CN114598787A - 图像感测装置 - Google Patents

图像感测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114598787A
CN114598787A CN202110545330.9A CN202110545330A CN114598787A CN 114598787 A CN114598787 A CN 114598787A CN 202110545330 A CN202110545330 A CN 202110545330A CN 114598787 A CN114598787 A CN 114598787A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
noise blocking
sensing device
region
image sensing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110545330.9A
Other languages
English (en)
Inventor
卞庆洙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
SK Hynix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SK Hynix Inc filed Critical SK Hynix Inc
Publication of CN114598787A publication Critical patent/CN114598787A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
    • G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
    • G01S17/06—Systems determining position data of a target
    • G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
    • G01S7/481—Constructional features, e.g. arrangements of optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本公开涉及图像感测装置。图像感测装置包括其中多个单位像素连续布置的像素阵列。多个单位像素中的每一个包括：基板、第一信号检测器和第二信号检测器、透镜层和噪声阻挡结构。基板包括响应于入射光生成电荷载流子的感测区域。第一信号检测器和第二信号检测器形成在基板的感测区域中，接收用于在基板的感测区域中生成电荷电流的控制信号，并且捕获通过电荷电流移动的电荷载流子。透镜层设置在基板上方以朝向单位像素中的基板引导入射光。噪声阻挡结构设置在感测区域的外围区域上方和透镜层下方。噪声阻挡结构构造为对感测区域上方的空间开口，以在对基板中的感测区域的外围区域屏蔽来自透镜层的入射光的同时允许入射光到达感测区域。

Description

图像感测装置
技术领域
本专利文档中公开的技术和实现方式总体上涉及图像感测装置。
背景技术
图像感测装置是一种用于通过使用光敏半导体材料将光转换成电信号来捕获光学图像的装置，光敏半导体材料对入射到其上的光作出反应以产生图像。随着汽车、医疗、计算机和通信行业的发展，对于高性能图像感测装置的需求已经在诸如智能电话、数码相机、摄像机、个人通信系统(PCS)、游戏控制台、用于与IoT(物联网)一起使用的装置、机器人、监控摄像头、医学微型相机等的各种电子装置中增长。
为了使用图像传感器获取三维(3D)图像，需要3D图像的颜色信息和目标物体与图像传感器之间的距离(或深度)。
作为用于获取关于目标物体与图像传感器之间的距离的信息的示例，已经使用飞行时间(TOF)方法。在TOF方法的情况下，测量在光从光源发射向目标物体之后光从目标物体被反射并返回到图像传感器的持续时间。TOF方法可以使用测量结果来计算目标物体与图像传感器之间的距离。
发明内容
所公开的技术的实施方式涉及一种用于有效地阻挡噪声被引入到基板中的图像感测装置。
根据所公开的技术的实施方式，图像感测装置可以包括其中多个单位像素被连续地布置的像素阵列。多个单位像素中的每一个包括：基板，基板被构造为包括响应于入射光而生成电荷载流子的感测区域；第一信号检测器和第二信号检测器，第一信号检测器和第二信号检测器形成在基板的感测区域并且被配置为接收用于在基板的感测区域中生成电荷电流的控制信号并且捕获通过电荷电流移动的电荷载流子；透镜层，透镜层被设置在基板上方以朝向单位像素中的基板引导入射光；以及噪声阻挡结构，噪声阻挡结构被设置在感测区域的外围区域上方和透镜层下方，噪声阻挡结构被构造为对在感测区域上方的空间开口以在对基板中的感测区域的外围区域屏蔽来自透镜层的入射光的同时允许入射光到达感测区域。
根据所公开的技术的另一实施方式，图像感测装置可以包括：基板，其中响应于入射光而生成信号载流子；第一信号检测器和第二信号检测器，第一信号检测器和第二信号检测器在基板内在第一方向上彼此间隔开预定距离，第一信号检测器和第二信号检测器被配置为接收用于在基板中生成电流的控制信号，并且捕获通过电流移动的信号载流子；以及第一噪声阻挡结构和第二噪声阻挡结构，第一噪声阻挡结构和第二噪声阻挡结构在基板上方被形成为在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔开预定距离。第一噪声阻挡结构和第二噪声阻挡结构可以屏蔽第一信号检测器和第二信号检测器中的每一个的在第二方向上的两侧的区域，并且其中第一信号检测器和第二信号检测器中的每一个的在第一方向上的两侧的区域通过第一噪声阻挡结构和第二噪声阻挡结构被暴露。
应当理解，所公开的技术的前面的一般描述和以下详细描述都是说明性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
当结合附图考虑以下详细描述时，所公开的技术的上述和其它特征和有益方面将变得显而易见。
图1是例示基于所公开技术的一些实施方式的图像感测装置的示例的框图。
图2是例示基于所公开技术的实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的任意一个单位像素的示例的平面图。
图3A是例示基于所公开技术的一些实现方式的沿着图2中所示的线X-X’截取的单位像素的示例的截面图。图3B是例示基于所公开技术的一些实现方式的沿着图2中所示的线Y-Y’截取的单位像素的示例的截面图。图3C是例示基于所公开技术的一些实现方式的沿着图2中所示的线XY1-XY1’截取的单位像素的示例的截面图。
图4是例示基于所公开技术的另一实施方式的形成在图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。
图5是例示基于所公开技术的另一实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。
图6是例示基于所公开技术的另一实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。
图7是例示基于所公开技术的又一实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。
图8是例示基于所公开技术的一些实现方式的沿着图7中所示的线X-X’截取的单位像素的示例的截面图。
图9A和图9B是例示基于所公开技术的又一实施方式的形成在图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。
图10A是例示基于所公开技术的一些实施方式的图1中所示的像素阵列的示例的平面图。
图10B是例示基于所公开技术的一些实施方式的沿着图10A中所示的线XY2-XY2’截取的像素阵列的示例的截面图。
具体实施方式
所公开的技术的一些实施方式提出能够通过在电流辅助光子解调器(CAPD)像素结构中阻挡引入到基板中的噪声来提高数据感测的准确性的图像感测装置的设计。
在下文中，将参照附图描述各种实施方式。然而，应当理解，本公开不限于特定实施方式，而是包括实施方式的各种修改、等同物和/或替代物。本公开的实施方式可以提供能够通过本公开直接或间接地识别的各种效果。
图1是例示基于所公开技术的一些实现方式的图像感测装置的示例的框图。
参照图1，图像感测装置可以使用飞行时间(TOF)技术来测量距离。图像感测装置可以包括光源100、透镜模块200、像素阵列300以及控制电路400。
光源100可以在从控制电路400接收到时钟信号MLS(经调制的光信号)时将光发射到目标物体1。光源100可以是用于发射红外光或可见光的激光二极管(LD)或发光二极管(LED)，或者可以是近红外激光器(NIR)、点光源、与白色灯或单色器组合的单色光源以及其它激光源的组合中的任何一种。例如，光源100可以发射波长为800nm至1000nm的红外光。尽管为了便于描述，图1示出了仅一个光源100，但是所公开的技术的范围或精神不限于此，并且也可以将多个光源布置在透镜模块200的附近。
透镜模块200可以收集从目标物体1反射的光，并且可以允许所收集的光聚焦到像素阵列300的像素(PX)上。透镜模块200可以包括具有由玻璃、塑料或其它圆柱形光学元件形成或包括玻璃、塑料或其它圆柱形光学元件的表面的聚焦透镜。透镜模块200可以包括具有凸面结构的聚焦透镜。
像素阵列300可以包括连续布置为其中单位像素在列方向上和垂直于列方向的行方向上布置的二维(2D)结构的单位像素(PX)。单位像素(PX)可以将通过透镜模块200接收的光转换为与所接收的光相对应的电信号，以使得每个单位像素能够输出像素信号。在这种情况下，像素信号可以是用于指示基于到目标物体1的距离的时间延迟的信号，而不是指示表示目标物体1的颜色的信号。每个单位像素(PX)可以是用于使用电场的电位电平之间的差来检测由入射光在基板中生成的信号载流子(例如，电子)的电流辅助光子解调器(CAPD)像素。例如，每个单位像素(PX)可以包括用于检测由入射光生成的信号载流子(例如，电子)的检测区域，以及用于生成将电子引导到基板内的检测区域的空穴电流的控制区域。特别地，每个单位像素(PX)可以包括用于阻挡除了从目标物体1反射的光之外的噪声分量的屏蔽结构。下文将参照图2的附图描述每个单位像素(PX)的结构和操作。
控制电路400可以通过控制光源100将光发射到目标物体1，可以通过驱动像素阵列300的单位像素(PX)来处理与从目标物体1反射的光相对应的每个像素信号，并且可以测量基于到目标物体1的表面的距离的时间延迟。
控制电路400可以包括行驱动器410、调制驱动器420、光源驱动器430、定时控制器440和读出电路450。
为了便于描述，行驱动器410和解调驱动器420可以被统称为控制电路。
控制电路可以响应于从定时控制器440生成的定时信号而驱动像素阵列300的单位像素(PX)。控制电路可以生成能够从多条行线当中选择和控制至少一条行线的控制信号。控制信号可以包括用于在基板中生成空穴电流的解调控制信号、用于控制复位晶体管的复位信号、用于控制在检测节点中累积的光电荷的传输的传输(TX)信号、用于提供额外的静电容量的升压信号和用于控制选择晶体管的选择信号等。在这种情况下，行驱动器410可以生成复位信号、传输(TX)信号、升压信号以及选择信号，并且解调驱动器420可以生成解调控制信号。
光源驱动器430可以响应于来自定时控制器440的控制信号而生成能够驱动光源100的经调制的光信号MLS。经调制的光信号MLS可以是以预定频率调制的信号。
定时控制器440可以生成定时信号以控制行解码器410、调制驱动器420、光源驱动器430以及读出电路450。
读出电路450可以在定时控制器430的控制下处理从像素阵列430接收的像素信号，并且因此可以生成以数字信号形式形成的像素数据。为此，读出电路450可以包括用于对从像素阵列300生成的像素信号执行相关双采样(CDS)的相关双采样器(CDS)电路。另外，读出电路450可以包括用于将CDS电路的输出信号转换为数字信号的模数转换器(ADC)。另外，读出电路450可以包括临时存储从模数转换器(ADC)生成的像素数据并且在定时控制器440的控制下输出像素数据的缓冲器电路。此外，像素阵列300包括电流辅助光子解调器(CAPD)像素。因此，可以将用于发送像素信号的两条列线指派给像素阵列300的每一列，并且用于处理从每一列线生成的像素信号的结构可以被配置为与对应的列线相对应。
光源100可以将以预定频率调制的光(即，经调制的光)发射到目标物体1。像素阵列300可以感测从目标物体1反射的经调制的光(即，入射光)，并且因此可以生成针对每个单位像素(PX)的深度信息。在经调制的光与入射光之间可以出现基于图像感测装置与每个目标物体1之间的距离的时间延迟。时间延迟可以由图像感测装置生成的信号与控制光源100的经调制的光信号MLS之间的相位差表示。图像处理器(未示出)可以计算在图像感测装置的输出信号中生成的相位差，并且由此可以生成包括针对每个单位像素(PX)的深度信息的深度图像。
图2是例示形成于图1中所示的像素阵列中的任意一个单位像素的平面图。图3A是例示沿着图2中所示的线X-X'截取的单位像素的截面图。图3B是例示沿着图2中所示的线Y-Y’截取的单位像素的截面图。图3C是例示沿着图2中所示的线XY1-XY1’截取的单位像素的截面图。尽管为了便于描述图2例示了仅一个像素PX，但可以将实质上相同的结构及操作应用于包含在像素阵列300中的任何像素(PX)。
参照图2、图3A、图3B和图3C，每个单位像素(PX)可以包括基板310、第一信号检测器320、第二信号检测器330、透镜层340、第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a。
基板310可以包括半导体基板，例如，P型半导体基板。基板310可以包括反射光入射在其上的第一表面和与第一表面相对或相反的第二表面。
第一信号检测器320和第二信号检测器330可以形成在基板310中并且从基板310的第二表面延伸到基板310的内部。第一信号检测器320和第二信号检测器330可以在像素(PX)的对角线方向(diagonal direction)上设置在像素(PX)的中央部分的两侧。第一信号检测器320和第二信号检测器330可以被布置为相对于像素(PX)的中央部分彼此面对。在这种情况下，第一信号检测器320和第二信号检测器330可以沿着对角线方向设置，并且第一信号检测器320和第二信号检测器330之间的空穴电流可以沿着对角线方向流动。以这种方式，沿着对角线方向布置的第一信号检测器320和第二信号检测器330之间的间隔距离可以长于在X轴或Y轴方向上布置的第一信号检测器320与第二信号检测器330之间的间隔距离。结果，生成空穴电流的区域的尺寸增加，这使得更多的信号载流子(例如，电子)被引入到信号检测器320和330。
尽管图2例示第一信号检测器320和第二信号检测器330被布置在穿过像素(PX)的左上部处的顶点和像素(PX)的右下部处的顶点的对角线方向(例如，第一对角线方向)上，但其它实现方式也是可能的。例如，第一信号检测器320和第二信号检测器330也可以被布置在垂直于第一对角线方向的另一对角线方向(例如，第二对角线方向)上。
第一信号检测器320可以包括控制区域322和检测区域324。第二信号检测器330可以包括控制区域332和检测区域334。
控制区域322和332中的每一个可以包括P型杂质区域。例如，控制区域322和332中的每一个可以包括P+扩散区域和P-阱区域。控制区域322和332可以通过导线联接到调制驱动器420，并且可以从调制驱动器420接收调制控制信号。例如，用作解调控制信号的不同控制电压可以被施加到控制区域322和332。要施加到控制区域322和332的电压电平可以周期性地彼此互换。空穴电流可以通过控制区域322和332之间的电位差在基板310中出现。由入射光在基板310中生成的信号载流子(例如，电子)可以通过空穴电流在与空穴电流的移动方向相反的方向上朝向第一信号检测器320或第二信号检测器330移动。因此，可以通过由控制区域322和332生成的空穴电流来控制信号载流子的移动。
检测区域324和334中的每一个可以包括N型杂质区域。例如，检测区域324和334中的每一个可以包括N+扩散区域和N-阱区域。当响应于通过透镜层340入射到基板310上的光而生成的信号载流子通过空穴电流移动时，检测区域324和334中的每一个可以捕获信号载流子并且累积所捕获的信号载流子。可以将相同电平的电压施加到检测区域324和334。在这种情况下，相同电平的电压可以被设置为分别被施加到控制区域322和332以生成空穴电流的电压电平之间的电平。
在第一信号检测器320和第二信号检测器330中的每一个中，检测区域324可以被形成为围绕控制区域322，并且检测区域334可以被形成为围绕控制区域332。由于检测区域324和334被形成为围绕控制区域322和332，所以检测区域324和334可以更容易地捕获通过空穴电流朝向控制区域322和332移动的信号载流子。
尽管图2示出了检测区域324和334中的每一个形成为八边形环形状的示例，但是检测区域324和334的形状可以改变。例如，检测区域324或检测区域334可以形成为圆形或多边形形状。另外，检测区域324或检测区域334可以不形成为完全包围对应的控制区域322或332的连续的环的形状，而是形成为在至少一些部分处分开的环的形状。
在一些实施方式中，提供器件隔离层312以将其中形成有控制区域322和332的有源区域与其中形成有检测区域324和334的有源区域隔离。器件隔离层312可以形成为其中绝缘材料被掩埋在通过将基板310的第二表面蚀刻至预定深度而形成的沟槽中的浅沟槽隔离(STI)形状。例如，器件隔离层312可以包括氧化物膜。
透镜层340可以形成在基板310的第一表面上。透镜层340可以会聚来自外部的入射光，并且可以使所会聚的光能够入射到基板310上。透镜层340可以包括上覆层342和微透镜344。上覆层342的顶表面可以均匀地形成在基板310的第一表面上方。微透镜344可以形成在上覆层342上方，并且微透镜344的顶表面形成为具有曲率。上覆层342可以作为平坦化层操作。每一个微透镜344可以形成为半球形形状，并且可以每单位像素(PX)形成。上覆层342和微透镜344可以由相同材料形成或包括相同材料。例如，上覆层342和微透镜344中的每一个可以由光致抗蚀剂材料形成。
第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a可以形成在基板310的第一表面上方。例如，第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a可以嵌入透镜层340的上覆层342中。
在每个单位像素(PX)中，第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a中的每一个可以被形成为在阻挡光进入像素中的其它区域的同时对空穴电流生成区域开口以接收入射光。在图2所示的示例中，第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a所位于的区域是空穴-电流生成区域的外围区域，并且第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a可以屏蔽或遮挡空穴-电流生成区域的外围区域。空穴电流生成区域可以包括第一信号检测器320的沿着第一对角线方向设置的两侧和第二信号检测器330的沿着第一对角线方向设置的两侧。参照图2，空穴-电流生成区域可以包括单位像素的中央部分和单位像素的中央部分的相邻区域。所述相邻区域沿着第一对角线方向设置，并且第一信号检测器320和第二信号检测器330被设置在所述相邻区域中。空穴电流生成区域的外围区域可以包括围绕像素(PX)的左下部处的顶点的区域和围绕像素(PX)的右上部处的顶点的另一区域。因此，例如，第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a可以被形成为对包括第一信号检测器320、第二信号检测器330和中央部分的区域开口或暴露，并且屏蔽设置在空穴-电流生成区域的两侧的区域。第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a可以在垂直于空穴电流的移动方向的第二对角线方向上彼此背离的同时彼此间隔开预定距离。在这种情况下，第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a可以在第二对角线方向上彼此对称。
当从光源100发射的光从目标物体1反射并且被反射的光返回到像素时，返回的光包括噪声分量，并且这样的噪声分量通常可能由于光的漫反射或背景光而出现。所公开技术的实现方式提出了在屏蔽空穴-电流生成区域的外围区域的同时对空穴-电流生成区域进行暴露或开口的第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a，从而使基板310中可能具有噪声分量的光的引入最小化。
第一噪声阻挡结构350a可以包括在垂直方向(即，高度方向)上层叠的多个屏蔽层352a、354a和356a，以及被形成为覆盖屏蔽层352a、354a和356a的覆盖层358a。屏蔽层352a、354a和356a可以层叠在彼此上，并且屏蔽层352a、354a和356a可以被构造为在从具有信号检测器320和330的基板310朝向将光引导到基板中的光感测区域中的透镜层340的向上的方向上尺寸逐渐减小。光感测区域可以包括空穴-电流生成区域。屏蔽层352a、354a和356a中的每一个具有内侧壁和外侧壁。屏蔽层352a、354a和356a的外侧壁彼此对齐。由于屏蔽层352a、354a和356a的宽度彼此不同，所以屏蔽层352a、354a和356a的内侧壁不对齐。参照图3B和图3C，屏蔽层352a、354a和356a的内侧壁在远离单位像素(PX)的中心的方向上按顺序排列。屏蔽层352a、354a和356a中的每一个可以包括能够吸收光的材料。覆盖层358a可以形成在屏蔽层352a、354a和356a之间。
第二噪声阻挡结构360a可以包括在高度方向上层叠的多个屏蔽层362a、364a和366a，以及被形成为覆盖屏蔽层362a、364a和366a的覆盖层368a。
屏蔽层362a、364a和366a可以在第二对角线方向上与屏蔽层352a、354a和356a对称。屏蔽层362a、364a和366a可以层叠在彼此上并且屏蔽层362a、364a和366a在向上方向上尺寸逐渐减小。屏蔽层362a、364a和366a中的每一个具有内侧壁和外侧壁。屏蔽层362a、364a和366a的外侧壁彼此对齐。由于屏蔽层362a、364a和366a的宽度彼此不同，所以屏蔽层362a、364a和366a的内侧壁不对齐。参照图3A和图3C，屏蔽层362a、364a和366a的内侧壁在远离单位像素(PX)的中心的方向上按顺序排列。
屏蔽层362a、364a和366a可以由相同的材料形成或包括相同的材料。覆盖层368a可以形成在屏蔽层362a、364a和366a之间。
覆盖层358a和368a可以使入射在第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a之间的光束能够容易地被引入到基板310内的空穴-电流生成区域中。例如，覆盖层358a和368a中的每一个可以由折射率不同于透镜层340的折射率的材料形成。倾斜地入射在第一噪声阻挡结构350a与第二噪声阻挡结构360a之间的光可以由覆盖层358a和368a反射，以使得被反射的光可以很好地被引入到基板310内的空穴-电流生成区域中。覆盖层358a和368a中的每一个可以包括氧化物膜。
尽管已经描述第一噪声阻挡结构350a包括在高度方向上层叠的多个屏蔽层352a、354a和356a，并且第二噪声阻挡结构360a包括在高度方向上层叠的多个屏蔽层362a、364a和366a，但是其它实现方式也是可能的。例如，第一噪声阻挡结构350a可以仅包括一个屏蔽层352a，并且第二噪声阻挡结构360a可以仅包括一个屏蔽层362a。
图4和图5是例示基于所公开技术的其它实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的单位像素的平面图。
参照图4和图5，第一噪声阻挡结构350b和350c中的每一个以及第二噪声阻挡结构360b和360c中的每一个具有非直线形状。第一噪声阻挡结构350b和350c中的每一个以及第二噪声阻挡结构360b和360c中的每一个的非直线形状增加了彼此面对的噪声阻挡结构之间的区域，该区域设置在垂直于空穴电流的移动方向的方向(例如，第二对角线方向)上。因此，第一噪声阻挡结构350b和350c中的每一个以及第二噪声阻挡结构360b和360c中的每一个不在空穴电流的移动方向上以直线延伸。尽管图4示例性地示出了第一噪声阻挡结构350b和第二噪声阻挡结构360b中的每一个以90°的角度弯曲，但是其它实现也是可能的。例如，第一噪声阻挡结构350b和第二噪声阻挡结构360b中的每一个也可以形成为弧形形状(curved shape)。虽然图5示例性地示出了第一噪声阻挡结构350c和第二噪声阻挡结构360c中的每一个以大于90°的角度弯曲，但是所公开的技术的范围或精神不限于此，并且第一噪声阻挡结构350c和第二噪声阻挡结构360c中的每一个也可以形成为弧形形状。
第一噪声阻挡结构350b和350c以及第二噪声阻挡结构360b和360c可以比图3中所示的第一噪声阻挡结构350a和第二噪声阻挡结构360a更宽地对空穴电流生成区域开口。
第一噪声阻挡结构350b和350c中的每一个可以形成为其中屏蔽层352b至356b和屏蔽层352c至356c在向上方向上尺寸逐渐减小的层叠形状。覆盖层358b可以被形成为覆盖屏蔽层352b至356b，并且覆盖层358c可以被形成为覆盖屏蔽层352c至356c。第二噪声阻挡结构360b和360c中的每一个可以形成为其中屏蔽层362b至366b和屏蔽层362c至366c在向上方向上尺寸逐渐减小的层叠形状。覆盖层368b可以被形成为覆盖屏蔽层362b至366b，并且覆盖层368c可以被形成为覆盖屏蔽层362c至366c。
可以根据需要调整第一噪声阻挡结构350b和350c中的每一个或第二噪声阻挡结构360b和360c中的每一个的弯曲角度或弧形程度。另外，可以根据需要调整第一噪声阻挡结构350b和350c中的每一个的宽度以及第二噪声阻挡结构360b和360c中的每一个的宽度，以使得第一噪声阻挡结构350b和350c以及第二噪声阻挡结构360b和360c可以更宽地屏蔽空穴电流生成区域的外围区域。
图6是例示基于所公开技术的另一实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。
参照图6，第一信号检测器320和第二信号检测器330可以被布置为在Y轴方向上在每个像素(PX)的中央部分的两侧彼此面对。在这种情况下，空穴电流的移动方向可以被设置为Y轴方向。第一信号检测器320和第二信号检测器330可以另选地在X轴方向上彼此相对布置。
当第一信号检测器320和第二信号检测器330在X轴或Y轴方向上布置时，第一噪声阻挡结构350d和第二噪声阻挡结构360d中的每一个可以形成为当在平面中观察时在与空穴电流的移动方向相同的方向上延伸的矩形形状。例如，第一噪声阻挡结构350d和第二噪声阻挡结构360d中的每一个可以在垂直于空穴电流的移动方向的方向上形成为矩形形状。第一噪声阻挡结构350d和第二噪声阻挡结构360d可以被设置在第一信号检测器320和第二信号检测器330的两侧。
第一噪声阻挡结构350d可以包括具有不同尺寸的多个屏蔽层352d至356d，以及被形成为覆盖屏蔽层352d至356d的覆盖层358d。第二噪声阻挡结构360d可以包括具有不同尺寸的多个屏蔽层362d至366d，以及被形成为覆盖屏蔽层362d至366d的覆盖层368d。在这种情况下，屏蔽层352d至356d可以在高度方向上层叠，并且屏蔽层362d至366d可以在高度方向上层叠。
即使当第一信号检测器320和第二信号检测器330被布置为在X轴或Y轴方向上彼此面对时，噪声阻挡结构也可以以其内侧壁弯曲或成弧形的方式构造以更宽地对空穴电流生成区域开口。
图7是例示基于所公开技术的又一实施方式的形成于图1中所示的像素阵列中的单位像素的示例的平面图。图8是例示沿着图7中所示的线X-X’截取的单位像素的示例的截面图。
与图2和图3A相比，每个单位像素(PX)的透镜层340’可以包括多个微透镜346。也就是说，多个微透镜346可以形成在上覆层342上。
如上所述，在每个像素(PX)中，在空穴-电流生成区域和空穴-电流生成区域的外围区域中形成不同的微透镜，以使得可以更有效地防止入射在外围区域上的光束被引入到空穴-电流生成区域中。也就是说，当如图2所示仅使用一个微透镜344时，入射在外围区域上的光可能通过微透镜344朝向空穴电流生成区域折射。然而，当如图7所示在空穴-电流生成区域和外围区域中形成不同的微透镜时，入射在外围区域上的光束可以通过形成在外围区域中的微透镜分开地会聚，以使得所会聚的光束不朝向空穴-电流生成区域折射。
尽管图7例示微透镜346经形成为具有相同尺寸，但其它实现方式也是可能的。例如，微透镜346也可以基于微透镜346的位置而具有不同尺寸。例如，如图9A和图9B中所示，更大微透镜(即，主微透镜)347a和347b可以形成在与空穴电流生成区域垂直交叠的特定位置处，并且小于主微透镜347a和347b的更小微透镜(即，次微透镜)348a和348b可以形成在单位像素的角部周围的外围区域中。
图10A是例示图1中所示的像素阵列的示例的平面图。图10B是例示沿着图10A中所示的线XY2-XY2’截取的像素阵列的示例的截面图。
参照图10A和图10B，噪声阻挡结构370可以以噪声阻挡结构370延伸跨越像素阵列300中彼此对角相邻的多个单位像素(PX)的方式形成为在对角线方向上延伸的直线形状。尽管上文提及的实施方式已公开了第一噪声阻挡结构350a至350d和第二噪声阻挡结构360a至360d针对每一单位像素(PX)彼此分离，但其它实现方式也是可能的。图10A和图10B中所示的噪声阻挡结构370可以以噪声阻挡结构370与多个单位像素(PX)交叠的方式以线形形状延伸。
如上所述，噪声阻挡结构370形成为与多个单位像素交叠的线形形状，以使得可以简化噪声阻挡结构370的制造工艺，并且可以进一步加强屏蔽效果。
噪声阻挡结构370可以包括在高度方向上层叠的同时具有不同宽度的多个屏蔽层372、374和376，以及被形成为覆盖屏蔽层372、374和376的覆盖层378。在这种情况下，屏蔽层372、374和376中的每一个可以形成为线形形状，并且具有不同宽度的屏蔽层372、374和376可以以屏蔽层372、374和376的中心线在垂直方向上彼此交叠的方式层叠。例如，屏蔽层372、374和376可以层叠为屏蔽层372、374和376在向上方向上宽度逐渐变小的形状。因此，噪声阻挡结构370的两个侧面部分可以形成为其中屏蔽层被层叠为阶梯形状的层叠形状。
如从以上描述中显而易见的，基于所公开的技术的一些实现方式的图像感测装置可以通过在电流辅助光子解调器(CAPD)像素结构中阻挡引入到基板中的噪声来提高数据感测的准确性。
尽管已经描述了所公开的技术的多个说明性实施方式，但是可以基于本专利文档中描述和/或示出的内容来设计对所公开的实施方式的各种修改或增强和其它实施方式。
相关申请的交叉引用
本专利文档要求于2020年11月19日提交的韩国专利申请第10-2020-0155341号的优先权和权益，其公开的全部内容通过引用被并入并作为本专利文档的公开内容的一部分。

Claims (20)

1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
像素阵列，多个单位像素被连续地布置在所述像素阵列中，
其中，所述多个单位像素中的每一个包括：
基板，所述基板被构造为包括响应于入射光而生成电荷载流子的感测区域；
第一信号检测器和第二信号检测器，所述第一信号检测器和所述第二信号检测器形成在所述基板的所述感测区域中，接收用于在所述基板的所述感测区域中生成电荷电流的控制信号，并且捕获通过所述电荷电流而移动的所述电荷载流子；
透镜层，所述透镜层形成在所述基板上方，以朝向所述单位像素中的所述基板引导入射光；以及
噪声阻挡结构，所述噪声阻挡结构被设置在所述感测区域的外围区域上方和所述透镜层下方，所述噪声阻挡结构被构造为对在所述感测区域上方的空间开口，以在对所述基板中的所述感测区域的所述外围区域屏蔽来自所述透镜层的所述入射光的同时允许所述入射光到达所述感测区域。
2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构包括：
第一噪声阻挡结构和第二噪声阻挡结构，所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构在与所述电荷电流的方向垂直的方向上彼此间隔开预定距离。
3.根据权利要求2所述的图像感测装置，其中，
所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构在所述与所述电荷电流的方向垂直的方向上彼此对称地形成。
4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，每一个所述噪声阻挡结构包括：
多个屏蔽层，所述多个屏蔽层层叠在彼此上；以及
覆盖层，所述覆盖层覆盖所述多个屏蔽层。
5.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，
所述多个屏蔽层包括在远离所述基板的方向上按顺序层叠的第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，所述第一屏蔽层的尺寸大于所述第二屏蔽层的尺寸，所述第二屏蔽层的尺寸大于所述第三屏蔽层的尺寸。
6.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，
所述多个屏蔽层中的每一个具有内侧壁和外侧壁，所述内侧壁相对更靠近所述单位像素的中央并且所述外侧壁相对更靠近所述单位像素的边缘，并且所述多个屏蔽层的外侧壁对齐。
7.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，
所述多个屏蔽层中的每一个具有在所述电荷电流的方向上延伸的形状。
8.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，
所述多个屏蔽层中的每一个包括弧形形状。
9.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，
所述多个屏蔽层包括吸收光的材料。
10.根据权利要求4所述的图像感测装置，其中，
所述覆盖层包括折射率不同于所述透镜层的折射率的材料。
11.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一信号检测器和所述第二信号检测器包括：
第一控制区域和第二控制区域，所述第一控制区域和所述第二控制区域在所述基板中彼此间隔开预定距离，并且使用电位差在所述基板中生成所述电荷电流；
第一检测区域，所述第一检测区域形成在所述基板中以围绕所述第一控制区域，并且捕获通过所述电荷电流而朝向所述第一控制区域移动的电荷载流子；以及
第二检测区域，所述第二检测区域形成在所述基板中以围绕所述第二控制区域，并且捕获通过所述电荷电流而朝向所述第二控制区域移动的电荷载流子。
12.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述透镜层包括：
上覆层，所述噪声阻挡结构设置在所述上覆层中；以及
至少一个微透镜，所述至少一个微透镜形成在所述上覆层上方并且具有弧形表面。
13.根据权利要求12所述的图像感测装置，其中，所述至少一个微透镜包括：
第一微透镜，所述第一微透镜被设置为与所述感测区域垂直交叠；以及
第二微透镜，所述第二微透镜设置在所述单位像素的角部周围。
14.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述噪声阻挡结构具有延伸跨越至少两个相邻单位像素的线形形状。
15.根据权利要求14所述的图像感测装置，其中，每一个所述噪声阻挡结构包括：
多个屏蔽层，所述多个屏蔽层层叠在所述透镜层中；
其中，所述多个屏蔽层的中心对齐。
16.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：
基板，在所述基板中响应于入射光而生成信号载流子；
第一信号检测器和第二信号检测器，所述第一信号检测器和所述第二信号检测器在所述基板内在第一方向上彼此间隔开预定距离，所述第一信号检测器和所述第二信号检测器接收用于在所述基板中生成电流的控制信号，并且捕获通过所述电流而移动的所述信号载流子；以及
第一噪声阻挡结构和第二噪声阻挡结构，所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构在所述基板上方被形成为在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开预定距离，
其中，所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构屏蔽所述第一信号检测器和所述第二信号检测器中的每一个的在所述第二方向上的两侧的区域，并且其中，所述第一信号检测器和所述第二信号检测器中的每一个的在所述第一方向上的两侧的区域由所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构暴露。
17.根据权利要求16所述的图像感测装置，其中，所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构中的每一个包括：
多个屏蔽层，所述多个屏蔽层在高度方向上层叠；以及
覆盖层，所述覆盖层被形成为覆盖所述多个屏蔽层。
18.根据权利要求17所述的图像感测装置，其中，
所述多个屏蔽层的尺寸在向上方向上减小。
19.根据权利要求16所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：
透镜层，所述透镜层形成在所述基板上方，并且将所述入射光会聚到所述基板上，
其中，所述透镜层包括：
上覆层，所述第一噪声阻挡结构和所述第二噪声阻挡结构设置在所述上覆层中；以及
至少一个微透镜，所述至少一个微透镜形成在所述上覆层上方并且具有弧形表面。
20.根据权利要求19所述的图像感测装置，其中，所述至少一个微透镜包括：
第一微透镜，所述第一微透镜被设置为与单位像素的中央区域垂直交叠；以及
第二微透镜，所述第二微透镜被设置在所述单位像素的角部周围。
CN202110545330.9A 2020-11-19 2021-05-19 图像感测装置 Pending CN114598787A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200155341A KR20220068497A (ko) 2020-11-19 2020-11-19 이미지 센싱 장치
KR10-2020-0155341 2020-11-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114598787A true CN114598787A (zh) 2022-06-07

Family

ID=81586887

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110545330.9A Pending CN114598787A (zh) 2020-11-19 2021-05-19 图像感测装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11824069B2 (zh)
KR (1) KR20220068497A (zh)
CN (1) CN114598787A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115881738A (zh) * 2021-09-26 2023-03-31 群创光电股份有限公司 光学感测装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101527309A (zh) * 2008-03-06 2009-09-09 联咏科技股份有限公司 可降低噪声的影像感测器
US20100288911A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Sony Corporation Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device
JP2013038383A (ja) * 2011-07-12 2013-02-21 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器
CN103137634A (zh) * 2011-11-21 2013-06-05 株式会社东芝 固体拍摄装置及其制造方法
US20130222552A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 Aptina Imaging Corporation Imaging pixels with depth sensing capabilities
CN204316675U (zh) * 2015-01-20 2015-05-06 中测测试科技有限公司 一种ccd成像系统定标调校装置
CN204761572U (zh) * 2014-05-01 2015-11-11 半导体元件工业有限责任公司 成像装置
US20160064430A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 Yun-Ki Lee Image sensor and manufacturing method thereof
US20170339355A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-23 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with global shutter phase detection pixels
US20170338265A1 (en) * 2015-01-13 2017-11-23 Sony Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
CN109474771A (zh) * 2017-09-08 2019-03-15 苹果公司 图像捕获设备、像素和改善相位检测自动聚焦性能的方法
CN110310965A (zh) * 2018-03-20 2019-10-08 三星电子株式会社 每个像素区域具有多个透镜的图像传感器
WO2020158322A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、固体撮像装置及び測距装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3525449B1 (en) 2017-08-30 2021-09-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Image-capturing element and image-capturing device
WO2019065291A1 (ja) * 2017-09-28 2019-04-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
JP7175655B2 (ja) * 2018-07-18 2022-11-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および測距モジュール
JP2020162100A (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置および測距モジュール
KR20210045872A (ko) * 2019-10-17 2021-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101527309A (zh) * 2008-03-06 2009-09-09 联咏科技股份有限公司 可降低噪声的影像感测器
US20100288911A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Sony Corporation Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device
JP2013038383A (ja) * 2011-07-12 2013-02-21 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、および電子機器
CN103137634A (zh) * 2011-11-21 2013-06-05 株式会社东芝 固体拍摄装置及其制造方法
US20130222552A1 (en) * 2012-02-27 2013-08-29 Aptina Imaging Corporation Imaging pixels with depth sensing capabilities
CN204761572U (zh) * 2014-05-01 2015-11-11 半导体元件工业有限责任公司 成像装置
US20160064430A1 (en) * 2014-08-29 2016-03-03 Yun-Ki Lee Image sensor and manufacturing method thereof
US20170338265A1 (en) * 2015-01-13 2017-11-23 Sony Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
CN204316675U (zh) * 2015-01-20 2015-05-06 中测测试科技有限公司 一种ccd成像系统定标调校装置
US20170339355A1 (en) * 2016-05-19 2017-11-23 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with global shutter phase detection pixels
CN109474771A (zh) * 2017-09-08 2019-03-15 苹果公司 图像捕获设备、像素和改善相位检测自动聚焦性能的方法
CN110310965A (zh) * 2018-03-20 2019-10-08 三星电子株式会社 每个像素区域具有多个透镜的图像传感器
WO2020158322A1 (ja) * 2019-02-01 2020-08-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、固体撮像装置及び測距装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220157866A1 (en) 2022-05-19
US11824069B2 (en) 2023-11-21
KR20220068497A (ko) 2022-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102437162B1 (ko) 이미지 센서
KR102306670B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법
US9117718B2 (en) Solid-state image sensor with a plurality of pixels for focus detection
US9443891B2 (en) Solid-state image sensor and imaging device
US11076081B2 (en) Device for acquiring a 2D image and a depth image of a scene
US11309346B2 (en) Imaging element and imaging apparatus
KR102571005B1 (ko) 광 굴절 패턴들을 가진 이미지 센서
CN114598787A (zh) 图像感测装置
US20210281791A1 (en) Pixel and image sensor including the same
KR20210032297A (ko) 수광 소자 및 거리측정 모듈
US20210183919A1 (en) Image sensing device
US11411042B2 (en) Image sensor with variant gate dielectric layers
KR20210041879A (ko) 이미지 센싱 장치
US9318521B2 (en) Image sensor
KR20210023459A (ko) 이미지 센싱 장치
US11538841B2 (en) Image sensing device
US11206369B2 (en) Image sensing device
US11336851B2 (en) Image sensing device
US11335727B2 (en) Image sensing device
US11942492B2 (en) Image sensing device
KR101018970B1 (ko) 이미지 센서
CN114615447A (zh) 图像感测装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination