CN114513046A - 备用电源切换电路及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种备用电源切换电路及装置，该电路包括比较器和电源切换模块，比较器的负输入端与主电源连接，比较器的正输入端与备用电源连接，电源切换模块与比较器的输出端连接，电源切换模块还与主电源和备用电源连接；比较器用于监测主电源和上述备用电源的电源状态，并在主电源掉电时，输出电源切换信号；电源切换模块用于在接收到电源切换信号时，将芯片的供电电源由主电源切换至备用电源。通过比较器监测主电源的和备用电源的电源状态，并在主电源掉电时输出电源切换信号，电源切换模块在接收到电源切换信号时将芯片的供电电源切换至备用电源，解决了备用电源接入效率低的技术问题，提高了备用电源的接入效率，保证芯片能够连续工作。

Description

备用电源切换电路及装置

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种备用电源切换电路及装置。

背景技术

目前，在某些电子产品中，要求芯片连续工作，不能断电，因此常常给这些芯片接上一个后备电源，在主电源掉电后，后备电源能继续给芯片供电，保证芯片正常工作，一般芯片的工作电流较低，在极低电流的偏置下，芯片中的各种电路的响应时间就会变大，如果遇到外部电源剧烈变化，芯片内部的供电可能就会变得失控，导致芯片不能正常工作，因此如何在主电源掉电时提高备用电源的接入效率成为亟待解决的技术问题。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种备用电源切换电路及装置，旨在解决备用电源的接入效率低导致芯片无法连续工作的技术问题。

为实现上述目的，本发明提出一种备用电源切换电路，所述备用电源切换电路包括：比较器和电源切换模块，所述比较器的负输入端与主电源连接，所述比较器的正输入端与备用电源连接，所述电源切换模块与所述比较器的输出端连接，所述电源切换模块还与所述主电源和所述备用电源连接；

所述比较器，用于监测所述主电源和上述备用电源的电源状态，并在所述主电源掉电时，输出电源切换信号；

所述电源切换模块，用于在接收到所述电源切换信号时，将芯片的供电电源由所述主电源切换至所述备用电源。

可选地，所述电源切换模块包括反相器和备用供电单元，所述反相器的输入端与所述比较器的输出端连接，所述备用供电单元分别与所述比较器的输出端和所述反相器的输出端连接；

所述反相器，用于将所述电源切换信号转换为反相电源切换信号；

所述备用供电单元，用于根据所述电源切换信号和所述反相电源切换信号将芯片的供电电源由所述主电源切换至所述备用电源。

可选地，所述备用供电单元包括备用电平移位电路和备用电源开关，所述备用电平移位电路分别与所述比较器的输出端、所述反相器的输出端和所述主电源连接，所述备用电源开关分别与所述备用电平移位电路和所述备用电源连接；

所述备用电平移位电路，用于在接收到电源切换信号和反相电源切换信号时，输出备用电源开关导通信号；

所述备用电源开关，用于根据所述备用电源开关导通信号接入所述备用电源为所述芯片供电。

可选地，所述备用电平移位电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容；

所述第一NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第一电容的第二端连接，所述第二PMOS管的源极与所述主电源连接，所述第一PMOS管的源极分别与所述主电源和所述第一电容的第一端连接。

可选地，所述备用电源开关包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的栅极与所述第一电容的第二端连接，所述第三PMOS管的栅极还分别与所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的源极与所述备用电源连接，所述第三PMOS管的漏极为供电端。

可选地，所述电源切换模块还包括主供电单元，所述主供电单元分别与所述比较器的输出端和所述反相器的输出端连接；

所述比较器，还用于在所述主电源正常工作时，输出主电源供电信号；

所述反相器，还用于将所述主电源供电信号转换为反相主电源供电信号；

所述主供电单元，用于根据所述主电源供电信号和所述反相主电源供电信号接入所述主电源为所述芯片供电。

可选地，所述主供电单元包括主电平移位电路和主电源开关，所述主电平移位电路分别与所述比较器的输出端、所述反相器的输出端和所述备用电源连接，所述主电源开关分别与所述主电平移位电路和所述主电源连接；

所述主电平移位电路，用于在接收到主电源供电信号和反相主电源供电信号时，输出主电源开关导通信号；

所述主电源开关，用于根据所述主电源开关导通信号接入所述主电源为所述芯片供电。

可选地，所述主电平移位电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第二电容；

所述第三NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极分别与所述第四PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的漏极和所述第二电容的第二端连接，所述第四NMOS管的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极分别与所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极与所述备用电源连接，所述第五PMOS管的源极分别与所述备用电源和所述第二电容的第一端连接。

可选地，所述主电源开关包括第六PMOS管；

所述第六PMOS管的栅极与所述第二电容的第二端连接，所述第六PMOS管的栅极还分别与所述第五PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极连接，所述第六PMOS管的源极与所述主电源连接，所述第六PMOS管的漏极为供电端。

为实现上述目的，本发明还提出一种备用电源切换装置，所述备用电源切换装置包括如上文所述的备用电源切换电路。

本发明技术方案提出一种备用电源切换电路，所述备用电源切换电路包括：比较器和电源切换模块，所述比较器的负输入端与主电源连接，所述比较器的正输入端与备用电源连接，所述电源切换模块与所述比较器的输出端连接，所述电源切换模块还与所述主电源和所述备用电源连接；所述比较器，用于监测所述主电源和上述备用电源的电源状态，并在所述主电源掉电时，输出电源切换信号；所述电源切换模块，用于在接收到所述电源切换信号时，将芯片的供电电源由所述主电源切换至所述备用电源。由于本发明是通过比较器监测主电源的和备用电源的电源状态，并在主电源掉电时输出电源切换信号，电源切换模块在接收到电源切换信号时将芯片的供电电源切换至备用电源，解决了主电源掉电时备用电源接入效率低导致芯片无法连续工作的技术问题，提高了备用电源的接入效率，保证芯片能够连续工作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明备用电源切换电路第一实施例的功能模块图；

图2为本发明备用电源切换电路第二实施例的功能模块图；

图3为本发明备用电源切换电路一实施例的电路结构示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提出一种备用电源切换电路。

参照图1，在本发明实施例中，所述备用电源切换电路，包括比较器10和电源切换模块20，所述比较器10的负输入端与主电源VDD1连接，所述比较器10的正输入端与备用电源VDD2连接，所述电源切换模块20与所述比较器10的输出端连接，所述电源切换模块20还与所述主电源VDD1和所述备用电源VDD2连接；

所述比较器10，用于监测所述主电源VDD1和上述备用电源VDD2的电源状态，并在所述主电源VDD1掉电时，输出电源切换信号。

应该理解的是，电源状态可以是主电源与备用电源的工作状态，电源状态包括主电源和备用电源正常、主电源正常和备用电源异常、主电源异常和备用电源正常以及主电源和备用电源异常；电源切换信号可以是将芯片的供电电源由主电源切换至备用电源的信号。

可以理解的是，主电源VDD1的电压大于备用电源VDD2的电压；主电源VDD1与比较器10的负输入端连接，备用电源VDD2与比较器10的正输入端连接，在主电源VDD1正常供电时，比较器10输出低电平；在主电源VDD1掉电时，比较器输出高电平。

在具体实现中，在主电源VDD1和备用电源VDD2正常时，比较器输出的信号为低电平信号，此时主电源为芯片的供电电源；在主电源VDD1掉电，备用电源VDD2正常工作时，比较器输出的信号为高电平信号即电源切换信号。

所述电源切换模块20，用于在接收到所述电源切换信号时，将芯片的供电电源由所述主电源VDD1切换至所述备用电源VDD2。

可以理解的是，电源切换模块20未接收到电源切换信号时，表明主电源VDD1正常工作，芯片的供电电源为主电源VDD1；在电源切换模块接收到电源切换信号时，表明主电源VDD1掉电，备用电源VDD2正常工作，电源切换模块20将芯片的供电电源切换至备用电源VDD2。

在具体实现中，比较器10监测主电源VDD1和备用电源VDD2的电源状态，在主电源VDD1掉电时，比较器10输出高电平信号即电源切换信号，电源切换模块20在接收到电源切换信号时，将芯片的供电电源切换至备用电源VDD2，保证芯片正常工作。

进一步地，参照图2，由于比较器需要一定的响应时间，在主电源突然掉电时，比较器的输出端不会马上响应，从而不能及时将芯片的供电电源切换至备用电源，导致芯片无法连续工作，为了克服比较器响应时间对电源切换的影响提高备用电源的切换效率，所述电源切换模块20包括反相器201和备用供电单元202，所述反相器201的输入端与所述比较器10的输出端连接，所述备用供电单元202分别与所述比较器10的输出端和所述反相器201的输出端连接；所述反相器201，用于将所述电源切换信号转换为反相电源切换信号；所述备用供电单元202，用于根据所述电源切换信号和所述反相电源切换信号将芯片的供电电源由所述主电源VDD1切换至所述备用电源VDD2。

可以理解的是，在主电源VDD1突然掉电时，比较器的输出端不会马上响应，输出的电源切换信号保持低电平，反相器201将电源切换信号转换为反相电源切换信号，此时反相电源切换信号为高电平；备用供电单元202根据电源切换信号和反相电源切换信号将芯片的供电电源由主电源VDD1切换至备用电源VDD2。

进一步地，参照图2，为了克服比较器响应时间对切换芯片的供电电源至备用电源的影响，提高备用电源的切换效率，所述备用供电单元202包括备用电平移位电路2021和备用电源开关2022，所述备用电平移位电路2021分别与所述比较器10的输出端、所述反相器201的输出端和所述主电源VDD1连接，所述备用电源开关2022分别与所述备用电平移位电路2021和所述备用电源VDD2连接；

所述备用电平移位电路2021，用于在接收到电源切换信号和反相电源切换信号时，输出备用电源开关导通信号；所述备用电源开关2022，用于根据所述备用电源开关导通信号接入所述备用电源VDD2为所述芯片供电。

可以理解的是，备用电源开关导通信号可以是导通备用电源以接入备用电源的信号。

在具体实现中，备用电平移位电路2021在接收到电源切换信号和反相电源切换信号时，输出备用电源开关导通信号至备用电源开关2022，备用电源开关根据备用电源开关导通信号接入备用电源VDD2为芯片供电。

进一步地，参照图3，为了降低电路的响应时间，提高备用电源的接入效率，所述备用电平移位电路包括第一PMOS管PMOS1、第二PMOS管PMOS2、第一NMOS管NMOS1、第二NMOS管NMOS2和第一电容C1；所述第一NMOS管NMOS1的栅极与所述反相器201的输出端连接，所述第一NMOS管NMOS1的源极接地，所述第一NMOS管NMOS1的漏极分别与所述第一PMOS管PMOS1的栅极和所述第二PMOS管PMOS2的漏极连接，所述第二NMOS管NMOS2的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第二NMOS管NMOS2的源极接地，所述第二NMOS管NMOS2的漏极分别与所述第一PMOS管PMOS1的漏极、所述第二PMOS管PMOS2的栅极和所述第一电容C1的第二端连接，所述第二PMOS管PMOS2的源极与所述主电源连接，所述第一PMOS管PMOS1的源极分别与所述主电源VDD1和所述第一电容C1的第一端连接。

可以理解的是，在主电源VDD1突然掉电时，比较器10由于低电流偏置不能立刻响应，比较器10输出的电源切换信号COMP仍为低电平信号，COMP经过反相器装换为反相电源切换信号nCOMP，反相电源切换信号为高电平信号，NMOS2截止，NMOS1导通，PMOS1的栅极通过NMOS1接地，PMOS1导通，PMOS2的栅极通过PMOS1与VDD1连接，由于VDD1掉电，此时VDD1为低电平，第一电容C1的第二端为备用电源开关导通信号nSelVDD2的输出端，nSelVDD2通过PMOS1和第一电容C1迅速下降到低电平。

进一步地，参照图3，为了降低电路的响应时间，提高备用电源的接入效率，所述备用电源开关包括第三PMOS管PMOS3；

所述第三PMOS管PMOS3的栅极与所述第一电容C1的第二端连接，所述第三PMOS管PMOS3的栅极还分别与所述第一PMOS管PMOS1的漏极、所述第二PMOS管PMOS2的栅极和所述第二NMOS管NMOS2的漏极连接，所述第三PMOS管PMOS3的源极与所述备用电源VDD2连接，所述第三PMOS管PMOS3的漏极为供电端。

可以理解的是，PMOS3的栅极为备用电源开关导通信号nSelVDD2的输入端，当输入的备用开关导通信号nSelVDD2为低电平时，PMOS3迅速导通，备用电源VDD2被接入为比较器10供电，在比较器10响应主电源VDD1掉电时，比较器10的输出端有正确的响应后，COMP为高电平，nCOMP为低电平，NMOS2导通，PMOS3的栅极通过NMOS2接地，PMOS2完全打开，芯片的供电电源由VDD2完全供电，保证在主电源VDD1掉电时，及时接入备用电源VDD2为芯片供电。

本实施例提出一种备用电源切换电路，所述备用电源切换电路包括：比较器和电源切换模块，所述比较器的负输入端与主电源连接，所述比较器的正输入端与备用电源连接，所述电源切换模块与所述比较器的输出端连接，所述电源切换模块还与所述主电源和所述备用电源连接；所述比较器，用于监测所述主电源和上述备用电源的电源状态，并在所述主电源掉电时，输出电源切换信号；所述电源切换模块，用于在接收到所述电源切换信号时，将芯片的供电电源由所述主电源切换至所述备用电源。由于本实施例是通过比较器监测主电源的和备用电源的电源状态，并在主电源掉电时输出电源切换信号，电源切换模块在接收到电源切换信号时将芯片的供电电源切换至备用电源，解决了主电源掉电时备用电源接入效率低导致芯片无法连续工作的技术问题，提高了备用电源的接入效率，保证芯片能够连续工作。

参照图2，基于上述第一实施例，提出本发明第二实施例，在本实施例中所述电源切换模块还包括主供电单元203，所述主供电单元203分别与所述比较器10的输出端和所述反相器201的输出端连接；

所述比较器10，还用于在所述主电源VDD1正常工作时，输出主电源供电信号。

可以理解的是，在主电源VDD1正常工作时，比较器输出的主电源供电信号为低电平信号。

所述反相器201，还用于将所述主电源供电信号转换为反相主电源供电信号。

应该理解的是，反相器将主电源供电信号即低电平信号转换为反相主电源供电信号即高电平信号。

所述主供电单元203，用于根据所述主电源供电信号和所述反相主电源供电信号接入所述主电源VDD1为所述芯片供电。

可以理解的是，主供电单元203根据主电源供电信号和反相主电源供电信号接入主电源VDD1为芯片供电。

进一步地，参照图2，为了实现芯片的不间断工作，所述主供电单元203包括主电平移位电路2031和主电源开关2032，所述主电平移位电路分别与所述比较器10的输出端、所述反相器201的输出端和所述备用电源VDD2连接，所述主电源开关2032分别与所述主电平移位电路2031和所述主电源VDD1连接；

所述主电平移位电路2031，用于在接收到主电源供电信号和反相主电源供电信号时，输出主电源开关导通信号；

所述主电源开关2032，用于根据所述主电源开关导通信号接入所述主电源VDD1为所述芯片供电。

在具体实现中，主电平移位电路2031根据接收到的主电源供电信号和反相主电源供电信号输出主电源开关导通信号，主电源开关2032在接收到主电源开关导通信号时，接入主电源VDD1为芯片供电。

进一步地，参照图3，为了保证芯片不间断工作，所述主电平移位电路2031包括第四PMOS管PMOS4、第五PMOS管PMOS5、第三NMOS管NMOS3、第四NMOS管NMOS4和第二电容C2；

所述第三NMOS管NMOS3的栅极与所述反相器201的输出端连接，所述第三NMOS管NMOS3的源极接地，所述第三NMOS管NMOS3的漏极分别与所述第四PMOS管PMOS4的栅极、所述第五PMOS管PMOS5的漏极和所述第二电容C2的第二端连接，所述第四NMOS管NMOS4的栅极与所述比较器10的输出端连接，所述第四NMOS管NMOS4的源极接地，所述第四NMOS管NMOS4的漏极分别与所述第四PMOS管PMOS4的漏极和所述第五PMOS管PMOS5的栅极连接，所述第四PMOS管PMOS4的源极与所述备用电源VDD2连接，所述第五PMOS管PMOS5的源极分别与所述备用电源VDD2和所述第二电容C2的第一端连接。

可以理解的是，主电源供电信号为低电平信号，NMOS4的栅极接低电平，NMOS4截止，反向主电源供电信号为高电平信号，NMOS3的栅极接高电平信号，NMOS3导通，PMOS4的栅极通过NMOS3接地，PMOS4导通，PMOS5的栅极通过PMOS4与备用电源VDD2连接，PMOS5截止，第二电容的第二端通过NMOS3接地，第二电容的第二端为低电平，即主电源开关导通信号nSelVDD1为低电平信号。

进一步地，参照图3，为了保证芯片不间断工作，所述主电源开关包括第六PMOS管PMOS6；

所述第六PMOS管PMOS6的栅极与所述第二电容C2的第二端连接，所述第六PMOS管PMOS6的栅极还分别与所述第五PMOS管PMOS5的漏极、所述第四PMOS管PMOS4的栅极和所述第三NMOS管NMOS3的漏极连接，所述第六PMOS管PMOS6的源极与所述主电源VDD1连接，所述第六PMOS管PMOS6的漏极为供电端。

可以理解的是，PMOS6的源极与主电源VDD1连接，PMOS6的栅极为供电端，电容C2设置在PMOS6的栅极与备用电源之间，PMOS6的栅极通过NMOS3接地，PMOS6导通，主电源VDD1作为供电电源接入为芯片供电。

本实施例电源切换模块还包括主供电单元，所述主供电单元分别与所述比较器的输出端和所述反相器的输出端连接；所述比较器，还用于在所述主电源正常工作时，输出主电源供电信号；所述反相器，还用于将所述主电源供电信号转换为反相主电源供电信号；所述主供电单元，用于根据所述主电源供电信号和所述反相主电源供电信号接入所述主电源为所述芯片供电。能够保证芯片不间断工作。

为实现上述目的，本发明还提出一种备用电源切换装置，所述备用电源切换装置包括如上所述的备用电源切换电路。该备用电源切换电路的具体结构参照上述实施例，由于本备用电源切换装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种备用电源切换电路，其特征在于，所述备用电源切换电路包括：比较器和电源切换模块，所述比较器的负输入端与主电源连接，所述比较器的正输入端与备用电源连接，所述电源切换模块与所述比较器的输出端连接，所述电源切换模块还与所述主电源和所述备用电源连接；

所述比较器，用于监测所述主电源和上述备用电源的电源状态，并在所述主电源掉电时，输出电源切换信号；

所述电源切换模块，用于在接收到所述电源切换信号时，将芯片的供电电源由所述主电源切换至所述备用电源。

2.如权利要求1所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述电源切换模块包括反相器和备用供电单元，所述反相器的输入端与所述比较器的输出端连接，所述备用供电单元分别与所述比较器的输出端和所述反相器的输出端连接；

所述反相器，用于将所述电源切换信号转换为反相电源切换信号；

所述备用供电单元，用于根据所述电源切换信号和所述反相电源切换信号将芯片的供电电源由所述主电源切换至所述备用电源。

3.如权利要求2所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述备用供电单元包括备用电平移位电路和备用电源开关，所述备用电平移位电路分别与所述比较器的输出端、所述反相器的输出端和所述主电源连接，所述备用电源开关分别与所述备用电平移位电路和所述备用电源连接；

所述备用电平移位电路，用于在接收到电源切换信号和反相电源切换信号时，输出备用电源开关导通信号；

所述备用电源开关，用于根据所述备用电源开关导通信号接入所述备用电源为所述芯片供电。

4.如权利要求3所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述备用电平移位电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第一电容；

所述第一NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第一电容的第二端连接，所述第二PMOS管的源极与所述主电源连接，所述第一PMOS管的源极分别与所述主电源和所述第一电容的第一端连接。

5.如权利要求4所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述备用电源开关包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的栅极与所述第一电容的第二端连接，所述第三PMOS管的栅极还分别与所述第一PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极连接，所述第三PMOS管的源极与所述备用电源连接，所述第三PMOS管的漏极为供电端。

6.如权利要求2-5任一项所述备用电源切换电路，其特征在于，所述电源切换模块还包括主供电单元，所述主供电单元分别与所述比较器的输出端和所述反相器的输出端连接；

所述比较器，还用于在所述主电源正常工作时，输出主电源供电信号；

所述反相器，还用于将所述主电源供电信号转换为反相主电源供电信号；

所述主供电单元，用于根据所述主电源供电信号和所述反相主电源供电信号接入所述主电源为所述芯片供电。

7.如权利要求6所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述主供电单元包括主电平移位电路和主电源开关，所述主电平移位电路分别与所述比较器的输出端、所述反相器的输出端和所述备用电源连接，所述主电源开关分别与所述主电平移位电路和所述主电源连接；

所述主电平移位电路，用于在接收到主电源供电信号和反相主电源供电信号时，输出主电源开关导通信号；

所述主电源开关，用于根据所述主电源开关导通信号接入所述主电源为所述芯片供电。

8.如权利要求7所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述主电平移位电路包括第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第二电容；

所述第三NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三NMOS管的漏极分别与所述第四PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的漏极和所述第二电容的第二端连接，所述第四NMOS管的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的漏极分别与所述第四PMOS管的漏极和所述第五PMOS管的栅极连接，所述第四PMOS管的源极与所述备用电源连接，所述第五PMOS管的源极分别与所述备用电源和所述第二电容的第一端连接。

9.如权利要求8所述的备用电源切换电路，其特征在于，所述主电源开关包括第六PMOS管；

所述第六PMOS管的栅极与所述第二电容的第二端连接，所述第六PMOS管的栅极还分别与所述第五PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的漏极连接，所述第六PMOS管的源极与所述主电源连接，所述第六PMOS管的漏极为供电端。

10.一种备用电源切换装置，其特征在于，所述备用电源切换装置包括如权利要求1-9任意一项所述的备用电源切换电路。

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