CN114640931B - 扬声器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种扬声器，包括：外壳、载板、磁性组件、导磁组件、音圈与振膜组件。外壳具有容置空间与后腔空间，容置空间连通于后腔空间，容置空间内连通于后腔空间的区域为气流区域。载板位于容置空间内。磁性组件设置于载板上。导磁组件设置于磁性组件上。音圈位于磁性组件与导磁组件内。振膜组件位于容置空间内，振膜组件连接于音圈。其中，位于气流区域内的磁性组件具有第一降磁结构或/及位于气流区域内的导磁组件具有第二降磁结构。本实施方式通过降磁结构平衡音圈各区域的振动幅度，以达到优质的声学性能。

Description

扬声器

技术领域

本申请涉及的音源振动发声结构的技术领域，尤其涉及一种扬声器。

背景技术

现有技术中，目前扬声器的工作原理是通电导体在磁场中受力，变化的电流通过音圈，产生对应磁场变化，使扬声器的膜片振动，推动周围空气振动，产生声音。然，使扬声器膜片的振动去推动周围空气振动的结果也会受到周围空气器流流动的干扰，当扬声器的外壳结构设计上，膜片振动的气流空间连通于其他腔体的空间时，其会因为音圈与振膜周围的气流流量不一致，而导致音圈连动振膜的振动幅度不一致，进而影响声学性能的表现。

发明内容

本申请实施例提供一种扬声器，解决目前扬声器因为音圈振动幅度不一致，而影响声学性能表现的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

提供了一种扬声器，包括：外壳、载板、磁性组件、导磁组件、音圈与振膜组件。外壳具有容置空间与后腔空间，容置空间连通于后腔空间，容置空间内连通于后腔空间的区域为气流区域。载板位于容置空间内。磁性组件设置于载板上。导磁组件设置于磁性组件上。音圈位于磁性组件与导磁组件内。振膜组件位于容置空间内，振膜组件连接于音圈。其中，位于气流区域内的磁性组件具有第一降磁结构或/及位于气流区域内的导磁组件具有第二降磁结构。本实施方式通过降磁结构平衡音圈各区域的振动幅度，以达到优质的声学性能。

在其中一个实施例中，容置空间内的气流区域之外为非气流区域，相同大小的气流区域与非气流区域的情况下，磁性组件与导磁组件位于气流区域的磁通量小于非气流区域的磁通量。

在其中一个实施例中，磁性组件包括主磁性体与多个副磁性体，多个副磁性体位于磁性体的周侧，并主磁性体与多个副磁性体之间具有第一间隔，音圈位于第一间隔内，位于气流区域内的主磁性体或/及多个副磁性体之中具有第一降磁结构。

在其中一个实施例中，主磁性体的第一降磁结构为穿孔或/及缺口，穿孔或/及缺口位于气流区域内的主磁性体上。

在其中一个实施例中，多个副磁性体之中的第一降磁结构为减少多个副磁性体之中位于气流区域内的体积。

在其中一个实施例中，导磁组件对应磁性组件，导磁组件包括主导磁件与多个副导磁件，多个副导磁件位于主导磁件的周侧，并主导磁件与多个副导磁件之间具有第二间隔，音圈位于第二间隔内，主导磁件或/及多个副导磁件之中位于邻近气流区域内的域第二降磁结构。

在其中一个实施例中，主导磁件的第二降磁结构为缺口或/及穿孔，缺口或/及穿孔位于气流区域内的主导磁件上。

在其中一个实施例中，多个副导磁件之中的第二降磁结构为减少多个副导磁件之中位于气流区域内的体积。

在其中一个实施例中，第一降磁结构对应于第二降磁结构。

在其中一个实施例中，振膜组件包括球顶部与折环部，折环部连接于音圈，球顶部设置于折环部远离音圈的一侧。

本申请提供一种扬声器，其外壳具有容置空间与后腔空间，容置空间连通于后腔空间，容置空间内连通于后腔空间的区域为气流区域。容置空间用于容置磁性组件、导磁组件、音圈与振膜组件。其中，位于气流区域内的磁性组件具有第一降磁结构或/及位于气流区域内的导磁组件具有第二降磁结构。本实施方式通过第一降磁结构与第二降磁结构降低导磁组件与磁性组件位于气流区域内的磁通量，进而平衡音圈与振膜组件的各区域的振动幅度，以达到优质的声学性能。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施方式及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是本申请的扬声器的第一实施方式的立体图；

图2是本申请的扬声器的第一实施方式的另一立体图；

图3是本申请的扬声器的第一实施方式的分解图；

图4是本申请的扬声器的第一实施方式的另一分解图；

图5是本申请的扬声器的第一实施方式的又一分解图；

图6是本申请的扬声器的第二实施方式的内部组件立体图；

图7是本申请的扬声器的第三实施方式的内部组件立体图；

图8是本申请的扬声器的第四实施方式的内部组件立体图；

图9是本申请的扬声器的第五实施方式的内部组件立体图；

图10是本申请的扬声器的第六实施方式的内部组件立体图；

图11是本申请的扬声器的第七实施方式的内部组件立体图；

图12是习知技术的音圈与振膜组件的振动幅度的线性图；

图13是本申请的扬声器的第七实施方式的音圈与振膜组件的振动幅度的线性图；

图14是本申请的扬声器的第八实施方式的内部组件立体图；

图15是本申请的扬声器的第九实施方式的内部组件立体图；

图16是本申请的扬声器的第十实施方式的内部组件立体图；以及

图17是本申请的扬声器的第十一实施方式的内部组件立体图。

结合附图说明如下：

1:扬声器；11:外壳；111:容置空间；1111:气流区域；1112:非气流区域；112:后腔空间；113:第一壳体；114:第二壳体；115:框体；12:载板；13:磁性组件；131:第一降磁结构；1311:穿孔；1312:缺口；132:主磁性体；133:副磁性体；134:第一间隔；14:导磁组件；141:第二降磁结构；1411:穿孔；1412:缺口；142:主导磁件；143:副导磁件；144:第二间隔；15:音圈；16:振膜组件；161:球顶部；162:折环部。

具体实施方式

以下将以图式揭露本申请的多个实施方式，为明确说明起见，许多实施上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实施上的细节不应用以限制本申请。也就是说，在本申请的部分实施方式中，这些实施上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单的示意的方式绘示。在以下各实施例中，将以相同的标号表示相同或相似的组件。

请参阅图1到图5，图1是本申请的扬声器的第一实施方式的立体图、图2是另一立体图、图3是分解图、图4是另一分解图与图5是又一分解图。如图所示，本申请提供一种扬声器1，其包括：外壳11、载板12、磁性组件13、导磁组件14、音圈15与振膜组件16。外壳11具有容置空间111与后腔空间112，容置空间111连通于后腔空间112，容置空间111内连通于后腔空间112的区域为气流区域1111。载板12位于容置空间111内。磁性组件13设置于载板12上。导磁组件14设置于磁性组件13上。音圈15位于磁性组件13与导磁组件14内。振膜组件16位于容置空间111内，振膜组件16连接于音圈15。其中，位于气流区域1111内的磁性组件13具有第一降磁结构131或/及位于气流区域1111内的导磁组件14具有第二降磁结构141。

磁性组件13包括主磁性体132与多个副磁性体133，多个副磁性体133位于主磁性体132的周侧，并主磁性体132与多个副磁性体133之间具有第一间隔134，音圈15位于第一间隔134内，位于气流区域1111内的主磁性体132或/及多个副磁性体133之中具有第一降磁结构131。其中，主磁性体132的第一降磁结构131为穿孔1311或/及缺口1312，穿孔1311或/及缺口1312位于气流区域1111内的主磁性体132上。又，多个副磁性体133之中的第一降磁结构131为减少多个副磁性体133之中位于气流区域1111内的体积。另外，磁性组件13设置于载板12上，载板12可为导磁材质制成，磁性组件13可通过载板12集中磁通量。

再者，导磁组件14对应磁性组件13，导磁组件14包括主导磁件142与多个副导磁件143，多个副导磁件143位于主导磁件142的周侧，并主导磁件142与多个副导磁件143之间具有第二间隔144，音圈15位于第二间隔144内，位于气流区域1111内的主导磁件142或/及多个副导磁件143之中具有第二降磁结构141。其中，主导磁件142的第二降磁结构141为穿孔1411或/及缺口1412，穿孔1411或/及缺口1412位于气流区域1111内的主导磁件142上。又，多个副导磁件143之中的第二降磁结构141为减少多个副导磁件143之中位于气流区域1111内的体积。

请复参阅图5，于本实施方式中，磁性组件13包括主磁性体132与多个副磁性体133，其中，多个副磁性体133为四个。主磁性体132为矩型体结构，主磁性体132位于气流区域1111内具有矩型的穿孔1411。四个副磁性体133为对应主磁性体132的四个侧边设置。主磁性体132与四个副磁性体133之间距有第一间隔134。第一间隔134的间距大于音圈15的厚度，使音圈15的一侧位于第一间隔134中，而音圈15的另一侧连接于振膜组件16。其中，振膜组件16包括球顶部161与折环部162，折环部162连接于音圈15，球顶部161设置于折环部162远离音圈15的一侧。

外壳11包括第一壳体113、第二壳体114与框体115，框体115设置于第一壳体113与第二壳体114之间。外壳11内除了具有用于设置载板12、磁性组件13、导磁组件14、音圈15与振膜组件16的容置空间之外，外壳11内也还具有其它需要设置电子组件或调整声音的后腔空间112。

于本实施方式中，容置空间111内连接于后腔空间112的区域为气流区域1111，即后腔空间112与容置空间111内的气体会互相流通，而邻近后腔空间112的容置空间111为气流区域1111。容置空间111内的气流区域1111之外的区域为非气流区域1112。当外部电源通过音圈15时，音圈15在电流的作用下产生磁场。音圈15的磁场与磁性组件13磁场交互作用，其中，导磁组件14可以集中磁性组件13的磁力线，如此提高磁性组件13的磁通量。使音圈15产生与电流方向正交的振动，音圈15带动振膜组件16产生振动，而产生声音。

根据弗莱明左手定则F＝i*Bl，F为音圈15的推力，i为通过音圈15的电流，B为磁性组件13与导磁组件14的磁通量，l为音圈15的总绕线长，其中，Bl为磁力转换因子，是磁通量B和总绕线长l的乘积。由于容置空间111内的各区域(即气流区域1111与非气流区域1112)的电流i及总绕线长l均一致，同等大小的区域的磁性组件13与导磁组件14所具有的磁通量B也一致，因此所受的推力F的大小也是一致。然，位于气流区域1111内的音圈15会受到后腔空间112内部气流流动的影响产生共振效应，而导致位于气流区域1111内的音圈15的振动幅度相较于位于非气流区域1112内的音圈的振动幅度大。如此整体音圈15的振动幅度的不平衡会造成声学性能的影响。

承上所述，本实施方式通过第一降磁结构131设置于位于气流区域1111内的磁性组件13的主磁性体132，其中，第一降磁结构131为穿孔1311，即主磁性体132开设穿孔1311，以降低气流区域1111内的主磁性体132的磁通量，即相同大小的气流区域1111与非气流区域1112的情况下，磁性组件13与导磁组件14位于气流区域1111的磁通量小于非气流区域1112的磁通量，进而减小气流区域1111内的音圈15的推力F，降低音圈15与振膜组件16的振动幅度。如此平衡容置空间111内各区域的音圈15的振动幅度，以达到优质的声学性能。

请参阅图6，是本申请的扬声器的第二实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式与第一实施方式的差异在于第一降磁结构131的结构，第一降磁结构131为缺口1312，缺口1312设置于位于气流区域1111内的主磁性体132。本实施方式通过缺口1312减少气流区域1111内的主磁性体132的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。

请参阅图7，是本申请的扬声器的第三实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式与第一实施方式的差异在于第一降磁结构131的结构与设置位置。于本实施方式中，第一降磁结构131为减少多个副磁性体之中位于气流区域1111内的体积，其中，副磁性体133为四个，四个副磁性体133分别为对应主磁性体132的两长边与两短边，于气流区域1111内具有一长边的副磁性体133与一短边的副磁性体133，减少位于气流区域1111内的长边的副磁性体133的体积或/及短边的副磁性体133的体积，如此减少气流区域1111内的副磁性体133的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。本实施方式可依据使用者的需求减少位于气流区域1111内的长边的副磁性体133或/及短边的副磁性体133的体积以调整磁通量。

请参阅图8，是本申请的扬声器的第四实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式与第一实施方式的差异在于穿孔的设置位置。本实施方式是针对于导磁组件14进行设置，第二降磁结构141为穿孔1411，穿孔1411设置于位于气流区域1111内的主导磁件142。本实施方式通过穿孔1411减少气流区域1111内的主导磁件142的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。

请参阅图9，是本申请的扬声器的第五实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式与第四实施方式的差异在于第二降磁结构141的结构，第二降磁结构141为缺口1412，缺口1412设置于位于气流区域1111内的主导磁件142。本实施方式通过缺口1412减少气流区域1111内的主导磁件142的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。

请参阅图10，是本申请的扬声器的第六实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式与第四实施方式的差异在于第二降磁结构141，第二降磁结构141为减少多个副导磁件143之中位于气流区域1111内的体积，其中，副导磁件143为四个，四个副导磁件143分别为对应主导磁件142的两长边与两短边，于气流区域1111内具有一长边与一短边的副导磁件143，减少位于气流区域1111内的长边的副导磁件143的体积或/及短边的副导磁件143的体积，如此减少气流区域1111内的副导磁件143的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。本实施方式可依据使用者的需求减少位于气流区域1111内的对应长边或短边副导磁件143的体积以调整磁通量。

请参阅图11，是本申请的扬声器的第七实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式为第一实施方式与第四实施方式的组合，第一降磁结构131为穿孔1311，第二降磁结构141为穿孔1411。本实施方式的第二降磁结构141的穿孔1411对应于第一降磁结构131的穿孔1311，即第二降磁结构141的穿孔1411连通于第一降磁结构131的穿孔1311。本实施方式的结构与功效目的在于减小位于气流区域1111内的磁性组件13与导磁组件14的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。

承上所述，请参阅图12，是习知技术的音圈与振膜组件的振动幅度的线性图。如图所示，习知技术的扬声器通电使用时，将磁性组件与导磁组件划分为四个区域P1、P2、P3与P4进行说明，P1、P2、P3与P4的磁通量分别侦测为P1：0.659、P2：0.657、P3：0.658与P4：0.659。上述的磁性组件与导磁组件的结构并未做改变的情况下，各区域的磁通量的差异不大，并以上述侦测出的磁通量作用于音圈，各音圈的振动幅度如图12所示，代表各区域振动幅度的线可以很明显看出并不重合，即说明彼振动幅度差异大，如此音圈与振膜组件振动幅度的不平衡会造成声学性能的影响。

请参阅图13，是本申请的扬声器的第七实施方式的音圈与振膜组件的振动幅度的线性图。如图所示，第七实施方式是对于磁性组件13与导磁组件14的结构进行改变，P1为气流区域1111，P2、P3与P4为非气流区域1112。P1、P2、P3与P4的磁通量分别侦测为P1：0.665、P2：0.604、P3：0.656与P4：0.664。其中，并未改变的P1、P3与P4的磁通量数值比较接近，而对应于气流区域1111的P2的数值较低，即通过第一降磁结构131可以明显降低P2的磁通量。再者，各音圈的振动幅度如图13所示，图13代表各区域振动幅度的线相较于图12可以很明显看出比较重合，即说明彼振动幅度差异缩小，如此音圈13与振膜组件振动幅度的平衡会提高声学性能。

请参阅图14，是本申请的扬声器的第八实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式为第二实施方式与第五实施方式的组合，第一降磁结构131为缺口1312，第二降磁结构141为缺口1412。本实施方式的第二降磁结构141的缺口1412对应于第一降磁结构131的缺口1312。本实施方式的结构与功效目的在于减小位于气流区域1111内的磁性组件13与导磁组件14的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。另外，本实施方式对于磁性组件13与导磁组件14的结构改变后，P1、P2、P3与P4的磁通量分别侦测为P1：0.663、P2：0.509、P3：0.657与P4：0.66。

请参阅图15，是本申请的扬声器的第九实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式为第三实施方式与第六实施方式的组合，第一降磁结构131为减少位于气流区域1111内的长边的副磁性体133的体积或/及短边的副磁性体133的体积。第二降磁结构141为减少位于气流区域1111内的长边的副导磁件143的体积或/及短边的副导磁件143的体积。上述方式可依据使用者的需求选择缩减的至少一副磁性体133与至少一副导磁件143。如此减少气流区域1111内的副磁性体133与副导磁件143的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。另外，本实施方式对于磁性组件13与导磁组件14的结构改变后，P1、P2、P3与P4的磁通量分别侦测为P1：0.662、P2：0.493、P3：0.665与P4：0.663。

请参阅图16，是本申请的扬声器的第十实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式为第七实施方式与第九实施方式的组合，第一降磁结构131为穿孔1311以及减少位于气流区域1111内的长边的副磁性体133的体积或/及短边的副磁性体133的体积。第二降磁结构141为穿孔1411以及减少位于气流区域1111内的长边的副导磁件143的体积或/及短边的副导磁件143的体积。如此减少气流区域1111内的副磁性体133与副导磁件143的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。

请参阅图17，是本申请的扬声器的第十一实施方式的内部组件立体图。如图所示，本实施方式为第八实施方式与第九实施方式的组合，第一降磁结构131为缺口1312以及减少位于气流区域1111内的长边的副磁性体133的体积或/及短边的副磁性体133的体积。第二降磁结构141为缺口1412以及减少位于气流区域1111内的长边的副导磁件143的体积或/及短边的副导磁件143的体积。如此减少气流区域1111内的副磁性体133与副导磁件143的磁通量，进而降低气流区域1111内的音圈15的振动幅度。

综上所述，本申请提供一种扬声器，其外壳具有容置空间与后腔空间，容置空间连通于后腔空间，容置空间内连通于后腔空间的区域为气流区域。容置空间用于容置磁性组件、导磁组件、音圈与振膜组件。其中，位于气流区域内的磁性组件具有第一降磁结构或/及位于气流区域内的导磁组件具有第二降磁结构。本实施方式通过第一降磁结构与第二降磁结构降低导磁组件与磁性组件位于气流区域内的磁通量，进而平衡音圈与振膜组件的各区域的振动幅度，以达到优质的声学性能。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施方式，但如前对象，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施方式的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文对象发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。

Claims (10)

1.一种扬声器，其特征在于，其包括：

外壳，具有容置空间与后腔空间，所述容置空间仅部份地连通于所述后腔空间，所述后腔空间用以设置电子组件，所述容置空间内连通于所述后腔空间的区域为气流区域；

载板，位于所述容置空间内；

磁性组件，设置于所述载板上；

导磁组件，设置于所述磁性组件上；

音圈，位于所述磁性组件与所述导磁组件内；以及

振膜组件，位于所述容置空间内，所述振膜组件连接于所述音圈；其中，仅位于所述气流区域内的所述磁性组件具有第一降磁结构及仅位于所述气流区域内的所述导磁组件具有第二降磁结构。

2.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述容置空间内的所述气流区域之外为非气流区域，相同大小的所述气流区域与所述非气流区域的情况下，所述磁性组件与所述导磁组件位于所述气流区域的磁通量小于所述非气流区域的磁通量。

3.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述磁性组件包括主磁性体与多个副磁性体，所述多个副磁性体位于所述主磁性体的周侧，并所述主磁性体与所述多个副磁性体之间具有第一间隔，所述音圈位于所述第一间隔内，位于所述气流区域内的所述主磁性体或/及所述多个副磁性体之中具有所述第一降磁结构。

4.如权利要求3所述的扬声器，其特征在于，所述主磁性体的所述第一降磁结构为穿孔或/及缺口，所述穿孔或/及所述缺口位于所述气流区域内的所述主磁性体上。

5.如权利要求3所述的扬声器，其特征在于，所述多个副磁性体之中的所述第一降磁结构为减少所述多个副磁性体之中位于所述气流区域内的体积。

6.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述导磁组件对应所述磁性组件，所述导磁组件包括主导磁件与多个副导磁件，所述多个副导磁件位于所述主导磁件的周侧，并所述主导磁件与所述多个副导磁件之间具有第二间隔，所述音圈位于所述第二间隔内，位于所述气流区域内的所述主导磁件或/及所述多个副导磁件之中具有所述第二降磁结构。

7.如权利要求6所述的扬声器，其特征在于，所述主导磁件的所述第二降磁结构为穿孔或/及缺口，所述穿孔或/及所述缺口位于所述气流区域内的所述主导磁件上。

8.如权利要求6所述的扬声器，其特征在于，所述多个副导磁件之中的所述第二降磁结构为减少所述多个副导磁件之中位于所述气流区域内的体积。

9.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述第一降磁结构对应于所述第二降磁结构。

10.如权利要求1所述的扬声器，其特征在于，所述振膜组件包括球顶部与折环部，所述折环部连接于所述音圈，所述球顶部设置于所述折环部远离所述音圈的一侧。