CN114509845B - 一种微环谐振器以及电子器件 - Google Patents

一种微环谐振器以及电子器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种微环谐振器以及电子器件。该微环谐振器包括：多模直波导；微环波导，微环波导和多模直波导互为耦合关系；多模直波导和微环波导具有耦合区，多模直波导位于耦合区的部分可传输至少两路光信号，以使微环谐振器的透射图谱为法诺谐振线形透射图谱。本发明实施例提供的技术方案实现了一种具有法诺谐振线形透射图谱的微环谐振器。

Description

一种微环谐振器以及电子器件
技术领域
本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种微环谐振器以及电子器件。
背景技术
微环谐振器是光电子集成芯片的基本器件之一，其一般由微环波导和一侧耦合的单模直波导构成，可应用于滤波器、传感器、调制器和开关等领域。
传统的微环谐振器是洛伦兹共振型微环谐振器，其传输谱线是周期的对称下陷形谐振谷。相比于对称的洛伦兹线形，不对称的法诺谐振线形具有更优秀的特性，其谱线透射系数变化范围更大，变化趋势也更尖锐。这些优秀的特性决定了法诺型谐振器在高开关比光开关、高调制深度的调制器、窄带滤波器和高灵敏度生化传感器等领域更具有优势。
因此，亟需一种具有法诺谐振线形透射图谱的微环谐振器。
发明内容
本发明提供了一种微环谐振器以及电子器件，以实现一种具有法诺谐振线形透射图谱的微环谐振器。
根据本发明的一方面，提供了一种微环谐振器，包括：
多模直波导；
微环波导，所述微环波导和所述多模直波导互为耦合关系；
所述多模直波导和所述微环波导具有耦合区，所述多模直波导位于所述耦合区的部分可传输至少两路光信号，以使所述微环谐振器的透射图谱为法诺谐振线形透射图谱。
可选地，所述多模直波导包括单模输入端、多模传输区和单模输出端；
所述微环波导和所述多模直波导互为耦合关系；
所述多模传输区位于所述多模直波导和所述微环波导的耦合区，且所述多模传输区包括直波导传输部和侧波导传输部，所述直波导传输部和所述侧波导传输部相连，且所述直波导传输部与所述单模输入端和所述单模输出端位于同一直线，所述侧波导传输部位于所述直波导传输部的至少一侧。
可选地，所述侧波导传输部位于所述直波导传输部远离所述微环波导的一侧；
或者，所述侧波导传输部位于所述直波导传输部靠近所述微环波导的一侧，且位于所述直波导传输部远离所述微环波导的一侧；
所述侧波导传输部关于所述直波导传输部对称设置。
可选地，位于所述直波导传输部一侧的侧波导传输部的截面图形包括矩形。
可选地，位于所述直波导传输部一侧的侧波导传输部平行于多模直波导的延伸方向的特征尺寸大于或等于600nm，且小于或等于9 um；
所述侧波导传输部垂直于多模直波导的延伸方向的特征尺寸大于或等于200nm，且小于或等于1 um。
可选地，所述侧波导传输部垂直于多模直波导的延伸方向的特征尺寸为450nm，所述侧波导传输部平行于所述多模直波导的延伸方向的特征尺寸包括1um、3 um以及6 um中的任意一个。
可选地，在垂直于所述多模直波导的延伸方向上，所述侧波导传输部和所述多模直波导之间设置有倒角过渡部。
可选地，还包括折射率调整层和介质层，所述介质层位于所述微环波导的表面；
所述折射率调整层位于所述介质层背离所述微环波导的表面。
可选地，所述折射率调整层包括电致加热层，通过所述电致加热层的热量变化调整所述微环波导的折射率；
或者，所述折射率调整层包括第一导电类型半导体层，所述微环波导包括第二导电类型半导体层，所述折射率调整层和所述微环波导构成MOS管电容结构，通过所述折射率调整层和所述微环波导之间的电压差调整所述微环波导的折射率。
可选地，所述微环波导包括P型掺杂区、本征区和N型掺杂区，通过所述P型掺杂区和所述N型掺杂区之间的电压差调整所述微环波导的折射率。
根据本发明的另一方面，提供了一种电子器件，包括本发明任一实施例所述的微环谐振器；
所述电子器件包括滤波器、传感器、调制器以及光开关中的任意一种。
本实施例提供的技术方案，多模直波导位于耦合区的部分可以将一路光信号分为至少两路光信号，从而使得耦合区的光信号发生模式竞争，通过控制多模直波导位于耦合区的部分的特征尺寸例如长度和宽度得到不同的多模干涉情况，不同的多模干涉情况使得多模直波导与微环波导耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱，使得微环谐振器成为一种法诺型微环谐振器。且本发明实施例提供的微环谐振器的原理与在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等方式形成的法诺型微环谐振器的原理不同，其中，现有技术在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等方式形成的法诺型微环谐振器是通过在其中形成法布里-珀罗谐振腔或者布拉格光栅反射型结构来形成法诺型微环谐振器。具体的，在本实施例中，可以将多模直波导位于耦合区处的部分进行拓宽和加长，无需通过对尺寸很小的单模直波导进行蚀刻等方式在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等来形成具有法诺谐振线形透射图谱的微环谐振器，简化了制备工艺，降低了制备成本，适合规模化生产。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例提供的一种微环谐振器的俯视图；
图2是根据本发明实施例提供的另一种微环谐振器的俯视图；
图3是图2中A1-A2方向的剖面结构示意图；
图4是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的俯视图；
图5是图4中A1-A2方向的剖面结构示意图；
图6是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的俯视图；
图7是图6中A1-A2方向的剖面结构示意图；
图8是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的俯视图；
图9是图8中A1-A2方向的剖面结构示意图；
图10是图2示出的微环谐振器传输光信号的原理图；
图11是图6示出的微环谐振器传输光信号的原理图；
图12是图8示出的微环谐振器传输光信号的原理图；
图13是根据本发明实施例提供的一种多模传输区传输光信号的原理示意图；
图14是根据本发明实施例提供的一种微环谐振器的透射图谱；
图15是根据本发明实施例提供的另一种微环谐振器的透射图谱；
图16是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的透射图谱；
图17是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的透射图谱；
图18是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的透射图谱；
图19是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的透射图谱；
图20是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的俯视图；
图21是图20中A1-A2方向的剖面结构示意图；
图22是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的俯视图；
图23是图22中A1-A2方向的剖面结构示意图；
图24是根据本发明实施例提供的又一种微环谐振器的俯视图；
图25是图24中A1-A2方向的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本发明实施例提供了一种微环谐振器。图1是根据本发明实施例提供的一种微环谐振器的俯视图。参见图1，该微环谐振器包括：多模直波导1；微环波导2，微环波导2和多模直波导1互为耦合关系；多模直波导1和微环波导2具有耦合区S0，多模直波导1位于耦合区S0的部分可传输至少两路光信号，以使微环谐振器的透射图谱为法诺谐振线形透射图谱。
需要说明的是，多模直波导1位于耦合区S0的部分包括图1的形状但是不限定于此。
本实施例提供的技术方案，多模直波导位于耦合区的部分可以将一路光信号分为至少两路光信号，从而使得耦合区的光信号发生模式竞争，通过控制多模直波导位于耦合区的部分的特征尺寸例如长度和宽度得到不同的多模干涉情况，不同的多模干涉情况使得多模直波导与微环波导耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱，使得微环谐振器成为一种法诺型微环谐振器。且本发明实施例提供的微环谐振器的原理与在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等方式形成的法诺型微环谐振器的原理不同，其中，现有技术在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等方式形成的法诺型微环谐振器是通过在其中形成法布里-珀罗谐振腔或者布拉格光栅反射型结构来形成法诺型微环谐振器。具体的，在本实施例中，可以将多模直波导位于耦合区处的部分进行拓宽和加长，无需通过对尺寸很小的单模直波导进行蚀刻等方式在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等来形成具有法诺谐振线形透射图谱的微环谐振器，简化了制备工艺，降低了制备成本，适合规模化生产。
可选地，多模直波导包括单模输入端、多模传输区和单模输出端；微环波导和多模直波导互为耦合关系；多模传输区位于多模直波导和微环波导的耦合区，且多模传输区包括直波导传输部和侧波导传输部，直波导传输部和侧波导传输部相连，且直波导传输部与单模输入端和单模输出端位于同一直线，侧波导传输部位于直波导传输部的至少一侧。
可选地，微环波导包括圆微环波导或者椭圆微环波导。在本实施例中，以圆微环波导为例进行介绍。
可选地，微环波导和多模直波导互为水平耦合关系或者垂直耦合关系。图2是根据本发明实施例提供的另一种微环谐振器的俯视图。图3是图2中A1-A2方向的剖面结构示意图。示例性的，图2和图3以及图4和图5示出了微环波导2和多模直波导1互为水平耦合关系。微环波导2和多模直波导1在水平方向的间隙为g。需要说明的是，多模直波导1可以是图2和图3示出的普通直波导或者图4和图5示出的脊形波导。需要说明的是，微环波导和多模直波导互为垂直耦合关系时，微环波导位于多模直波导之上，且微环波导位于多模直波导之间在竖直方向之间的距离为耦合间隙g。
示例性的，参见图2、图4、图6、和图8，该微环谐振器包括：多模直波导1；多模直波导1包括单模输入端11、多模传输区12和单模输出端13；微环波导2，微环波导2位于多模直波导1的一侧，微环波导2和多模直波导1互为水平耦合关系；多模传输区12位于多模直波导1和微环波导2的耦合区S0。且多模传输区12包括直波导传输部120和侧波导传输部121，直波导传输部120和侧波导传输部121相连，且直波导传输部120与单模输入端11和单模输出端13位于同一直线，侧波导传输部121位于直波导传输部120的至少一侧。其中，图3、图5、图7和图9是图2、图4、图6、和图8对应的剖面结构示意图。
多模直波导1和微环波导2的厚度、宽度以及多模直波导1和微环波导2之间的耦合间隙g处于预设范围内，多模直波导1和微环波导2存在光信号的耦合区S0。示例性的，微环波导2的厚度约为220nm，微环波导2的宽度约为450nm。多模直波导1和微环波导2的耦合间隙g约为200nm。微环波导2的半径处于预设范围内。图2和图3中，多模直波导1的厚度约为220nm，而图4和图5的脊形多模直波导，脊形波导高度为130nm，平面波导部分高度为90nm。脊形波导的宽度约为450nm。多模直波导1以及微环波导2相对衬底和包层材料具有更高的折射率，可以将光信号束缚在波导，而不会进入到包层中。示例性的，波导采用绝缘体上硅（Silicon-on-insulator，SOI）制备而成，其中，衬底001选用硅材料，内包层002选用二氧化硅，多模直波导1以及微环波导2采用硅材料，外包层003采用二氧化硅。本发明提供的这种结构，在选用材料、制备工艺方面均与现有制备光子器件的材料和工艺相兼容。需要说明的是，在本发明实施例提供的微环谐振器的俯视图中，并未示出外包层003，这样便于在俯视图中示出多模直波导1和微环波导2之间的相对位置关系。
参见图10-图12，在本实施例中，光信号通过多模直波导1的单模输入端11传输到多模传输区12，多模直波导1中的光将被分为两部分，一小部分光通过瞬逝场耦合进微环波导2中处于谐振状态，大部分的光直接通过多模直波导1从单模输出端13输出。耦合进入微环波导2的光在其中传播一周，返回耦合区S0，和新耦合进环内的光信号相遇发生干涉。由于多模直波导1包括位于耦合区S0的多模传输区12，多模传输区12包括直波导传输部120和侧波导传输部121，多模传输区12中传输的光信号可以形成模式竞争，不同的多模干涉情况使得多模传输区12与微环波导2耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱。图13是根据本发明实施例提供的一种多模传输区传输光信号的原理示意图。图13中示出了多模传输区12沿着长度L，宽度W的多模传输区12中，预设波长的电磁辐射的横向强度分布。
本实施例提供的技术方案，将位于耦合区的多模直波导设置成多模传输区，将多模直波导位于耦合区的部分进行了拓宽和加长，即多模传输区包括直波导传输部和侧波导传输部，该结构保留了微环谐振器的紧凑性，并可以实现对微环共振线型的调控，增强了微环的性能。在工艺上，该特征尺寸可与微环通过一步刻蚀得到，工艺简单。其中，多模传输区可以将一路光信号分为至少两路光信号，从而使得耦合区的光信号发生模式竞争，通过控制多模传输区的特征尺寸例如长度和宽度得到不同的多模干涉情况，不同的多模干涉情况使得多模直波导与微环波导耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱，使得微环谐振器成为一种法诺型微环谐振器。在本实施例中，可以将多模直波导位于耦合区处的部分进行拓宽和加长，无需通过对尺寸很小的单模直波导进行蚀刻等方式在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等来形成具有法诺谐振线形透射图谱的微环谐振器，简化了制备工艺，降低了制备成本，适合规模化生产。且本发明实施例提供的微环谐振器的原理与在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等方式形成的法诺型微环谐振器的原理不同，其中，现有技术在单模直波导中形成光栅反射结构、空气孔等方式形成的法诺型微环谐振器是通过在其中形成法布里-珀罗谐振腔或者布拉格光栅反射型结构来形成法诺型微环谐振器。
可选地，参见图2和图3，侧波导传输部121位于直波导传输部120远离微环波导2的一侧。
可选地，参见图8和图9，侧波导传输部121位于直波导传输部120靠近微环波导2的一侧，且位于直波导传输部120远离微环波导2的一侧；侧波导传输部121关于直波导传输部120对称设置。
可选地，位于直波导传输部120一侧的侧波导传输部121的截面图形包括矩形。
具体的，通过控制多模传输区12的特征尺寸例如长度L和宽度W得到不同的多模干涉情况，不同的多模干涉情况使得多模直波导1与微环波导2耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱，使得微环谐振器成为一种法诺型微环谐振器。由于多模传输区12包括直波导传输部120和侧波导传输部121，直波导传输部120和侧波导传输部121相连，且直波导传输部120与单模输入端11和单模输出端13位于同一直线，那么可以通过控制侧波导传输部121的特征尺寸实现控制整个多模传输区12的特征尺寸的效果。
可选地，位于直波导传输部120一侧的侧波导传输部121平行于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸L大于或等于600nm，且小于或等于9 um；侧波导传输部121垂直于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸W1大于或等于200nm，且小于或等于1 um，可以实现多模传输区12存在不同的多模干涉情况，不同的多模干涉情况使得多模直波导1与微环波导2耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱，使得微环谐振器成为一种法诺型微环谐振器。且侧波导传输部121的尺寸可以达到微米级别，对工艺要求低且加工误差小，更易于大规模生产。
可选地，位于直波导传输部120一侧的侧波导传输部121垂直于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸W1为450nm，侧波导传输部121平行于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸L包括1um、3 um以及6 um中的任意一个。示例性的，微环波导2的半径约为8微米。
参见图14-图16，当侧波导传输部121垂直于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸W1为450nm，侧波导传输部121平行于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸L包括1um、3 um以及6um中的任意一个时，可以实现多模传输区12存在不同的多模干涉情况，不同的多模干涉情况使得多模直波导1与微环波导2耦合的情况也不同，可以对微环谐振器的透射图谱实现调控，以形成法诺谐振线形透射图谱，使得微环谐振器成为一种法诺型微环谐振器。
参见图17-图19，当侧波导传输部121垂直于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸W1为450nm，侧波导传输部121平行于多模直波导1的延伸方向的特征尺寸L包括2um、4.5 um以及7um中的任意一个时，微环谐振器的透射图谱并不是不对称的法诺谐振线形。示例性的，微环波导2的半径约为8微米。
可选地，参见图20、图22和图24，在垂直于多模直波导1的延伸方向上，侧波导传输部121和多模直波导1之间设置有倒角过渡部1a。
具体的，倒角过渡部1a可以避免光的散射，能够减少光信号在多模传输区12中的能量损耗，进而达到提升微环谐振器品质因数的效果。
可选地，还包括折射率调整层和介质层，介质层位于微环波导的表面；折射率调整层位于介质层背离微环波导的表面。
示例性的，参见图20-图23，外包层003可以作为介质层。具体的，折射率调整层3使得其微环波导2的折射率发生改变，进而导致微环波导2的谐振波长发生变化。同时，多模直波导1和微环波导2两路光的相位差发生变化，输出的法诺谐振谱线波长、斜率发生变化，从而达到调控法诺谐振谱的效果。示例性的，折射率调整层3可以选取III-V材料层。需要说明的是，本实施例中折射率调整层3在衬底001的正投影微环波导2在衬底001的正投影的部分或者全部，且实施例中折射率调整层3的宽度可以大于、小于或者等于微环波导2的宽度。
可选地，折射率调整层包括电致加热层，通过电致加热层的热量变化调整微环波导的折射率。
示例性的，参见图20和图21，折射率调整层3包括电致加热层，通过电致加热层的热量变化调整微环波导2的折射率。
具体的，电致加热层作为折射率调整层3时，在外加电压信号的作用下，产生热量例如是焦耳热，引起微环波导2的温度变化，进而使其折射率发生改变，进而导致微环波导的谐振波长发生变化。其中，外包层003作为折射率调整层3和微环波导2之间的介质层。介质层的设置减少了电致加热层作为折射率调整层3时，在外加电压信号的作用下，产生热量的过程中对于微环波导2中的光信号的损耗。
可选地，折射率调整层包括第一导电类型半导体层，微环波导包括第二导电类型半导体层，折射率调整层和微环波导构成MOS管电容结构，通过折射率调整层和微环波导之间的电压差调整微环波导的折射率。
示例性的，参见图22和图23，折射率调整层3包括第一导电类型半导体层例如是N型半导体层，微环波导2包括第二导电类型半导体层例如是P型半导体层，折射率调整层3和微环波导2构成MOS管电容结构，通过折射率调整层3和微环波导2之间的电压差改变微环波导2的局部载流子的浓度，使得微环波导2的折射率发生改变，进而导致微环波导2的谐振波长发生变化。其中，多模直波导1为脊形多模直波导。
可选地，微环波导包括P型掺杂区、本征区和N型掺杂区，通过P型掺杂区和N型掺杂区之间的电压差调整微环波导的折射率。
示例性的，参见图24和图25，微环波导2包括P型掺杂区、本征区和N型掺杂区，通过P型掺杂区和N型掺杂区之间的电压差改变微环波导2局部载流子的浓度，使得微环波导2的折射率发生改变，进而导致微环波导2的谐振波长发生变化。同时，多模直波导1和微环波导2两路光的相位差发生变化，输出的法诺谐振谱线波长、斜率发生变化，从而达到调控法诺谐振谱的效果。其中，多模直波导1为脊形多模直波导。
本发明实施例还提供了一种电子器件。该电子器件包括上述技术方案任意所述的微环谐振器；电子器件包括滤波器、传感器、调制器以及光开关中的任意一种。
滤波器、传感器、调制器以及光开关中的任意一种包括微环谐振器，相比于对称的洛伦兹线形，不对称的法诺谐振线形具有更优秀的特性，其谱线透射系数变化范围更大，变化趋势也更尖锐。这些优秀的特性决定了法诺型谐振器在高开关比光开关、高调制深度的调制器、窄带滤波器和高灵敏度生化传感器等领域更具有优势。其中，微环谐振器作为光开关时，其需要的驱动电压更，功耗也更低。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。

Claims (8)

1.一种微环谐振器，其特征在于，包括：
多模直波导；
微环波导，所述微环波导和所述多模直波导互为耦合关系；
所述多模直波导和所述微环波导具有耦合区，所述多模直波导位于所述耦合区的部分可传输至少两路光信号，从而使得耦合区的光信号发生模式竞争，对微环谐振器的透射图谱实现调控，以使所述微环谐振器的透射图谱为法诺谐振线形透射图谱；
所述多模直波导包括单模输入端、多模传输区和单模输出端；
所述微环波导和所述多模直波导互为耦合关系；
所述多模传输区位于所述多模直波导和所述微环波导的耦合区，且所述多模传输区包括直波导传输部和侧波导传输部，所述直波导传输部和所述侧波导传输部相连，且所述直波导传输部与所述单模输入端和所述单模输出端位于同一直线，所述侧波导传输部位于所述直波导传输部的至少一侧；
位于所述直波导传输部一侧的侧波导传输部平行于多模直波导的延伸方向的特征尺寸大于或等于600nm，且小于或等于9 um；
所述侧波导传输部垂直于多模直波导的延伸方向的特征尺寸大于或等于200nm，且小于或等于1 um。
2.根据权利要求1所述的微环谐振器，其特征在于，所述侧波导传输部位于所述直波导传输部远离所述微环波导的一侧；
或者，所述侧波导传输部位于所述直波导传输部靠近所述微环波导的一侧，且位于所述直波导传输部远离所述微环波导的一侧；
所述侧波导传输部关于所述直波导传输部对称设置。
3.根据权利要求1所述的微环谐振器，其特征在于，所述侧波导传输部垂直于多模直波导的延伸方向的特征尺寸为450nm，所述侧波导传输部平行于所述多模直波导的延伸方向的特征尺寸包括1um、3 um以及6 um中的任意一个。
4.根据权利要求1所述的微环谐振器，其特征在于，在垂直于所述多模直波导的延伸方向上，所述侧波导传输部和所述多模直波导之间设置有倒角过渡部。
5.根据权利要求1所述的微环谐振器，其特征在于，还包括折射率调整层和介质层，所述介质层位于所述微环波导的表面；
所述折射率调整层位于所述介质层背离所述微环波导的表面。
6.根据权利要求5所述的微环谐振器，其特征在于，所述折射率调整层包括电致加热层，通过所述电致加热层的热量变化调整所述微环波导的折射率；
或者，所述折射率调整层包括第一导电类型半导体层，所述微环波导包括第二导电类型半导体层，所述折射率调整层和所述微环波导构成MOS管电容结构，通过所述折射率调整层和所述微环波导之间的电压差调整所述微环波导的折射率。
7.根据权利要求1所述的微环谐振器，其特征在于，所述微环波导包括P型掺杂区、本征区和N型掺杂区，通过所述P型掺杂区和所述N型掺杂区之间的电压差调整所述微环波导的折射率。
8.一种电子器件，其特征在于，包括权利要求1-7任一所述的微环谐振器；所述电子器件包括滤波器、传感器、调制器以及光开关中的任意一种。
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