CN114678402A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示装置。该显示装置包括具有有源区和围绕有源区的外部区的基板，设置在基板的有源区中的基板孔，设置在有源区和基板孔之间的分隔区域，设置在有源区中的第一薄膜晶体管，覆盖第一薄膜晶体管的第一栅极的第一层间绝缘层，第一层间绝缘层上的第一中间绝缘层，设置在第一中间绝缘层上的第二薄膜晶体管，覆盖第二薄膜晶体管的第二栅极并延伸到分隔区域的第二层间绝缘层，以及第二中间绝缘层，其覆盖所述第二层间绝缘层的上部并延伸到所述分隔区域。第二中间绝缘层在有源区和分隔区域中具有不同的厚度。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及包括穿透基板的基板孔的显示装置。
背景技术
近来，随着我们的社会向信息化社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域已经迅速地发展。相应地，正在开发在薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。
通常，诸如监视器、TV、膝上型电脑和数码相机的电子设备包括实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括发光元件。每个发光元件可以发射具有特定颜色的光。例如，每个发光元件可以包括位于第一电极和第二电极之间的发光层。
显示装置可以具有内置在其中的外围设备，例如照相机、扬声器和传感器。例如，显示装置可以包括穿透支撑发光元件的元件基板的基板孔。基板孔可以位于发光元件之间。外围装置可插入到基板孔中。
然而，在显示装置中，外部湿气可能穿过基板孔。穿过基板孔的外部湿气可以穿过发光层移动到与基板孔相邻的发光元件。因此，在显示装置中，与基板孔相邻的发光元件可能被已经穿透基板孔的外部湿气损坏。
发明内容
本公开的一个方面是提供一种能够防止由于外部湿气渗透穿过基板孔而导致的对发光元件的损坏的显示装置。
本公开的另一方面是提供一种能够提高驱动发光元件的晶体管的有源层的可靠性的显示装置。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解上文未提及的其他目的。
根据本公开的示例性实施方式的显示装置可以包括具有有源区和围绕有源区的外部区的基板。可以在基板的有源区中设置基板孔。分隔区域可以位于有源区和基板孔之间。第一薄膜晶体管可以位于有源区中。可以包括覆盖第一薄膜晶体管的第一栅极的第一层间绝缘层。第一中间绝缘层可以位于第一层间绝缘层上。第二薄膜晶体管可以位于第一中间绝缘层上。可以包括第二层间绝缘层，其覆盖第二薄膜晶体管的第二栅极并延伸到分隔区域。可以包括覆盖第二层间绝缘层的上部并延伸到分隔区域的第二中间绝缘层。第二中间绝缘层在有源区和分隔区域中可以具有不同的厚度。
根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置可以包括：基板，所述基板具有有源区和围绕所述有源区的外部区；基板孔，所述基板孔设置在所述基板的所述有源区中；分隔区域，所述分隔区域设置在所述有源区和所述基板孔之间；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述有源区中；以及绝缘层，所述绝缘层覆盖所述薄膜晶体管并延伸到所述分隔区域。其中，所述绝缘层在所述有源区和所述分隔区域中可以具有不同的厚度。
根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置可以包括：基板，所述基板包括多个像素，所述多个像素中的每一个包括发光元件，所述发光元件包括发光层；基板孔，所述基板孔设置在所述基板中；驱动电路，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管以控制所述发光元件的工作；以及分隔区域，所述分隔区域设置为围绕所述基板孔，并且所述分隔区域包括分隔结构。其中，所述分隔结构可以被设置为使所述发光层分离。
示例性实施方式的其它详细内容包括在详细描述和附图中。
根据本公开，通过在根据本公开的示例性实施方式的显示装置的基板孔区域的分隔区域中的分隔结构下不同地形成绝缘层的厚度和在氧化物半导体层上的含氢的绝缘层来最小化氧化物半导体层的劣化，从而可以提高装置可靠性。此外，通过由分隔结构分离发光层，可以防止由于湿气渗透引起的缺陷，从而可以提供高度可靠的显示装置。
根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且更多的各种效果包括在本说明书中。
附图说明
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置的视图。
图2是根据本公开的示例性实施方式的显示装置中的基板孔的周边的放大图。
图3是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置中的像素的横截面的视图。
图4是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置中的基板孔的周边区域的截面图。
图5是图4的区域P1的放大图。
具体实施方式
通过结合附图参考以下详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于这里公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式，使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。
在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的术语例如“包括”、“具有”和“由……组成”通常旨在允许添加其它组分，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及可包括复数。
组件被解释为包括普通误差范围，即使没有明确说明。
当使用诸如“在……上面”、“在……上方”、“在……下面”和“下一个”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或多个部件可以位于两个部件之间，除非该术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可直接插在另一元件上或其间。
虽然术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组件与其它组件。因此，以下将提及的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此粘附或结合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或相关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。
图1是示意性地示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置的视图。图2是根据本公开的示例性实施方式的显示装置中的基板孔的周边的放大图。图3是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置中的像素的横截面的视图。图4是示出根据本公开的示例性实施方式的显示装置中的基板孔的周边区域的截面图。图5是图4的区域P1的放大图。
参照图1至图5，根据本公开的示例性实施方式的显示装置DP可包括元件基板100。元件基板100可以包括绝缘材料。例如，元件基板100可以包括玻璃或塑料。元件基板100可以具有多层结构。例如，元件基板100可以具有其中绝缘层102位于第一基板层101和第二基板层103之间的结构。第二基板层103可以包括与第一基板层101相同的材料。例如，第一基板层101和第二基板层103可以包括塑料。绝缘层102可以包括绝缘材料。
元件基板100可以包括由选通线GL和数据线DL限定的像素PA。发光元件500可以位于各个像素PA中。每个发光元件500可以发射具有特定颜色的光。
例如，每个发光元件500可以包括顺序层叠的第一电极510、发光层520和第二电极530。
第一电极510可以包括导电材料。第一电极510可以包括具有相对高反射率的金属。第一电极510可以具有多层结构。例如，第一电极510可以具有这样的结构，其中由诸如铝(Al)和银(Ag)的金属形成的反射电极位于由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成的透明电极之间。
发光层520可以产生具有与第一电极510和第二电极530之间的电压差相对应的亮度的光。例如，发光层520可以包括包含发光材料的发光材料层(EML)522。发光材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本公开的技术思想的显示装置可以是包括由有机材料形成的发光层520的有机发光显示装置。
发光层520可以具有多层结构以增加发光效率。例如，发光层520可以进一步包括位于第一电极510和发光材料层522之间的至少一个第一有机层521和位于发光材料层522和第二电极530之间的至少一个第二有机层523。第一有机层521可以包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个。此外，第二有机层523可以包括电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个。然而，本公开不限于此。例如，第一有机层521可以包括电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个，并且第二有机层523可以包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL中的至少一个。
第二电极530可以包括导电材料。第二电极530可以包括不同于第一电极510的材料。例如，第二电极530可以是由诸如ITO和IZO的透明导电材料形成的透明电极。因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置中，由每个像素PA的发光层520产生的光可以通过第二电极530发射到外部。
可以向每个发光元件500提供驱动电流，该驱动电流对应于通过与其对应的选通线GL施加的选通信号和通过与其对应的数据线DL施加的数据信号。例如，在每个像素PA中，可以设置电连接到与其对应的发光元件500的驱动电路。驱动电路可以根据选通信号和数据信号控制相应的发光元件500的工作。例如，驱动电路可以包括第一薄膜晶体管200、第二薄膜晶体管300和存储电容器400。
第一薄膜晶体管200可以包括第一半导体图案210、第一栅极绝缘层220、第一栅极230、第一层间绝缘层240、第一源极250和第一漏极260。
第一半导体图案210可以靠近元件基板100设置。第一半导体图案210可以包括半导体材料。例如，第一半导体图案210可以包括多晶硅(Poly-Si)，其是多晶半导体材料。在本公开的示例性实施方式中，第一半导体图案210包括低温多晶硅(LTPS)。
第一半导体图案210可以包括第一源区、第一漏区和第一沟道区。第一沟道区可以位于第一源区和第一漏区之间。第一沟道区可以具有比第一源区和第一漏区相对低的电导率。例如，第一源区和第一漏区中的导电类型杂质的含量可以高于第一沟道区中的导电类型杂质的含量。
第一栅极绝缘层220可以位于第一半导体图案210上。第一栅极绝缘层220可以在第一半导体图案210的外部方向上延伸。第一栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如，第一栅极绝缘层220可包括氧化硅基(SiOx)材料。氧化硅基(SiOx)材料可包括二氧化硅(SiO2)。
第一栅极230可以位于第一栅极绝缘层220上。例如，第一栅极230可以与第一半导体图案210的第一沟道区交叠。第一栅极230可以通过第一栅极绝缘层220与第一半导体图案210绝缘。第一栅极230可以包括导电材料。例如，第一栅极230可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)的金属。
第一层间绝缘层240可以设置在第一栅极绝缘层220和第一栅极230上。第一层间绝缘层240可以沿着第一栅极绝缘层220延伸。第一层间绝缘层240可以包括绝缘材料。第一层间绝缘层240可以包括不同于第一栅极绝缘层220的材料。例如，第一层间绝缘层240可以包括基于氮化硅的材料(SiNx)。
第一源极250可以位于第一层间绝缘层240上。第一源极250可以电连接到第一半导体图案210的第一源区。例如，第一层间绝缘层240可以包括部分暴露第一半导体图案210的源区的第一源接触孔。第一源极250可以包括与第一半导体图案210的源区交叠的区域。
第一源极250可以包括导电材料。例如，第一源极250可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。
第一漏极260可以位于第一层间绝缘层240上。第一漏极260可以电连接到第一半导体图案210的第一漏区。例如，第一层间绝缘层240可以包括部分暴露第一半导体图案210的漏区的第一漏极接触孔。第一漏极260可以包括与第一半导体图案210的漏区交叠的区域。
第一漏极260可以包括导电材料。例如，第一漏极260可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第一漏极260可以包括与第一源极250相同的材料。例如，第一漏极260可以通过与第一源极250相同的工艺形成。
第一源极250和第一漏极260可以形成为多层结构。例如，第一源极250和第一漏极260可以形成在三层中。当第一源极250和第一漏极260形成为三层时，其下层和上层可以由铝(Al)金属层形成，并且其位于下层和上层之间的中间层可以由钛(Ti)金属层构成。第二薄膜晶体管300可以通过不同于第一薄膜晶体管200的工艺形成。例如，第二薄膜晶体管可以位于覆盖第一薄膜晶体管200的第一源极250和第一漏极260的分隔绝缘层130上。分隔绝缘层130可以包括绝缘材料。分隔绝缘层130可以包括不同于第一层间绝缘层240的材料。例如，分隔绝缘层130可以包括氧化硅基(SiOx)材料。第二薄膜晶体管300的结构可以与第一薄膜晶体管200的结构相同。例如，第二薄膜晶体管300可以包括第二半导体图案310、第二栅极绝缘层320、第二栅极330、第二层间绝缘层340、第二源极350和第二漏极360。
第二半导体图案310可以靠近分隔绝缘层130设置。例如，第二半导体图案310可以直接接触分隔绝缘层130。第二半导体图案310可以包括半导体材料。第二半导体图案310可以包括不同于第一半导体图案210的材料。例如，第二半导体图案310可以包括诸如IGZO的氧化物半导体。
第二半导体图案310可包括第二源区、第二漏区和第二沟道区。第二沟道区可以位于第二源区和第二漏区之间。第二源区的电阻和第二漏区的电阻可以低于第二沟道区的电阻。例如，第二源区和第二漏区可以是导电区。第二沟道区可以是不导电区。
第二栅极绝缘层320可以位于第二半导体图案310上。第二栅极绝缘层320可以包括绝缘材料。例如，第二栅极绝缘层320可以包括氧化硅基(SiOx)材料、氮化硅基(SiNx)材料和/或具有高介电常数的材料(高K材料)。第二栅极绝缘层320可以具有多层结构。
第二栅极绝缘层320可以暴露第二半导体图案310的第二源区和第二漏区。第二半导体图案310的第二源区和第二漏区可以不与第二栅极绝缘层320交叠。例如，第二半导体图案310的源区和漏区可以通过在第二栅极绝缘层的图案化工艺中使用的蚀刻剂而导电。
第二栅极330可以位于第二栅极绝缘层320上。例如，第二栅极330可以与第二半导体图案310的第二沟道区交叠。第二栅极330可以包括导电材料。例如，第二栅极330可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)的金属。第二栅极330可以包括与第一栅极230相同的材料。
第二层间绝缘层340可以位于第二半导体图案310和第二栅极330上。第二层间绝缘层340可以覆盖第二半导体图案310的侧表面。第二层间绝缘层340可以包括绝缘材料。第二层间绝缘层340可以包括不同于第一层间绝缘层240的材料。例如，第二层间绝缘层340可以包括基于氧化硅的材料(SiOx)。
第二源极350可以位于第二层间绝缘层340上。第二源极350可以电连接到第二半导体图案310的源区。例如，第二层间绝缘层340可以包括部分暴露第二半导体图案310的源区的第二源接触孔。第二源极350可以包括与第二半导体图案310的源区交叠的区域。
第二源极350可包括导电材料。例如，第二源极350可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二源极350可包括与第一源极250相同的材料。
第二漏极360可以位于第二层间绝缘层340上。第二漏极360可以电连接到第二半导体图案310的漏区。例如，第二层间绝缘层340可以包括部分暴露第二半导体图案310的漏区的第二漏极接触孔。第二漏极360可以包括与第二半导体图案310的漏区交叠的区域。
第二漏极360可以包括导电材料。例如，第二漏极360可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二漏极360可以包括与第二源极350相同的材料。例如，第二漏极360可以通过与第二源极350相同的工艺形成。
第二源极350和第二漏极360可以形成为多层结构。例如，第二源极350和第二漏极360可以形成在三层中。当第二源极350和第二漏极360形成为三层时，其下层和上层可以由铝(Al)金属层形成，并且其位于下层和上层之间的中间层可以由钛(Ti)金属层构成。
存储电容器400可以形成在元件基板100和第二薄膜晶体管300之间。例如，存储电容器400可以包括位于与第一栅极230相同的层上的第一存储电极410和位于第一存储电极410上的第二存储电极420。
第一存储电极410可以包括导电材料。第一存储电极410可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第一存储电极410可以包括与第一栅极230相同的材料。例如，第一存储电极410可以通过与第一栅极230相同的工艺形成。
第二存储电极420可以包括导电材料。第二存储电极420可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第一层间绝缘层240可以在第一存储电极410和第二存储电极420之间延伸。第二存储电极420可以位于第一层间绝缘层240上。第一源极250和第一漏极260可以位于与第一存储电极420不同的层上。例如，覆盖第二存储电极420的第一中间绝缘层120可以在第一层间绝缘层240和第一源极250之间以及在第一层间绝缘层240和第一漏极260之间延伸。第一层间绝缘层240和第一中间绝缘层120可以依次层叠在第一栅极230和第一源极250之间以及第一栅极230和第一漏极260之间。第二存储电极420可以包括与第一源极250和第一漏极260的材料不同的材料。
第一中间绝缘层120可以包括绝缘材料。例如，第一中间绝缘层120可以包括基于氧化硅的材料(SiOx)和/或基于氮化硅的材料(SiNx)。第一中间绝缘层120可以具有多层结构。例如，第一中间绝缘层120可以具有包括基于氧化硅(SiOx)材料的第一中间层121和包括基于氮化硅(SiNx)材料的第二中间层122的层叠结构。第一源极250和第一漏极260可以位于第二中间层122上。然而，本公开不限于此。例如，第一中间绝缘层120可以形成为单层。当第一中间绝缘层120形成为单层时，其可以由包括氮化硅基(SiNx)材料的第二中间层122形成。
第二存储电极420可以电连接到第二薄膜晶体管300的第二漏极360。例如，穿过第一中间绝缘层120并连接到第二存储电极420的第一中间电极910可以位于第二中间层122上，并且第二漏极360可以穿过第二中间层122并连接到第一中间电极910。第一中间电极910可以包括导电材料。例如，第一中间电极910可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第一中间电极910可以包括与第一源极250和第一漏极260相同的材料。例如，第一中间电极910可以通过与第一源极250和第一漏极260相同的工艺形成。
光阻挡电极450可以位于第一层间绝缘层240和第一中间绝缘层120之间。光阻挡电极450可以与第二半导体图案310交叠。光阻挡电极450可以防止第二半导体图案310的特性由于外部光而改变。例如，光阻挡电极450可以包括金属。光阻挡电极450可以包括与第二存储电极420相同的材料。例如，可以通过与第二存储电极420相同的工艺形成光阻挡电极450。
第二中间绝缘层140a可以位于第二层间绝缘层340以及第二源极350和第二漏极360上。第二源极350和第二漏极360可以位于第二中间绝缘层140a上。第二中间绝缘层140a可以包括绝缘材料。第二中间绝缘层140a可以包括不同于第二层间绝缘层340的材料。例如，第二中间绝缘层140a可以包括氮化硅基(SiNx)材料。第二漏极360可以穿透第二层间绝缘层340和第二中间绝缘层140a。
缓冲绝缘层110可以位于元件基板100和每个像素PA的驱动电路之间。缓冲绝缘层110可以防止在形成驱动电路的过程中通过元件基板100的污染。例如，缓冲绝缘层110可以在元件基板100和每个像素PA的第一半导体图案210之间延伸。缓冲绝缘层110可以包括绝缘材料。例如，缓冲绝缘层110可以包括基于氧化硅(SiOx)的材料和/或基于氮化硅(SiNx)的材料。缓冲绝缘层110可以具有多层结构。例如，缓冲绝缘层110可以具有第一缓冲层111和第二缓冲层112的层叠结构，第二缓冲层112包括与第一缓冲层111的材料不同的材料。
第一覆盖层150和第二覆盖层160可以依次层叠在每个像素PA的发光元件500和第二薄膜晶体管300之间。第一覆盖层150和第二覆盖层160可以去除由于每个像素PA的驱动电路而产生的台阶差。例如，面向每个像素PA的发光元件500的第二覆盖层160的表面可以是平坦表面。第一覆盖层150和第二覆盖层160可包括绝缘材料。第一覆盖层150和第二覆盖层160可以包括不同于第二中间绝缘层140a的材料。例如，第一覆盖层150和第二覆盖层160可包括有机绝缘材料。第二覆盖层160可包括不同于第一覆盖层150的材料。
每个像素PA的发光元件500可以电连接到相应像素PA的第二薄膜晶体管300。例如，每个像素PA的第一电极510可以穿过第一覆盖层150和第二覆盖层160并电连接到第二漏极360。每个像素PA的第一电极510可以通过第二中间电极920电连接到第二漏极360。例如，第二中间电极920可以位于第一覆盖层150和第二覆盖层160之间。第二中间电极920可穿过第一覆盖层150连接到第二漏极360，并且第一电极510可穿过第二覆盖层160连接到第二中间电极920。
第二中间电极920可以包括导电材料。例如，第二中间电极920可以包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)和铜(Cu)的金属。第二中间电极920可以包括不同于第一中间电极910的材料。
每个像素PA的发光元件500可以被独立地驱动。例如，每个像素PA的第一电极510可以与邻近该像素PA的另一像素PA的第一电极510绝缘。每个第一电极510的边缘可以由堤部绝缘层170覆盖。堤部绝缘层170可以位于第二覆盖层160上。每个像素PA的发光层520和第二电极530可以层叠在由堤部绝缘层170暴露的相应的第一电极510上。堤部绝缘层170可以包括绝缘材料。例如，堤部绝缘层170可以包括有机绝缘材料。堤部绝缘层170可以包括不同于第二覆盖层160的材料。
每个像素PA的发光层520的至少一部分可以在堤部绝缘层170上延伸。例如，每个像素PA的第一有机层521和第二有机层523可以连接到相邻像素PA的第一有机层521和第二有机层523。每个像素PA的发光材料层522可以与相邻像素PA的发光材料层522间隔开。每个像素PA的第二电极530可以在堤部绝缘层170上延伸。例如，每个像素PA的第二电极530可以连接到相邻像素PA的第二电极530。
封装层600位于第二电极530上。封装层600防止氧气和湿气从外部渗透，以防止发光材料和电极材料的氧化。当发光层520暴露于湿气或氧气时，可能发生其中发光区域减小的像素收缩现象，或者在发光区域中可能发生暗点。封装层由基于玻璃、金属、氧化铝(AlOx)或硅(Si)的材料形成的无机膜构成，或者可以具有其中有机层620和无机层610和630交替层叠的结构。在这种情况下，无机层610和630用于阻挡湿气或氧气的渗透，有机层620用于使无机层610和630的表面平坦化。当封装层形成为多层薄膜时，与单层的情况相比，湿气或氧气的移动路径更长且更复杂，因此湿气/氧气向有机发光元件的渗透变得困难。
阻挡膜可以位于封装层600上以封装整个元件基板。阻挡膜可以是延迟膜或光各向同性膜。在这种情况下，粘合剂层可以位于阻挡膜和封装层600之间。粘合剂层粘合封装层600和阻挡膜。粘合剂层可以是热固化粘合剂或自然固化粘合剂。例如，粘合剂层可以由诸如阻挡压敏粘合剂(B-PSA)的材料形成。
根据本公开的示例性实施方式，第二薄膜晶体管300可以用作驱动晶体管。因此，发光元件500的第一电极510可以连接到第二薄膜晶体管300，但不限于此。例如，发光元件500的第一电极510可以连接到第一薄膜晶体管200。此外，第一薄膜晶体管200可以用作驱动晶体管。
基板孔CH可以形成在元件基板100中。基板孔CH可以穿过元件基板100。基板孔CH可以位于像素PA之间。例如，可以在发光元件500之间形成基板孔CH。元件基板100可以包括孔周边区域HA，孔周边区域HA包括形成基板孔CH的区域。发光元件500可以位于孔周边区域HA的外部。在孔周边区域HA中，选通线GL和数据线DL可以沿着基板孔CH的边缘旁路。
孔周边区域HA可以包括其中形成有基板孔CH的贯通区域CA和围绕贯通区域CA的分隔区域SA。例如，分隔区域SA可以位于贯通区域CA和像素PA之间。孔周边区域HA还可以包括位于分隔区域SA外部的阻挡区域BA。分隔区域SA可以位于贯通区域CA和阻挡区域BA之间。在阻挡区域BA上可以包括至少一个隔障800，以阻挡像素PA与贯通区域CA以及像素PA和分隔区域SA之间的相互影响。
设置隔障800以防止封装层600的有机层620溢出到分隔区域SA中。
至少一个分隔结构700可以位于分隔区域SA中。设置分隔结构700以分离发光层520。这是因为当发光层520暴露于外部时，其可能变成湿气的渗透路径。由于发光层520可能暴露于分隔区域SA中的外部，因此需要分隔结构700。
分隔结构700可以由与使第二薄膜晶体管300的上部平坦化的第二覆盖层160相同的材料形成。即，分隔结构700可以形成为柱状，其中，第二覆盖层160位于第二中间绝缘层140b上。此外，可以去除分隔结构700的外部下方的第二中间绝缘层140b。去除工艺可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺来执行。
当位于分隔结构700的外部下方的第二中间绝缘层140b被底切(undercut)以便向内去除时，沉积在分隔结构700上的层(例如，发光层520)没有完全覆盖分隔结构700的外部的下部，并且沉积在分隔结构700上的层的连接被断开，如图5所示。通过使用这种现象，可以部分地去除分隔结构700下的层来分离特定层。如上所述，由于发光层520用作湿气的传输路径并且可能导致显示装置中的缺陷，因此完全分离发光层520是重要的。为了完全分离发光层520，如上所述，需要通过部分去除分隔结构700下的第二中间绝缘层140b来实现底切。此外，随着底切结构的高度增加，发光层520的分离可能是有利的。也就是说，可以增加第二中间绝缘层140b的厚度以增加底切结构的高度。然而，在设置像素PA的区域中，当设置在第二薄膜晶体管300的第二半导体图案310上的第二中间绝缘层140a的厚度形成为对于发光层520的分隔区域SA中的发光层520的分离较大时，可能发生第二薄膜晶体管300的第二半导体图案310的劣化。即，当包括基于氮化硅(SiNx)的材料的第二中间绝缘层140a的厚度增加时，第二中间绝缘层140a的氢含量增加，从而发生由氧化物半导体形成的第二薄膜晶体管300的第二半导体图案310的劣化。为了防止这种情况，在本实施方式中，第二中间绝缘层140a的厚度在设置第二薄膜晶体管300的区域和分隔区域SA中不同地形成。即，分隔区域SA中的分隔结构700下方的第二中间绝缘层140b的厚度形成为较大，并且第二薄膜晶体管300所在的区域中的第二中间绝缘层140a的厚度形成为较小，从而可以通过减少第二中间绝缘层140a的氢含量来使第二半导体图案310劣化的现象最小化。
在像素PA所在的区域和分隔区域SA中形成第二中间绝缘层140a和140b之后，可以形成接触孔以连接第二薄膜晶体管的第二漏极360和第二半导体图案310并连接第二源极350和第二半导体图案310。当执行其中在像素PA所位于的区域中不形成接触孔的光刻工艺时，可以使用半色调掩模或狭缝掩模来形成厚度小于位于分隔区域SA中的第二中间绝缘层140b的第二中间绝缘层140a。这里，例示了使用半色调掩模或狭缝掩模的方法，但本公开不限于此。
本公开的示例性实施方式还可以描述如下：
根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括具有有源区和围绕有源区的外部区的基板，设置在基板的有源区中的基板孔，位于有源区和基板孔之间的分隔区域，设置在有源区中的第一薄膜晶体管，覆盖第一薄膜晶体管的第一栅极的第一层间绝缘层，第一层间绝缘层上的第一中间绝缘层，设置在第一中间绝缘层上的第二薄膜晶体管，覆盖第二薄膜晶体管的第二栅极并延伸到分隔区域的第二层间绝缘层，以及第二中间绝缘层，其覆盖所述第二层间绝缘层的上部并延伸到所述分隔区域。第二中间绝缘层在有源区和分隔区域中具有不同的厚度。
分隔区域中的第二中间绝缘层的厚度可以大于有源区中的第二中间绝缘层的厚度。
第二中间绝缘层可以由氮化硅(SiNx)形成。
该显示装置还可以包括第一覆盖层和第二覆盖层，它们在第二中间绝缘层上并顺序层叠以去除由第一和第二薄膜晶体管引起的台阶差。
显示装置还可以包括设置在分隔区域中的分隔结构，该分隔结构被设置为分离有机发光层。
分隔结构可以由与第二覆盖层相同的材料形成。
分隔结构下的第二中间绝缘层可以从分隔结构的外部向内蚀刻。
分隔结构可定位成围绕基板孔。
显示装置还可以包括覆盖有源区和分隔区域的封装部，该封装部包括第一无机层，有机层和第二无机层。
虽然已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式来实现。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本发明的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，而不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且其等同范围内的所有技术概念应被解释为落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月24日在大韩民国提交的韩国专利申请No.10-2020-0183513的权益和优先权，其全部内容通过引用明确地结合到本申请中。

Claims (11)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板，所述基板具有有源区和围绕所述有源区的外部区；
基板孔，所述基板孔设置在所述基板的所述有源区中；
分隔区域，所述分隔区域设置在所述有源区和所述基板孔之间；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述有源区中；
第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层覆盖所述第一薄膜晶体管的第一栅极；
第一中间绝缘层，所述第一中间绝缘层位于所述第一层间绝缘层上；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一中间绝缘层上；
第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层覆盖所述第二薄膜晶体管的第二栅极并延伸至所述分隔区域；以及
第二中间绝缘层，所述第二中间绝缘层覆盖所述第二层间绝缘层的上部并延伸到所述分隔区域，
其中，所述第二中间绝缘层在所述有源区和所述分隔区域中具有不同的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述分隔区域中的所述第二中间绝缘层的厚度大于所述有源区中的所述第二中间绝缘层的厚度。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二中间绝缘层由氮化硅SiNx形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层设置在所述第二中间绝缘层上并顺序层叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，所述显示装置还包括：分隔结构，所述分隔结构设置在所述分隔区域中并使有机发光层分离。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述分隔结构由与所述第二覆盖层相同的材料形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述分隔结构下方的所述第二中间绝缘层被从所述分隔结构的外部向内蚀刻。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述分隔结构被设置为围绕所述基板孔。
9.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置还包括：封装部，所述封装部覆盖所述有源区和所述分隔区域，并且所述封装部包括第一无机层、有机层和第二无机层。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板，所述基板具有有源区和围绕所述有源区的外部区；
基板孔，所述基板孔设置在所述基板的所述有源区中；
分隔区域，所述分隔区域设置在所述有源区和所述基板孔之间；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述有源区中；以及
绝缘层，所述绝缘层覆盖所述薄膜晶体管并延伸到所述分隔区域，
其中，所述绝缘层在所述有源区和所述分隔区域中具有不同的厚度。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
基板，所述基板包括多个像素，所述多个像素中的每一个包括发光元件，所述发光元件包括发光层；
基板孔，所述基板孔设置在所述基板中；
驱动电路，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管以控制所述发光元件的工作；以及
分隔区域，所述分隔区域围绕所述基板孔，并且所述分隔区域包括分隔结构，
其中，所述分隔结构使所述发光层分离。
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