CN114583550A - 垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法，该垂直腔面发射激光器包括衬底层、第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、第二电极层和钝化层，其中钝化层上设置有刻蚀区域和未刻蚀区域，刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍。由于光链路系统的反射光一般从氧化孔径中心入射到激光器，对基横模影响较大，并影响了模式分布及噪声，导致系统整体稳定性下降，而本公开中由于垂直腔面发射激光器的钝化层被部分刻蚀，使得基横模被抑制，进而减轻或者消除了光链路系统反射光对激光器模式及噪声的影响。
Description
技术领域
本公开一般涉及光电器件技术领域，具体涉及一种垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法。
背景技术
垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)因具有体积小、功率大、易集成和运行稳定等诸多优势，可广泛应用于光通信、光互连和光存储等领域。
然而，相关技术中由于耦合光链路系统的反射光会从出射窗口返回至VCSEL，因此对激光器基横模产生不利影响，使得整体光链路系统的稳定性下降。
发明内容
鉴于相关技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法，能够获得稳定的光学模式和光学信号输出，提升整体光学链路系统的稳定性。
第一方面，本公开提供一种垂直腔面发射激光器，所述垂直腔面发射激光器包括衬底层、第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、第二电极层和钝化层；
其中，所述钝化层上设置有刻蚀区域和未刻蚀区域，所述刻蚀区域的中心位置与所述发光层中氧化孔径中心的位置相对应，所述刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，所述未刻蚀区域的厚度等于所述激光出射半波长的整数倍。
可选地，在本公开一些实施例中，所述发光层包括堆叠设置的氧化限制层和有源层，所述氧化限制层上设置有所述氧化孔径。
可选地，在本公开一些实施例中，所述刻蚀区域的中心线与所述氧化孔径的中心线重合，所述刻蚀区域的范围包括以所述氧化孔径中心为圆心，直径为预设长度所形成的圆。
可选地，在本公开一些实施例中，所述预设长度为1μm～4μm。
可选地，在本公开一些实施例中，所述第一反射器层和所述第二反射器层包括布拉格反射器层和高对比度光栅层中的至少一种。
可选地，在本公开一些实施例中，所述刻蚀区域的最高线位于所述未刻蚀区域最高线的下方；或者，所述刻蚀区域的最高线位于所述未刻蚀区域最高线的上方。
可选地，在本公开一些实施例中，所述第一电极层处于所述衬底层的下方，所述第一反射器层、所述发光层、所述第二反射器层、所述第二电极层和所述钝化层依次堆叠在所述衬底层的上方。
可选地，在本公开一些实施例中，所述第一电极层和所述钝化层处于所述衬底层的下方，所述第一反射器层、所述发光层、所述第二反射器层和所述第二电极层依次堆叠在所述衬底层的上方。
第二方面，本公开提供一种电子设备，所述电子设备包括第一方面中任意一项所述的垂直腔面发射激光器。
第三方面，本公开提供一种垂直腔面发射激光器的制造方法，所述方法应用于第一方面中任意一项所述的垂直腔面发射激光器，所述方法包括：
提供所述衬底层，并在所述衬底层上形成所述第一电极层、所述第一反射器层、所述发光层、所述第二反射器层、所述第二电极层和所述钝化层；
对所述钝化层进行刻蚀得到所述刻蚀区域和所述未刻蚀区域，其中所述刻蚀区域的中心位置与所述发光层中氧化孔径中心的位置相对应，所述刻蚀区域的厚度不等于所述激光出射半波长的整数倍，所述未刻蚀区域的厚度等于所述激光出射半波长的整数倍。
从以上技术方案可以看出，本公开实施例具有以下优点：
本公开实施例提供了一种垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法，通过在垂直腔面发射激光器的钝化层上设置刻蚀区域，其中该刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，且该刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，而未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍，由于垂直腔面发射激光器的钝化层被部分刻蚀，使得激光器基横模被抑制产生，进而减轻或者消除了光链路系统反射光对激光器模式及噪声的影响，获得了稳定的光学模式和光学信号输出，极大地提升了整体光学链路系统的稳定性，同时无需借助外部隔离器，结构简单，方便操作。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本公开实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的剖面结构示意图；
图2为本公开实施例提供的另一种垂直腔面发射激光器的剖面结构示意图；
图3为本公开实施例提供的又一种垂直腔面发射激光器的剖面结构示意图；
图4为本公开实施例提供的一种电子设备的结构框图；
图5为本公开实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的制造方法的基本流程示意图；
图6为本公开实施例提供的一种普通氧化型垂直腔面发射激光器的剖面结构示意图；
图7为本公开实施例提供的一种普通氧化型垂直腔面发射激光器和本公开垂直腔面发射激光器的氧化孔径区域的俯视图及相应的模式分布图。
附图标记：
100-垂直腔面发射激光器，101-衬底层，102-第一电极层，103-第一反射器层，104-发光层，1041-氧化孔径，1042-氧化限制层，1043-有源层，105-第二反射器层，106-第二电极层，107-钝化层，1071-刻蚀区域，1072-未刻蚀区域，200-电子设备。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本公开方案，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便描述的本公开的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
此外，术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或模块，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。
为了便于理解和说明，下面通过图1至图7详细地阐述本公开实施例提供的垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法。
请参考图1，其为本公开实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的剖面结构示意图。该垂直腔面发射激光器100包括衬底层101、第一电极层102、第一反射器层103、发光层104、第二反射器层105、第二电极层106和钝化层107。需要说明的是，钝化层107配置用作钝化绝缘保护层、出射窗口保护层或者增反层，该钝化层107的材料可以包括但不限于氮化硅(Si3N4)和二氧化硅(SiO2)中的任意一种。
其中，钝化层107上设置有刻蚀区域1071和未刻蚀区域1072，该刻蚀区域1071的中心位置与发光层104中氧化孔径1041中心的位置相对应。该刻蚀区域1071的厚度不等于激光出射半波长的整数倍(即
m≥1，Δ>0，Δ表示对钝化层107进行刻蚀的厚度)，而未刻蚀区域1072的厚度等于激光出射半波长的整数倍(即
m≥1)。
可选地，本公开实施例中发光层104可以包括堆叠设置的氧化限制层1042和有源层1043，该氧化限制层1042上设置有氧化孔径1041。其中，有源层1043为多量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)层或者单量子阱层，用于在通电情况下进行发光。
可选地，本公开实施例中刻蚀区域1071的中心线与氧化孔径1041的中心线重合，即线l0。该刻蚀区域1071的范围包括以氧化孔径1041中心为圆心，直径为预设长度所形成的圆。比如，本公开一些实施例中该预设长度可以为1μm～4μm。
可选地，本公开实施例中第一电极层102和第二电极层106可以包括N型电极层和P型电极层中的任意一种。
可选地，本公开实施例中第一反射器层103和第二反射器层105可以包括N型反射器层和P型反射器层中的任意一种。进一步地，第一反射器层103和第二反射器层105可以包括布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，DBR)层和高对比度光栅(High ContrastGrating，HCG)层中的至少一种。也就是说，第一反射器层103和第二反射器层105均为布拉格反射器，或者第一反射器层103和第二反射器层105均为高对比度光栅，再或者第一反射器层103和第二反射器层105中的一个为布拉格反射器，另一个为高对比度光栅。
可选地，如图1所示，本公开实施例中刻蚀区域1071的最高线l1可以位于未刻蚀区域1072最高线l2的下方。或者，如图2所示，本公开一些实施例中刻蚀区域1071的最高线l1也可以位于未刻蚀区域1072最高线l2的上方。
可选地，如图1所示的顶部发射结构，本公开实施例中第一电极层102处于衬底层101的下方，第一反射器层103、发光层104、第二反射器层105、第二电极层106和钝化层107依次堆叠在衬底层101的上方。或者，如图3所示的底部发射结构，本公开一些实施例中第一电极层102和钝化层107处于衬底层101的下方，而第一反射器层103、发光层104、第二反射器层105和第二电极层106依次堆叠在衬底层101的上方。
本公开实施例提供了一种垂直腔面发射激光器，通过在垂直腔面发射激光器的钝化层上设置刻蚀区域，其中该刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，且该刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，而未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍，由于垂直腔面发射激光器的钝化层被部分刻蚀，使得激光器基横模被抑制产生，进而减轻或者消除了光链路系统反射光对激光器模式及噪声的影响，获得了稳定的光学模式和光学信号输出，极大地提升了整体光学链路系统的稳定性，同时无需借助外部隔离器，结构简单，方便操作。
基于前述实施例，请参考图4，其为本公开实施例提供的一种电子设备的结构框图。其中，该电子设备200包括图1～图3对应实施例的垂直腔面发射激光器100。比如，该电子设备200可以包括但不限于光模块和集成光电子芯片等。
本公开实施例提供了一种电子设备，由于该电子设备的垂直腔面发射激光器中钝化层上设置有刻蚀区域，该刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，且该刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，而未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍，由于垂直腔面发射激光器的钝化层被部分刻蚀，使得激光器基横模被抑制产生，进而减轻或者消除了光链路系统反射光对激光器模式及噪声的影响，获得了稳定的光学模式和光学信号输出，极大地提升了整体光学链路系统的稳定性，同时无需借助外部隔离器，结构简单，方便操作。
基于前述实施例，请参考图5，其为本公开实施例提供的一种垂直腔面发射激光器的制造方法的基本流程示意图。该方法可以应用于图1～图3对应实施例的垂直腔面发射激光器100，具体包括如下步骤：
S101，提供衬底层，并在该衬底层上形成第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、第二电极层和钝化层。
示例性地，以图1所示结构为例，第一电极层102为N型电极层，第二电极层106为P型电极层，而第一反射器层103和第二反射器层105均为布拉格反射器。
具体制造过程包括：首先采用金属有机物化学气相沉积(Metal OrganicChemical Vapor Deposition，MOCVD)或者分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，MBE)等技术在衬底层101上周期交替生长形成第一反射器层103、发光层104以及周期交替生长形成第二反射器层105，其中发光层104可以包括Al0.98Ga0.02As高铝组分的氧化限制层1042和有源层1043；然后光刻获得台面图形，并通过感应耦合等离子体(Inductively CoupledPlasma，ICP)方式刻蚀得到台面，露出Al0.98Ga0.02As高铝组分的氧化限制层1042，再通过湿法氧化方式获得电流限制氧化孔径1041，该氧化孔径1041位于Al0.98Ga0.02As高铝组分的氧化限制层1042中间位置；然后通过电极蒸镀工艺获得第一电极层102对应的N型金属电极，以及通过磁控溅射方式和剥离工艺获得第二电极层106对应的P型金属电极，再将镀好电极的激光器放入快速退火炉进行退火以达到合金的目的，使得电极与半导体材料之间能够形成良好的欧姆接触，提高器件的电学特性；最后通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)技术生长钝化层107，该钝化层107的厚度可以为
由此得到如图6所示的普通氧化型垂直腔面发射激光器。
S102，对钝化层进行刻蚀得到刻蚀区域和未刻蚀区域，其中刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍。
可选地，本公开实施例中刻蚀钝化层107的方式可以包括但不限于如下两种。第一种方式中钝化层107的厚度为
首先在该钝化层107上均匀涂覆正性光刻胶，然后通过电子束曝光(Electron Beam Lithography，EBL)方式对以氧化孔径中心为圆心、直径为2μm的钝化层区域进行曝光，并通过显影后得到光刻图形，进而采用ICP方式刻蚀未被光刻胶覆盖的钝化层区域，得到刻蚀后的钝化层107(如图1所示)，其中刻蚀的厚度Δ为40nm。
第二种方式中钝化层107的厚度为
首先在该钝化层107上均匀涂覆正性光刻胶，然后通过EBL方式对以氧化孔径中心为圆心、直径为2μm的钝化层以外的区域进行曝光，并通过显影后得到光刻图形，进而采用ICP方式刻蚀未被光刻胶覆盖的钝化层区域，得到刻蚀后的钝化层107(如图2所示)，此时刻蚀的厚度Δ为40nm。
进一步地，如图7所示，其为本公开实施例提供的一种普通氧化型垂直腔面发射激光器和本公开垂直腔面发射激光器的氧化孔径区域的俯视图及相应的模式分布图。其中，普通氧化型垂直腔面发射激光器氧化孔径区域的俯视图如图7中外圆所示(不包括内部阴影区域)，此时激射模式主要为基横模，即图7中实线波形所示意。而本公开垂直腔面发射激光器100的氧化孔径区域的俯视图包括内部阴影区域，该内部阴影区域表示钝化层107刻蚀后的中心区域，此时激射模式主要为二阶横模，即图7中“---”波形和“-·-”波形所示意，也就是说激光器基横模被显著抑制。
需要说明的是，本实施例中与其它实施例中相同步骤和相同内容的说明，可以参照其它实施例中的描述，此处不再赘述。
本公开实施例提供了一种垂直腔面发射激光器的制造方法，通过在垂直腔面发射激光器的钝化层上设置刻蚀区域，其中该刻蚀区域的中心位置与发光层中氧化孔径中心的位置相对应，且该刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，而未刻蚀区域的厚度等于激光出射半波长的整数倍，由于垂直腔面发射激光器的钝化层被部分刻蚀，使得激光器基横模被抑制产生，进而减轻或者消除了光链路系统反射光对激光器模式及噪声的影响，获得了稳定的光学模式和光学信号输出，极大地提升了整体光学链路系统的稳定性，同时无需借助外部隔离器，结构简单，方便操作。
以上实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括衬底层、第一电极层、第一反射器层、发光层、第二反射器层、第二电极层和钝化层；
其中，所述钝化层上设置有刻蚀区域和未刻蚀区域，所述刻蚀区域的中心位置与所述发光层中氧化孔径中心的位置相对应，所述刻蚀区域的厚度不等于激光出射半波长的整数倍，所述未刻蚀区域的厚度等于所述激光出射半波长的整数倍。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述发光层包括堆叠设置的氧化限制层和有源层，所述氧化限制层上设置有所述氧化孔径。
3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述刻蚀区域的中心线与所述氧化孔径的中心线重合，所述刻蚀区域的范围包括以所述氧化孔径中心为圆心，直径为预设长度所形成的圆。
4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述预设长度为1μm～4μm。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一反射器层和所述第二反射器层包括布拉格反射器层和高对比度光栅层中的至少一种。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述刻蚀区域的最高线位于所述未刻蚀区域最高线的下方；或者，所述刻蚀区域的最高线位于所述未刻蚀区域最高线的上方。
7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极层处于所述衬底层的下方，所述第一反射器层、所述发光层、所述第二反射器层、所述第二电极层和所述钝化层依次堆叠在所述衬底层的上方。
8.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一电极层和所述钝化层处于所述衬底层的下方，所述第一反射器层、所述发光层、所述第二反射器层和所述第二电极层依次堆叠在所述衬底层的上方。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1至8中任意一项所述的垂直腔面发射激光器。
10.一种垂直腔面发射激光器的制造方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1至8中任意一项所述的垂直腔面发射激光器，所述方法包括：
提供所述衬底层，并在所述衬底层上形成所述第一电极层、所述第一反射器层、所述发光层、所述第二反射器层、所述第二电极层和所述钝化层；
对所述钝化层进行刻蚀得到所述刻蚀区域和所述未刻蚀区域，其中所述刻蚀区域的中心位置与所述发光层中氧化孔径中心的位置相对应，所述刻蚀区域的厚度不等于所述激光出射半波长的整数倍，所述未刻蚀区域的厚度等于所述激光出射半波长的整数倍。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN115377797A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-22 | 深圳博升光电科技有限公司 | 垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法 |
| CN116136031A (zh) * | 2023-04-18 | 2023-05-19 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 反应性离子刻蚀方法及垂直腔面发射激光器的制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1130720A1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-09-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface-emission semiconductor laser |
| KR20030079002A (ko) * | 2002-04-01 | 2003-10-10 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 수직공진 표면 발광레이저 |
| CN101640376A (zh) * | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 佳能株式会社 | 表面发射激光器及阵列、其制造方法和光学装置 |
| US20120114005A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface-emitting laser and surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser and method of manufacturing a surface-emitting laser array, and optical apparatus including a surface-emitting laser array |
| CN110880674A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-13 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器及其制备方法 |
| CN217239988U (zh) * | 2022-03-02 | 2022-08-19 | 浙江博升光电科技有限公司 | 垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备 |
-
2022
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1130720A1 (en) * | 1999-09-13 | 2001-09-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Surface-emission semiconductor laser |
| KR20030079002A (ko) * | 2002-04-01 | 2003-10-10 | 주식회사 옵토웨이퍼테크 | 수직공진 표면 발광레이저 |
| CN101640376A (zh) * | 2008-07-31 | 2010-02-03 | 佳能株式会社 | 表面发射激光器及阵列、其制造方法和光学装置 |
| US20120114005A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface-emitting laser and surface-emitting laser array, method of manufacturing a surface-emitting laser and method of manufacturing a surface-emitting laser array, and optical apparatus including a surface-emitting laser array |
| CN110880674A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-03-13 | 江苏华兴激光科技有限公司 | 一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器及其制备方法 |
| CN217239988U (zh) * | 2022-03-02 | 2022-08-19 | 浙江博升光电科技有限公司 | 垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115377797A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-22 | 深圳博升光电科技有限公司 | 垂直腔面发射激光器及具有其的电子设备、制造方法 |
| CN116136031A (zh) * | 2023-04-18 | 2023-05-19 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 反应性离子刻蚀方法及垂直腔面发射激光器的制备方法 |
| CN116136031B (zh) * | 2023-04-18 | 2023-08-22 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 | 反应性离子刻蚀方法及垂直腔面发射激光器的制备方法 |
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