CN114678392A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种发光显示装置，在该发光显示装置中，与薄膜晶体管阵列的形成一起提供用于补偿发射不同颜色光的每个子像素中的光学距离的光学补偿层，从而降低驱动有机堆叠体所需的驱动电压值并提高工艺性能。

Description

发光显示装置

本申请要求享有于2020年12月24日提交的韩国专利申请第10-2020-0183654号的权益，通过引用将该专利申请并入于此，如同在此完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种发光显示装置，在该发光显示装置中，与薄膜晶体管阵列的形成一起提供用于补偿配置为发射不同颜色光的每个子像素中的光学距离的光学补偿层，从而降低驱动有机堆叠体所需的驱动电压值并提高工艺性能。

背景技术

随着社会近来进入信息时代，用于在视觉上显示电信息信号的显示器领域快速发展，为了满足这种发展，已开发了具有优异性能，诸如纤薄、轻重量和低功耗的各种显示装置并且已快速取代传统的阴极射线管(CRT)。

其中，不需要单独光源，实现紧凑性和清晰彩色显示并且在显示面板内包括发光器件的发光显示装置被认为是有竞争力的应用。

当在阳极与阴极之间的有机堆叠体中设置用于补偿配置为发射不同颜色光的每个子像素中的光学距离的光学补偿层时，光学补偿层导致阳极与阴极之间的厚度的差异，从而增加驱动电压。

此外，特定的子像素需要光学补偿层，因而需要单独的掩模，从而降低了工艺良率(process yield)。

发明内容

因此，本发明涉及一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题的发光显示装置。

本发明的一个目的是提供一种发光显示装置，在该发光显示装置中，与薄膜晶体管阵列的形成一起提供用于补偿配置为发射不同颜色光的每个子像素中的光学距离的光学补偿层，从而降低驱动有机堆叠体所需的驱动电压值并提高工艺性能。

本发明的另一个目的是提供一种发光显示装置，在该发光显示装置中，使用与发光层相同的掩模由与发光层不同的材料来形成用于补偿子像素之间的光学距离的差异的辅助光学补偿层，从而实现由于设备差异而导致所需的额外的精细光学距离调节。

在下面的描述中将部分列出本发明的其它优点、目的和特征，这些优点、目的和特征的一部分根据下面的解释对于本领域普通技术人员将变得显而易见的或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的，一种发光显示装置，包括：包括第一子像素和第二子像素的基板；分别在所述第一子像素和所述第二子像素处的第一反射电极和第二反射电极；在所述第一反射电极上的第一光学补偿层；与所述第一光学补偿层接触的第一阳极和与所述第二反射电极接触的第二阳极；具有至少一个第一堆叠体的第一单元，所述第一堆叠体包括顺序地堆叠在所述第一阳极上的第一公共层、发射具有第一波长的光的第一发光层、和第二公共层；具有至少一个第二堆叠体的第二单元，所述第二堆叠体包括顺序地堆叠在所述第二阳极上的所述第一公共层、发射具有比所述第一波长短的第二波长的光的第二发光层、和所述第二公共层；以及在所述第一单元和所述第二单元上的阴极。

在本发明的另一个方面中，一种发光显示装置，包括：具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素处的第一反射电极、第二反射电极和第三反射电极；在所述第一反射电极上的第一光学补偿层和在所述第三反射电极上的第二光学补偿层，所述第二光学补偿层具有比所述第一光学补偿层的厚度小的厚度；与所述第一光学补偿层接触的第一阳极、与所述第二反射电极接触的第二阳极、和与所述第二光学补偿层接触的第三阳极；堤部，所述堤部与所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极的边缘重叠并且使所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一发光部、第二发光部和第三发光部开放；在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部以及所述堤部上的第一公共层；分别在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部处的第一发光层、第二发光层和第三发光层；在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部上的第二公共层；以及在所述第二公共层上的阴极。

应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

被包括用来对本发明提供进一步理解且被并入并构成本申请的一部分的附图图解了本发明的实施方式并且与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：

图1是图解根据本发明第一实施方式的发光显示装置的剖面图；

图2是图解根据本发明第二实施方式的发光显示装置的剖面图；

图3是图解图2的实现的一个示例的详细剖面图；

图4是图解根据本发明第三实施方式的发光显示装置的剖面图；

图5是图解图4的实现的一个示例的详细剖面图；

图6是图解根据本发明第四实施方式的发光显示装置的剖面图；

图7是图解根据本发明第五实施方式的发光显示装置的剖面图；

图8是图解根据本发明第六实施方式的发光显示装置的剖面图；

图9是图解根据本发明第七实施方式的发光显示装置的剖面图；

图10是图解根据本发明第八实施方式的发光显示装置的剖面图；

图11是图解根据本发明第九实施方式的发光显示装置的剖面图；

图12是图解根据测试例1和测试例2的发光器件的剖面图；

图13是示出根据测试例1和测试例2的发光器件的驱动电压-电流密度特性和驱动电压-电流特性的曲线图。

具体实施方式

现在将详细参照本发明的示例性实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些例子。在实施方式和附图的以下描述中，在整个申请中由相同的参考标记表示相同或相似的部分。在本发明实施方式的以下描述中，当结合在此的已知功能和构造的详细描述反而会使本发明的主旨不清楚时，将省略其详细描述。此外，考虑到方便准备本申请而选取了在本发明实施方式的以下描述中使用的元件的名称，因此可能与实际产品的部分的名称不同。

为了描述本发明的实施方式而在附图中给出的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于示出的细节。在实施方式的以下描述中，术语“包括”、“包含”和“具有”应解释为表示存在本申请中所述的一个或多个特征、数量、步骤、操作、元件或部分或者它们的组合，不排除存在其他特征、数量、步骤、操作、元件、部分或者它们的组合，或者增加它们的可能性，除非使用了术语“仅”。将理解到，元件的单数表达涵盖复数表达，除非另有说明。

在解释本发明各实施方式中包括的要素时，应解释为要素的特性的量化描述包括误差范围，除非另有说明。

在实施方式的以下描述中，将理解到，当表达位置关系时，例如，当称一元件位于另一元件“上”、“上方”、“下方”或“旁边”时，这两个元件可彼此直接接触，或者可在这两个元件之间插入一个或多个其他元件，除非使用了术语“正好”或“直接”。

在实施方式的以下描述中，将理解到，当表达时间关系时，例如，当使用表达事件顺序的术语，诸如“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，这些术语涵盖事件之间的连续关系和事件之间的不连续关系，除非使用了术语“正好”或“直接”。

在实施方式的以下描述中，将理解到，当使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素时，这些术语仅用于区分相同或相似要素。因此，在不背离本发明的技术范围的情况下，下文中描述的第一要素可被命名为第二要素。

本发明各实施方式的各个特征可彼此部分或整体地结合或组合并且可以以各种技术方式互操作或驱动，且各个实施方式可彼此独立地实施，或者可通过它们之间的联系共同实施。

在实施方式的以下描述中，术语“掺杂”是指，被添加到占相应层的大部分重量的材料中的、具有与所述占相应层的大部分重量的材料不同特性的材料(具有不同特性的材料例如是N型材料和P型材料或者有机材料和无机材料)的含量小于30wt％。换句话说，“掺杂”层是指其中基质材料和掺杂剂材料可基于它们的重量百分比彼此区分开的层。此外，术语“未掺杂”层是指与术语“掺杂”对应的情况以外的所有情况。例如，如果层由单个材料形成或者由具有相同或相似特性的材料的混合物形成，则该层可以是“未掺杂”层。例如，如果形成层的材料中的至少一种是P型并且形成该层的材料都不是N型，则该层是“未掺杂”层。例如，如果形成层的材料中的至少一种是有机的并且形成该层的材料都不是无机的，则该层是“未掺杂”层。例如，如果形成层的所有材料都是有机的并且形成该层的材料中的至少一种是N型且材料中的至少另一种是P型，则当N型材料的含量小于30wt％或者P型材料的含量小于30wt％时，该层是“掺杂”层。

图1是图解根据本发明第一实施方式的发光显示装置的剖面图。

如图1中所示，根据本发明第一实施方式的发光显示装置包括：具有第一子像素SP1和第二子像素SP2的基板(图3中示出的100)；分别设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的第一反射电极110b和第二反射电极110b’；设置在第一反射电极110b上的第一光学补偿层122；配置为与第一光学补偿层122接触的第一阳极110c；和配置为与第二反射电极110b’接触的第二阳极110c’。

此外，在第一阳极110c上设置有第一单元OS1，第一单元OS1顺序地包括第一公共层CML、配置为发射具有第一波长的光的第一发光层153、和第二公共层CMU 144。

在第二阳极110c’上设置有第二单元OS2，第二单元OS2顺序地包括第一公共层CML、配置为发射具有比第一波长短的第二波长的光的第二发光层151、和第二公共层CMU144。

第一单元OS1和第二单元OS2的各个层可由有机材料形成，并且可使用各个有机材料通过蒸镀形成。

阴极160公共地设置在第一单元OS1和第二单元OS2上。阴极160可以以与第一单元OS1和第二单元OS2的各个层相同的方式也通过蒸镀形成。

除第一发光层153和第二发光层151之外，第一单元OS1和第二单元OS2公共地包括第一公共层CML和第二公共层CMU 144。第一发光层153和第二发光层151选择性地设置在相应子像素中，因而可使用精细金属掩模(FMM)形成。

第一公共层CML和第二公共层CMU的各个层遍布子像素设置在第一发光层153和第二发光层151上方和下方，并且可使用具有与各个子像素对应的开口的公共掩模形成。

此外，第一公共层CML涉及空穴的注入和传输，并且可包括空穴注入层141、空穴传输层142和电子阻挡层143。

空穴注入层141由对阳极110c和110c’具有低能垒并且具有低表面电阻的材料形成，使得来自阳极110c和110c’的空穴容易注入到空穴注入层141中，为此目的，空穴注入层141的材料可在空穴传输材料中包括p型掺杂剂。

空穴传输层142容易将从空穴注入层141提供的空穴传输至发光层153和151，并且空穴传输层142由空穴传输材料形成。

电子阻挡层143用于防止由发光层153和151形成的激子或传输至发光层153和151的电子移动到空穴传输层142。

在一些情况下，空穴注入层141和电子阻挡层143可省略，或者可与空穴传输层142一体形成。

第二公共层CMU 144可包括：配置为防止空穴逃离发光层153和151的空穴阻挡层HBL；和配置为传输电子的电子传输层ETL。空穴阻挡层HBL和电子传输层ETL可形成为不同的层。空穴阻挡层HBL和电子传输层ETL可单独形成。

根据显示装置的性能要求，第一公共层CML和第二公共层CMU可进一步包括与之一体的额外的层，并且可包括在发光层153和151中包含的基质和掺杂剂成分。

根据本发明的发光显示装置在结构上的特征在于，第一光学补偿层122设置在第一反射电极110b与第一阳极110c之间，而不是设置在第一阳极110c与阴极160之间的有机单元OS1中。就是说，在有机材料沉积工序之前在第一反射电极110b与第一阳极110c之间设置第一光学补偿层122，因而在有机材料沉积工序之前可在通过光刻执行的薄膜晶体管阵列形成工序期间形成第一光学补偿层122。因此，与其中光学补偿层设置在有机堆叠体(由有机成分形成的单元，下文中，第一单元OS1和第二单元OS2也可被分别称为第一有机堆叠体OS1和第二有机堆叠体OS2)内的结构相比，根据本发明的发光显示装置不单独需要用于形成第一光学补偿层122的精细金属掩模和腔室。因此，因为有机堆叠体OS1和OS2之中仅发光层153和151需要精细金属掩模，所以减少了精细金属掩模的使用，因而可提高工艺良率，并且省略了用于形成光学补偿层的有机材料，因而可减少有机材料的使用。

下文中，将描述第一光学补偿层122的功能。

在各个子像素发射具有不同颜色的光的发光显示装置中，光在每个子像素中的反射电极110b与阴极160之间反复反射和再反射的同时进行谐振。最终通过阴极160发射。在这种情况下，最佳发光位置根据发射的光的颜色而变化，因而，为了使发光层定位在与配置为最佳发射来自反射电极110b的光的光学距离相适合的位置处，设置第一光学补偿层122。随着发射的光的波长增加，光学距离增加，因而发光层定位成更远离反射电极110b。

图1图解了其中第一子像素SP1是红色子像素，第二子像素SP2是蓝色子像素的示例。第一子像素SP1包括配置为发射具有较长波长的光的第一发光层153，第二子像素SP2包括配置为发射具有较短波长的光的第二发光层151。在配置为发射具有相对较短波长的光的第二子像素SP2中未设置光学补偿层，仅通过第二阳极110c’上的第一公共层CML保持第二发光层151的光学距离，并且在配置为发射具有相对较长波长的光的第一子像素SP1中设置第一光学补偿层122，从而调节第一发光层153距第一反射电极110b的较长光学距离。第一发光层153可以是红色发光层，第二发光层151可以是蓝色发光层。红色发光层153可发射具有600nm至660nm的波长范围的光，蓝色发光层151可发射具有430nm至495nm的波长范围的光。

在第一子像素SP1中，第一光学补偿层122位于第一反射电极110b与第一阳极110c之间，并且可由诸如氧化物膜、氮化物膜、氮氧化物膜等之类的透明无机绝缘膜形成。

可在第一反射电极110b和第二反射电极110b’下方进一步设置透明电极110a和110a’。因此，可增加第一反射电极110b和第二反射电极110b’与设置在其下方的薄膜晶体管TFT之间的界面粘附力，并且可降低接触电阻。

第一反射电极110b和第二反射电极110b’由反射金属形成，以便增加各个子像素SP1和SP2中的反射效率，例如，第一反射电极110b和第二反射电极110b’可由金属或金属合金，诸如Ag、Ag合金、Al、Al合金、Ag-Pb-Cu(APC)等形成。

第一阳极110c和第二阳极110c’可以是由与透明电极110a和110a’相同材料形成的透明电极。为了利于被第一反射电极110b和第二反射电极110b’反射的光的透过并且降低第一阳极110c和第二阳极110c’与由有机材料形成的有机单元OS1和OS2之间的界面上的电阻，第一阳极110c和第二阳极110c’可由包含铟、锡和锌中至少之一的透明氧化物成分形成。

从电学的角度来看，从透明电极110a和110a’到阴极160的垂直结构被称为发光器件OLED1和OLED2。此外，在发光器件OLED1或OLED2中，包括被施加相同电信号的透明电极110a或110a’、反射电极110b或110b’和阳极110c或110c’的三层结构可被称为阳极堆叠体1100A或1100B。在图1中，图3中示出的基板100可设置在发光器件OLED1和OLED2下方。

在图1所示的示例中，第一子像素SP1可如此地配置，即，为了表现出光学特性，在发光部中在第一反射电极110b与第一阳极110c之间设置第一光学补偿层122，因而形成垂直间隙，但是为了实现导电，在非发光部中第一阳极110c以及第一反射电极110b或第一透明电极110a从第一光学补偿层122朝向一侧延伸，从而直接导电地连接。或者，可穿过第一光学补偿层122形成接触孔(未示出)，并且第一阳极110c可通过接触孔直接连接至第一反射电极110b。

封盖层(capping layer)170可遍布各个子像素公共地设置在阴极160上。封盖层170可设置用来增加由发光器件OLED1和OLED2发射的光的发光效率并且保护发光器件OLED1和OLED2。封盖层170可如图中所示具有包括有机封盖层171和堆叠在有机封盖层171上的无机封盖层172的两层结构、或该两层结构的颠倒结构，或者可具有有机/无机复合膜结构。封盖层170可形成为单个层。封盖层170的有机材料成分可与第一单元OS1和第二单元OS2中的有机材料成分相同。

下文中，将描述根据本发明第二实施方式的发光显示装置，除了红色子像素和蓝色子像素之外，其进一步包括配置为发射具有中间波长的光的绿色子像素。

图2是图解根据本发明第二实施方式的发光显示装置的剖面图，图3是图解图2的实现的一个示例的详细剖面图。

如图2中所示，除了红色子像素RS和蓝色子像素BS以外，根据本发明第二实施方式的发光显示装置进一步包括作为第三子像素的绿色子像素GS。

绿色子像素GS包括第三反射电极110b”、设置在第三反射电极110b”上的第三阳极110c”、和第三阳极110c”上的第三单元OS3(下文中，第三单元OS3也可被称为第三有机堆叠体OS3)，第三单元OS3包括第一公共层CML、配置为发射绿色光或黄绿色光(其是具有红色光与蓝色光之间的波长的光)的第三发光层152、和第二公共层CMU 144。此外，可在第三单元OS3上进一步设置阴极160。

此外，可在第三反射电极110b”与第三阳极110c”之间设置具有比第一光学补偿层122的厚度小的厚度的第二光学补偿层121，从而能使第三发光层152位于第三单元OS3的最佳发光位置处。

因为绿色光(或黄绿色光)的光学距离比红色光的光学距离短，所以从第三反射电极110b”到第三发光层152的垂直距离可比从第一反射电极110b到第一发光层153的垂直距离短。

第一光学补偿层122和第二光学补偿层121可通过同一工序使用半色调掩模形成为具有不同厚度。第一光学补偿层122和第二光学补偿层121可由相同的透明无机绝缘膜形成。

在第二实施方式中，因为除相应的发光层153、151和152之外，各个子像素RS、BS和GS的有机堆叠体OS1、OS2和OS3包括相同的公共层CML和CMU，所以有机堆叠体OS1、OS2和OS3之间的厚度差仅由发光层153、151和152之间的厚度差引起。特别是，在本发明的第二实施方式中，第一光学补偿层122和第二光学补偿层121设置在第一反射电极110b与第一阳极110c之间和第三反射电极110b”与第三阳极110c”之间，可补偿具有各个颜色的光的光学距离，而在有机堆叠体OS1、OS2和OS3之间没有很大厚度差，因而在具有第一光学补偿层122和第二光学补偿层121的第一子像素SP1和第三子像素SP3(红色子像素RS和绿色子像素GS)中，有机堆叠体OS1和OS3不需要增加其厚度。因此，可降低驱动阳极110c和110c”与阴极160之间的有机堆叠体OS1和OS3所需的驱动电压。此外，因为形成为具有大约

至

的厚度并且设置在第一反射电极110b与第一阳极110c之间和第三反射电极110b”与第三阳极110c”之间的第一光学补偿层122和第二光学补偿层121可由无机材料形成，从而对温度不敏感，所以与光学补偿层设置在有机单元内的结构相比，具有第一光学补偿层122和第二光学补偿层121的该结构可具有较高的膜密度和较高的膜稳定性。

参照图3，下面将描述根据本发明的发光显示装置的构造。

将描述薄膜晶体管TFT的构造，薄膜晶体管TFT连接至作为第一至第三子像素SP1、SP2和SP3(红色、蓝色和绿色子像素RS、BS和GS)的阳极堆叠体1100A、1100B和1100C的下部电极的第一至第三透明电极110a、110a’和110a”的每一个。

基板100和形成在基板100上的薄膜晶体管阵列的集合体可被称为薄膜晶体管基板1000。

子像素RS、BS和GS的每一个可包括至少一个薄膜晶体管TFT，薄膜晶体管TFT可包括栅极电极102、配置为与栅极电极102重叠的有源层104、以及与有源层104的两侧连接的源极电极106a和漏极电极106b。

可在有源层104的沟道上进一步设置沟道保护层105，从而保护沟道。可在栅极电极102与有源层104之间进一步设置栅极绝缘膜103。

有源层104可包括氧化物半导体层、多晶硅层和非晶硅层中至少之一。

此外，薄膜晶体管基板1000可包括第一保护膜107和第二保护膜108，从而保护薄膜晶体管TFT。第一保护膜107和第二保护膜108中的一个可以是无机保护膜，另一个可以是有机保护膜。

源极电极106a可通过穿过第一保护膜107和第二保护膜108形成以便暴露源极电极106a的一部分的接触孔CT连接至发光器件OLED1、OLED2和OLED3的阳极堆叠体1100A、1100B和1100C的每一个。具有三层结构的阳极堆叠体1100A、1100B和1100C的每一个的三个电极，即，透明电极110a，110a’或110a”、反射电极110b，110b’或110b”、和阳极110c，110c’或110c”可导电地连接。然而，在反射电极110b和110b”与阳极110c和110c”之间具有光学补偿层122和121的第一子像素SP1和第三子像素SP3(红色子像素RS和绿色子像素GS)的层结构，与不具有光学补偿层的第二子像素SP2(蓝色子像素BS)的层结构之间存在差异。

阳极堆叠体1100A、1100B和1100C的每一个的边缘与堤部130重叠，并且阳极堆叠体1100A、1100B和1100C的每一个的从堤部130暴露的部分定义为发光部。子像素RS、GS和BS的每一个的设置有堤部130的部分定义为非发光部。

在不具有光学补偿层的第二子像素SP2(蓝色子像素BS)中，第二透明电极110a’、第二反射电极110b’和第二阳极110c’顺序地堆叠，从而形成第二阳极堆叠体1100B，作为电极部件的这些层直接导电地连接。第二透明电极110a’和/或第二反射电极110b’可连接至设置在其下方的薄膜晶体管TFT的源极电极106a。

在第一子像素SP1(红色子像素RS)中，特别是在从堤部130暴露的发光部中，第一透明电极110a、第一反射电极110b、第一光学补偿层122和第一阳极110c顺序地堆叠。因此，第一光学补偿层122用于增加距第一反射电极110b的上表面的光学距离。此外，在第一子像素SP1(红色子像素RS)的与堤部130重叠的部分，即，非发光部中，第一阳极110c可沿着第一光学补偿层122的侧部连接至设置在其下方的第一反射电极110b的暴露部分，相同电信号可施加至第一透明电极110a、第一反射电极110b和第一阳极110c。此外，在非发光部中，第一透明电极110a和/或第一反射电极110b可连接至设置在其下方的薄膜晶体管TFT的源极电极106a。

类似地，在第三子像素SP3(绿色子像素GS)中，特别是在从堤部130暴露的发光部中，第三透明电极110a”、第三反射电极110b”、第二光学补偿层121和第三阳极110c”顺序地堆叠。因此，第二光学补偿层121用于增加距第三反射电极110b”的上表面的光学距离。第三子像素SP3(绿色子像素GS)发射具有比由第一子像素SP1(红色子像素RS)发射的光的波长短的波长的光，因而可需要比第一子像素SP1(红色子像素RS)短的光学距离，因此第二光学补偿层121的厚度可小于第一光学补偿层122的厚度。

此外，在第三子像素SP3(绿色子像素GS)的与堤部130重叠的部分，即，非发光部中，第三阳极110c”可沿着第二光学补偿层121的侧部连接至设置在其下方的第三反射电极110b”的暴露部分，相同电信号可施加至第三透明电极110a”、第三反射电极110b”和第三阳极110c”。此外，在非发光部中，第三透明电极110a”和/或第三反射电极110b”可连接至设置在其下方的薄膜晶体管TFT的源极电极106a。

可在阴极160上设置封盖层170，从而增加由发光器件OLED1、OLED2和OLED3发射的光的发光效率并且保护发光器件OLED1、OLED2和OLED3。此外，可在封盖层170上进一步设置封装层190，从而防止湿气流入发光器件OLED1、OLED2和OLED3中并且防止环境空气的影响。除了封装层190以外，还可额外设置滤色器层、偏振层或其他光学膜。此外，封装层190可设置为其中有机膜和无机膜交替堆叠的封装膜结构，或者可进一步设置封装基板和设置在包括发光器件OLED1、OLED2和OLED3的阵列与封装基板之间的粘合层。

下文中，将描述根据本发明另一实施方式的发光显示装置，其进一步包括辅助光学补偿层，辅助光学补偿层设置在阳极与阴极之间的有机堆叠体内。

图4是图解根据本发明第三实施方式的发光显示装置的剖面图，图5是图解图4的实现的一个示例的详细剖面图。

在发光显示装置中，因为在阳极上堆叠有多个有机膜而不是单个有机膜并且各个子像素具有不同的发光层，所以子像素表现出不同的分布特性，因而需要对其补偿。

因为上述光学补偿层在形成阳极110c、110c’和110c”之前形成，而阳极110c、110c’和110c”位于有机层之前，所以在有机沉积工序中难以实质上使用该光学补偿层作为补偿手段。

下文中，除了位于反射电极与阳极之间从而调节光学距离的光学补偿层以外，还将描述配置为精细地调节腔室中的工序分布的差异的辅助光学补偿层。

如图4和图5中所示，根据本发明第三实施方式的发光显示装置包括：具有红色子像素RS、蓝色子像素BS和绿色子像素GS的基板200；分别设置在红色子像素RS、蓝色子像素BS和绿色子像素GS中的第一反射电极210b、第二反射电极210b’和第三反射电极210b”；设置在第一反射电极210b上的第一光学补偿层222；设置在第三反射电极210b”上的第二光学补偿层221；配置为与第一光学补偿层222的上表面接触的第一阳极210c；配置为与第二反射电极210b’的上表面接触的第二阳极210c’；和配置为与第二光学补偿层221的上表面接触的第三阳极210c”。此外，根据本发明第三实施方式的发光显示装置的特征在于，在红色子像素RS和绿色子像素GS中分别设置有第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281(在图中它们也被描述为“AUX R’”和“AUX G’”)。

当需要根据设备或工序分布的差异来调节有机堆叠体OS1、OS2和OS3的厚度时，设置根据本发明的第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281。在腔室中的工序之前分别计算补偿所需的有机堆叠体的厚度，然后形成第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281。因此，第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281非常薄，从而实现精细补偿，并且第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281的各自厚度小于与之相邻的相应发光层253和252的厚度且小于或等于第一光学补偿层222的厚度的0.22倍。此外，因为与第一辅助光学补偿层282相比，第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281是非常小的厚度，所以有机堆叠体OS1、OS2和OS3的厚度增加很小，因而与第一实施方式和第二实施方式相比，驱动电压的变化不大。

可在用于形成第一发光层253和第二发光层252中的相应一个发光层的相同腔室中形成第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281的每一个，第一辅助光学补偿层282可形成为与第一发光层253相同的基质，并且第二辅助光学补偿层281可形成为与第三发光层252相同的基质。在一些情况下，第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281可由空穴传输材料形成，可设置容纳部(receiving part)，以向用于形成发光层的腔室的内部选择性地提供空穴传输材料，并且容纳部中的空穴传输材料可在形成第一发光层253和第二发光层252之前提供至基板200上的红色子像素RS和绿色子像素GS。

现在，将详细描述红色子像素RS的结构。

第一反射电极210b可设置在第一透明电极210a上，从而减小第一透明电极210a连接至设置在其下方的薄膜晶体管TFT时的界面电阻，并且可在第一反射电极210b上设置第一光学补偿层222，从而调节红色子像素RS中的具有较长波长的光的光学距离。此外，可在第一光学补偿层222上设置第一阳极210c。在红色子像素RS的非发光部中可通过导电地连接顺序堆叠的第一透明电极210a、第一反射电极210b和第一阳极210c形成第一阳极堆叠体2100A。

此外，设置第一有机堆叠体OS1，第一有机堆叠体OS1包括顺序地堆叠在第一阳极210c上的第一公共层CML、第一辅助光学补偿层282、配置为发射具有第一波长的光的第一发光层253、和第二公共层CMU 244。此外，可在第一有机堆叠体OS1上进一步堆叠阴极260和封盖层270。封盖层270可具有包括第一覆盖层271和第二封盖层272的堆叠结构，第一覆盖层271和第二封盖层272具有不同的折射率。

此外，第一公共层CML可包括涉及空穴的注入和传输的空穴注入层241和空穴传输层242、以及电子阻挡层243。

空穴注入层241由对第一阳极210c具有低能垒和低表面电阻的材料形成，使得来自第一阳极210c的空穴容易注入到空穴注入层241中，为此目的，空穴注入层241的材料可在空穴传输材料中包括p型掺杂剂。

空穴传输层242容易将从空穴注入层241提供的空穴传输至第一发光层253，并且空穴传输层242由空穴传输材料形成。

电子阻挡层243用于防止由第一发光层253形成的激子或传输至第一发光层253的电子移动到空穴传输层242。

在一些情况下，空穴注入层241和电子阻挡层243可省略，或者可与空穴传输层242一体形成。

第二公共层CMU 244可包括：配置为防止空穴逃离第一发光层253的空穴阻挡层HBL；和配置为传输电子的电子传输层ETL。空穴阻挡层HBL和电子传输层ETL可形成为不同的层。空穴阻挡层HBL和电子传输层ETL可单独形成。

根据显示装置的性能要求，第一公共层CML和第二公共层CMU可进一步包括与之一体的额外的层，并且可包括在第一发光层253中包含的基质和掺杂剂成分。

在红色、蓝色和绿色子像素RS、BS和GS中，在设置于第一至第三阳极210c、210c’和210c”上的结构之中，上述第一公共层CML、第二公共层CMU 144、阴极260和封盖层270在红色、蓝色和绿色子像素RS、BS和GS中是相同的。它们可使用公共掩模而不是精细金属掩模来形成，并且公共地设置在所有子像素RS、BS和GS中。就是说，甚至是在堤部230上的非发光部中，第一公共层CML、第二公共层CMU 144、阴极260和封盖层270都是一体地设置而不分开。

蓝色子像素BS与红色子像素RS的不同之处在于，在第二阳极210c’下方未设置光学补偿层并且在第二有机堆叠体OS2中未设置辅助光学补偿层。因为蓝色子像素BS不具有光学补偿层和辅助光学补偿层，所以从第二反射电极210b’到第二发光层251的距离比红色子像素RS中的距离短。

此外，绿色子像素GS与红色子像素RS的不同之处在于，在第三阳极210c”下方设置具有比第一光学补偿层222的厚度小的厚度的第二光学补偿层221，并且在第三有机堆叠体OS3中设置第二辅助光学补偿层281。

各个发光层253、251和252的每一个包括基质和掺杂剂。各个发光层253、251和252的每一个包括掺杂剂，从而发射具有特定颜色的光，并且各个发光层253、251和252的每一个包括基质，从而辅助掺杂剂的激发。因为各个发光层253、251和252的掺杂剂是不同的，所以配置为辅助掺杂剂的激发的基质根据由发光层253、251和252发射的光的颜色也是不同的。因此，由与相邻发光层253和252中的基质相同的基质形成的第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281可在不同的工序中由不同材料形成。

绿色子像素GS包括具有比第一光学补偿层222的厚度小的厚度的第二光学补偿层221，并且从第三反射电极210b”到第三发光层252的距离比红色子像素RS中的距离短。

参照图5，将简要描述根据本发明第三实施方式的薄膜晶体管阵列基板2000。

在薄膜晶体管阵列基板2000中，子像素RS、BS和GS的每一个可包括至少一个薄膜晶体管TFT，薄膜晶体管TFT可包括栅极电极202、配置为与栅极电极202重叠的有源层204、以及与有源层204的两侧连接的源极电极206a和漏极电极206b。

可在有源层204的沟道上进一步设置沟道保护层205，从而保护沟道。可在栅极电极202与有源层204之间进一步设置栅极绝缘膜203。

有源层204可包括氧化物半导体层、多晶硅层和非晶硅层中至少之一。

此外，薄膜晶体管基板2000可包括第一保护膜207和第二保护膜208，从而保护薄膜晶体管TFT。TFT可通过穿过第一保护膜207和第二保护膜208形成以便暴露源极电极206a的一部分的接触孔连接至各个发光器件的第一至第三阳极堆叠体2100A、2100B和2100C的每一个。

堤部230可设置为使各个子像素RS、BS和GS的发光部开放，并且堤部230可与第一至第三阳极堆叠体2100A、2100B和2100C的边缘重叠。

如上所述，包括第一辅助光学补偿层282和第一发光层253的第一有机堆叠体OS1、具有第二发光层251的第二有机堆叠体OS2、和包括第二辅助光学补偿层281和第三发光层252的第三有机堆叠体OS3设置在第一至第三阳极堆叠体2100A、2100B和2100C上。

第一至第三有机堆叠体OS1、OS2和OS3公共地包括各个阳极堆叠体2100A、2100B和2100C的第一至第三阳极210c、210c’和210c”上的第一公共层CML，并且红色子像素RS和绿色子像素GS中的第一有机堆叠体OS1和第三有机堆叠体OS3包括配置为接触第一公共层CML上的第一辅助光学补偿层282和第二辅助光学补偿层281的第一发光层253和第三发光层252。在蓝色子像素BS中，第二发光层251直接设置在第一公共层CML上。第二公共层CMU设置在各个发光层253、252和251上。

阴极260和封盖层270顺序地设置在各个有机堆叠体OS1、OS2和OS3上。

此外，可在封盖层170上进一步设置封装层290，从而防止湿气流入发光器件中并且防止环境空气的影响。

下文中，将描述对每个子像素应用包括多个堆叠体的结构的示例。

图6至图11是图解根据本发明第四至第九实施方式的发光显示装置的剖面图。

如图6中所示，根据本发明第四实施方式的发光显示装置包括在各个子像素RS、BS和GS中的阳极310c、310c’和310c”上的第一堆叠体S1和第二堆叠体S2，第一堆叠体S1与第二堆叠体S2之间插入有电荷生成层360。此外，根据本发明第四实施方式的发光显示装置具有其中在需要最长光学距离的红色子像素RS中的反射电极310b与阳极310c之间设置有光学补偿层321的结构。在反射电极310b下方可设置有透明电极310a。

在该图所示的第四实施方式中，光学补偿层321仅设置在红色子像素RS中，蓝色子像素BS和绿色子像素GS公共地具有包括阳极310c’和310c”中的相应一个、透明电极310a和反射电极310b的三层结构。

电荷生成层360例如可包括：配置为有助于电子产生并且辅助从下部堆叠体传输电子的n型电荷生成层361；和配置为有助于空穴产生并且辅助空穴传输到上部堆叠体的p型电荷生成层362。电荷生成层360可形成为包括多个层的结构，或者可形成为在基质材料中包括n型掺杂剂和p型掺杂剂的单个层。

第一堆叠体S1可包括第一公共层CML1、发光层353，351或352、和第二公共层CMU1。

以与图1中所示的第一公共层CML相同的方式，第一公共层CML1可包括空穴注入层341和第一空穴传输层342。

如该图中所示，可在蓝色子像素BS中进一步设置第一电子阻挡层343。在这种情况下，第一电子阻挡层343可通过用于形成第一堆叠体S1的第二发光层351的相同精细金属掩模(FMM)工序与第二发光层351的形成一起由与第二发光层351的材料不同的材料形成。在所示的具有多个堆叠体S1和S2的结构中，阳极310c下方的光学补偿层321可调节发射具有最长波长的光的红色子像素RS中的光学距离，因而可调节红色子像素RS与发射具有中间波长的光的绿色子像素GS之间的光学距离的差异。在该结构中，绿色子像素GS不具有光学补偿层，为了调节绿色子像素GS与发射具有较短波长的光的蓝色子像素BS之间的光学距离的差异，通过将第二发光层351的厚度减小为小于其他子像素RS和GS的发光层的厚度来调节蓝色子像素BS中的光学距离。

在这种情况下，在相应发光器件的驱动期间，与具有相对较大厚度的第一发光层353或第三发光层352相比，从具有较小厚度的第二发光层351产生的激子或电子容易逃向设置在其下方的第一公共层CML1，为了防止该问题，根据本发明第四实施方式的发光显示装置进一步包括设置在第二发光层351下方的第一电子阻挡层343。

设置在各个第一堆叠体S1中的发光层353、351和352的每一个上的第二公共层CMU1可包括第一空穴阻挡层344和第一电子传输层345。

第二堆叠体S2可包括在各个子像素RS、BS和GS中的相应一个子像素中的电荷生成层360上的第三公共层CML2、发光层383，381或382、和第四公共层CMU2。

第三公共层CML2可包括第二空穴传输层371。

以与上述第一堆叠体S1相同的方式，可在蓝色子像素BS中的第二堆叠体S2中进一步设置第二电子阻挡层372。在这种情况下，为了防止由于第二发光层381的较小厚度而导致从第二堆叠体S2的第二发光层381产生的激子或电子容易逃向设置在其下方的第三公共层CML2，在第二堆叠体S2的具有较小厚度的第二发光层381下方进一步设置第二电子阻挡层372。

设置在各个第二堆叠体S2中的发光层383、381和382的每一个上的第四公共层CMU2可包括第二空穴阻挡层373和第二电子传输层374。

阴极390和封盖层395可顺序地设置在第二堆叠体S2上。

尽管图解的示例示出了两层结构，但是本公开内容不限于此，其中在第二堆叠体S2上设置另一电荷生成层并且在该电荷生成层上额外设置具有第二堆叠体的结构的额外堆叠体的示例是可能的。就是说，可实现包括三个或更多个堆叠体和设置在各个堆叠体之间的电荷生成层的结构。

具有多个堆叠体的结构提高了从各个子像素发射的光的每个颜色的发光效率，从而能够实现清晰的颜色和较高效率。

如图7中所示，根据本发明第五实施方式的发光显示装置与根据第四实施方式的发光显示装置的相同之处在于，子像素RS、BS和GS的每一个具有包括多个堆叠体的结构并且在红色子像素RS中的反射电极410b与阳极410c之间设置有光学补偿层421，但是与根据第四实施方式的发光显示装置的不同之处在于，在红色子像素RS中的第一堆叠体S1和第二堆叠体S2中额外设置第一辅助光学补偿层450和第二辅助光学补偿层480(在图中它们也被描述为“AUX R’1”和“AUX R’2”)。

因为根据第五实施方式的发光显示装置与根据第四实施方式的发光显示装置的不同之处在于红色子像素RS中的堆叠结构，所以下面将描述红色子像素RS的构造。

在红色子像素RS中，可在反射电极410b与阳极410c之间设置光学补偿层421，因此，可向上调节第一堆叠体S1和第二堆叠体S2的第一红色发光层453和第二红色发光层483的位置。在反射电极410b的下方设置有透明电极410a，并且蓝色子像素BS和绿色子像素GS可公共地具有其中透明电极410a、反射电极410b、以及阳极410c’和410c”中的相应一个进行堆叠的结构。

在红色子像素RS中，第一堆叠体S1可包括第一公共层CML1、第一辅助光学补偿层450、第一红色发光层453和第二公共层CMU1。

以与图1中所示的第一公共层CML相同的方式，第一公共层CML1可包括空穴注入层441和第一空穴传输层442。

设置第一辅助光学补偿层450，从而补偿在形成阳极410c之后的用于堆叠有机层的工序期间在设备和子像素之间的细微分布偏差，并且第一辅助光学补偿层450形成为具有比配置为主要调节光学距离的光学补偿层421的厚度小的厚度。第一辅助光学补偿层450的厚度小于或等于光学补偿层421的厚度的0.22倍，特别是，可在不增加驱动电压的情况下能够补偿分布特性的范围内选取第一辅助光学补偿层450的厚度。第一辅助光学补偿层450可在与第一红色发光层453相同的腔室中使用相同的掩模形成，并且可由与用于形成第一红色发光层453的红色基质相同的材料形成。就是说，在形成第一红色发光层453之前，通过沉积较小厚度的红色基质材料形成第一辅助光学补偿层450。

第一堆叠体S1的第一公共层CML1公共地设置在红色子像素RS、蓝色子像素BS和绿色子像素GS中。

如该图中所示，可在蓝色子像素BS中进一步设置第一电子阻挡层443。第一电子阻挡层443与上述第一电子阻挡层343相同，因而将省略其详细描述。

此外，第二公共层CMU1设置在各个第一堆叠体S1的第一红色发光层453、第一蓝色发光层451和第一绿色发光层452的每一个上。第二公共层CMU1可包括第一空穴阻挡层444和第一电子传输层445。

电荷生成层460例如可包括：配置为有助于电子产生并且辅助从下部堆叠体传输电子的n型电荷生成层461；和配置为有助于空穴产生并且辅助空穴传输到上部堆叠体的p型电荷生成层462。

第二堆叠体S2可包括在各个子像素RS、BS和GS中的相应一个子像素中的电荷生成层460上的第三公共层CML2、发光层483，481或482、和第四公共层CMU2。

第三公共层CML2可包括第二空穴传输层471，并且第四公共层CMU2可包括第二空穴阻挡层473和第二电子传输层474。

此外，如上所述，可在红色子像素RS中的第二堆叠体S2的第三公共层CML2与第二红色发光层483之间进一步设置第二辅助光学补偿层480，并且可在蓝色子像素BS中的第二堆叠体S2的第三公共层CML2与第二蓝色发光层481之间进一步设置第二电子阻挡层472。

与根据第四实施方式的发光显示装置相比，根据第五实施方式的发光显示装置在具有光学补偿层421的子像素中的有机堆叠体S1和S2中包括辅助光学补偿层450和480，从而能够调节设备和子像素之间的细微分布偏差。

阴极490和封盖层495可顺序地设置在第二堆叠体S2上。

图8中所示的根据本发明第六实施方式的发光显示装置与根据第五实施方式的发光显示装置的不同之处在于，仅在红色子像素RS的第一堆叠体S1中设置辅助光学补偿层550。辅助光学补偿层550设置在第一堆叠体S1中的第一公共层CML1上，之后，在辅助光学补偿层550上形成第一红色发光层553。此外，在红色子像素RS中，在反射电极510b与阳极510c之间设置有光学补偿层521。

图9中所示的根据本发明第七实施方式的发光显示装置与根据第五实施方式的发光显示装置的不同之处在于，仅在红色子像素RS的第二堆叠体S2中设置辅助光学补偿层580。辅助光学补偿层580设置在第二堆叠体S2中的第三公共层CML2上，之后，在辅助光学补偿层580上形成第二红色发光层583。此外，在红色子像素RS中，在反射电极510b与阳极510c之间设置有光学补偿层521。

图8和图9中所示的发光显示装置的构造与上述根据第五实施方式的发光显示装置的构造相同，不同之处在于，在红色子像素RS中的阳极510c与阴极590之间的第一堆叠体S1或第二堆叠体S2中选择性地设置辅助光学补偿层550或580，因而将简要描述上面未描述的各个层。

首先，将基于红色子像素RS给出以下描述。

第一公共层CML1设置在第一堆叠体S1的辅助光学补偿层550和堆叠在辅助光学补偿层550上的第一红色发光层553下方，并且第一堆叠体S1的第一公共层CML1包括空穴注入层541和第一空穴传输层542。

通过堆叠第一空穴阻挡层544和第一电子传输层545形成的第二公共层CMU1设置在第一红色发光层553上。

第三公共层CML2设置在第二堆叠体S2的第二红色发光层583下方，并且第三公共层CML2包括第二空穴传输层571。

通过堆叠第二空穴阻挡层573和第二电子传输层574形成的第四公共层CMU2设置在第二红色发光层583上。

公共层CML1，CMU1，CML2和CMU2、电荷生成层560、阴极590和封盖层595公共地设置在各个子像素RS、BS和GS中。此外，在各个子像素RS、BS和GS中，在反射电极510b下方设置有透明电极510a。尽管在红色子像素RS中的反射电极510b上设置有光学补偿层521，但在蓝色子像素BS和绿色子像素GS中阳极510c’和510c”直接设置在反射电极510b上。

蓝色子像素BS可进一步包括电子阻挡层543和572，从而防止从具有较小厚度的第一蓝色发光层551和第二蓝色发光层581产生的电子或激子朝向设置在其下方的第一公共层CML1和第三公共层CML2移动。

如图10中所示，根据本发明第八实施方式的发光显示装置与根据第五实施方式的发光显示装置的不同之处在于，在红色子像素RS和绿色子像素GS的各个堆叠体S1和S2中设置光学补偿层622和621以及辅助光学补偿层650a、680a、650b和680b(在图中650b和680b也被描述为“AUX G’1”和“AUX G’2”)。

具体地说，在红色子像素RS中，可在反射电极610b与阳极610c之间设置第一光学补偿层622，因此可向上调节第一堆叠体S1和第二堆叠体S2的第一红色发光层653和第二红色发光层683的位置。

此外，在绿色子像素GS中，可在反射电极610b与阳极610c”之间设置第二光学补偿层621，因此可向上调节第一堆叠体S1和第二堆叠体S2的第一绿色发光层652和第二绿色发光层682的位置。

透明电极610a公共地设置在各个子像素RS、BS和GS中的反射电极610b下方。

在这种情况下，蓝色子像素BS具有包括透明电极610a、反射电极610b和阳极610c’的三层堆叠结构，并且这些电极610a、610b和610c’可导电地连接。

红色子像素RS中的第一堆叠体S1可包括第一公共层CML1、第一辅助光学补偿层650a、第一红色发光层653和第二公共层CMU1。蓝色子像素BS中的第一堆叠体S1可包括第一公共层CML1、第一蓝色发光层651和第二公共层CMU1。绿色子像素GS中的第一堆叠体S1可包括第一公共层CML1、第二辅助光学补偿层650b、第一绿色发光层652和第二公共层CMU1。

以与图1中所示的第一公共层CML相同的方式，第一公共层CML1可包括空穴注入层641和第一空穴传输层642。

设置第一辅助光学补偿层650a和第二辅助光学补偿层650b，从而补偿在形成阳极610c之后的用于堆叠有机层的工序期间在设备和子像素之间的细微分布偏差，并且第一辅助光学补偿层650a和第二辅助光学补偿层650b形成为具有比配置为主要调节光学距离的第一光学补偿层622和第二光学补偿层621的厚度小的厚度。第一辅助光学补偿层650a和第二辅助光学补偿层650b的厚度小于或等于第一光学补偿层622和第二光学补偿层621的厚度的0.22倍，特别是，可在不增加驱动电压的情况下能够补偿分布特性的范围内选取第一辅助光学补偿层650a和第二辅助光学补偿层650b的厚度。第一辅助光学补偿层650a和第二辅助光学补偿层650b可分别在与第一红色发光层653和第一绿色发光层652相同的腔室中使用相同的掩模形成。第一辅助光学补偿层650a可由与用于形成第一红色发光层653的红色基质相同的材料形成，并且第二辅助光学补偿层650b可由与用于形成第一绿色发光层652的绿色基质相同的材料形成。就是说，在形成第一红色发光层653和第一绿色发光层652之前，通过沉积较小厚度的红色基质材料形成第一辅助光学补偿层650a，并且通过沉积较小厚度的绿色基质材料形成第二辅助光学补偿层650b。

如该图中所示，可在蓝色子像素BS中进一步设置第一电子阻挡层643。第一电子阻挡层643与上述第一电子阻挡层343相同，因而将省略其详细描述。

此外，第二公共层CMU1设置在各个子像素RS、BS和GS中的第一堆叠体S1的第一红色发光层653、第一蓝色发光层651和第一绿色发光层652的每一个上。第二公共层CMU1可包括第一空穴阻挡层644和第一电子传输层645。

电荷生成层660例如可包括：配置为有助于电子产生并且辅助从下部堆叠体传输电子的n型电荷生成层661；和配置为有助于空穴产生并且辅助空穴传输到上部堆叠体的p型电荷生成层662。

第二堆叠体S2可包括在各个子像素RS、BS和GS中的相应一个子像素中的电荷生成层660上的第三公共层CML2、发光层683，681或682、和第四公共层CMU2。

第三公共层CML2可包括第二空穴传输层671，并且第四公共层CMU2可包括第二空穴阻挡层673和第二电子传输层674。

此外，可在红色子像素RS中的第二堆叠体S2的第三公共层CML2与第二红色发光层683之间进一步设置第三辅助光学补偿层680a，可在蓝色子像素BS中的第二堆叠体S2的第三公共层CML2与第二蓝色发光层681之间进一步设置第二电子阻挡层672，并且可在绿色子像素GS中的第二堆叠体S2的第三公共层CML2与第二绿色发光层682之间进一步设置第四辅助光学补偿层680b。

与根据第四实施方式的发光显示装置相比，除了对发射具有较长波长的光的红色子像素RS之外，根据第八实施方式的发光显示装置还对发射具有中间波长的光的绿色子像素GS应用诸如光学补偿层和辅助光学补偿层之类的补偿结构，从而能够调节光学距离并且能够更精细地调节设备和子像素之间的细微分布偏差。

阴极690和封盖层695可顺序地设置在第二堆叠体S2上。

如图11中所示，根据本发明第九实施方式的发光显示装置具有与根据第八实施方式的发光显示装置相同的构造，不同之处在于，在红色子像素RS的第二堆叠体S2中未设置辅助光学补偿层。

将简要描述上面未描述的各个层。

首先，将基于红色子像素RS给出以下描述。

第一光学补偿层722设置在反射电极710b与阳极710c之间。

此外，第一公共层CML1设置在第一堆叠体S1的第一辅助光学补偿层750a和堆叠在第一辅助光学补偿层750a上的第一红色发光层753下方，并且第一堆叠体S1的第一公共层CML1包括空穴注入层741和第一空穴传输层742。

通过堆叠第一空穴阻挡层744和第一电子传输层745形成的第二公共层CMU1设置在第一红色发光层753上。

第三公共层CML2设置在第二堆叠体S2的第二红色发光层783下方，并且第三公共层CML2包括第二空穴传输层771。

通过堆叠第二空穴阻挡层773和第二电子传输层774形成的第四公共层CMU2设置在第二红色发光层783上。

公共层CML1，CMU1，CML2和CMU2、电荷生成层760、阴极790和封盖层795公共地设置在各个子像素RS、BS和GS中。此外，在各个子像素RS、BS和GS中，在反射电极710b下方设置有透明电极710a。尽管在红色子像素RS中的反射电极710b上设置有第一光学补偿层722，但在蓝色子像素BS中阳极710c’直接设置在反射电极710b上。此外，在绿色子像素GS中的反射电极710b上设置有具有比第一光学补偿层722的厚度小的厚度的第二光学补偿层721。

蓝色子像素BS可进一步包括电子阻挡层743和772，从而防止从具有较小厚度的第一蓝色发光层751和第二蓝色发光层781产生的电子或激子朝向设置在其下方的第一公共层CML1和第三公共层CML2移动。

此外，绿色子像素GS在第一堆叠体S1和第二堆叠体S2中包括第二辅助光学补偿层750b和第三辅助光学补偿层780。

在这种情况下，可在形成与第二辅助光学补偿层750b和第三辅助光学补偿层780相邻的第一绿色发光层752和第二绿色发光层782之前，通过提供用于形成绿色发光层的基质来形成第二辅助光学补偿层750b和第三辅助光学补偿层780。

尽管上述实施方式描述了两层结构，但根据本发明的发光显示装置不限于两层结构。根据本发明的发光显示装置的构造可应用于包括三个或更多个堆叠体的结构，或者可应用于其中堆叠体的数量在红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件中不同的结构。根据本发明的发光显示装置的特征在于，用于调节每个堆叠体的发光层的光学距离的光学补偿层位于反射电极与阳极之间，并且可在有机堆叠体中额外设置配置为实现精细调节的辅助光学补偿层。在具有上述光学补偿层的结构中，辅助光学补偿层可设置在堆叠体的每一个中，或者可设置在堆叠体中的一些堆叠体中。此外，辅助光学补偿层可设置在具有光学补偿层的所有子像素中，或者可选择性地设置在具有光学补偿层的子像素中的一些子像素中。

下文中，将描述根据其中光学补偿层设置在阳极与阴极之间的有机堆叠体中的测试例1Ex1、以及其中光学补偿层设置在反射电极与阳极之间(如图9的红色子像素RS一样)的测试例2Ex2的发光器件的驱动电压-电流密度特性和驱动电压-电流特性。

图12是图解根据测试例1和测试例2的发光器件的剖面图，图13是示出根据测试例1和测试例2的发光器件的驱动电压-电流密度特性和驱动电压-电流特性的曲线图。

图12示出了根据测试例1Ex1和测试例2Ex2的发光器件中的各个层结构，每个层结构包括阳极、阴极、和设置在阳极与阴极之间的有机堆叠体。

在根据测试例1Ex1和测试例2Ex2的发光器件中，设置有两个堆叠体，并且这两个堆叠体在之间插入有n型电荷生成层nCGL和p型电荷生成层pCGL的情况下堆叠。

根据测试例1和测试例2的发光器件在第一堆叠体S1中公共地包括顺序地堆叠在阳极上的空穴注入层HIL、第一空穴传输层HTL1、第一发光层EML1、第一空穴阻挡层HBL1和第一电子传输层ETL1。此外，根据测试例1的发光器件在第二堆叠体S2中包括顺序地堆叠的第二空穴传输层HTL2、光学补偿层R’HTL、第二发光层EML2、第二空穴阻挡层HBL2和第二电子传输层ETL2。

在根据测试例2的发光器件中，因为光学补偿层R’HTL位于阳极下方，所以与包括光学补偿层R’HTL的根据测试例1的第二堆叠体S2相比，根据测试例2的第二堆叠体S2不包括光学补偿层R’HTL。

参照图13，作为在将驱动电压从A V变为2.2A V的同时，通过第一曲线811和第二曲线812检查根据测试例1Ex1和测试例2Ex2的发光器件的电流密度的结果，可以确认，根据测试例2Ex2的发光器件的电流密度从大约1.3A V的驱动电压起开始增加。

此外，可以确认，当驱动电压高于或等于1.5A V时，与第三曲线821中所示的根据测试例1Ex1的发光器件的电流值相比，第四曲线822中所示的根据测试例2Ex2的发光器件的电流值增加，并且例如，为了获得1.0E-03A的驱动电流，根据测试例2Ex2的发光器件需要1.9A V的驱动电压，而根据测试例1Ex1的发光器件需要2.2A V的驱动电压。就是说，为了获得相同的1.0E-03A的驱动电流，与根据测试例1Ex1的发光器件相比，根据测试例2Ex2的发光器件需要86％，即，1.9A/2.2A的驱动电压，因而可获得驱动电压降低14％的效果。此外，可确认，随着电流值增加，驱动电压降低效果进一步提高。在此，A V是开启发光器件所需的初始电压，并且可从2V到5V变化。

这样，根据本发明的发光显示装置包括位于反射电极与阳极之间而不是位于阳极与阴极之间的光学补偿层，由此能够减小导致驱动电压升高的有机堆叠体的厚度。此外，光学补偿层位于反射电极与阳极之间，从而在薄膜晶体管阵列形成工序中提供而不是在用于形成有机堆叠体的沉积工序中提供，由此能够省略精细金属掩模的使用以及用于形成光学补偿层的腔室，因而增加工艺良率。

此外，位于反射电极与阳极之间的光学补偿层由透明无机绝缘膜形成，由此能够减少有机堆叠体所需的有机材料的使用，并且由于发光器件中的有机堆叠体的厚度减小，能够显著降低驱动电压。

此外，通过用于形成发光层的工序与发光层的形成一起在有机堆叠体中形成辅助光学补偿层，辅助光学补偿层配置为调节各个设备所需的各个子像素之间的细微差异，因而可在不增加单独掩模的情况下实现各个子像素中的精细调节。

此外，在具有多个有机堆叠体的结构中，辅助光学补偿层设置在堆叠体的每一个中或者设置在堆叠体中的至少一些堆叠体中而与发光层相邻，并且辅助光学补偿层具有小于或等于光学补偿层的厚度的0.22倍的厚度，由此能够在不大大增加有机堆叠体的厚度的情况下保持驱动电压降低效果，并且能够根据设备补偿结构差异。

为此目的，根据本发明一个实施方式的发光显示装置可包括：包括第一子像素和第二子像素的基板；分别在所述第一子像素和所述第二子像素处的第一反射电极和第二反射电极；在所述第一反射电极上的第一光学补偿层；与所述第一光学补偿层接触的第一阳极和与所述第二反射电极接触的第二阳极；具有至少一个第一堆叠体的第一单元，所述第一堆叠体包括顺序地堆叠在所述第一阳极上的第一公共层、发射具有第一波长的光的第一发光层、和第二公共层；具有至少一个第二堆叠体的第二单元，所述第二堆叠体包括顺序地堆叠在所述第二阳极上的所述第一公共层、发射具有比所述第一波长短的第二波长的光的第二发光层、和所述第二公共层；以及在所述第一单元和所述第二单元上的阴极。

所述第一光学补偿层可以是透明无机绝缘膜。

所述发光显示装置可进一步包括在所述第一公共层与所述第一发光层之间的第一辅助光学补偿层。

所述第一辅助光学补偿层可具有与所述第一发光层相同的宽度。

所述第一辅助光学补偿层的厚度可小于或等于所述第一光学补偿层的厚度的0.22倍。

通过公共地设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的电荷生成层，所述第一子像素中的多个第一堆叠体可彼此分开并且所述第二子像素中的多个第二堆叠体可彼此分开；并且可在所述多个第一堆叠体中的至少一个第一堆叠体中的所述第一公共层与所述第一发光层之间进一步设置有第一辅助光学补偿层。

所述第一阳极和所述第一反射电极可从所述第一光学补偿层的一侧延伸从而彼此连接。

所述发光显示装置可进一步包括：分别在所述基板的所述第一子像素和所述第二子像素处的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的保护膜；和穿过所述保护膜以暴露所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的每一个的一部分的第一接触孔和第二接触孔，所述第一反射电极和所述第二反射电极可分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔连接至所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管。

所述第一接触孔可与所述第一阳极和所述第一反射电极之间的连接区域重叠。

所述第一辅助光学补偿层可包括与所述第一发光层的基质相同的材料。

所述基板可进一步包括第三子像素，所述发光显示装置可进一步包括：在所述第三子像素处的第三反射电极和设置在所述第三反射电极上的第三阳极；和至少一个第三堆叠体，所述第三堆叠体包括顺序地堆叠在所述三阳极上的所述第一公共层、发射具有在所述第一波长与所述第二波长之间的第三波长的光的第三发光层、和所述第二公共层，所述阴极可设置在所述至少一个第三堆叠体上。

所述发光显示装置可进一步包括第二光学补偿层，所述第二光学补偿层在所述第三反射电极与所述第三阳极之间并且具有比所述第一光学补偿层的厚度小的厚度。

所述发光显示装置可进一步包括在所述第一公共层与所述第三发光层之间的第二辅助光学补偿层。

所述第一发光层的厚度、所述第三发光层的厚度和所述第二发光层的厚度可依次减小，并且可在所述第一公共层与所述第二发光层之间进一步设置有电子阻挡层。

根据本发明另一实施方式的发光显示装置可包括：具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素处的第一反射电极、第二反射电极和第三反射电极；在所述第一反射电极上的第一光学补偿层和在所述第三反射电极上的第二光学补偿层，所述第二光学补偿层具有比所述第一光学补偿层的厚度小的厚度；与所述第一光学补偿层接触的第一阳极、与所述第二反射电极接触的第二阳极、和与所述第二光学补偿层接触的第三阳极；堤部，所述堤部与所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极的边缘重叠并且使所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素处的第一发光部、第二发光部和第三发光部开放；在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部以及所述堤部上的第一公共层；分别在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部处的第一发光层、第二发光层和第三发光层；在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部上的第二公共层；以及在所述第二公共层上的阴极。

所述第一光学补偿层和所述第二光学补偿层可以是透明无机绝缘膜。

所述发光显示装置可进一步包括在所述第一公共层与所述第一发光层之间的第一辅助光学补偿层。

所述发光显示装置可进一步包括在所述第一公共层与所述第三发光层之间的第二辅助光学补偿层。

所述第一辅助光学补偿层可具有与所述第一发光层相同的宽度，并且所述第二辅助光学补偿层具有与所述第三发光层相同的宽度。

所述第一辅助光学补偿层的厚度可小于或等于所述第一光学补偿层的厚度的0.22倍，并且所述第二辅助光学补偿层的厚度可小于或等于所述第二光学补偿层的厚度的0.22倍。

所述发光显示装置可在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每一个的垂直结构中进一步包括：与所述第一子像素中的所述第一发光层重叠的至少一个第一堆叠发光层；与所述第二子像素中的所述第二发光层重叠的至少一个第二堆叠发光层；与所述第三子像素中的所述第三发光层重叠的至少一个第三堆叠发光层；位于同一层的、在所述至少一个第一堆叠发光层、所述至少一个第二堆叠发光层和所述至少一个第三堆叠发光层与所述第二公共层之间的第一堆叠公共层；以及在所述至少一个第一堆叠发光层、所述至少一个第二堆叠发光层和所述至少一个第三堆叠发光层与所述阴极之间的第二堆叠公共层。

所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极可以是透明电极，并且所述阴极可以是半透射半反射电极或透射电极。

所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极可分别通过第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层连接至所述基板上的薄膜晶体管，所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述第三透明电极层分别插入在所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极与所述薄膜晶体管之间。

从上面的描述显而易见的是，根据本发明的发光显示装置具有以下效果。

第一，光学补偿层位于反射电极与阳极之间而不是位于阳极与阴极之间，由此能够减小导致驱动电压升高的有机堆叠体的厚度。此外，光学补偿层位于反射电极与阳极之间，从而在薄膜晶体管阵列形成工序中提供而不是在用于形成有机堆叠体的沉积工序中提供，由此能够省略精细金属掩模的使用以及用于形成光学补偿层的腔室，因而增加工艺良率。

第二，位于反射电极与阳极之间的光学补偿层由透明无机绝缘膜形成，由此能够减少有机堆叠体所需的有机材料的使用，并且由于发光器件中的有机堆叠体的厚度减小，能够显著降低驱动电压。此外，在相同驱动低压下可增加电流。

第三，通过用于形成发光层的工序与发光层的形成一起在有机堆叠体中形成辅助光学补偿层，辅助光学补偿层配置为调节各个设备所需的各个子像素之间的细微差异，因而可在不增加单独掩模的情况下实现各个子像素中的精细调节。

第四，在具有多个有机堆叠体的结构中，辅助光学补偿层设置在堆叠体的每一个中或者设置在堆叠体中的至少一些堆叠体中而与发光层相邻，并且辅助光学补偿层具有小于或等于光学补偿层的厚度的0.22倍的厚度，由此能够在不大大增加有机堆叠体的厚度的情况下保持驱动电压降低效果，并且能够根据设备补偿结构差异。

对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不背离本发明的精神或范围的情况下可在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求范围及其等同范围内的本发明的修改和变化。

Claims (20)

1.一种发光显示装置，包括：

包括第一子像素和第二子像素的基板；

分别在所述第一子像素和所述第二子像素处的第一反射电极和第二反射电极；

在所述第一反射电极上的第一光学补偿层；

与所述第一光学补偿层接触的第一阳极和与所述第二反射电极接触的第二阳极；

具有至少一个第一堆叠体的第一单元，所述第一堆叠体包括顺序地堆叠在所述第一阳极上的第一公共层、发射具有第一波长的光的第一发光层、和第二公共层；

具有至少一个第二堆叠体的第二单元，所述第二堆叠体包括顺序地堆叠在所述第二阳极上的所述第一公共层、发射具有比所述第一波长短的第二波长的光的第二发光层、和所述第二公共层；以及

在所述第一单元和所述第二单元上的阴极。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第一光学补偿层是透明无机绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的发光显示装置，进一步包括在所述第一公共层与所述第一发光层之间的第一辅助光学补偿层。

4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中所述第一辅助光学补偿层具有与所述第一发光层相同的宽度。

5.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中所述第一辅助光学补偿层的厚度小于或等于所述第一光学补偿层的厚度的0.22倍。

6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中：

通过公共地设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的至少一个电荷生成层，所述第一子像素中的多个第一堆叠体彼此分开并且所述第二子像素中的多个第二堆叠体彼此分开；并且

在所述多个第一堆叠体中的至少一个第一堆叠体中的所述第一公共层与所述第一发光层之间进一步设置有第一辅助光学补偿层。

7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中所述第一辅助光学补偿层包括与所述第一发光层的基质相同的材料。

8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述第一阳极和所述第一反射电极从所述第一光学补偿层的一侧延伸从而彼此连接。

9.根据权利要求8所述的发光显示装置，进一步包括：

分别在所述基板的所述第一子像素和所述第二子像素处的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的保护膜；和

穿过所述保护膜以暴露所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的每一个的一部分的第一接触孔和第二接触孔，

其中所述第一反射电极和所述第二反射电极分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔连接至所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的每一个。

10.根据权利要求9所述的发光显示装置，其中所述第一接触孔与所述第一阳极和所述第一反射电极之间的连接区域重叠。

11.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中所述基板进一步包括第三子像素，

其中所述发光显示装置进一步包括：

在所述第三子像素处的第三反射电极和设置在所述第三反射电极上的第三阳极；和

至少一个第三堆叠体，所述第三堆叠体包括顺序地堆叠在所述三阳极上的所述第一公共层、发射具有在所述第一波长与所述第二波长之间的第三波长的光的第三发光层、和所述第二公共层，

其中所述阴极设置在所述至少一个第三堆叠体上。

12.根据权利要求11所述的发光显示装置，进一步包括第二光学补偿层，所述第二光学补偿层在所述第三反射电极与所述第三阳极之间并且具有比所述第一光学补偿层的厚度小的厚度。

13.根据权利要求11所述的发光显示装置，进一步包括在所述第一公共层与所述第三发光层之间的第二辅助光学补偿层。

14.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中：

所述第一发光层的厚度、所述第三发光层的厚度和所述第二发光层的厚度依次减小；并且

在所述第一公共层与所述第二发光层之间进一步设置有电子阻挡层。

15.一种发光显示装置，包括：

具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的基板；

分别在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素处的第一反射电极、第二反射电极和第三反射电极；

在所述第一反射电极上的第一光学补偿层和在所述第三反射电极上的第二光学补偿层，所述第二光学补偿层具有比所述第一光学补偿层的厚度小的厚度；

与所述第一光学补偿层接触的第一阳极、与所述第二反射电极接触的第二阳极、和与所述第二光学补偿层接触的第三阳极；

堤部，所述堤部与所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极的边缘重叠并且使所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一发光部、第二发光部和第三发光部开放；

在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部以及所述堤部上的第一公共层；

分别在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部处的第一发光层、第二发光层和第三发光层；

在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部上的第二公共层；以及

在所述第二公共层上的阴极。

16.根据权利要求15所述的发光显示装置，其中所述第一光学补偿层和所述第二光学补偿层是透明无机绝缘膜。

17.根据权利要求15所述的发光显示装置，进一步包括在所述第一公共层与所述第一发光层之间的第一辅助光学补偿层和在所述第一公共层与所述第三发光层之间的第二辅助光学补偿层中的至少一个。

18.根据权利要求17所述的发光显示装置，其中：

所述第一辅助光学补偿层具有与所述第一发光层相同的宽度；并且

所述第二辅助光学补偿层具有与所述第三发光层相同的宽度。

19.根据权利要求15所述的发光显示装置，其中：

所述第一阳极、所述第二阳极和所述第三阳极是透明电极；并且

所述阴极是半透射半反射电极或透射电极。

20.根据权利要求15所述的发光显示装置，其中所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极分别通过第一透明电极层、第二透明电极层和第三透明电极层连接至所述基板上的薄膜晶体管，所述第一透明电极层、所述第二透明电极层和所述第三透明电极层分别插入在所述第一反射电极、所述第二反射电极和所述第三反射电极与所述薄膜晶体管之间。

Images