CN114549527B - 晶圆检测方法及产品 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种晶圆检测方法、计算装置和计算机可读存储介质。该晶圆检测方法包括：获取从晶圆的背面采集的第一图像和第二图像，其中所述第一图像为所述晶圆的芯粒背面分布图，所述第二图像为所述晶圆的背面外观图；获取从所述晶圆的正面采集的第三图像，所述第三图像为所述晶圆的芯粒正面图；以及根据所述第一图像和所述第三图像所指示的芯粒位置，将所述第二图像上检测到的缺陷定位至所述第三图像上的芯粒。本申请的方案可以将晶圆背面的外观检测结果定位到晶圆正面的芯粒，从而解决晶圆背面无图案，检测出来的缺陷无法定位的问题。

Description

晶圆检测方法及产品

技术领域

本申请涉及半导体制造设备领域。具体地，涉及一种晶圆检测方法、计算装置和计算机可读存储介质。

背景技术

本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述可包括可以探究的概念，但不一定是之前已经想到或者已经探究的概念。因此，除非在此指出，否则在本部分中描述的内容对于本申请的说明书和权利要求书而言不是现有技术，并且并不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

各类电子设备都依赖于芯片所提供的逻辑计算、存储和传感能力。每一颗芯片的核心都是晶片，由多种规格的晶圆切割而成。晶圆本身存在良率问题，晶圆表面也可能存在各类缺陷。为了防止存在缺陷的晶片流入后道封装工序，需借助光学检测设备识别晶圆表面缺陷并分类、标记，辅助晶片分拣。在检测过程中，如何做到晶圆的正面及背面精准定位也非常重要。

对于蓝宝石上生长的GaAs或GaN的晶圆正面（即芯粒所在的表面）和背面（即与正面相对的表面）外观检测，已知的一种方案是通过不同的视觉系统进行检测，然后输出不同的检测结果。这种检测方式，晶圆背面的检测结果不能定位到具体的芯粒，不利于分析缺陷，导致制程的改善不能有直观的对比效果。此外，不同的视觉系统也意味着高成本和低效率。

另一种方案（CN112858325A）是利用具有双扫描探测模块的检测系统同时对晶圆的正面和背面进行检测，并根据正面和背面的坐标校准系统，来实现晶圆正面和背面的对准。然而，这种检测方案对检测系统的机械精度要求很高，从而导致检测成本很高。

为此，亟需找到一种快速、准确、低成本的晶圆检测方法，其能够很好地对准晶圆正面和背面。

发明内容

为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本申请在多个方面中提出了晶圆检测方案。通过本申请的晶圆检测方案，可以快速、准确地将晶圆背面的缺陷定位到晶圆正面的芯粒。

在第一方面中，本申请提供了一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取从晶圆的背面采集的第一图像和第二图像，其中所述第一图像为所述晶圆的芯粒背面分布图，所述第二图像为所述晶圆的背面外观图；获取从所述晶圆的正面采集的第三图像，所述第三图像为所述晶圆的芯粒正面图；以及根据所述第一图像和所述第三图像所指示的芯粒位置，将所述第二图像上检测到的缺陷定位至所述第三图像上的芯粒。

在一些实施例中，所述获取从晶圆的背面采集的第一图像包括：从所述晶圆的背面，透过所述晶圆的衬底层，聚焦至所述衬底层后面的层，以采集所述第一图像，所述衬底层为透明性材质。

在一些实施例中，所述获取从晶圆的背面采集的第二图像包括：从所述晶圆的背面，聚焦至所述晶圆的衬底层的表面层，以采集所述第二图像。

在一些实施例中，采集所述第一图像所使用的显微镜头的放大倍率低于采集所述第二图像所使用的显微镜头的放大倍率；和/或采集所述第一图像所使用的显微镜头的景深大于采集所述第二图像所使用的显微镜头的景深。

在一些实施例中，获取从晶圆的背面采集的第一图像和第二图像包括：利用自动聚焦系统，分别聚焦到所述衬底层后面的层和所述衬底层的表面层，以采集所述第一图像和第二图像，并且采集所述第一图像和第二图像时相机的方位相同。

在一些实施例中，所述根据所述第一图像和所述第三图像所指示的芯粒位置，将所述第二图像上检测到的缺陷定位至所述第三图像上的芯粒包括：通过物理坐标转换，将所述第一图像与所述第二图像合并以生成第一合并图；以及通过坐标系转换，将所述第一合并图与所述第三图像转换至同一坐标系并合并，以生成第二合并图，在所述第二合并图上，所述晶圆的背面外观图上检测到的缺陷定位至所述晶圆正面对应的芯粒。

在一些实施例中，所述物理坐标转换包括坐标缩放，所述坐标系转换包括坐标系翻转。

在一些实施例中，所述方法还包括：根据所述第一图像，检测所述第一图像所拍摄的层上的缺陷。

在第二方面中，本申请还提供了一种计算装置，包括处理器和存储器，所述存储器配置用于存储计算机程序，所述处理器配置用于执行所述计算机程序以实施根据本申请第一方面任一实施例所述的晶圆检测方法。

在第三方面中，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算装置的处理器处执行时，使得所述处理器执行根据本申请第一方面任一实施例所述的晶圆检测方法。

根据如上所提供的晶圆检测方法、计算装置和计算机可读存储介质，本申请的检测方案借助于从晶圆背面采集的芯粒背面分布图，可以将同样从晶圆背面采集的背面外观图上检测到的缺陷定位至晶圆正面的芯粒。此方案能够快速、准确地将晶圆背面的缺陷定位到晶圆正面的芯粒，而无需高精度的机械对准，由此降低了检测成本。本申请的检测方案可以使用自动聚焦系统来实现，通过分层聚焦来采集芯粒背面分布图和晶圆背面外观图。在一些实施例中，对于多层的晶圆结构，还可以检测中间层上的缺陷。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：

图1示出了示例性的晶圆结构；

图2示出根据本申请实施例的晶圆检测方法的示例性流程；

图3示出根据本申请实施例的图像处理示意图；

图4示出可以实施本申请实施例的晶圆检测方案的检测系统的局部示意图；

图5示出可以实施本申请实施例的晶圆检测方法的计算装置的硬件配置的框图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应当理解，本申请的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定本申请。如在本申请说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本申请说明书和权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

如在本说明书和权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当... 时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

图1示出了示例性的晶圆结构。

图1中（a）示出了晶圆的一个示例性剖面结构110。在此示例中，晶圆包括两层结构，位于底部的衬底层111和位于衬底层111上的芯粒层112。衬底层111可以由各种透明材质构成，包括但不限于蓝宝石、SiC碳化硅等化合物。芯粒层112是在衬底层上生长的诸如GaAs、GaN等材料的芯粒。芯粒层112是晶圆的正面表面上占大部分面积的微芯片掩膜。

图1中（b）示出了晶圆的另一示例性剖面结构120。在此示例中，晶圆包括三层结构，位于底部的衬底层121，位于衬底层121上的芯粒层122，以及位于衬底层121与芯粒层122之间的中间层123。衬底层121和芯粒层122与图1的（a）中的示例类似。中间层123可能由各种材质构成。在一个示例中，中间层123可以是透明胶层。可以理解，中间层123本身也可以是个多层结构，本申请实施例在此方面没有限制。

图1中（c）示出了晶圆的正面外观图像130。从正面外观图像130中可以看到，晶圆正面表面上分布了大量的芯粒，如网格图案所示。此正面外观图像130可以对应于图1中（a）和（b）所示晶圆的芯粒层112和122的上表面。在晶圆外观缺陷检测中，可以通过采集晶圆的正面外观图来检测晶圆正面芯粒上可能存在的缺陷。这些缺陷包括但不限于表面冗余物（颗粒、污染物等）、晶体缺陷（滑移线缺陷等）、机械损伤（划痕）、图案缺陷等。图中示意性示出了晶圆表面可能存在的颗粒131和污染物132。

图1中（d）示出了晶圆的背面外观图像140。从背面外观图像140中可以看到，晶圆的背面光滑无图案。此背面外观图像140可以对应于图1中（a）和（b）所示晶圆的衬底层111和121的底表面。与晶圆正面类似地，晶圆背面同样可能存在各种缺陷。图中示意性示出了晶圆背面可能存在的污染物141。

为了防止存在缺陷的晶片流入后面的工序，必须进行严格的检测，包括晶圆正面缺陷检测和晶圆背面缺陷检测。检测中存在缺陷或不合格的芯粒需要标识出。然而，从图1中（d）可以看出，当要对晶圆背面的缺陷进行检测时，由于背面外观没有图案，因此很难将晶圆背面的缺陷定位到晶圆正面的芯粒上。

如背景技术中所提到的，当前的解决方案要么定位精度欠佳，要么对仪器的机械精度要求很高，从而导致高成本检测。

本申请实施例提供了一种快速、准确且低成本的检测方案，其利用当前普遍采用的化合物半导体晶圆具有透明衬底的特性，直接从晶圆背面获得芯粒分布图，从而可以将同样从晶圆背面采集的背面外观图映射到晶圆正面的芯粒外观图上，由此可以快速、准确地将背面缺陷定位到正面芯粒上。该检测方案对检测系统的机械精度要求不高，因而不会增加成本。

下面结合流程图来详细描述本申请实施例的晶圆检测方案。

图2示出根据本申请实施例的晶圆检测方法的示例性流程。

如图所示，首先在步骤210中，获取从晶圆的背面采集的第一图像和第二图像，其中第一图像为晶圆的芯粒背面分布图，第二图像为晶圆的背面外观图。由于晶圆具有透明衬底，因此可以通过调整焦点的方式来采集所需要的图像。

在一个实施例中，从晶圆的背面，透过晶圆的衬底层，聚焦至衬底层后面的层，以采集第一图像。

在一个示例中，从图1的（a）示出的晶圆结构可以看出，当晶圆是两层结构时，聚焦至衬底层后面的层，也即聚焦至芯粒层的背面。芯粒层的背面同样会存在芯粒分布图，反映芯粒的具体位置。因此，第一图像提供了芯粒位置信息，可以用于辅助晶圆背面缺陷到具体芯粒的定位。

在另一示例中，从图1的（b）示出的晶圆结构可以看出，当晶圆是三层结构时，聚焦至衬底层后面的层，可以是聚焦至中间层的背面。由于中间层的透明性质，在此处采集的图像同样会存在芯粒分布图，反映芯粒的具体位置。因此，即使未直接对芯粒层的背面采集图像，此中间层的图像也可以用于辅助晶圆背面缺陷到芯粒的定位。

在一个实施例中，从晶圆的背面，聚焦至晶圆的衬底层的表面层，以采集第二图像。此第二图像呈现晶圆的背面外观，以供检测晶圆背面的缺陷。例如，第二图像可以是图1的（a）和（b）所示晶圆的衬底层111和121的底表面的图像，也即图1中（d）所示的背面外观图像。

采集第一图像和第二图像的这种分层聚焦方式可以利用自动聚焦系统来实施。

在一些实施例中，利用自动聚焦系统，分别聚焦到衬底层后面的层和衬底层的表面层，以采集第一图像和第二图像。进一步地，采集第一图像和第二图像时相机的方位相同，由此第一图像和第二图像可以对应晶圆背面相同的方位。

在一些实施例中，根据第一图像和第二图像的用途，可以相应地调整采集图像所用的视觉系统。例如，采集第一图像所使用的显微镜头的放大倍率可以低于采集第二图像所使用的显微镜头的放大倍率；和/或采集第一图像所使用的显微镜头的景深可以大于采集第二图像所使用的显微镜头的景深。由于第一图像的主要作用在于定位出芯粒的位置，并且第一图像的焦点相比第二图像而言更远一些，因此可以采用低倍率大景深的显微镜头。而第二图像需要用于检测晶圆背面的表面缺陷，并且第二图像的焦点就在晶圆背面最外表面层，因此可以采用高倍率小景深的显微镜。

继续图2，在步骤220中，获取从晶圆的正面采集的第三图像，该第三图像为晶圆的芯粒正面图。

在一个实施例中，从晶圆的正面，聚焦至晶圆的芯粒层的表面层，以采集第三图像。此第三图像呈现晶圆的正面外观，以供检测晶圆正面的缺陷。例如，第三图像可以是图1的（a）和（b）所示晶圆的芯粒层112和122的上表面的图像，也即图1中（c）所示的正面外观图像。

由于第三图像需要用于检测晶圆正面的表面缺陷，并且第三图像的焦点就在晶圆正面最外表面层，因此可以采用高倍率小景深的显微镜。

接着，在步骤230中，根据第一图像和第三图像所指示的芯粒位置，将第二图像上检测到的缺陷定位至第三图像上的芯粒。

由于第一图像和第三图像均能展示芯粒分布图，其中第一图像是芯粒背面分布图，第三图像是芯粒正面分布图，因此，通过第一图像和第三图像的芯粒分布，可以将二者图像上的芯粒相对应。进一步地，由于第一图像和第二图像均是从晶圆背面采集的图像，因此，第一图像和第二图像本身可以相互对应。由此，可以第二图像上检测到的晶圆背面的表面缺陷定位至第三图像上的晶圆正面的芯粒。

在一些实施例中，晶圆背面的缺陷到晶圆正面的芯粒的定位可以包括：通过物理坐标转换，将第一图像与第二图像合并以生成第一合并图；以及通过坐标系转换，将第一合并图与第三图像转换至同一坐标系并合并，以生成第二合并图。在第二合并图上，晶圆的背面外观图上检测到的缺陷可以定位至晶圆正面对应的芯粒。

由于第一图像与第二图像均是从晶圆背面采集的，并且优选地，采集这两个图像时相机的方位是相同的，因此，第一图像与第二图像的坐标系是一致的。二者采集时的放大倍率可能存在差异，此时可以进行物理坐标转换，以将两个图像合并。此处的“物理坐标”是相对于“像素坐标”而言，它是物体实际的坐标大小。例如，在一个100×100的坐标纸上，假设一个晶圆大小是50×50，则不管采集图像时所使用的放大倍率是多少，该晶圆所占据的物理坐标始终是50×50，像素坐标则会依据放大倍率而不同。因此，物理坐标转换可以包括坐标缩放。

当将第一图像与第二图像合成的第一合并图与第三图像进行合并时，由于第一合并图对应于晶圆背面，而第三图像对应于晶圆正面，因此需要进行坐标系转换。此时，坐标系转换至少包括坐标系翻转。

进一步地，由于第一图像和第三图像均能展示芯粒分布图，第一合并图与第三图像之间的坐标系转换可以借助于二者图像上的芯粒来定位，因此，本申请实施例中，无需严格要求晶圆正面采集与晶圆背面采集时机械位置的对准精度，而是可以根据两个图像上的芯粒位置来对准。因此，在一些情况下，上述坐标系转换还可能包括坐标系平移、旋转等。

可以理解，当采集第三图像的放大倍率与第一合并图的放大倍率（通常设为第二图像的放大倍率）不一致时，上述坐标系转换还可以包括坐标系缩放。具体的坐标系翻转、平移、旋转或缩放等方式可以采用本领域已知的各种转换方式来实现，本申请在此方面没有限制。

由此，通过一系列的坐标和坐标系转换，可以将晶圆的背面外观检测图合并到晶圆的正面外观检测图上，从而可以清楚地确定背面缺陷所对应的正面芯粒，方便后续的处理。上述处理方案无需精确的机械对准，降低了成本。

图3示出了根据本申请实施例的图像处理示意图。

如图所示，第一图像310为从晶圆的背面采集的芯粒背面分布图，其例如可以采用第一放大倍率。可以看出，第一图像310上具有网格图案，这些网格对应芯粒的背面，因此能够定位芯粒。

第二图像320为从晶圆的背面采集的芯粒背面外观图，其例如可以采用第二放大倍率。可以看出，第二图像320是没有图案的，上面能够显示检测到的表面缺陷，例如污染物321。

鉴于第一图像和第二图像都是从晶圆的背面采集的，并且优选从同一方位采集，因此第一图像和第二图像的坐标系是一致的，只是可能存在尺度的缩放。例如，在上面的示例中，假设第一放大倍率是5倍，第二放大倍率是10倍，则可以将第一图像的分辨率调整为与第二图像一致，然后进行合并。可以理解，若第一图像和第二图像的放大倍率相同，则两个图像可以直接叠加进行合并。图3中示例性示出了第一图像与第二图像合并后的第一合并图像330。

第三图像340为从晶圆的正面采集的芯粒正面外观图，其例如可以采用第三放大倍率。可以看出，第三图像340上具有网格图案，这些网格对应芯粒的正面。第三图像340上还显示了一些芯粒缺陷，例如颗粒341和污染物342。

第一合并图像330与第三图像340合并，生成第二合并图像350。在此合并过程中，可以利用各个图像上的芯粒分布来确定相对位置，从而进行合并。例如，在上面的示例中，假设第三放大倍率也是10倍，则进行相应的坐标系翻转后，根据情况选择性进行坐标旋转等，即可将图像进行叠加合并。如图所示，第二合并图像350可以将晶圆正面与背面的外观缺陷同时显示在一幅 图像中，从而能直观地确定存在缺陷的芯粒，无论是正面缺陷还是背面缺陷。

通过本申请实施例的上述检测方案，可以快速、准确、低成本地同时检测出晶圆正面和背面的外观缺陷。

在一些实施例中，当晶圆包括不止两层结构（衬底层和芯粒层）时，还可以附加地对第一图像所采集的中间层上可能存在的缺陷进行检测。在这种情况下，在采集第一图像时也可以使用较高的倍率，以便清晰检测可能存在的缺陷。

上述检测方案可以采用高帧率相机（例如50帧/秒）、具备自动聚焦系统的镜筒，配合不同倍率的显微镜头来实施。通过利用不同倍率的镜头和自动聚焦系统进行分层聚焦成像，可以对不同层面的图像进行处理并最后将各个检测结果进行合并，得到直观的芯粒检测分布图。

图4示出可以实施本申请实施例的晶圆检测方案的检测系统的局部示意图。如图所示，在此示例中，可以使用转塔410，配置不同倍率的显微镜411，从而将不同的视觉系统纳入一套体系中。

在实施检测时，可以首先从晶圆背面采集第一和第二图像。例如通过转塔选择第一倍率的显微镜，通过配置自动对焦系统，先对焦到晶圆背面衬底层后面的层，采集第一图像后，利用转塔切换到第二倍率的显微镜，再次利用自动对焦系统对焦到晶圆背面衬底层的上表面，采集第二图像。接着，可以翻转晶圆，以对晶圆正面进行图像采集。利用转塔切换到第三倍率的显微镜，自动对焦至晶圆正面芯粒层上表面，采集第三图像。

本领域技术人员可以理解，采集第一、第二和第三图像的顺序可以调整。例如，也可以先从正面采集第三图像，然后翻转晶圆后，从背面采集第一和第二图像。在晶圆载台的正反面都配置有采集系统的情况下，可以同时从晶圆的正面和背面采集图像。尽管如此，在应用本申请实施例的检测方案时，对于正反面均配置采集系统的场景，不要求采集系统的精确对准，从而降低了对系统的机械精度要求，由此降低了成本。

自动对焦系统可以使用当前已知的各种显微镜自动对焦技术。在一些实施例中，例如可以使用信号反馈的方式测量晶圆各层的高度，然后将各个层面高度提供给自动对焦系统进行对焦。在另一些实施例中，可以由自动对焦系统实时检测进行对焦。

图5示出可以实施本申请实施例的晶圆检测方法的计算装置的硬件配置的框图。

如图所示，计算装置500可以包括处理器510和存储器520。在图5的计算装置500中，仅示出了与本实施例有关的组成元素。因此，对于本领域普通技术人员而言显而易见的是：计算装置500还可以包括与图5中所示的组成元素不同的常见组成元素，例如显示器。

计算装置500可以对应于具有各种处理功能的计算设备。例如，计算装置500可以被实现为各种类型的设备，例如个人计算机（PC）、服务器设备、移动设备等。

处理器510可以控制计算装置500的操作。例如，处理器510通过执行计算装置500上的存储器520中存储的程序，来控制计算装置500的操作。处理器510可以由计算装置500中提供的中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、应用处理器(AP)、人工智能处理器芯片（IPU）等来实现。然而，本申请不限于此。在本实施方式中，处理器510可以按任何适当的方式实现。例如，处理器510可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该（微）处理器执行的计算机可读程序代码（例如软件或固件）的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路（Application Specific Integrated Circuit，ASIC）、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式等等。

存储器520可以用于存储计算装置500中处理的各种数据、指令的硬件。例如，存储器520可以存储计算装置500中的处理过的数据和待处理的数据。存储器520可存储处理器510已处理或要处理的数据集，例如，待处理的图像、合并后的图像等。此外，存储器520可以存储要由计算装置500驱动的应用、驱动程序等。例如：存储器520可以存储与将由处理器510执行的图像处理等有关的各种程序。存储器520可以是DRAM，但是本申请不限于此。存储器520可以包括易失性存储器或非易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM (FRAM)等。易失性存储器可以包括动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步DRAM(SDRAM)、 PRAM、MRAM、RRAM、铁电RAM(FeRAM)等。在实施例中，存储器520可以包括硬盘驱动器(HDD)、固态驱动器(SSD)、高密度闪存(CF)、安全数字(SD)卡、微安全数字(Micro-SD)卡、迷你安全数字(Mini-SD)卡、极限数字(xD)卡、高速缓存（caches）或记忆棒中的至少一项。

综上，本说明书实施方式提供的计算装置500的存储器520和处理器510实现的具体功能，可以与本说明书中的前述实施方式相对照解释，并能够达到前述实施方式的技术效果，这里便不再赘述。

本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，当该计算机程序在计算装置的处理器处执行时，使得该处理器执行前面本申请各实施例所描述的晶圆检测方法。

需要说明的是，为了简明的目的，本申请将一些方法及其实施例表述为一系列的动作及其组合，但是本领域技术人员可以理解本申请的方案并不受所描述的动作的顺序限制。因此，依据本申请的公开或教导，本领域技术人员可以理解其中的某些步骤可以采用其他顺序来执行或者同时执行。进一步，本领域技术人员可以理解本申请所描述的实施例可以视为可选实施例，即其中所涉及的动作或模块对于本申请某个或某些方案的实现并不一定是必需的。另外，根据方案的不同，本申请对一些实施例的描述也各有侧重。鉴于此，本领域技术人员可以理解本申请某个实施例中没有详述的部分，也可以参见其他实施例的相关描述。

在具体实现方面，基于本申请的公开和教导，本领域技术人员可以理解本申请所公开的若干实施例也可以通过本文未公开的其他方式来实现。例如，就前文所述的电子设备或装置实施例中的各个单元来说，本文在考虑了逻辑功能的基础上对其进行划分，而实际实现时也可以有另外的划分方式。又例如，可以将多个单元或组件结合或者集成到另一个系统，或者对单元或组件中的一些特征或功能进行选择性地禁用。就不同单元或组件之间的连接关系而言，前文结合附图所讨论的连接可以是单元或组件之间的直接或间接耦合。在一些场景中，前述的直接或间接耦合涉及利用接口的通信连接，其中通信接口可以支持电性、光学、声学、磁性或其它形式的信号传输。

在本申请中，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元示出的部件可以是或者也可以不是物理单元。前述部件或单元可以位于同一位置或者分布到多个网络单元上。另外，根据实际的需要，可以选择其中的部分或者全部单元来实现本申请实施例所述方案的目的。另外，在一些场景中，本申请实施例中的多个单元可以集成于一个单元中或者各个单元物理上单独存在。

在一些实现场景中，上述集成的单元可以采用软件程序模块的形式来实现。如果以软件程序模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，所述集成的单元可以存储在计算机可读取存储器中。基于此，当本申请的方案以软件产品（例如计算机可读存储介质）的形式体现时，该软件产品可以存储在存储器中，其可以包括若干指令用以使得计算机设备（例如个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本申请实施例所述方法的部分或全部步骤。前述的存储器可以包括但不限于U盘、闪存盘、只读存储器（Read Only Memory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory， RAM）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

在另外一些实现场景中，上述集成的单元也可以采用硬件的形式实现，即为具体的硬件电路，其可以包括数字电路和/或模拟电路等。电路的硬件结构的物理实现可以包括但不限于物理器件，而物理器件可以包括但不限于晶体管或忆阻器等器件。鉴于此，本文所述的各类装置（例如计算装置或其他处理装置）可以通过适当的硬件处理器来实现，例如CPU、GPU、FPGA、DSP和ASIC等。进一步，前述的所述存储单元或存储装置可以是任意适当的存储介质（包括磁存储介质或磁光存储介质等），其例如可以是可变电阻式存储器（Resistive Random Access Memory，RRAM）、动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）、静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）、增强动态随机存取存储器（Enhanced Dynamic Random Access Memory，EDRAM）、高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）、混合存储器立方体（Hybrid Memory Cube，HMC）、ROM和RAM等。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (9)

1.一种晶圆检测方法，所述晶圆具有透明衬底，其特征在于，所述方法包括：

获取从晶圆的背面采集的第一图像和第二图像，其中所述第一图像为所述晶圆的芯粒背面分布图，所述第二图像为所述晶圆的背面外观图；

获取从所述晶圆的正面采集的第三图像，所述第三图像为所述晶圆的芯粒正面图；以及

根据所述第一图像和所述第三图像所指示的芯粒位置之间的坐标关系，将所述第二图像上检测到的缺陷定位至所述第三图像上的芯粒，

其中获取从晶圆的背面采集的第一图像和第二图像包括：

利用自动聚焦系统，分别聚焦到所述晶圆的衬底层后面的层和所述衬底层的表面层，以采集所述第一图像和第二图像，并且采集所述第一图像和第二图像时相机的方位相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取从晶圆的背面采集的第一图像包括：

从所述晶圆的背面，透过所述晶圆的衬底层，聚焦至所述衬底层后面的层，以采集所述第一图像。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述获取从晶圆的背面采集的第二图像包括：

从所述晶圆的背面，聚焦至所述晶圆的衬底层的表面层，以采集所述第二图像。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

采集所述第一图像所使用的显微镜头的放大倍率低于采集所述第二图像所使用的显微镜头的放大倍率；和/或

采集所述第一图像所使用的显微镜头的景深大于采集所述第二图像所使用的显微镜头的景深。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一图像和所述第三图像所指示的芯粒位置，将所述第二图像上检测到的缺陷定位至所述第三图像上的芯粒包括：

通过物理坐标转换，将所述第一图像与所述第二图像合并以生成第一合并图；以及

通过坐标系转换，将所述第一合并图与所述第三图像转换至同一坐标系并合并，以生成第二合并图，在所述第二合并图上，所述晶圆的背面外观图上检测到的缺陷定位至所述晶圆正面对应的芯粒。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述物理坐标转换包括坐标缩放，所述坐标系转换包括坐标系翻转。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述第一图像，检测所述第一图像所拍摄的层上的缺陷。

8.一种计算装置，包括处理器和存储器，所述存储器配置用于存储计算机程序，所述处理器配置用于执行所述计算机程序以实施根据权利要求1-7任一所述的晶圆检测方法。

9.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算装置的处理器处执行时，使得所述处理器执行根据权利要求1-7任一所述的晶圆检测方法。

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