CN114563934B - 基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置及方法。基于融石英材料加工测杆标记衬底，使其具备光学级表面光洁度和面形要求，利用光刻、刻蚀技术在其表面加工微浮雕标记形成测杆标记。利用光学镜片胶合技术将测杆标记衬底连接到千分尺测杆端面固定，在测杆标记表面涂覆色素，转动旋钮使测杆标记和千分尺测砧端面接触完成标记预压印将色素转移形成测砧标记。分离测杆标记和测砧标记并补充测杆标记的色素，插入平面基板并使其反面靠近测砧标记，转动旋钮使测杆标记和测砧标记同时接触平面基板正反面完成标记双面压印，获得基板正面标记和基板反面标记。实现在厚平面基板正反面加工定位标记，且双面标记的对准精度达微米级。

Description

基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置及方法
技术领域
本发明属于微细加工领域，具体涉及一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置及方法。
背景技术
在微细加工领域的一些应用上需要在平面基板双面加工微细图案，要求正反面图案的对准精度在微米级。针对硅片等亚毫米厚度的薄基底而言，可以先在正面加工标记，在双面曝光时利用红外显微镜从正反两面同时观察该标记进行基底与掩膜对准，实现正反面图案的微米级对准。针对厚度在毫米甚至十毫米量级厚度的平面基板而言，由于显微镜的焦深有限，在曝光时无法同时从正反面观察对准，因此无法实现正反面图案的微米级对准。
发明内容
本发明要解决的技术问题为：克服厚平面基板由于厚度原因无法实现双面图案的高精度对准问题，本发明提供一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置及方法。
本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：
一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，包括千分尺测砧、千分尺测杆、测杆标记衬底、测杆标记、测砧标记、平面基板、基板正面标记、基板反面标记。其中千分尺测砧与千分尺测杆为商用千分尺自有部分，测杆标记衬底与千分尺测杆端面连接，测杆标记为测杆标记衬底表面浮雕图案，测砧标记为测杆标记在千分尺测砧表面预压印形成的浮雕图案，平面基板处于千分尺测砧与千分尺测杆间隙内且表面相互平行，基板正面标记和基板反面标记在标记双面压印后同时形成。
进一步地，所述的千分尺测砧在原有基础上需彻底清洁，采用乙醇、丙酮等溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。其端面平面度PV需小于100nm，若原有端面平面度不满足要求，采用抛光的方式进行打磨。
进一步地，所述的千分尺测杆在原有基础上需彻底清洁，采用乙醇、丙酮等溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。
进一步地，所述的测杆标记衬底为融石英材质，采用双面抛等工艺保证双面平行度优于1"，表面面形PV小于100nm，口径小于千分尺测杆直径，可取2mm-4mm，厚度可取1mm-2mm。测杆标记衬底与千分尺测杆端面通过胶黏剂连接，可采用紫外固化胶涂覆在衬底底面，然后贴合千分尺测杆端面，利用紫外光照射进行固化。连接工艺在测杆标记加工以后进行。
进一步地，所述的测杆标记采用光刻、刻蚀的方法在测杆标记衬底表面进行加工。典型标记为十字浮雕，长度为1mm，宽度为0.1mm，高度为2μm-5μm。在标记预压印和标记双面压印之前在测杆标记表面涂覆具有粘性的色素，以便将标记从测杆转移至测砧和基板。
进一步地，所述的测砧标记是通过标记预压印工艺从测杆标记表面转移到千分尺测砧端面的色素，预压印之前在测杆标记表面涂覆色素，涂覆方法采用喷涂或刮涂。转动粗调旋钮和精调旋钮使千分尺测杆和千分尺测砧接触完成预压印，测砧标记由测杆标记转移至测砧端面。
进一步地，所述的平面基板是厚度在毫米量级或十毫米量级的金属或介质平板，表面面形PV小于1μm，平面基板表面需彻底清洁，采用乙醇、丙酮等溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。在标记双面压印工艺之前需对平面基板进行表面处理，提高粘附力，可采用臭氧或氧等离子体对表面进行短时间轰击。
进一步地，所述的基板正面标记是通过标记双面压印工艺从测杆标记表面转移到平面基板正面的色素，在压印之前确保测杆标记表面涂覆有色素。双面压印时首先让平面基板反面靠近千分尺测砧端面，预留0.1mm-1mm间隙，然后转动粗调旋钮和精调旋钮使测杆标记逐渐靠近平面基板正面，最后在一定压力下使测杆标记和测砧标记同时夹住平面基板，将测杆标记的色素转移至平面基板正面。
进一步地，所述的基板反面标记通过标记双面压印工艺从测砧标记表面转移到平面基板反面的色素，在压印之前确保测砧标记表面涂覆有色素。双面压印时首先让平面基板反面靠近千分尺测砧端面，预留0.1mm-1mm间隙，然后转动粗调旋钮和精调旋钮使测杆标记逐渐靠近平面基板正面，最后在一定压力下使测杆标记和测砧标记同时夹住平面基板，将测砧标记的色素转移至平面基板反面。
进一步地，一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易方法，利用上述基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其工作流程是：
步骤(1)、首先基于融石英材料加工测杆标记衬底，使其具备光学级表面光洁度和面形要求，然后利用光刻、刻蚀技术在其表面加工微浮雕标记形成测杆标记。
步骤(2)、利用光学镜片胶合技术将测杆标记衬底连接到千分尺测杆端面固定，在测杆标记表面涂覆色素，转动旋钮使测杆标记和千分尺测砧端面接触完成标记预压印将色素转移形成测砧标记。
步骤(3)、分离测杆标记和测砧标记并补充测杆标记的色素，插入平面基板并使其反面靠近测砧标记，转动旋钮使测杆标记和测砧标记同时接触平面基板正反面完成标记双面压印，获得基板正面标记和基板反面标记。
本发明与现有技术相比的优点在于：
(1)本发明可以克服显微镜双面对准技术只能应用于薄衬底的局限性，实现在厚平面基板正反面加工定位标记，且双面标记的对准精度达微米级。
(2)本发明具有低成本、高效率的优点，基于商用千分尺自有的测杆和测砧，省去了价格高昂的移动和对准平台，且可在数分钟以内完成标记加工。
(3)本发明具有高精度的优点，商用千分尺自身具备微米级轴向、轴外精度，保证了标记预压印、标记双面压印过程中的对准精度。
附图说明
图1为本发明一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易方法装置示意图；
图2为标记预压印示意图：
图3为标记双面压印示意图；
图中：1为千分尺测砧；2为千分尺测杆；3为测杆标记衬底；4为测杆标记；5为测砧标记；6为平面基板；7为基板正面标记；8为基板反面标记。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施方式进一步说明本发明。
本发明一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，包括千分尺测砧1、千分尺测杆2、测杆标记衬底3、测杆标记4、测砧标记5、平面基板6、基板正面标记7、基板反面标记8。其中千分尺测砧1与千分尺测杆2为商用千分尺自有部分，测杆标记衬底3与千分尺测杆2端面连接，测杆标记4为测杆标记衬底3表面浮雕图案，测砧标记5为测杆标记4在千分尺测砧1表面预压印形成的浮雕图案，平面基板6处于千分尺测砧1与千分尺测杆2间隙内且表面相互平行，基板正面标记7和基板反面标记8在标记双面压印后同时形成。
所述的千分尺测砧1在原有基础上需彻底清洁，采用乙醇、丙酮等溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。其端面平面度PV需小于100nm，若原有端面平面度不满足要求，采用抛光的方式进行打磨。
所述的千分尺测杆2在原有基础上需彻底清洁，采用乙醇、丙酮等溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。
所述的测杆标记衬底3为融石英材质，采用双面抛等工艺保证双面平行度优于1"，表面面形PV小于100nm，口径小于千分尺测杆2直径，可取2mm-4mm，厚度可取1mm-2mm。测杆标记衬底3与千分尺测杆2端面通过胶黏剂连接，可采用紫外固化胶涂覆在衬底底面，然后贴合千分尺测杆2端面，利用紫外光照射进行固化。连接工艺在测杆标记4加工以后进行。
所述的测杆标记4采用光刻、刻蚀的方法在测杆标记衬底3表面进行加工。典型标记为十字浮雕，长度为1mm，宽度为0.1mm，高度为2μm-5μm。在标记预压印和标记双面压印之前在测杆标记4表面涂覆具有粘性的色素，以便将标记从测杆转移至测砧和基板。
所述的测砧标记5是通过标记预压印工艺从测杆标记4表面转移到千分尺测砧1端面的色素，预压印之前在测杆标记4表面涂覆色素，涂覆方法采用喷涂或刮涂。转动粗调旋钮和精调旋钮使千分尺测杆2和千分尺测砧1接触完成预压印，测砧标记5由测杆标记4转移至测砧端面。
所述的平面基板6是厚度在毫米量级或十毫米量级的金属或介质平板，表面面形PV小于1μm，平面基板6表面需彻底清洁，采用乙醇、丙酮等溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。在标记双面压印工艺之前需对平面基板6进行表面处理，提高粘附力，可采用臭氧或氧等离子体对表面进行短时间轰击。
所述的基板正面标记7是通过标记双面压印工艺从测杆标记4表面转移到平面基板6正面的色素，在压印之前确保测杆标记4表面涂覆有色素。双面压印时首先让平面基板6反面靠近千分尺测砧1端面，预留0.1mm-1mm间隙，然后转动粗调旋钮和精调旋钮使测杆标记4逐渐靠近平面基板6正面，最后在一定压力下使测杆标记4和测砧标记5同时夹住平面基板6，将测杆标记4的色素转移至平面基板6正面。
所述的基板反面标记8通过标记双面压印工艺从测砧标记5表面转移到平面基板6反面的色素，在压印之前确保测砧标记5表面涂覆有色素。双面压印时首先让平面基板6反面靠近千分尺测砧1端面，预留0.1mm-1mm间隙，然后转动粗调旋钮和精调旋钮使测杆标记4逐渐靠近平面基板6正面，最后在一定压力下使测杆标记4和测砧标记5同时夹住平面基板6，将测砧标记5的色素转移至平面基板6反面。
一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易方法，其工作流程是：
步骤(1)、首先基于融石英材料加工测杆标记衬底3，使其具备光学级表面光洁度和面形要求，然后利用光刻、刻蚀技术在其表面加工微浮雕标记形成测杆标记4。
步骤(2)、利用光学镜片胶合技术将测杆标记衬底3连接到千分尺测杆2端面固定，在测杆标记4表面涂覆色素，转动旋钮使测杆标记4和千分尺测砧1端面接触完成标记预压印将色素转移形成测砧标记5。
步骤(3)、分离测杆标记4和测砧标记5并补充测杆标记4的色素，插入平面基板6并使其反面靠近测砧标记5，转动旋钮使测杆标记4和测砧标记5同时接触平面基板6正反面完成标记双面压印，获得基板正面标记7和基板反面标记8。

Claims (8)

1.一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，该装置包括千分尺测砧（1）、千分尺测杆（2）、测杆标记衬底（3）、测杆标记（4）、测砧标记（5）、平面基板（6）、基板正面标记（7）和基板反面标记（8），其中千分尺测砧（1）与千分尺测杆（2）为商用千分尺自有部分，测杆标记衬底（3）与千分尺测杆（2）端面连接，测杆标记（4）为测杆标记衬底（3）表面浮雕图案，测砧标记（5）为测杆标记（4）在千分尺测砧（1）表面预压印形成的浮雕图案，平面基板（6）处于千分尺测砧（1）与千分尺测杆（2）间隙内且表面相互平行，基板正面标记（7）和基板反面标记（8）在标记双面压印后同时形成；
所述的基板正面标记（7）是通过标记双面压印工艺从测杆标记（4）表面转移到平面基板（6）正面的色素，在压印之前确保测杆标记（4）表面涂覆有色素；双面压印时首先让平面基板（6）反面靠近千分尺测砧（1）端面，预留0.1mm-1mm间隙，然后转动粗调旋钮和精调旋钮使测杆标记（4）逐渐靠近平面基板（6）正面，最后在一定压力下使测杆标记（4）和测砧标记（5）同时夹住平面基板（6），将测杆标记（4）的色素转移至平面基板（6）正面；
所述的基板反面标记（8）通过标记双面压印工艺从测砧标记（5）表面转移到平面基板（6）反面的色素，在压印之前确保测砧标记（5）表面涂覆有色素；双面压印时首先让平面基板（6）反面靠近千分尺测砧（1）端面，预留0.1mm-1mm间隙，然后转动粗调旋钮和精调旋钮使测杆标记（4）逐渐靠近平面基板（6）正面，最后在一定压力下使测杆标记（4）和测砧标记（5）同时夹住平面基板（6），将测砧标记（5）的色素转移至平面基板（6）反面。
2.根据权利要求1所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，所述的千分尺测砧（1）在原有基础上需彻底清洁，采用乙醇、丙酮溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干；其端面平面度PV需小于100nm，若原有端面平面度不满足要求，采用抛光的方式进行打磨。
3.根据权利要求1所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，所述的千分尺测杆（2）在原有基础上需彻底清洁，采用乙醇、丙酮溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干。
4.根据权利要求1所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，所述的测杆标记衬底（3）为融石英材质，采用双面抛工艺保证双面平行度优于1"，表面面形PV小于100nm，口径小于千分尺测杆（2）直径，可取2mm-4mm，厚度可取1mm-2mm；测杆标记衬底（3）与千分尺测杆（2）端面通过胶黏剂连接，可采用紫外固化胶涂覆在衬底底面，然后贴合千分尺测杆（2）端面，利用紫外光照射进行固化；连接工艺在测杆标记（4）加工以后进行。
5.根据权利要求1所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，所述的测杆标记（4）采用光刻、刻蚀的方法在测杆标记衬底（3）表面进行加工；典型标记为十字浮雕，长度为1mm，宽度为0.1mm，高度为2μm-5μm；在标记预压印和标记双面压印之前在测杆标记（4）表面涂覆具有粘性的色素，以便将标记从测杆转移至测砧和基板。
6.根据权利要求1所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，所述的测砧标记（5）是通过标记预压印工艺从测杆标记（4）表面转移到千分尺测砧（1）端面的色素，预压印之前在测杆标记（4）表面涂覆色素，涂覆方法采用喷涂或刮涂；转动粗调旋钮和精调旋钮使千分尺测杆（2）和千分尺测砧（1）接触完成预压印，测砧标记（5）由测杆标记（4）转移至测砧端面。
7.根据权利要求1所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，所述的平面基板（6）是厚度在毫米量级或十毫米量级的金属或介质平板，表面面形PV小于1μm，平面基板（6）表面需彻底清洁，采用乙醇、丙酮溶剂清除表面污染物，采用无尘布擦干；在标记双面压印工艺之前需对平面基板（6）进行表面处理，提高粘附力，可采用臭氧或氧等离子体对表面进行短时间轰击。
8.一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易方法，利用权利要求1-7任一项所述的基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置，其特征在于，其工作流程是：
步骤（1）、首先基于融石英材料加工测杆标记衬底（3），使其具备光学级表面光洁度和面形要求，然后利用光刻、刻蚀技术在其表面加工微浮雕标记形成测杆标记（4）；
步骤（2）、利用光学镜片胶合技术将测杆标记衬底（3）连接到千分尺测杆（2）端面固定，在测杆标记（4）表面涂覆色素，转动旋钮使测杆标记（4）和千分尺测砧（1）端面接触完成标记预压印将色素转移形成测砧标记（5）；
步骤（3）、分离测杆标记（4）和测砧标记（5）并补充测杆标记（4）的色素，插入平面基板（6）并使其反面靠近测砧标记（5），转动旋钮使测杆标记（4）和测砧标记（5）同时接触平面基板（6）正反面完成标记双面压印，获得基板正面标记（7）和基板反面标记（8）。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2207240A1 (en) * 1996-06-07 1997-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharging head, liquid discharging apparatus and printing system
CN1731281A (zh) * 2005-08-08 2006-02-08 西安交通大学 大面积微压印专用超平整度软模具的制作方法
CN101542333A (zh) * 2007-02-19 2009-09-23 日东电工株式会社 光学层压体的制造方法及图像显示装置
CN102063025A (zh) * 2009-11-13 2011-05-18 上海微电子装备有限公司 双面套准误差测量方法及应用该方法的光刻装置
CN102853727A (zh) * 2012-09-29 2013-01-02 钟胜 高防护直动式数显千分尺
CN103543601A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 赵建平 一种微图形成形方法
CN105115398A (zh) * 2015-09-14 2015-12-02 苏州东方模具科技股份有限公司 测取玻璃模具基准定位孔至合模面距离用的测具
CN107708333A (zh) * 2017-10-17 2018-02-16 珠海市宏广科技有限公司 新能源汽车电池减铜电路板制备方法
CN109080048A (zh) * 2018-07-19 2018-12-25 宁波夏亿机电科技有限公司 一种活塞包胶片修剪装置
CN110187415A (zh) * 2019-06-20 2019-08-30 中国科学院光电技术研究所 一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法
CN212320560U (zh) * 2020-06-04 2021-01-08 广东华衡检测科技有限公司 一种千分尺校准装置
CN113390312A (zh) * 2021-06-18 2021-09-14 遵义师范学院 一种三标螺旋测微器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7361440B2 (en) * 2005-08-09 2008-04-22 Xerox Corporation Anticurl backing layer for electrostatographic imaging members

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2207240A1 (en) * 1996-06-07 1997-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Liquid discharging head, liquid discharging apparatus and printing system
CN1731281A (zh) * 2005-08-08 2006-02-08 西安交通大学 大面积微压印专用超平整度软模具的制作方法
CN101542333A (zh) * 2007-02-19 2009-09-23 日东电工株式会社 光学层压体的制造方法及图像显示装置
CN102063025A (zh) * 2009-11-13 2011-05-18 上海微电子装备有限公司 双面套准误差测量方法及应用该方法的光刻装置
CN103543601A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 赵建平 一种微图形成形方法
CN102853727A (zh) * 2012-09-29 2013-01-02 钟胜 高防护直动式数显千分尺
CN105115398A (zh) * 2015-09-14 2015-12-02 苏州东方模具科技股份有限公司 测取玻璃模具基准定位孔至合模面距离用的测具
CN107708333A (zh) * 2017-10-17 2018-02-16 珠海市宏广科技有限公司 新能源汽车电池减铜电路板制备方法
CN109080048A (zh) * 2018-07-19 2018-12-25 宁波夏亿机电科技有限公司 一种活塞包胶片修剪装置
CN110187415A (zh) * 2019-06-20 2019-08-30 中国科学院光电技术研究所 一种基于反应离子刻蚀减薄的光学元件面形修正方法
CN212320560U (zh) * 2020-06-04 2021-01-08 广东华衡检测科技有限公司 一种千分尺校准装置
CN113390312A (zh) * 2021-06-18 2021-09-14 遵义师范学院 一种三标螺旋测微器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
杨卓等.浅谈基于激光测距的相机主镜六自由度位姿测量方法.《中国设备工程》.2021,第21卷(第21期),第107-109页. *

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