CN114552349A - 椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法 - Google Patents
椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114552349A CN114552349A CN202011342272.1A CN202011342272A CN114552349A CN 114552349 A CN114552349 A CN 114552349A CN 202011342272 A CN202011342272 A CN 202011342272A CN 114552349 A CN114552349 A CN 114552349A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- single photon
- face
- cylindrical optical
- multilayer structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
- H01S3/0813—Configuration of resonator
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种椭圆柱形光学微谐振腔,包括:腔体(1),腔体(1)为椭圆柱形,第一布拉格反射镜(2),第一布拉格反射镜(2)为与腔体(1)的端面相同的椭圆柱形,其一端面与所述腔体(1)的一端面连接,第二布拉格反射镜(3),第二布拉格反射镜(3)为与腔体(1)的端面相同的椭圆柱形,其一端面与腔体(1)的另一端面连接。本公开中的结构可用于产生损失效率极低的单光子。
Description
技术领域
本公开涉及固态量子光学领域,尤其涉及一种椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法。
背景技术
单光子源是量子通讯、量子测量和量子计算的重要组成部分,结合具有帕塞尔增强效应的微柱微腔和共振激发的激发方式,可以产生接近傅里叶变换极限的单光子,并使单光子较高效的提取耦合进单模光纤中。但目前实现的单光子提取效率最高仅为33%左右,仍未满足各量子计算方案大于50%的要求。制约单光子提取效率的原因一方面在于,已有的方案需要将共振激发随机产生的左旋或右旋偏振单光子投影到单偏振,使得效率至少减半;另一方面在于,为了滤除同频率背景激发光,不得不采取的水平偏振激发垂直偏振收集的偏振滤波方式,这也使得系统效率无法高于50%。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本公开提供了一种椭圆柱形光学微谐振腔,用于解决共振激发单光子源由于偏振投影和极化滤波产生的50%效率损失的问题。
(二)技术方案
本公开提供了一种椭圆柱形光学微谐振腔,包括:腔体1,所述腔体1为椭圆柱形;第一布拉格反射镜2,所述第一布拉格反射镜2为与所述腔体1的端面相同的椭圆柱形,其一端面与所述腔体1的一端面连接;第二布拉格反射镜3,所述第二布拉格反射镜3为与所述腔体1的端面相同的椭圆柱形,其一端面与所述腔体1的另一端面连接。
可选的,所述腔体1中设有单光子源。
可选的,所述腔体1的厚度为所述单光子源产生的单光子的二分之一波长的整数倍。
可选的,所述第一布拉格反射镜2包括的多层结构中的每层结构的厚度均为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。
可选的,所述第二布拉格反射镜3包括的多层结构中的每层结构的厚度均为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。
可选的,所述第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜3均为包含了两种折射率不同的光学材料组成的多层结构,其中,所述多层结构由所述两种折射率不同的光学材料交替叠加构成,且每层结构所在平面均平行于所述第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜3的端面。
可选的,所述两种折射率不同的光学材料为砷化铝和砷化镓。
本公开另一方面提供了一种椭圆柱形光学微谐振腔制备方法,应用于制作如第一方面所述的椭圆柱形光学微谐振腔,包括:在基底上使用两种折射率不同的光学材料交替生长薄膜,形成由所述两种光学材料交替叠加而成的多层结构,其中,所述多层结构中包括一层平行于各层薄膜所在平面的空腔层;在所述多层结构的一端制作椭圆形光刻胶掩模;根据所述光刻胶掩模的形状,延所述多层结构的垂直方向进行刻蚀,得到所述椭圆柱形光学微谐振腔。
可选的,所述空腔层中设有单光子源。
可选的,所述空腔层的厚度为所述单光子源产生的单光子的二分之一波长,所述多层结构中的其他单层薄膜的厚度为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。
(三)有益效果
本公开提供了一种椭圆柱光学微谐振腔,可使腔体1中的单光子源简并的极化模式劈裂为水平和正交两个垂直模式,同时,微谐振腔的腔膜也会劈裂为波长不同的水平偏振模式以及垂直偏振模式。当使用偏振为垂直方向但波长与椭圆柱微谐振腔水平偏振模式相同的激发光从椭圆柱顶部向下激发单光子源时,单光子源产生偏振为水平方向且波长与椭圆柱微谐振腔水平偏振模式相同的单光子,再采用水平偏振的极化片滤除激发光,便不会由于极化滤波产生的50%效率损失,同时,由于产生的单光子已是单极化,不需要再次投影,也解决了投影所带来的效率损失。
附图说明
图1是本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔的三维示意图;
图2是本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔的截面图;
图3是本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔的俯视图;
图4是本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔的光学原理图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
图1示意性示出了本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔,图2示意性示出了本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔的截面图。
如图1示,本公开实施例提供的一种椭圆柱形光学微谐振腔,包括:腔体1,腔体1为椭圆柱形;第一布拉格反射镜2,第一布拉格反射镜2为与腔体1的端面相同的椭圆柱形,其一端面与腔体1的一端面连接;第二布拉格反射镜3,第二布拉格反射镜3为与腔体1的端面相同的椭圆柱形,其一端面与腔体1的另一端面连接。腔体1中设有单光子源,单光子源即量子点。参阅图2,其中,a为椭圆柱形腔体截面的半长轴,b为椭圆柱形腔体截面的半短轴,图中的矩形表示基底。
其中,第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜3均为包含了两种折射率不同的光学材料组成的多层结构,其中,多层结构由两种折射率不同的光学材料交替叠加构成,且每层结构所在平面均平行于第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜3的端面。
可选的,两种折射率不同的光学材料为砷化铝和砷化镓。
在本公开实施例中,腔体1的厚度为单光子源产生的单光子的二分之一波长的整数倍。第一布拉格反射镜2包括的多层结构中的每层结构的厚度均为单光子源产生的单光子的四分之一波长。第二布拉格反射镜3包括的多层结构中的每层结构的厚度均为单光子源产生的单光子的四分之一波长。
图3示意性是除了本公开实施例提供的一种椭圆柱光学微谐振腔的俯视图,如图3所示,d为腔体1厚度,e、f为构成第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜3的多层结构的两种光学材料各层的厚度,最下方的矩形为基底。
如图4所示,在本公开实施例中,椭圆柱光学微谐振腔可使腔体1中的单光子源简并的极化模式劈裂为水平和正交两个垂直模式,同时,微谐振腔的腔膜也会劈裂为波长不同的水平偏振模式以及垂直偏振模式。当使用偏振为垂直方向但波长与椭圆柱微谐振腔水平偏振模式相同的激发光从椭圆柱顶部向下激发单光子源时,单光子源产生偏振为水平方向且波长与椭圆柱微谐振腔水平偏振模式相同的单光子,再采用水平偏振的极化片滤除激发光,便不会由于极化滤波产生的50%效率损失,同时,由于产生的单光子已是单极化,不需要再次投影,也解决了投影所带来的效率损失。本公开提供的这种椭圆柱光学微谐振腔,能够有效减少单光子损耗,提高单光子源收集效率。
示意性的,第一布拉格反射镜2长轴长度可以为2.1微米,短轴长度可以为1.4微米,由15对厚度为四分之一波长的铝砷/镓砷材料周期组合而成;第二布拉格反射镜3长轴长度可以为2.1微米,短轴长度可以为1.4微米,由25.5对厚度为四分之一波长的铝砷/镓砷材料周期组合而成。
需要说明的是,为了满足实际需要,可通过合理设计椭圆柱光学微谐振腔的椭圆形截面的椭偏率及尺寸,以获得最佳的劈裂大小、激发效率以及单光子收集效率。
本公开实施例提供的椭圆柱光学谐振腔的水平、垂直偏振模式品质因子分别可达到5016、4075,极化度分别可达到99.7%、99.6%。由于椭圆柱光学谐振腔使得单光子源产生的所有单光子偏振方向均与激发光偏振方向垂直,采用与单光子偏振方向相同的滤波片滤去激发光后,不会造成单光子损耗,同时,由于单光子源产生的单光子为单一偏振,在后续的量子光学方案中也不再需要进行偏振投影也减小了损耗。在76兆赫兹派脉冲的共振激光激发下,76%效率的超导探测器目前能探测到基于椭圆柱微谐振腔的单光子源产生的13.7兆赫兹单光子。
本公开还提供了一种椭圆柱形光学微谐振腔制备方法,应用于制作图1的椭圆柱形光学微谐振腔,包括S1~S3。
S1,在基底上使用两种折射率不同的光学材料交替生长薄膜,形成由两种光学材料交替叠加而成的多层结构,其中,多层结构中包括一层平行于各层薄膜所在平面的空腔层。
在该步骤中,形成的空腔层在经过步骤S3后,即为椭圆柱形光学微谐振腔中的腔体1,腔体1两侧的多层结构,即分别为第一布拉格反射镜2和第二布拉格反射镜3。
S2,在多层结构的一端制作椭圆形光刻胶掩模。
制作椭圆形光刻胶掩模,便于步骤S3中根据该椭圆形光刻胶掩模将各多层结构刻蚀形成椭圆柱形。
S3,根据光刻胶掩模的形状,延多层结构的垂直方向进行刻蚀,得到椭圆柱形光学微谐振腔。
在本公开实施例中,所述空腔层中设有单光子源。所述空腔层的厚度为所述单光子源产生的单光子的二分之一波长,所述多层结构中的其他单层薄膜的厚度为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。当使用偏振为垂直方向但波长与椭圆柱微谐振腔水平偏振模式相同的激发光从椭圆柱顶部向下激发单光子源时,产生的单光子的效果与上述椭圆柱形光学微谐振腔的效果相同,在此不作赘述。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,包括:
腔体(1),所述腔体(1)为椭圆柱形;
第一布拉格反射镜(2),所述第一布拉格反射镜(2)为与所述腔体(1)的端面相同的椭圆柱形,其一端面与所述腔体(1)的一端面连接;
第二布拉格反射镜(3),所述第二布拉格反射镜(3)为与所述腔体(1)的端面相同的椭圆柱形,其一端面与所述腔体(1)的另一端面连接。
2.根据权利要求1所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,所述腔体(1)中设有单光子源。
3.根据权利要求2所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,所述腔体(1)的厚度为所述单光子源产生的单光子的二分之一波长的整数倍。
4.根据权利要求1所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,所述第一布拉格反射镜(2)和第二布拉格反射镜(3)均为包含了两种折射率不同的光学材料组成的多层结构,其中,所述多层结构由所述两种折射率不同的光学材料交替叠加构成,且每层结构所在平面均平行于所述第一布拉格反射镜(2)和第二布拉格反射镜(3)的端面。
5.根据权利要求4所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,所述第一布拉格反射镜(2)包括的多层结构中的每层结构的厚度均为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。
6.根据权利要求4所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,所述第二布拉格反射镜(3)包括的多层结构中的每层结构的厚度均为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。
7.根据权利要求4所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,所述两种折射率不同的光学材料为砷化铝和砷化镓。
8.一种椭圆柱形光学微谐振腔制备方法,应用于制作如权1~7所述的椭圆柱形光学微谐振腔,其特征在于,包括:
在基底上使用两种折射率不同的光学材料交替生长薄膜,形成由所述两种光学材料交替叠加而成的多层结构,其中,所述多层结构中包括一层平行于各层薄膜所在平面的空腔层;
在所述多层结构的一端制作椭圆形光刻胶掩模;
根据所述光刻胶掩模的形状,延所述多层结构的垂直方向进行刻蚀,得到所述椭圆柱形光学微谐振腔。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述空腔层中设有单光子源。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述空腔层的厚度为所述单光子源产生的单光子的二分之一波长,所述多层结构中的其他单层薄膜的厚度为所述单光子源产生的单光子的四分之一波长。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011342272.1A CN114552349A (zh) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011342272.1A CN114552349A (zh) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114552349A true CN114552349A (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=81660395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011342272.1A Pending CN114552349A (zh) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114552349A (zh) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6134257A (en) * | 1998-04-21 | 2000-10-17 | Lucent Technologies Inc. | Solid state laser for operation in librational modes |
JP2001274505A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US20030152228A1 (en) * | 2000-05-29 | 2003-08-14 | Jean-Michel Gerard | Single photon source based on transmitters with selectively distributed frequencies |
US20040008948A1 (en) * | 1999-05-21 | 2004-01-15 | Mee-Koy Chin | Oval resonator device |
JP2004119831A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 垂直共振器型面発光レーザ素子 |
US20070248125A1 (en) * | 2004-10-22 | 2007-10-25 | Sony Corporation | Surface emitting laser diode |
CN101772867A (zh) * | 2007-07-30 | 2010-07-07 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 微谐振器系统及其制造方法 |
US20100289408A1 (en) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | John Madey | Single photon source |
CN104767120A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-07-08 | 长春理工大学 | 环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器 |
EP3032742A2 (fr) * | 2014-12-10 | 2016-06-15 | Sasu Frec'n'sys | Dispositif de capteur à ondes élastiques de surface interrogeable à distance |
CN105790069A (zh) * | 2015-07-08 | 2016-07-20 | 长春理工大学 | 一种椭圆环形窗口半导体激光器 |
CN111948754A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-11-17 | 华中科技大学 | 一种集成滤波器件及其应用 |
CN213660859U (zh) * | 2020-11-24 | 2021-07-09 | 中国科学技术大学 | 椭圆柱形光学微谐振腔 |
-
2020
- 2020-11-24 CN CN202011342272.1A patent/CN114552349A/zh active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6134257A (en) * | 1998-04-21 | 2000-10-17 | Lucent Technologies Inc. | Solid state laser for operation in librational modes |
US20040008948A1 (en) * | 1999-05-21 | 2004-01-15 | Mee-Koy Chin | Oval resonator device |
JP2001274505A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
US20030152228A1 (en) * | 2000-05-29 | 2003-08-14 | Jean-Michel Gerard | Single photon source based on transmitters with selectively distributed frequencies |
JP2004119831A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | 垂直共振器型面発光レーザ素子 |
US20070248125A1 (en) * | 2004-10-22 | 2007-10-25 | Sony Corporation | Surface emitting laser diode |
CN101772867A (zh) * | 2007-07-30 | 2010-07-07 | 惠普发展公司,有限责任合伙企业 | 微谐振器系统及其制造方法 |
US20100289408A1 (en) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | John Madey | Single photon source |
EP3032742A2 (fr) * | 2014-12-10 | 2016-06-15 | Sasu Frec'n'sys | Dispositif de capteur à ondes élastiques de surface interrogeable à distance |
CN104767120A (zh) * | 2015-03-16 | 2015-07-08 | 长春理工大学 | 环形结构上分布布拉格反射镜垂直腔面发射半导体激光器 |
CN105790069A (zh) * | 2015-07-08 | 2016-07-20 | 长春理工大学 | 一种椭圆环形窗口半导体激光器 |
CN111948754A (zh) * | 2020-07-23 | 2020-11-17 | 华中科技大学 | 一种集成滤波器件及其应用 |
CN213660859U (zh) * | 2020-11-24 | 2021-07-09 | 中国科学技术大学 | 椭圆柱形光学微谐振腔 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100454697C (zh) | 垂直腔面发射激光器 | |
Zhou et al. | Progress in 2D photonic crystal Fano resonance photonics | |
US7539226B2 (en) | Optical element, method for manufacturing optical element and semiconductor laser device using the optical element | |
US6534798B1 (en) | Surface plasmon enhanced light emitting diode and method of operation for the same | |
US20050207717A1 (en) | Three-dimensional periodic structure and functional element including the same | |
CN109073815B (zh) | 光学元件 | |
CN213660859U (zh) | 椭圆柱形光学微谐振腔 | |
JP2007148365A (ja) | 3次元フォトニック結晶及びそれを用いた機能素子 | |
US7680382B2 (en) | Method for fabricating three-dimensional photonic crystal | |
JP3979146B2 (ja) | 1次元フォトニック結晶を用いた光学素子およびそれを用いた光学装置 | |
CN114552349A (zh) | 椭圆柱形光学微谐振腔及椭圆柱形光学微谐振腔制备方法 | |
Yin et al. | Observation of unidirectional bound states in the continuum enabled by topological defects | |
JP4689355B2 (ja) | 周期構造体及び周期構造体による光素子 | |
CN103222136B (zh) | 偏振稳定的表面发射激光二极管 | |
Wang et al. | Circular GaN membrane gratings | |
CN213660860U (zh) | 一种开放式椭球面光学共振腔 | |
US9780532B1 (en) | Vertical external cavity surface emitting laser utilizing an external micromirror array | |
US11520104B2 (en) | Robust conjugated-symmetric optical apparatus and design method thereof | |
US11747558B2 (en) | Photonic crystal optical resonator | |
Awasthi et al. | Wide-angle broadband plate polarizer with 1D photonic crystal | |
WO2015124216A1 (en) | Grating mirror | |
Shi et al. | Guided-mode resonances in GaN membrane grating | |
Scheuer et al. | Annular Bragg defect mode resonators | |
JPH0567838A (ja) | 面発光レ―ザ | |
Yin et al. | Observation of Unidirectional Bound States in the Continuum |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Application publication date: 20220527 Assignee: QUANTUMCTEK Co.,Ltd. Assignor: University of Science and Technology of China Contract record no.: X2021340000027 Denomination of invention: Elliptical cylindrical optical micro resonant cavity and its preparation method License type: Common License Record date: 20211026 |
|
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |