CN114489216A - 一种应用于ldo的保护电路 - Google Patents

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邢晓萍
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    • H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
    • H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for dc applications

Abstract

本发明公开了一种应用于LDO的保护电路，涉及集成电路设计领域，该应用于LDO的保护电路包括：LDO稳压模块，用于在输出给负载的输出电压减小时，对输出电压增大；在输出电压增大时，对输出电压减小；电压限制模块，用于构建相较于LDO稳压模块输出电压更低的电压满足负载工作需求；电压限制模块包括：镜像模块，用于构建LDO稳压模块输出侧开关管的镜像开关管；与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过电压限制模块对使得LDO稳压的电压降低，构建了低压供电，满足LDO在物联网和便携式设备等低压低功耗应用场景中使用，电流限制模块对LDO的供电电流进行限定，根据电路电压变化来检测，未采集负载电流，节约了电能。

Description

一种应用于LDO的保护电路
技术领域
本发明涉及集成电路设计领域，具体是一种应用于LDO的保护电路。
背景技术
低压差线性稳压器（Low dropout regulator，LDO）具有线性度高，电路面积小，低噪声低功耗等优点，是目前一种使用广泛的电源电路。随着消费类电子设备和片上系统需求的不断增大，LDO在当今市场上的应用范围也越来越广泛，对于低压低功耗的需求也越来越强烈。在电池，物联网和可穿戴设备等应用场合，能够在低电源电压下工作的LDO电路具有很强的竞争力。
由于LDO低压工作，又要满足于负载的功率需求，使得其工作电流偏大，在电流过大时往往会导致器件损坏，市面上虽然存在相关的保护电路，但是往往需要进行电流取样，消耗较多的电能，需要改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种应用于LDO的保护电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种应用于LDO的保护电路，包括：
LDO稳压模块，用于在输出给负载的输出电压减小时，对输出电压增大；在输出电压增大时，对输出电压减小；
电压限制模块，用于构建相较于LDO稳压模块输出电压更低的电压满足负载工作需求；电压限制模块包括：
镜像模块，用于构建LDO稳压模块输出侧开关管的镜像开关管；
信号采集模块，用于采集镜像开关管的电压，为偏置电压模块提供控制电压；
偏置电压模块，用于根据控制电压为LDO稳压模块的输出侧开关管提供偏置电压，改变LDO稳压模块的输出侧开关管的导通阻抗；
电流限制模块，用于在不进行电流取样的状况下对负载进行过流保护；电流限制模块包括：
负载正常供电模块，用于接收LDO稳压模块的输出电压，为负载工作供电；
过流限制模块，用于在负载电流超出阈值时，断开负载正常供电模块；
恒定限制模块，用于过流限制模块工作后，控制过流限制模块一直工作；
LDO稳压模块的第一输出端连接镜像模块的输入端，镜像模块的输出端连接信号采集模块的输入端，信号采集模块的输出端连接偏置电压模块的输入端，偏置电压模块的输出端连接LDO稳压模块的输入端，LDO稳压模块的第二输出端连接负载正常供电模块的输入端，负载正常供电模块的输出端连接过流限制模块的第一输入端，过流限制模块的输出端连接恒定限制模块的输入端，恒定限制模块的输出端连接过流限制模块的第二输入端。
作为本发明再进一步的方案：LDO稳压模块包括放大器、第五MOS管、第一电阻、第二电阻，放大器的反相端连接基准电压，放大器的同相端连接第一电阻、第二电阻，第二电阻的另一端接地，第一电阻的另一端连接负载正常供电模块的输入端、第五MOS管的D极，第五MOS管的S极连接供电电压，第五MOS管的G极连接放大器的输出端、镜像模块的输入端。
作为本发明再进一步的方案：镜像模块包括第一MOS管，第一MOS管的S极连接供电电压，第一MOS管的G极连接LDO稳压模块的第一输出端，第一MOS管的D极连接信号采集模块的输入端。
作为本发明再进一步的方案：信号采集模块包括第二MOS管，第二MOS管的D极连接第二MOS管的G极、镜像模块的输出端、偏置电压模块的输入端，第二MOS管的S极接地。
作为本发明再进一步的方案：偏置电压模块包括第三MOS管、第四MOS管、限流电阻，限流电阻的一端连接供电电压，限流电阻的另一端连接LDO稳压模块的输入端、第四MOS管的D极，第四MOS管的S极连接第三MOS管的D极，第三MOS管的S极接地，第三MOS管的G极连接信号采集模块的输出端。
作为本发明再进一步的方案：负载正常供电模块包括第一三极管、第三三极管、第五电阻，第一三极管的发射极连接LDO稳压模块的输出电压、第三三极管的基极，第一三极管的集电极连接负载、过流限制模块的第一输入端，第一三极管的基极连接第三三极管的集电极，第三三极管的发射极连接第五电阻，第五电阻的另一端接地。
作为本发明再进一步的方案：过流限制模块包括第二三极管、第四三极管、第三电阻、第四电阻、第六电阻、电位器，第二三极管的发射极连接LDO稳压模块的输出电压、第四电阻、第六电阻，第四电阻的另一端连接第二三极管的基极、第一二极管的负极，第一二极管的正极连接第一电位器、恒定限制模块的输入端，第一电位器的另一端连接负载正常供电模块的输出端，第二三极管的集电极连接第三电阻，第三电阻的另一端连接第四三极管的基极，第四三极管的集电极连接第六电阻的另一端，第四三极管的发射极连接第二二极管的正极，第二二极管的负极接地。
作为本发明再进一步的方案：恒定限制模块包括可控硅，可控硅的正极连接过流限制模块的第二输入端，可控硅的负极接地，可控硅的控制极连接过流限制模块的输出端。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过电压限制模块对使得LDO稳压的电压降低，构建了低压供电，满足LDO在物联网和便携式设备等低压低功耗应用场景中使用，电流限制模块对LDO的供电电流进行限定，根据电路电压变化来检测，未采集负载电流，节约了电能。
附图说明
图1为一种应用于LDO的保护电路的原理图。
图2为LDO稳压模块及电压限制模块的电路图。
图3为电流限制模块的电路图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，一种应用于LDO的保护电路，包括：
LDO稳压模块1，用于在输出给负载的输出电压VOUT减小时，对输出电压VOUT增大；在输出电压VOUT增大时，对输出电压VOUT减小；
电压限制模块2，用于构建相较于LDO稳压模块1输出电压VOUT更低的电压满足负载工作需求；电压限制模块2包括：
镜像模块21，用于构建LDO稳压模块1输出侧开关管的镜像开关管；
信号采集模块22，用于采集镜像开关管的电压，为偏置电压模块23提供控制电压；
偏置电压模块23，用于根据控制电压为LDO稳压模块1的输出侧开关管提供偏置电压，改变LDO稳压模块1的输出侧开关管的导通阻抗；
电流限制模块3，用于在不进行电流取样的状况下对负载进行过流保护；电流限制模块3包括：
负载正常供电模块31，用于接收LDO稳压模块1的输出电压VOUT，为负载工作供电；
过流限制模块32，用于在负载电流超出阈值时，断开负载正常供电模块31；
恒定限制模块33，用于过流限制模块32工作后，控制过流限制模块32一直工作；
LDO稳压模块1的第一输出端连接镜像模块21的输入端，镜像模块21的输出端连接信号采集模块22的输入端，信号采集模块22的输出端连接偏置电压模块23的输入端，偏置电压模块23的输出端连接LDO稳压模块1的输入端，LDO稳压模块1的第二输出端连接负载正常供电模块31的输入端，负载正常供电模块31的输出端连接过流限制模块32的第一输入端，过流限制模块32的输出端连接恒定限制模块33的输入端，恒定限制模块33的输出端连接过流限制模块32的第二输入端。
在本实施例中：请参阅图2，LDO稳压模块1包括放大器OP、第五MOS管Pbuffer、第一电阻R1、第二电阻R2，放大器OP的反相端连接基准电压Vref，放大器OP的同相端连接第一电阻R1、第二电阻R2，第二电阻R2的另一端接地，第一电阻R1的另一端连接负载正常供电模块31的输入端、第五MOS管Pbuffer的D极，第五MOS管Pbuffer的S极连接供电电压VDD，第五MOS管Pbuffer的G极连接放大器OP的输出端、镜像模块21的输入端。
放大器OP根据基准电压Vref对输出端电压进行放大，再通过第五MOS管Pbuffer输出，同时通过第二电阻R2采集输出电压VOUT反馈给放大器OP的同相端，在输出电压VOUT变大时，第二电阻R2上的采样电压变大，放大器OP输出电压VOUT变大，使得第五MOS管Pbuffer（PMOS管）的导通程度下降，进一步使得输出电压VOUT减小；同样，在输出电压VOUT变小时，通过反馈电压使得第五MOS管Pbuffer导通程度上升，进而使得输出电压VOUT变大；通过反馈电阻（第二电阻R2）和第五MOS管Pbuffer的配合，以此构成稳压作用。
输出电压VOUT和供电电压VDD之间的压差为I L *R ON （第五二极管的压降），VOUT=VDD-I L *R ON ，当VDD电压较低，VOUT电压也会被压低。VOUT作为芯片内部电路的电源电压，如果电压较低，会使得芯片无法正常工作，因此使得系统能够工作的最低电压和I L *R ON 就决定了VDD的最低电压。当LDO需要提供的负载电流I L 较大时，LDO就不能在低电源电压下工作，使得传统LDO结构很难在物联网和便携式设备等低压低功耗应用场景中使用。
当负载电流较大时，第五开关管Pbuffer工作在线性区，其等效导通阻抗R ON 为：
Figure 152456DEST_PATH_IMAGE001
；
其中
Figure 704922DEST_PATH_IMAGE002
；
上式中V SD 为Pbuffer管源漏电压，V SG 为栅源电压，I D 为漏端电流，V t 为MOS管阈值电压，ϕ f 为衬底电势，γ为体效应因子，V SB 为衬底和源之间的电压，V t0为衬底和源之间电压为0时的阈值电压。
为了降低最低工作电压，必须使得R ON 足够低，从公式中可以得出，提高MOS管宽长比W/L和过驱动电压V GS －|V t |都可以降低R ON ，其中提高宽长比会增大芯片面积，提高成本，而V GS 最大为电源电压VDD，因此降低阈值电压|V t |是一种可行的方案。通过V t 公式可以得到，由于PMOS管（第五MOS管Pbuffer）的V t0为负数，当V SB 增大时，|V t |将会减小。通过增加电压限制模块2来调节衬底电压，在负载电流较大时，降低第五MOS管Pbuffer衬底电压，就能够减少|V t |，从而降低导通阻抗R ON ，使LDO可以在较低工作电压下正常工作。
在另一个实施例中，可以将第一电阻R1换成电位器RP1，以此来改变输出电压VOUT的大小。
在本实施例中：请参阅图2，镜像模块21包括第一MOS管M1，第一MOS管M1的S极连接供电电压VDD，第一MOS管M1的G极连接LDO稳压模块1的第一输出端，第一MOS管M1的D极连接信号采集模块22的输入端。
第一MOS管M1和第五MOS管Pbuffer结构完全相同，因此第一MOS管M1上的电压和第五MOS管Pbuffer上的完全相同，将该第一MOS管的集电极电压输出给信号采集模块22。第一MOS管为PMOS管。
在本实施例中：请参阅图2，信号采集模块22包括第二MOS管M2，第二MOS管M2的D极连接第二MOS管M2的G极、镜像模块21的输出端、偏置电压模块23的输入端，第二MOS管M2的S极接地。
第二MOS管M2采集第一MOS管M1的集电极电压信息，使得第二MOS管M2的G极电压上升，以此影响偏置电压模块23。第二MOS管为NMOS管。
在本实施例中：请参阅图2，偏置电压模块23包括第三MOS管M3、第四MOS管M4、限流电阻RS，限流电阻RS的一端连接供电电压VDD，限流电阻RS的另一端连接LDO稳压模块1的输入端、第四MOS管M4的D极，第四MOS管M4的S极连接第三MOS管M3的D极，第三MOS管M3的S极接地，第三MOS管M3的G极连接信号采集模块22的输出端。
受到第二MOS管M2的G极电压影响，使得第三MOS管M3的导通程度增加，进而通过第三MOS管M3的电流增加，使得限流电阻RS上的电压增大，进而使得输出给LDO稳压模块1的第五MOS管Pbuffer的衬底电压减小。第三MOS管、第四MOS管为NMOS管。
综上所述，在负载电流增加时（阈值范围内），放大器OP的输出电压VOUT减小，进而使得第一MOS的输出电流增大，第三MOS管M3的电流增大，最终使得第五MOS管Pbuffer的衬底电压（VSUB）减小，第五MOS管Pbuffer的V SB 电压增大，进而使得|V t |减小，第五MOS管Pbuffer的等效电阻减小，使得经由第五MOS管Pbuffer的输出电压VOUT减小，完成对输出电压VOUT的限制，在满足为负载供电情况下降低LDO模块的输出电压VOUT，同时电压限制模块2不会影响LDO稳压模块1的稳压效果。
在另一个实施例中：第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管Pbuffer可采用三极管代替，但是三极管功耗较大。
在本实施例中：请参阅图3，负载正常供电模块31包括第一三极管V1、第三三极管V3、第五电阻R5，第一三极管V1的发射极连接LDO稳压模块1的输出电压VOUT、第三三极管V3的基极，第一三极管V1的集电极连接负载、过流限制模块32的第一输入端，第一三极管V1的基极连接第三三极管V3的集电极，第三三极管V3的发射极连接第五电阻R5，第五电阻R5的另一端接地。
在负载工作电流在阈值内，第一三极管V1导通、第三三极管V3导通，通过第一三极管V1为负载供电。图3中的X指代负载。
在另一个实施例中：图3中存在的电容CL可以略去，其用于对输出电压VOUT进行滤波处理。
在本实施例中：请参阅图3，过流限制模块32包括第二三极管V2、第四三极管V4、第三电阻R3、第四电阻R4、第六电阻R6、电位器RP1，第二三极管V2的发射极连接LDO稳压模块1的输出电压VOUT、第四电阻R4、第六电阻R6，第四电阻R4的另一端连接第二三极管V2的基极、第一二极管D1的负极，第一二极管D1的正极连接第一电位器RP1、恒定限制模块33的输入端，第一电位器RP1的另一端连接负载正常供电模块31的输出端，第二三极管V2的集电极连接第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接第四三极管V4的基极，第四三极管V4的集电极连接第六电阻R6的另一端，第四三极管V4的发射极连接第二二极管D2的正极，第二二极管D2的负极接地。
在负载上的电流超出阈值时，第一三极管V1上的电压增大，使得和其并联的第四电阻R4、第一二极管D1、电位器RP1上的电压增大，使得第一二极管D1（稳压二极管）导通，进而使得第二三极管V2的基极电压由高电平变为低电平，第二三极管V2导通，为第四三极管V4基极供电，第四三极管V4导通，使得为第一三极管V1发射极供电的输出电压VOUT转而为第四三极管V4供电，进而使得第一三极管V1、第三三极管V3截止，停止为负载供电，保证负载工作安全。
在另一个实施例中：可以略去第二二极管D2，第二二极管D2用于指示负载工作电流超出阈值，使用者可以通过观察第二二极管D2的亮灭来获得负载工作状况。
在本实施例中：请参阅图3，恒定限制模块33包括可控硅Z1，可控硅Z1的正极连接过流限制模块32的第二输入端，可控硅Z1的负极接地，可控硅Z1的控制极连接过流限制模块32的输出端。
第一二极管D1导通为可控硅Z1的控制极通过电压，可控硅Z1导通，使得第二三极管V2的基极通过可控硅Z1接地，保持低压水平，第二二极管D2、第四二极管一直导通，进而一直抑制第一三极管V1、第三三极管V3导通。
在另一个实施例中，可以在可控硅Z1的正极增加电阻，改变第二三极管V2的导通程度，本方案中第二三极管V2完全导通保证第四三极管V4完全导通，进而维持第一三极管V1、第三三极管V3截止。
本发明的工作原理是：LDO稳压模块1在输出给负载的输出电压VOUT减小时，对输出电压VOUT增大；在输出电压VOUT增大时，对输出电压VOUT减小，电压限制模块2构建相较于LDO稳压模块1输出电压VOUT更低的电压满足负载工作需求，电压限制模块2内包括镜像模块21构建LDO稳压模块1输出侧开关管的镜像开关管，信号采集模块22采集镜像开关管的电压，为偏置电压模块23提供控制电压，偏置电压模块23根据控制电压为LDO稳压模块1的输出侧开关管提供偏置电压，改变LDO稳压模块1的输出侧开关管的导通阻抗，电流限制模块3在不进行电流取样的状况下对负载进行过流保护；电流限制模块3包括：负载正常供电模块31接收LDO稳压模块1的输出电压VOUT，为负载工作供电，过流限制模块32在负载电流超出阈值时，断开负载正常供电模块31，恒定限制模块33在过流限制模块32工作后，控制过流限制模块32一直工作，本发明通过限制LDO输出电压VOUT，使得其适用范围更广，且对负载电路进行监控，保证使用安全。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种应用于LDO的保护电路，其特征在于：
该应用于LDO的保护电路包括：
LDO稳压模块，用于在输出给负载的输出电压减小时，对输出电压增大；在输出电压增大时，对输出电压减小；
电压限制模块，用于构建相较于LDO稳压模块输出电压更低的电压满足负载工作需求；电压限制模块包括：
镜像模块，用于构建LDO稳压模块输出侧开关管的镜像开关管；
信号采集模块，用于采集镜像开关管的电压，为偏置电压模块提供控制电压；
偏置电压模块，用于根据控制电压为LDO稳压模块的输出侧开关管提供偏置电压，改变LDO稳压模块的输出侧开关管的导通阻抗；
电流限制模块，用于在不进行电流取样的状况下对负载进行过流保护；电流限制模块包括：
负载正常供电模块，用于接收LDO稳压模块的输出电压，为负载工作供电；
过流限制模块，用于在负载电流超出阈值时，断开负载正常供电模块；
恒定限制模块，用于过流限制模块工作后，控制过流限制模块一直工作；
LDO稳压模块的第一输出端连接镜像模块的输入端，镜像模块的输出端连接信号采集模块的输入端，信号采集模块的输出端连接偏置电压模块的输入端，偏置电压模块的输出端连接LDO稳压模块的输入端，LDO稳压模块的第二输出端连接负载正常供电模块的输入端，负载正常供电模块的输出端连接过流限制模块的第一输入端，过流限制模块的输出端连接恒定限制模块的输入端，恒定限制模块的输出端连接过流限制模块的第二输入端。
2.根据权利要求1所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，LDO稳压模块包括放大器、第五MOS管、第一电阻、第二电阻，放大器的反相端连接基准电压，放大器的同相端连接第一电阻、第二电阻，第二电阻的另一端接地，第一电阻的另一端连接负载正常供电模块的输入端、第五MOS管的D极，第五MOS管的S极连接供电电压，第五MOS管的G极连接放大器的输出端、镜像模块的输入端。
3.根据权利要求1所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，镜像模块包括第一MOS管，第一MOS管的S极连接供电电压，第一MOS管的G极连接LDO稳压模块的第一输出端，第一MOS管的D极连接信号采集模块的输入端。
4.根据权利要求1所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，信号采集模块包括第二MOS管，第二MOS管的D极连接第二MOS管的G极、镜像模块的输出端、偏置电压模块的输入端，第二MOS管的S极接地。
5.根据权利要求1所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，偏置电压模块包括第三MOS管、第四MOS管、限流电阻，限流电阻的一端连接供电电压，限流电阻的另一端连接LDO稳压模块的输入端、第四MOS管的D极，第四MOS管的S极连接第三MOS管的D极，第三MOS管的S极接地，第三MOS管的G极连接信号采集模块的输出端。
6.根据权利要求1所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，负载正常供电模块包括第一三极管、第三三极管、第五电阻，第一三极管的发射极连接LDO稳压模块的输出电压、第三三极管的基极，第一三极管的集电极连接负载、过流限制模块的第一输入端，第一三极管的基极连接第三三极管的集电极，第三三极管的发射极连接第五电阻，第五电阻的另一端接地。
7.根据权利要求1所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，过流限制模块包括第二三极管、第四三极管、第三电阻、第四电阻、第六电阻、电位器，第二三极管的发射极连接LDO稳压模块的输出电压、第四电阻、第六电阻，第四电阻的另一端连接第二三极管的基极、第一二极管的负极，第一二极管的正极连接第一电位器、恒定限制模块的输入端，第一电位器的另一端连接负载正常供电模块的输出端，第二三极管的集电极连接第三电阻，第三电阻的另一端连接第四三极管的基极，第四三极管的集电极连接第六电阻的另一端，第四三极管的发射极连接第二二极管的正极，第二二极管的负极接地。
8.根据权利要求1或7所述的应用于LDO的保护电路，其特征在于，恒定限制模块包括可控硅，可控硅的正极连接过流限制模块的第二输入端，可控硅的负极接地，可控硅的控制极连接过流限制模块的输出端。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114935958A (zh) * 2022-07-25 2022-08-23 苏州锴威特半导体股份有限公司 一种低成本ldo限流电路

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103677043A (zh) * 2012-09-14 2014-03-26 Nxp股份有限公司 低压降稳压器
CN203536947U (zh) * 2013-09-25 2014-04-09 无锡中星微电子有限公司 电流限制电路
CN104427699A (zh) * 2013-09-04 2015-03-18 海洋王（东莞）照明科技有限公司 Led信号灯及其led驱动电路
CN105517250A (zh) * 2016-01-20 2016-04-20 深圳创维－Rgb电子有限公司 一种led恒流驱动系统及其恒流控制电路
CN107066019A (zh) * 2017-06-09 2017-08-18 电子科技大学 一种负压输出型低压差线性稳压器的过流保护电路
EP3454164A1 (en) * 2017-09-12 2019-03-13 Nxp B.V. Voltage regulator circuit and method therefor
CN209327890U (zh) * 2018-12-25 2019-08-30 郑州宇通客车股份有限公司 一种稳压电路、供电电源及用电设备
CN110212766A (zh) * 2018-02-28 2019-09-06 比亚迪股份有限公司 一种电源及其电源电路
CN111367346A (zh) * 2018-12-25 2020-07-03 郑州宇通客车股份有限公司 稳压电路、供电电源及用电设备
US20200257323A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-13 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Device for providing a power supply
CN113009956A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 圣邦微电子（北京）股份有限公司 一种低压差线性稳压器及其控制电路

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103677043A (zh) * 2012-09-14 2014-03-26 Nxp股份有限公司 低压降稳压器
CN104427699A (zh) * 2013-09-04 2015-03-18 海洋王（东莞）照明科技有限公司 Led信号灯及其led驱动电路
CN203536947U (zh) * 2013-09-25 2014-04-09 无锡中星微电子有限公司 电流限制电路
CN105517250A (zh) * 2016-01-20 2016-04-20 深圳创维－Rgb电子有限公司 一种led恒流驱动系统及其恒流控制电路
CN107066019A (zh) * 2017-06-09 2017-08-18 电子科技大学 一种负压输出型低压差线性稳压器的过流保护电路
EP3454164A1 (en) * 2017-09-12 2019-03-13 Nxp B.V. Voltage regulator circuit and method therefor
CN110212766A (zh) * 2018-02-28 2019-09-06 比亚迪股份有限公司 一种电源及其电源电路
CN209327890U (zh) * 2018-12-25 2019-08-30 郑州宇通客车股份有限公司 一种稳压电路、供电电源及用电设备
CN111367346A (zh) * 2018-12-25 2020-07-03 郑州宇通客车股份有限公司 稳压电路、供电电源及用电设备
US20200257323A1 (en) * 2019-02-12 2020-08-13 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Device for providing a power supply
CN113009956A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 圣邦微电子（北京）股份有限公司 一种低压差线性稳压器及其控制电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114935958A (zh) * 2022-07-25 2022-08-23 苏州锴威特半导体股份有限公司 一种低成本ldo限流电路
CN114935958B (zh) * 2022-07-25 2022-11-08 苏州锴威特半导体股份有限公司 一种低成本ldo限流电路

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