address before: 226400 No.1 Jinshan Road, zuegang street, Rudong County, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee before: Jiangsu Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Patentee before: WUXI YIWEN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.