CN114556520A - 真空工艺处理室和借助于真空处理工艺处理基底的方法 - Google Patents

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Abstract

为了在对基底（5）进行真空处理时沿着这样的基底的表面建立所期望气体分压分布，通过完全沿基底（5）的整个周边（P）分布的开口（13）朝向基底（5）供给气体。在与一组开口（13）排他地连通的气体管线（9）处供给或去除所述气体。

Description

真空工艺处理室和借助于真空处理工艺处理基底的方法
背景技术
例如从WO 2012/028660、US2015252475和US2009013930已知使气体从面向待处理基底的表面的莲蓬头式气体分布布置结构流入CVD真空工艺室。
在GB2277327中，提出一种真空工艺处理室，其中气体借助于气体分布布置结构横向流向靶或基底的表面，所述气体分布布置结构提供从气体入口到多个气体出口的相等流动阻力。
朝向细长矩形溅射靶的表面的气体分布沿着溅射靶的细长侧边实施。
发明内容
本发明的目的是提出一种替代真空工艺处理室。
根据本发明的用于至少一个基底的真空工艺处理室包括
-真空接收器；
-在真空接收器中的基底支撑件，所述基底支撑件被构造成沿着基底平面支撑至少一个基底；
-完全沿至少一个基底的周边支撑在所述基底支撑件上的至少一个气体分布布置结构。
所述气体分布布置结构距周边一距离包括至少一个第一气体管线，所述一个或每一第一气体管线经由至少两个气体分布级并且距周边较小距离排他地与一组第二气体管线气体流动连通，所述第二气体管线完全沿基底的整个周边分布。
每一气体分布级包括级特有数量的气体分布空间。
每一气体分布空间在相应开口处排他地连接到一个中心气体管线并且连接到多于一个横向气体管线，每一气体分布级处的每一横向气体管线是后续气体分布级处的中心气体管线。
第一气体管线是第一气体分布级的气体分布空间的中心气体管线，并且第二气体管线是最后气体分布级的气体分布空间的横向气体管线。
从最后气体分布级的气体分布空间中的第二气体管线的开口到相应气体分布空间中的相应中心气体管线的开口的气体流动阻力相等或不同。
然而，从剩余气体分布级的相应气体分布空间中的横向气体管线的开口到相应气体分布空间中的相应中心气体管线的开口的气体流动阻力相等。
发明人已经认识到，即使当真空工艺涉及靶时，使由处理工艺采用的一种或多种气体均匀地流向和流到待处理基底的表面上导致在完全沿基底的整个周边建立气体流动的条件下相应分压完全沿所提及表面的高度均匀分布。
这对于圆形基底和矩形基底尤其有效，在这些基底处，所有侧边都具有至少类似范围。
如果例如从靶实施反应溅射，则其材料比要沉积在基底上的材料更具导电性，于是使反应气体流向基底的表面显著减少靶中毒。
从最后气体分布级的气体分布空间中的第二气体管线的开口到相应气体分布空间中的相应中心气体管线的开口的气体流动阻力可以不同，例如以便在完全沿基底的整个周边建立气体流动的情况下用于处理矩形基底。在基底拐角中，气体分压可能太高。在这种情况下，例如通过引入第二气体管线中的压力级插件减少在
拐角附近的到第二气体管线的流动阻力。
进一步，必须注意，绝对可能的是，将根据本发明的气体分布布置结构与例如用于CVD装置的现有技术莲蓬头气体分布布置结构组合。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，相应气体分布级的气体分布空间与基底的周边等距间隔开。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，所述若干组第二气体管线中的至少一者完全沿基底的整个周边分布。
根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例包括数量u= 2k个第二气体管线，其中k是至少为2的整数值。从而，第一气体管线可以经由数量2k -1个气体分布空间与u个第二气体管线流动连通和/或所述真空工艺处理室包括k个气体分布级。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，至少一个第一气体管线连接到或可连接到气体储存器。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，至少一个第一气体管线连接到或可连接到泵送布置结构。
根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例包括多于一个所述第一气体管线。从而，第一气体管线中的至少一者连接到或可连接到气体储存器，所述第一气体管线中的另一者连接到或可连接到泵送布置结构和/或所述第一气体管线中的一者连接到或可连接到装有第一气体的气体储存器，所述第一气体管线中的另一者连接到或可连接到装有不同于所述第一气体的第二气体的气体储存器。
在根据本发明的真空工艺处理室的实施例中，所述真空工艺处理室是溅射室、阴极电弧蒸发室、热或电子束蒸发室、蚀刻室、脱气装置室、PECVD处理室、CVD处理室、PEALD处理室、ALD处理室中的一者。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，所述真空工艺处理室是用于反应溅射的室并且包括第一材料的靶，所述至少一个第一气体管线连接到装有反应气体或气体混合物的气体储存器，所述反应气体或气体混合物与所述第一材料起反应以产生第二材料。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，气体分布级在平行于基底平面的平面中交错和/或沿垂直于基底平面的方向交错。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，气体分布级沿着平行于基底平面的平面延伸。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，基底支撑件被构造成支撑圆形基底。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，基底支撑件被构造成支撑正方形或矩形基底。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，当从第一气体管线朝向所述第二气体管线传播时，在平行于基底平面的平面中考虑的横向气体管线之间的间距包括：
-在第一气体分布级处：基底的周边的1/2范围；
-在进一步气体分布级处：基底的周边的1/4范围；
-在进一步气体分布级处：周边的1/8范围。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，第二气体管线直接邻接在基底被暴露以进行真空处理的间距中。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，第二气体管线经由完全沿周边环绕的共用气体分布管线邻接在基底被暴露以进行真空处理的间距中。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，基底支撑件和气体分布布置结构可在真空接收器内共同或相互同步或独立驱动地移动。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，所述真空接收器中的相对表面面向基底支撑件的基底上的所有待处理表面，并且其中从第二气体管线朝向待处理表面的开口到待处理表面的距离小于从所述待处理表面到所述相对表面的距离。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，从第二气体管线朝向基底支撑件上的基底的待处理表面的开口沿着平行于基底平面的平面分布。
在根据本发明的真空工艺处理室的一个实施例中，至少最后气体分布级作为交换部件可去除地安装到气体分布级的其余部分。从而，此部件充当保护罩，其可以在维护框架中被容易地去除、更换或清洁。另外，可以选择性地安装具有第二气体管线或进入到待处理基底所暴露的空间中的开口的不同分布和/或气体流动阻力的此类部件。
本发明可以借助一个或多于一个实施例以任何组合实现，只要此类实施例不矛盾即可。
本发明进一步涉及一种朝向真空工艺处理室中的基底供给气体或利用根据本发明的真空工艺处理室或其一个或多于一个实施例制造经真空工艺处理的基底的方法。
根据本发明的方法的一种变型包括通过真空工艺处理室实施反应溅射。从而，在一种变型中，所述方法包括在基底上溅射沉积一材料，所述材料的电导率小于溅射靶的材料的电导率。
根据本发明的方法的一种变型包括在反应空间中同时和/或连续地和/或以时间重叠方式供给两种或多于两种不同反应气体。
从而并且每当向反应空间同时供给此类反应气体时，便沉积复合材料。每当连续地供给此类反应气体时，便沉积不同材料并且包括靶材料的薄层。每当以时间重叠方式并且可能随时间改变气体流动地供给此类反应气体时，便沉积递变层。
在所述方法的一种变型中，靶的材料可以是Si。在根据本发明的反应溅射方法的一种变型中，将O2和N2中的至少一者供给到真空工艺处理室。
附图说明
现在应该借助附图例示本发明。
附图示出：
图1：用于圆形基底的根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的简化和示意性一般表示；
图2：用于正方形或矩形基底的根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的类似于图1的表示；
图3：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化一般和展开表示，其具有完全沿基底的整个周边分布的单个第一气体管线和一组第二气体管线；
图4：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化一般和展开表示，其具有完全沿基底的整个周边分布的双第一气体管线和网状第二气体管线组；
图5：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化一般和展开表示，其具有完全沿基底的整个周边分布的双第一气体管线和非网状第二气体管线组；
图6：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化一般和展开表示，在那里第二气体管线通过共用气体管线互连；
图7：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化一般和展开表示；
图8：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的二维扩展的气体分布空间的示意性和简化顶视图；
图9：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化表示，在那里气体分布级沿垂直于基底的延伸表面的方向交错；
图10：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化表示，在那里气体分布级在平行于基底的延伸表面的平面中交错；
图11：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化表示，在那里气体分布级在平行于基底的延伸表面的平面中并且沿垂直于基底的延伸表面的方向交错；
图12：具有三重二叉气体管线结构的根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的类似于图7的表示；
图13：根据图12并且用于圆形基底的实施例的示意性和简化顶视图；
图14：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的类似于图12的表示，其具有用于供给不同气体的双第一气体管线和若干组第二气体管线，所述组沿垂直于基底的延伸表面的方向交错；
图15：根据本发明的真空工艺处理室的实施例的类似于图13的表示，其具有用于正方形或矩形基底的三重二叉气体管线结构；
图16：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的类似于图13的表示，其具有根据图5的实施例布置的三重二叉气体管线结构。
图17：根据本发明的真空工艺处理室的一实施例的示意性和简化表示，其示出从第二气体管线朝向基底的延伸表面的开口与面向并且暴露至基底的延伸表面并与所述延伸表面相对的表面的距离关系。
具体实施方式
图1和图2用透视图并且根据本发明示意性地和简化示出真空工艺室的原理。
在由点划线示出的真空接收器1内，提供基底支撑件3，基底支撑件3被构造成沿着垂直于轴线A的基底平面ES支撑或保持至少一个基底5。替代单个基底5，多于一个基底可以由基底支撑件3沿着平面Es支撑或保持。我们还将支撑在基底支撑件上的多个基底称为“一基底”。
在图1的示例中，基底5是圆形的；在根据图2的示例中，基底是正方形或矩形的。
基底5的周边P或基底支撑件3上的多个基底的周围共用周边全面完全由气体分布布置结构7环绕，气体分布布置结构7与周边P间隔开。如稍后将解释相对于气体管线结构化的此基底环绕式气体分布布置结构7将基底5上方的所有空间RS都留给图17中也示出的真空工艺室的附加设备。
气体分布布置结构7包括距周边7一距离D9的至少一个第一气体管线9。第一气体管线9（并且每当提供多于一个第一气体管线9时，第一气体管线9中的每一者）跨越气体分布布置结构7排他地与一组相应数量的第二气体管线11气体流动连通，第二气体管线11与周边P间隔开距离D11并且比第一气体管线9更靠近于所述周边。如图17中所示，比起此延伸表面距与基底5的延伸表面相对并且面向此延伸表面的表面6的距离D6，从第二气体管线11到反应空间RS中的开口13更靠近于待处理基底5的延伸表面、距离为D11o。相对表面6可以例如是溅射源的靶的表面。
图3用展开视图示意性地和简化示出完全沿整个周边P延伸的根据本发明的气体分布布置结构7的一个示例。从而，气体分布布置结构7包括一个单个第一气体管线9和具有开口13的一组多个第二气体管线11，开口13通常沿着周边P均匀分布。
此示例的第二气体管线11在开口13处直接通向基底5的表面15。
在图4的示例中，气体分布布置结构7a包括多于一个第一气体管线9，即例如两个9A和9B。第一气体管线9A和9B中的每一者排他地与在开口13A和13B处直接通向基底5的表面15的一组相应第二气体管线11A和11B流动连通。
根据图3和图4的示例，每一组开口13、13A、13B自身完全沿整个周边P分布，并且因此被嵌套。
在图5的示例中，气体分布布置结构7b包括多于一个第一气体管线9C和9D，每一第一气体管线排他地与在相应开口13C和13D处直接通向基底5的表面15的一组相应第二气体管线11C和11D流动连通。
与图4的示例相反，图5的示例的所述组相应开口13C和13D各自仅包括周边P的范围的一部分，然而组合整个周边P。
同样，在图5的示例中，可以提供带有相应组第二气体管线11的附加第一气体管线9（未示出），例如，带有相应组第二气体管线11A和仅包括周边P的范围的一部分或完全沿整个周边P的范围的如图4的示例的开口13A的附加第一气体管线9A。
两个邻近开口13、13A、13B、13C、13D之间的间距S可以是恒定的，或者可以通过相应地选择变化间距S来选择开口13对基底5的表面15的影响。
然而，在图3至图5的示例中，第二气体管线11、11A、11B、11C和11D在相应开口13、13A、13B、13C、13D处直接通向表面15，在如图6中基于图3的示例例示的其他示例中，相应气体管线11通过共用气体管线16互连，并且此共用气体管线16与开口13直接连通。同样参见图3的示例。
根据本发明，并且根据每一个示例，第一气体管线9、9A、9B、9C、9D如图3中示意性地所示各自连接到或可连接到泵送布置结构17或气体储存器19，从而产生通过气体分布布置结构7、7a、7b的相应气体流动方向F。
如果真空处理室例如是以下，则至少一个第一气体管线9连接到或可连接到气体储存器19：
-溅射室，由此例如连接到或可连接到其他气体储存器的的附加第一气体管线可以例如提供到用于工作气体的一个储存器、提供到用于第一反应气体的储存器、提供到用于另一种不同反应气体的储存器等等。
-等离子体蚀刻室，由此例如连接到或可连接到其他气体储存器的附加第一气体管线可以例如一个提供到用于工作气体的储存器、一个提供到用于反应气体的储存器；
-PECVD或PEALD室，例如用于工作气体；
-脱气装置室，例如用于冲洗气体；
-阴极电弧蒸发室，由此连接到或可连接到其他气体储存器的附加第一气体管线可以例如一个提供到用于工作气体的储存器、一个提供到用于反应气体的储存器、一个提供到用于另一种不同反应气体的储存器等等。
-热或电子束蒸发室，例如用于反应气体，由此例如连接到或可连接到其他气体储存器的附加第一气体管线可以因此例如一个提供到用于反应气体的储存器、一个提供到用于另一种不同反应气体的另一个储存器。
如果第一气体管线连接到例如用于反应溅射的反应气体储存器，并且一个或多个附加第一气体管线分别连接到用于不同反应气体的其他反应气体储存器，则可以在相应反应气体被同时供给到处理室时通过随时间对相应气体流动的相应控制来实现复合材料层沉积，随后在反应气体被连续地供给到处理室时沉积不同材料的薄层，或者在以时间重叠方式并且以相应控制的流率供给反应气体时沉积递变层。
如果真空处理室例如是以下，则至少一个第一气体管线9可以连接到或可连接到泵送布置结构17：
-溅射室，例如用于去除多余工作气体和/或反应气体；
-等离子体蚀刻室，例如用于去除气态蚀刻产物；
-PECVD或PEALD室，例如用于去除多余反应和/或工作气体；
-脱气装置室，例如用于去除经脱气产物；
-阴极电弧蒸发室，例如用于去除多余工作和/或反应气体；
-热或电子束蒸发室，例如用于去除多余反应气体；
-ALD室，用于去除多余气体；
-CVD室，用于去除多余反应气体。
现在我们将解释第一气体管线9与相应组的第二气体管线11之间的气体流动互连，并且根据本发明，通过示例，其可以应用于图1至图6的所有更一般示例。
图7示意性地和简化示出此流动互连的示例。第一气体管线9经由多个气体分布级20（在图7的示例中，经由三个气体分布级20a、20b、20c、一般为20n）与第二气体管线11流动连通。
每一气体分布级20n由相应数量的气体分布空间组成。在图7的示例中，与第一气体管线9直接连通的气体分布级20a由一个气体分布空间20aa、更一般地20ax组成。
后续气体分布级20b由两个气体分布空间20ba和20bb、更一般地20by组成。
后续气体分布级20c由八个气体分布空间20ca至20cg、更一般地20cz组成。
因此，甚至更一般地，气体分布级20n具有20nm个气体分布空间。
在如20n的相应气体分布级中考虑，气体分布空间20nm与周边P的距离相等，如在图7的示例中由da、db、dc、并且更一般地dm示出。
每一气体分布空间20nm在相应开口处排他地与一个中心气体管线22并且与多于一个横向气体管线24连通。从第一气体管线9朝向最后气体分布级处的那组第二气体管线11传播，一个气体分布级20n的每一横向气体管线24是后续气体分布级20n+1处的气体分布空间20（n+1） m的中心气体管线22。
着眼于图7，可以说，第一气体分布级下游的气体分布空间与第一气体管线9的进入到第一气体分布空间中的开口对称地布置。
第二气体分布级下游的气体分布空间与中心气体管线22的进入到第二气体分布空间中的开口对称地布置等等。
在每一气体分布空间处，除在最后气体分布级的直接通向第二气体管线11的最后气体分布空间处以外，中心气体管线22的开口与横向气体管线24之间的气体流动阻力ρ相等。因此，在图7中，所有ρa相等，所有ρb相等、但是可以不同于ρa。
与第二气体管线11直接连通的气体分布空间20cm中的相应气体流动阻力ρc可以相等或者可以改变。除通过改变间距S来建立这种所期望分布以外或替代通过改变间距S来建立这种所期望分布，其可以被构造成具有变化气体流动阻力以便沿着基底5的表面15建立气体流动或分压的所期望分布。
相应地，例如通过具有相等长度和相等流动横截面的相应互连气体管线达到相等流动阻力。然而，即使在相等流动阻力线处，也可以通过如图7中用虚线所示的表示所期望压力级19的带有通孔的可能可更换分接头来调节气体流动阻力。
在图8中针对图7的示例的气体分布空间20ba、20bb中的一者例示在中心气体管线22的开口与横向气体管线24的开口之间具有相等流动阻力的气体分布空间，其作为示例是二维扩展的。从而，图8沿如图7中所示的视图方向W示出气体分布空间，例如20ba。ρ称为相应相等气体流动阻力。
进一步，互连两个邻近气体分布级20n/20n+1的气体管线24-22相等，并且产生相等气体流动阻力。
所述气体分布级可以沿轴线A的方向（参见图1）和/或平行于平面ES交错。
图9示意性地和简化示出其中气体分布级20a..20n沿轴线A的方向交错的示例。图10示出其中气体分布级20a..20n平行于基底平面ES交错的示例，并且图11示出其中气体分布级20a..20n沿轴线A的方向并且平行于基底平面Es交错的示例。
第一气体管线9与第二气体管线11之间的现今实现的气体管线结构是经由如图12中所示的二叉树结构。请注意，这种二叉树结构可以应用于图1至图11中提及的所有示例中。
从而，图12是展开表示，并且为清楚起见示出至少沿轴线A的方向交错的气体分布级20a至20 c。
第一气体管线9作为中心气体管线22与第一气体分布级20a的一个气体分布空间20aa直接连通。
气体分布空间20aa具有带有开口的两个横向气体管线24，所述开口与中心气体管线9/22借以与气体分布空间20aa连通的开口以Ra等距间隔开。气体管线9的开口与横向气体管线24的开口中的每一者之间的流动阻力相等。两个横向气体管线24包括基底5的周边P的范围L的½，并且呈现相等气体流动阻力。
这两个横向气体管线24作为相应中心气体管线22与第二气体分布级20b的两个气体分布空间20ba和20bb直接连通。
两个气体分布空间20ba和20bb中的每一者具有两个横向气体管线24，其代表相等气体流动阻力，其开口与相应中心气体管线22的开口以Rb等距间隔开。中心气体管线22的开口与横向气体管线24的开口中的每一者之间的流动阻力相等。气体分布空间20ba和20bb的横向气体管线24的相互间距各自包括基底5的周边的范围L的¼。
两个气体分布空间22ba和20bb的四个横向气体管线24中的每一者作为相应中心气体管线22与第三气体分布级20c的四个气体分布空间20ca至20cd中的一者直接连通。
四个气体分布空间20ca至20cd中的每一者具有两个横向气体管线24、第二气体管线11。中心气体管线22的相应开口与气体分布空间20 ca和20cb中的相应横向气体管线24的开口之间的间距S和/或气体流动阻力可以变化，以便沿着基底5的表面15建立所期望气体分布。气体分布空间20ca至20cd的所有两个横向气体管线24的相互间距S各自包括基底的周边的范围L的1/8，如现今所实现。
图13示意性地和简化示出根据图12的示例的顶视图，并且其中气体分布布置结构7包括一个单个第一气体管线9并且包括圆形基底5的周边P的整个长度L。为清楚起见，气体分布级示出为至少平行于基底平面Es交错，基底平面Es平行于附图的平面。类似于可能提供的图6的共用气体管线16在图13中由点划线示出。
图14以类似于图9至11的那些表示的表示示出气体分布布置结构7的示例，其类似于图4的一般示例具有两个第一气体管线9，两个第一气体管线9A、9B中的每一者通过如图12和图13中所示的二叉树与相应组第二气体管线11气体流动连通。第一气体管线9A和9b分别连接到或可连接到气体储存器19A和19B以便向空间RS施加不同气体，所述不同气体将在空间RS中混合或者连续地或随时间以重叠方式时间施加到空间RS。
回顾根据图12和图13的示例，发现：
a)第二气体管线11的数量为u= 2k，其中k是至少为2的整数值，并且在所述示例中为3。
b) 第一气体管线9经由数量2k -1个（在所述示例中为7）气体分布空间20nm与u个第一气体管线流动连通。
c)第一气体管线9经由数量k个（在所述示例中为3）气体分布级20n与u个第一气体管线流动连通。
例如根据图12，气体引入包括：
• 通过第一气体管线9的单点气体注入；
• 所述单点气体注入在以下位置中经由第一气体分布空间20aa和横向气体管线24处的两个横向气体过渡点连接：与两个第二级气体分布空间20ba和20bb成90°和270°。第一分布空间20aa是部分环形或圆形的并且覆盖>180°的角度
• 第二级分布空间20ba和20bb形成部分环形并覆盖>90°，并且在以下位置中在其横向气体管线24处提供总共四个气体过渡点：与四个第三级气体分布空间20ca至20cd成45°、135°、225°和315°。
• 任选第三级气体分布空间形成部分环形，覆盖>45°的角度，并且在以下位置中在相应横向气体管线处提供总共八个气体过渡点：22.5°+n*45°（n= 0…7）
• 任选第四级气体分布空间形成部分环形并覆盖>22.5°的角度，并且在以下位置中在相应横向气体管线处提供总共16个气体过渡点：11.25°+n*22.5°（n= 0…15）
图15示出应用于正方形基底5的图12和图13的示例。
图16示出其中气体分布布置结构7类似于应用于正方形基底5的图5的更一般示例包括两个第一气体管线9C和9D的示例，两个第一气体管线9C、9D中的每一者通过如图12和13中所示的二叉树与所述组相应第二气体管线11C、11D气体流动连通。开口13沿着基底5的整个周边分布。
应注意，例如在图5和图16的示例中，例如为应对基底5的拐角区域C处的影响，变化的间距可能是有利的。
另一方面并且如在图15或图16中在正方形基底5的拐角区域C中所示，例如由于后续开口13的构造要求和间距，这些区域C中的气体分压可能变得比沿着基底5的延伸表面15的其余部分高。在这种情况下，可以例如通过引入这些管线中的压力级来减小相应第二气体管线11的气体流动阻力。此类压力级可以通过可在相应第二气体管线11中灵活应用和更换的插入件或分接头来实现。
如果（附图中未示出）基底5可线性移动或围绕平行于基底5的中心轴线A、但与基底5的中心轴线A间隔开的轴线旋转，则气体分布布置结构7可以与基底5一起移动。如果基底5仅围绕中心轴线A旋转，则气体分布布置结构7可以或可以不也围绕所提及轴线A旋转，从而与基底5的旋转同步，或者在基底5与气体分布布置结构7之间建立所期望相对旋转。
总体气体分布布置结构或至少具有相应气体分布空间的最内气体分布级可以被构造为交换部件，可容易地拆卸和安装到气体分布布置结构的更外部部分，这显著简化清洁维护。
在朝向基底施加多于一种反应气体的情况下，可以尤其使用根据本发明的真空处理室。如果这些气体被预先混合，则所述气体分布布置结构仅需要一个连接到或可连接到具有预先混合的气体的气体储存器的气体管线。如果例如此类气体的混合物在真空处理工艺期间改变，则这些气体可以经由多于一个第一气体管线以受控方式供应。
现今，根据本发明的真空处理室是反应溅射室。
两种反应气体O2和N2被预先混合并且经由单个第一气体管线朝向基底的表面供给。溅射Si靶，并且将SiNxOy层沉积在基底上。
在另一工艺中，反应气体O2和N2被预先混合并且经由经由单个第一气体管线朝向基底的表面供给。溅射Ti靶，并且将TiOxNy层沉积在基底上。
将反应气体、尤其是O2供给到基底的表面、而非供给到靶表面显著防止靶中毒。

Claims (30)

1.一种用于至少一个基底的真空工艺处理室，包括：
- 真空接收器；
- 在所述真空接收器中的基底支撑件（3），所述基底支撑件（3）被构造成沿着基底平面（Es）支撑至少一个基底（5）；
- 完全沿至少一个基底的周边（P）支撑在所述基底支撑件上的至少一个气体分布布置结构（7）；
- 所述气体分布布置结构（7）包括距所述周边一距离（D9）的至少一个第一气体管线（9），所述或每一第一气体管线经由至少两个气体分布级（20a、20b、20c）并且距所述周边较小距离（D11）地排他地与一组第二气体管线（11）气体流动连通，所述第二气体管线完全沿所述整个周边分布；
- 每一气体分布级包括级特有数量的气体分布空间（20aa、20ba、20bb、20ca至20 cg）；
- 每一气体分布空间（20aa、20ba、20bb、20ca至20 cg）通过相应开口排他地连接到一个中心气体管线（22）并且连接到多于一个横向气体管线（24），每一气体分布级（20a、20b、20c）处的每一横向气体管线（24）是后续所述气体分布级（20a至20c）处的中心气体管线（22），由此
- 所述第一气体管线（9）是第一气体分布级的气体分布空间的中心气体管线；
- 所述第二气体管线（11）是最后气体分布级的气体分布空间的横向气体管线；
- 从所述最后气体分布级的所述气体分布空间中的所述第二气体管线（11）的所述开口到相应气体分布空间中的相应中心气体管线（22）的所述开口的气体流动阻力相等或不同，由此
- 从剩余气体分布级的相应气体分布空间中的所述横向气体管线（24）的所述开口到相应气体分布空间中的所述中心气体管线（22）的所述开口的气体流动阻力相等。
2.根据权利要求1所述的真空工艺处理室，其中相应气体分布级的气体分布空间与所述周边等距间隔开。
3.根据权利要求1或2中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述若干组第二气体管线中的至少一者完全沿所述整个周边分布。
4.根据权利要求1至3中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其包括数量u= 2k个所述第二气体管线，其中k是至少为2的整数值。
5.根据权利要求3所述的真空工艺处理室，所述第一气体管线经由数量2k -1个所述气体分布空间与所述u个第二气体管线流动连通。
6.根据权利要求4或5中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其包括k个所述气体分布级。
7.根据权利要求1至6中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述至少一个第一气体管线连接到或可连接到气体储存器。
8.根据权利要求1至7中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述至少一个第一气体管线连接到或可连接到泵送布置结构。
9.根据权利要求1至8中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其包括多于一个所述第一气体管线。
10.根据权利要求9所述的真空工艺处理室，所述第一气体管线中的一者连接到或可连接到气体储存器，所述第一气体管线中的另一者连接到或可连接到泵送布置结构。
11.根据权利要求9或10中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，所述第一气体管线中的一者连接到或可连接到装有第一气体的气体储存器，所述第一气体管线中的另一者连接到或可连接到装有不同于所述第一气体的第二气体的气体储存器。
12.根据权利要求1至11中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述室是溅射室、阴极电弧蒸发室、热或电子束蒸发室、蚀刻室、脱气装置室、PECVD处理室、CVD处理室、PEALD处理室、ALD处理室中的一者。
13.根据权利要求1至11中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其是用于反应溅射的室并且包括第一材料的靶，所述至少一个第一气体管线连接到装有反应气体或气体混合物的气体储存器，所述反应气体或气体混合物与所述第一材料起反应以产生第二材料。
14.根据权利要求1至13中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述气体分布级在平行于所述基底平面的平面中交错且/或沿垂直于所述基底平面的方向交错。
15.根据权利要求1至14中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述气体分布级沿着平行于所述基底平面的平面延伸。
16.根据权利要求1至15中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述基底支撑件被构造成支撑圆形基底。
17.根据权利要求1至16中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述基底支撑件被构造成支撑正方形或矩形基底。
18.根据权利要求1至17中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中，从所述第一气体管线朝向所述第二气体管线传播，在平行于所述基底平面的平面中考虑的横向气体管线之间的间距包括：
- 在第一气体分布级处：所述基底的所述周边的½范围；
- 在进一步气体分布级处：所述基底的所述周边的¼范围；
- 在进一步气体分布级处：所述周边的1/8范围。
19.根据权利要求1至18中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述第二气体管线直接邻接在所述基底被暴露以进行真空处理的间距中。
20.根据权利要求1至18中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述第二气体管线经由完全沿所述周边环绕的共用气体分布管线邻接在所述基底被暴露以进行真空处理的间距中。
21.根据权利要求1至20中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述基底支撑件和所述气体分布布置结构可在所述真空接收器内共同或相互同步或独立驱动地移动。
22.根据权利要求1至21中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中所述真空接收器中的相对表面面向所述基底支撑件上的基底的所有待处理表面，并且其中从所述第二气体管线朝向所述待处理表面的开口到所述待处理表面的距离小于从所述待处理表面到所述相对表面的距离。
23.根据权利要求1至22中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中从所述第二气体管线朝向所述基底支撑件上的基底的所述待处理表面的开口沿着平行于所述基底平面的平面分布。
24.根据权利要求1至23中的一项权利要求所述的真空工艺处理室，其中至少所述最后气体分布级作为交换部件可去除地安装到所述气体分布级的其余部分。
25.一种朝向真空工艺处理室中的基底供给气体或利用根据权利要求1至24中的一项权利要求所述的真空工艺处理室制造经真空工艺处理的基底的方法。
26.根据权利要求25所述的方法，其包括通过所述真空工艺处理室实施反应溅射。
27.根据权利要求26所述的方法，其包括在所述基底上溅射沉积一材料，所述材料的电导率小于所述溅射靶的材料的电导率。
28.根据权利要求26或27中的一项权利要求所述的方法，其包括在反应空间中同时和/或连续地和/或以时间重叠方式供给两种或多于两种不同反应气体。
29.根据权利要求26至28中的一项权利要求所述的方法，其中所述溅射靶的所述材料是Si。
30.根据权利要求24至26中的一项权利要求所述的方法，其中将O2和N2中的至少一者供给到所述真空工艺处理室。
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