CN114613799A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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陈冠勋
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Abstract

一种显示面板及其制造方法,显示面板包括基板、多个发光二极管以及固化的不透光胶层。发光二极管位于基板的第一面之上。固化的不透光胶层位于基板的第一面之上,且环绕发光二极管。部分的固化的不透光胶层位于基板的侧面。固化的不透光胶层的第二面背对该基板,且第二面为粗糙表面。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
发光二极管被认为是作为显示装置的像素的优良选择,理由在于发光二极管具有寿命长、不易破损、反应速度快、可靠性高等优点。目前,在制作发光二极管显示装置时,通常会利用巨量转移技术将发光二极管转移至电路基板上,接着利用封装胶将发光二极管封装于电路基板上。
发明内容
本发明提供一种显示面板,可以改善显示面板表面反光的问题。
本发明提供一种显示面板的制造方法,可以改善显示面板表面反光的问题。
本发明的至少一实施例提供一种显示面板,包括基板、多个发光二极管以及固化的不透光胶层。发光二极管位于基板的第一面之上。固化的不透光胶层位于基板的第一面之上,且环绕发光二极管。部分的固化的不透光胶层位于基板的侧面。固化的不透光胶层的第二面背对该基板,且第二面为粗糙表面。
本发明的至少一实施例提供一种显示面板的制造方法,包括:将多个发光二极管置于基板的第一面之上;提供不透光胶层于基板的第一面之上,且不透光胶层覆盖发光二极管;固化不透光胶层以形成固化的不透光胶层,其中固化的不透光胶层环绕发光二极管,且部分的固化的不透光胶层位于基板的侧面;执行蚀刻工艺以蚀刻固化的不透光胶层,且在蚀刻工艺后固化的不透光胶层在背对基板的第二面为粗糙表面。
附图说明
图1A至图1K是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种拼接显示装置的剖面示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种拼接显示面板的剖面示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种拼接显示装置的剖面示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种拼接显示面板的剖面示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种拼接显示面板的剖面示意图。
图7A至图7B是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
附图标记说明:
1,2:拼接显示装置
10,20,30,40,50:显示面板
100:基板
100s,,2101s,2102s:侧面
100t:第一面
100b:第二面
102:接垫
110:发光二极管
110h,2101h,2102sh,3101h:厚度
110t:顶面
112:电极
200:离型层
210:不透光胶层
2101,2102:固化的不透光胶层
2102t:第二面
3101:透光平坦层
3101s:侧面
3101A:第一部分
3101B:第二部分
400:光学膜
510:侧面走线
520:保护层
GP:空隙
H:加热头
M:模具
Ms:内侧侧面
w1:宽度
w2:倾斜角度
具体实施方式
图1A至图1K是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。
请参考图1A,将多个发光二极管110置于基板100的第一面100t之上。举例来说,于一个或多个生长基板(未绘出)上形成发光二极管110,接着利用巨量转移技术将发光二极管110置于基板100的第一面100t之上。
在一些实施例中,发光二极管110包括不同颜色的发光二极管110,例如包括红色发光二极管、绿色发光二极管以及蓝色发光二极管。在其他实施例中,发光二极管110皆为相同颜色的发光二极管。在一些实施例中,发光二极管110的厚度110h为5微米至80微米。
在本实施例中,基板100为电路基板。基板100上例如包括多条导线(附图省略绘出)、多个主动元件(附图省略绘出)、多个被动元件(附图省略绘出)以及多个接垫102。接垫102位于基板100的第一面100t。在本实施例中,通过共晶接合使发光二极管110的电极112连接至基板100上的接垫102,但本发明不以此为限。在其他实施例中,通过异方性导电胶或其他导电结构而使发光二极管110连接至基板100上的接垫102。
请参考图1B,将基板100以及发光二极管110放置于模具M中。在一些实施例中,基板100的侧面100s与模具M的内侧侧面Ms之间具有空隙GP。空隙GP的宽度w1例如为50微米至200微米。
请参考图1C,提供不透光胶层210于基板100的第一面100t之上,且不透光胶层210覆盖发光二极管110。在本实施例中,不透光胶层210形成于离型层200上,接着将不透光胶层210贴于发光二极管110上。
在一些实施例中,不透光胶层210为B阶(B stage)状态的树脂,其中B阶状态指的是半固化的状态。举例来说,不透光胶层210包括树脂与固化剂,而树脂与固化剂发生部分反应后转变成半固化的状态。在B阶状态下的不透光胶层210可以通过加热获得低粘度以及高流动性的特性。此外,当进一步加热不透光胶层210,将可以使B阶状态的不透光胶层210固化。
相较于利用印刷或涂布的方式,使用B阶(B stage)状态的树脂可以于基板100上形成厚度较厚的不透光胶层210,借此有助于减少不透光胶层210的顶面与发光二极管110的顶面之间的垂直距离,进而改善了后续形成的膜层在发光二极管110周围产生气泡的问题。具体地说,若是以印刷或涂布的方式形成不透光胶层,则所形成的不透光胶层的厚度可能会太薄,使后续形成于发光二极管110上的膜层会因为不透光胶层与发光二极管110之间的高度差而出现气泡。
请参考图1D,对不透光胶层210执行层压工艺。举例来说,通过加热头H热压不透光胶层210。在热压不透光胶层210时,不透光胶层210填入发光二极管110与基板100之间。在本实施例中,在热压不透光胶层210时,不透光胶层210更进一步填入基板100的侧面100s与模具M的内侧侧面Ms之间。在一些实施例中,不透光胶层210的层压工艺是于真空环境中进行。
在本实施例中,不透光胶层210可以作为发光二极管110的底部填充材(Underfill),借此保护发光二极管110与基板100之间的接点。具体地说,不透光胶层210环绕发光二极管110的电极112以避免电极112在后续工艺中受损。
在不透光胶层210填入发光二极管110与基板100之间以及基板100的侧面100s与模具M的内侧侧面Ms之间之后,继续加热不透光胶层210以固化不透光胶层,借此形成固化的不透光胶层2101。固化的不透光胶层2101位于基板100的第一面100t之上,且环绕发光二极管110。在本实施例中,固化的不透光胶层2101位于发光二极管110与基板100之间。部分的固化的不透光胶层2101位于基板100的侧面100s。
在本实施例中,固化的不透光胶层2101例如为吸光层或吸光层与反射层的组合,其中吸光层的光学密度(OD)大于或等于3。在本实施例中,由于部分的固化的不透光胶层2101位于基板100的侧面100s,可以避免显示面板的边缘出现漏光的问题。
在一些实施例中,固化的不透光胶层2101在基板100的第一面100t上的厚度2101h为10微米至100微米。
请参考图1E,移除模具M。举例来说,将离型层200、不透光胶层2101、发光二极管110与基板100自模具M取出。
请参考图1F,移除离型层200。
请参考图1G,执行蚀刻工艺以蚀刻固化的不透光胶层2102,直至固化的不透光胶层2102的第二面2102t对齐或低于发光二极管110的顶面110t。蚀刻工艺例如包括等离子体蚀刻工艺。在蚀刻工艺之后,发光二极管110的顶面110t被固化的不透光胶层2102所暴露出来,且固化的不透光胶层2102在背对基板100的第二面2102t为粗糙表面(图1G仅简略的以粗直线表示不透光胶层2102的粗糙表面)。在本实施例中,通过蚀刻工艺以获得粗糙的第二面2102t,借此提升固化的不透光胶层2102的表面雾度。在一些实施例中,固化的不透光胶层2102的第二面2102t的Ra值为0.1微米至2.5微米。在本实施例中,由于固化的不透光胶层2102的第二面2102t为粗糙表面,可以改善显示面板表面出现反光的问题。
在一些实施例中,在基板100的第一面100t上的固化的不透光胶层2102的第二面2102t与发光二极管110的顶面110t大致上齐平。具体地说,固化的不透光胶层2102的第二面2102t对齐于或低于发光二极管110的顶面110t,第二面2102t与顶面110t之间的高度差可为0至75微米。
在一些实施例中,在执行蚀刻工艺以后,选择性地对固化的不透光胶层2102的第二面2102t进行清洗工艺以移除蚀刻工艺所产生的残渣。
请参考图1H,执行切割工艺,以移除固化的不透光胶层2102的多余部分。在一些实施例中,切割工艺例如包括激光或其他合适的工艺。
在本实施例中,在切割工艺后,保留了固化的不透光胶层2102位于基板100的侧面100s的部分以及固化的不透光胶层2102位于基板100的第一面100t上的部分。在基板100的侧面100s上的固化的不透光胶层2102的厚度2102sh例如为10微米至250微米。
在本实施例中,切割工艺减薄了厚度2102sh,但本发明不以此为限。
请参考图1I,形成透光平坦层3101于固化的不透光胶层2102上。在一些实施例中,形成透光平坦层3101的方法类似于图1C至图1F中形成固化的不透光胶层2101的工艺,但本发明不以此为限。透光平坦层3101亦可以采用其他合适的工艺形成。在一些实施例中,透光平坦层3101内选择性地掺杂有黑色颗粒,黑色颗粒的含量介于0wt%至0.5wt%的范围内。举例来说,透光平坦层3101包括母材以及分散于母材中的黑色颗粒。举例来说,母材为环氧树脂(epoxy)、硅酮(Silicone)或其他树脂材料。黑色颗粒分布母材中。在一些实施例中,黑色颗粒包括碳、铬、类似滤光元件的吸光染料或其他吸光材料。
在一些实施例中,固化的不透光胶层2102亦包括母材以及分散于母材中的黑色颗粒,且固化的不透光胶层2102与透光平坦层3101包括相同材料,固化的不透光胶层2102与透光平坦层3101的差异在于固化的不透光胶层2102中含有更高含量的黑色颗粒。
透光平坦层3101覆盖并接触发光二极管110的顶面110t、固化的不透光胶层2102的第二面2102t、固化的不透光胶层2102的侧面2102s以及基板100的侧面100s。透光平坦层3101在基板100的第一面100t上的厚度3101h为10微米至100微米。
在本实施例中,由于在基板100的第一面100t上的固化的不透光胶层2102的第二面2102t与发光二极管110的顶面110t大致上齐平,透光平坦层3101与固化的不透光胶层2102之间不容易出现气泡。此外,通过透光平坦层3101的设置,可以避免水气自显示面板的边缘进入显示面板。
请参考图1J,形成光学膜400于透光平坦层3101上。光学膜400例如为偏光膜、抗眩光膜、抗反射膜或其他合适的光学薄膜。
请参考图1K,对光学膜400以及透光平坦层3101执行切割工艺,以获得显示面板10。在本实施例中,在切割光学膜400以及透光平坦层3101时,不会切割到固化的不透光胶层2102。
在本实施例中,透光平坦层3101包括第一部分3101A以及第二部分3101B。第一部分3101A覆盖固化的不透光胶层2102的第二面2102t与发光二极管110的顶面110t。第二部分3101B位于基板100的侧面100s,且覆盖位于侧面100s的部分的固化的不透光胶层2102。在本实施例中,第一部分3101A以及第二部分3101B彼此相连。
图2是依照本发明的一实施例的一种拼接显示装置的剖面示意图。
请参考图2,通过拼接多个显示面板10以获得拼接显示装置1。显示面板10例如通过背框(未示出)或其他构件而互相拼接在一起。
在本实施例中,相邻的显示面板10的透光平坦层3101互相接触。为了避免拼接显示装置1在显示面板10的对接处出现漏光的问题,透光平坦层3101中掺杂有黑色颗粒。在本实施例中,在正视方向上,透光平坦层3101在显示面板10的对接处的厚度3101h1大于透光平坦层3101在基板100的第一面100t上的厚度3101h2,因此,可以通过控制透光平坦层3101中的黑色颗粒的含量,使较厚(具有厚度3101h2)的透光平坦层3101呈现不透光状态,而较薄(具有厚度3101h1)的透光平坦层3101呈现透光状态。在一些实施例中,透光平坦层3101中的黑色颗粒的含量介于0wt%至0.5wt%的范围内。
图3是依照本发明的一实施例的一种拼接显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是,图3的实施例沿用图1A至图1K的实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
图3的显示面板20与图1K的显示面板10的主要差异在于:在图3的显示面板20中,在对光学膜400以及透光平坦层3101执行切割工艺后,透光平坦层3101的侧面3101s与固化的不透光胶层2102的侧面2102s对齐,其中前述的切割工艺选择性地切割不透光胶层2102。
请参考图3,在本实施例中,透光平坦层3101包括第一部分3101A以及第二部分3101B。第一部分3101A覆盖固化的不透光胶层2102的第二面2102t与发光二极管110的顶面110t。第二部分3101B位于基板100的侧面100s。在本实施例中,位于基板100的侧面100s的部分的固化的不透光胶层2102位于第一部分3101A与第二部分3101B之间。透光平坦层3101不覆盖位于侧面100s的部分的固化的不透光胶层2102的侧面2102s。在本实施例中,第一部分3101A与第二部分3101B彼此分离。
图4是依照本发明的一实施例的一种拼接显示装置的剖面示意图。
请参考图4,通过拼接多个显示面板20以获得拼接显示装置2。显示面板20例如通过背框(未示出)或其他构件而互相拼接在一起。
在本实施例中,相邻的显示面板20的固化的不透光胶层2102互相接触。因此,不需要于透光平坦层3101中掺杂黑色颗粒就可以避免拼接显示装置2在显示面板20的对接处出现漏光的问题。
图5是依照本发明的一实施例的一种拼接显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是,图5的实施例沿用图1A至图1K的实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
图5的显示面板30与图1K的显示面板10的主要差异在于:图5的显示面板30还包括侧面走线510以及保护层520。
请参考图5,形成侧面走线510于基板100的侧面100s。在本实施例中,侧面走线510自基板100的第一面100t沿着侧面100s延伸至基板100的第二面100b,其中第二面100b相对于第一面100t。在本实施例中,侧面走线510电性连接至位于基板100的第一面100t的线路(未示出),且侧面走线510电性连接至位于基板100的第二面100b的芯片、电路板或其他电路结构。
保护层520覆盖侧面走线510。位于基板100的侧面100s的部分的固化的不透光胶层2102部分覆盖侧面走线510以及保护层520。位于基板100的侧面100s的部分的透光平坦层3101(例如透光平坦层3101的第二部分3101B)部分覆盖侧面走线510以及保护层520。
图6是依照本发明的一实施例的一种拼接显示面板的剖面示意图。在此必须说明的是,图5的实施例沿用图3的实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
图6的显示面板40与图3的显示面板20的主要差异在于:图5的显示面板40还包括侧面走线510以及保护层520。
请参考图6,形成侧面走线510于基板100的侧面100s。在本实施例中,侧面走线510自基板100的第一面100t沿着侧面100s延伸至基板100的第二面100b,其中第二面100b相对于第一面100t。在本实施例中,侧面走线510电性连接至位于基板100的第一面100t的线路(未示出),且侧面走线510电性连接至位于基板100的第二面100b的芯片、电路板或其他电路结构。
保护层520覆盖侧面走线510。位于基板100的侧面100s的部分的固化的不透光胶层2102部分覆盖侧面走线510以及保护层520。位于基板100的侧面100s的部分的透光平坦层3101(例如透光平坦层3101的第二部分3101B)部分覆盖侧面走线510以及保护层520。
图7A至图7B是依照本发明的一实施例的一种显示面板的制造方法的剖面示意图。在此必须说明的是,图7A至图7B的实施例沿用图1A至图1K的实施例的元件标号与部分内容,其中采用相同或近似的标号来表示相同或近似的元件,并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例,在此不赘述。
请参考图7A,以类似图1A至图1D的步骤对不透光胶层210执行层压工艺。然而,在本实施例中,模具M的内侧侧面Ms包括斜面,因此,填入发光二极管110与基板100之间的不透光胶层210的侧面为斜面。在一些实施例中,模具M的内侧侧面Ms与基板100的底面之间的宽度w1例如为50微米至200微米。在一些实施例中,模具M的内侧侧面Ms的倾斜角度w2为0至6度。倾斜角度w2亦可以称为脱模角。
继续加热不透光胶层210以固化不透光胶层,并借此形成固化的不透光胶层2101。固化的不透光胶层2101位于基板100的第一面100t之上,且环绕发光二极管110。在本实施例中,固化的不透光胶层2101的侧面2101s对应于模具M的内侧侧面Ms。在本实施例中,侧面2101s为斜面。
请参考图7B,对图7A的结构执行类似图1E至图1K的步骤,以获得显示面板50。在本实施例中,经过蚀刻工艺以及切割工艺的固化的不透光胶层2102包括侧面2102s以及侧面2101s,其中侧面2102s为经过切割后的垂直面,且侧面2101s为对应模具内侧侧面的斜面。侧面2101s连接侧面2102s的下方。在其他实施例中,通过切割工艺而将侧面2101s移除。换句话说,固化的不透光胶层2102也可以不具有侧面2101s。

Claims (18)

1.一种显示面板,包括:
一基板;
多个发光二极管,位于该基板的一第一面之上;以及
一固化的不透光胶层,位于该基板的该第一面之上,且环绕该些发光二极管,其中部分的该固化的不透光胶层位于该基板的侧面,且其中该固化的不透光胶层的一第二面背对该基板,且该第二面为粗糙表面。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中该固化的不透光胶层位于该些发光二极管与该基板之间。
3.如权利要求1所述的显示面板,其中该固化的不透光胶层的该第二面的Ra值为0.1微米至2.5微米。
4.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一透光平坦层,位于该固化的不透光胶层上,其中该透光平坦层包括:
一第一部分,覆盖该固化的不透光胶层的该第二面;以及
一第二部分,位于该基板的侧面,其中该部分的该固化的不透光胶层位于该第一部分与该第二部分之间。
5.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一透光平坦层,位于该固化的不透光胶层上,其中该透光平坦层包括:
一第一部分,覆盖该固化的不透光胶层的该第二面;以及
一第二部分,位于该基板的侧面,且覆盖该部分的该固化的不透光胶层。
6.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一透光平坦层,位于该固化的不透光胶层上,其中该透光平坦层的侧面与该固化的不透光胶层的侧面对齐。
7.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一透光平坦层,位于该固化的不透光胶层上,其中该透光平坦层中掺杂有黑色颗粒。
8.如权利要求1所述的显示面板,其中该些发光二极管通过共晶接合而连接至该基板上的多个接垫。
9.如权利要求1所述的显示面板,其中该固化的不透光胶层的该第二面低于该些发光二极管的顶面,且该第二面与该些发光二极管的顶面之间的高度差分别小于或等于75微米。
10.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一侧面走线,位于该基板的侧面,其中该部分的该固化的不透光胶层部分覆盖该侧面走线。
11.一种显示面板的制造方法,包括:
将多个发光二极管置于一基板的一第一面之上;
提供一不透光胶层于该基板的该第一面之上,且该不透光胶层覆盖该些发光二极管;
固化该不透光胶层以形成一固化的不透光胶层,其中该固化的不透光胶层环绕该些发光二极管,且部分的该固化的不透光胶层位于该基板的侧面;以及
执行蚀刻工艺以蚀刻该固化的不透光胶层,且在该蚀刻工艺之后该固化的不透光胶层在背对该基板的一第二面为粗糙表面。
12.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,还包括:
热压该不透光胶层,其中在热压该不透光胶层时,该不透光胶层填入该些发光二极管与基板之间。
13.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,还包括:
形成一透光平坦层于该固化的不透光胶层上,其中该透光平坦层包括:
一第一部分,覆盖该固化的不透光胶层的该第二面;以及
一第二部分,位于该基板的侧面,且覆盖该部分的该固化的不透光胶层。
14.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,还包括:
形成一透光平坦层于该固化的不透光胶层上;以及
对该透光平坦层执行一切割工艺,使该透光平坦层的侧面与该固化的不透光胶层的侧面对齐。
15.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,还包括:
通过共晶接合使该些发光二极管连接至该基板上的多个接垫。
16.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,还包括:
形成一侧面走线于该基板的侧面;以及
提供该不透光胶层于该基板的该第一面之上以及该基板的侧面上,且该不透光胶层部分覆盖该侧面走线。
17.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,还包括:
在提供该不透光胶层于该基板的该第一面之上之前,将该基板与该些发光二极管置于一模具中。
18.如权利要求11所述的显示面板的制造方法,其中该不透光胶层为B阶状态的树脂。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933433B2 (en) * 2012-07-30 2015-01-13 LuxVue Technology Corporation Method and structure for receiving a micro device
CN113130725B (zh) * 2015-03-31 2024-09-24 科锐Led公司 具有包封的发光二极管和方法
JP6154447B2 (ja) * 2015-09-20 2017-06-28 株式会社朝日ラバー 圧縮成形用蛍光体含有樹脂組成物
KR20180021286A (ko) * 2016-08-18 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
JP6411685B1 (ja) * 2017-10-12 2018-10-24 ルーメンス カンパニー リミテッド ディスプレイ用ledモジュール組立体
TWI653752B (zh) * 2018-03-28 2019-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 發光二極體顯示面板及其製造方法
TWI667643B (zh) * 2018-04-18 2019-08-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
KR102660614B1 (ko) * 2018-09-10 2024-04-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN111162157A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 佛山市国星光电股份有限公司 一种led显示模组
CN109950226B (zh) * 2019-03-26 2020-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种电路基板及其制作方法、显示基板、拼接显示装置
US10896897B2 (en) * 2019-04-01 2021-01-19 Sct Ltd. LED display module and method of making thereof

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