CN114450781A - 具有装载/卸载组的处理装置和外延反应器 - Google Patents

具有装载/卸载组的处理装置和外延反应器 Download PDF

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Abstract

用于外延反应器(1000)的处理装置(900)包括：用于处理基片的反应室(100)；邻近反应室(100)的用于传送被放置在基片支撑设备上的基片的传送室(200)；至少部分地邻近传送室(200)的被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备的装载/卸载组(300)；至少部分地容纳装载/卸载组(300)的存储室(400)，该存储室具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)；用于在所述存储室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和不具有任何基片的基片支撑设备的至少一个外部机器人(500)；用于在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间经由所述传送室(200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备的至少一个内部机器人(600)；所述装载/卸载组包括彼此关联的装载‑锁定室(300A)和准备站(300B)。

Description

具有装载/卸载组的处理装置和外延反应器
发明领域
本发明涉及一种新理念的外延反应器(见例如附图1)，特别是用于在碳化硅基片上外延沉积碳化硅的用于电气、特别是电子应用的反应器。
技术现状
用于外延沉积的反应器为人所知数十年。
用于外延沉积碳化硅的反应器也早已为人所知，并且在过去，申请人本身在这方面提交了专利申请。
概述
本外延反应器的主要创新涉及：存储室(例如图1中的400)、加载/卸载组(例如图1中的300)和传送室(例如图1中的200)。这三个元件(室)与反应室(例如图1中的100)一起，可以被认为是外延反应器(例如图1中的1000)的所谓“处理装置”(例如图1中的900)的部分。
在根据本发明的反应器中，基片(substrate)在处理过程之前被放置在“基片支撑设备”上并且在处理过程之后被从“基片支撑设备”移除；这两个操作在存储室内部自动地执行。“基片支撑设备”可以被布置成同时支撑和运送一个或更多个基片，该一个或更多个基片可能被插入称为“口袋(pocket)”的特殊凹部中，并且因此“基片支撑设备”是一种被插入反应室和从反应室取出的“托盘”。具体而言，用于根据本发明的反应器的特别有利的“基片支撑设备”具有盘状形状并且在附图2中示意性地和通过示例的方式被示出(图2A是俯视图且图2B是截面图)，该附图将在下面描述。
本发明的总体目标是改进现有技术。
由于具有在所附权利要求中所表达的技术特征的处理装置而实现了该目标。
本发明的一方面也是外延反应器；所述外延反应器包括所附权利要求的处理装置对象。
特别地，本发明涉及一种用于在高温(特别是高于1,300℃和低于1,800℃)下在半导体材料的基片上外延沉积半导体材料层以用于生产电子部件的反应器；作为替代，过程压力通常介于0.03atm(＝3,000Pa)和0.5atm(50,000Pa)之间。
更特别地，本发明涉及一种用于外延沉积的反应器，该反应器被布置成在高温(特别是高于400℃并且更特别地高于800℃)下从反应室取出(已处理的)基片。
甚至更特别地，本发明涉及一种用于外延沉积的反应器，该反应器被布置成在高温(特别是高于400℃并且更特别地高于800℃)下将(未处理的)基片引入反应室中。
有利地，待处理的基片和已处理的基片位于“基片支撑设备”上。
附图目录
根据结合附图一起被考虑的以下详细描述，本发明将变得更明显，其中：
图1示出了根据本发明的外延反应器的实施例示例的示意图(该图可以被认为是俯视图)，其中特别详细地描述了处理装置，
图2A示出了根据本发明的“基片支撑设备”的实施例示例的俯视图(示意图)，
图2B示出了图2A的“基片支撑设备”的截面图(示意图)，
图3(示意性地)示出了用于根据本发明的外延反应器的实施例示例的存储室的外部机器人，
图4A示出了可以与图3的机器人结合使用的工具的俯视图，
图4B示出了可以与图3的机器人结合使用的工具的截面图，
图5示出了根据本发明的外延反应器的实施例示例的用于制备装载/卸载组的站的俯视图(示意图)，并且
图6示出了根据本发明的外延反应器的实施例示例的示意图(该图可以被认为是俯视图)，该图是图1的外延反应器的替代方案，其中特别详细地描述了处理装置。
可以很容易地理解，有多种实际地实施本发明的方式，本发明在所附权利要求中在其主要优点方面进行了限定，并且不限于以下详细描述或所附权利要求。
详细描述
参考图1，根据本发明的外延反应器1000的实施例示例包括所谓的“处理装置”900。
本发明最典型和最有利的应用是用于在半导体材料(特别是碳化硅)的基片上外延沉积半导体材料(特别是碳化硅)的层用来生产电子部件的反应器中。这些反应器是在其反应室中的外延沉积过程在高温(特别是高于1,300℃和低于1,800℃)下和在通常包括在0.03atm(＝3,000Pa)和0.5atm(50,000帕)之间的压力下执行的反应器；申请人进行了特定测试，例如在1,600℃和0.1atm(10,000Pa)下。
在图1中，示出了电子控制单元800，该电子控制单元根据功能可以被认为是外延反应器1000的一部分，即整个系统的一部分，或处理装置900(即其子系统)的一部分。通常，外延反应器可以包括多个电子控制单元，每个电子控制单元专用于控制一个或更多个子系统。在图1的示例中，电子控制单元800被布置为至少控制处理装置900，并且为此目的，从处理装置900的部件接收电信号和向处理装置900的部件发送电信号(这由两个大的黑色箭头示意性地表示)。
通常，包括根据本发明的外延反应器的外延反应器包括控制台，该控制台也可以被认为是外延反应器的控制单元的一部分。
处理装置900由四个基本部件组成：
-用于处理基片的反应室100，
-邻近反应室100的传送室200，
-至少部分地邻近传送室200的装载/卸载组300，和
-至少部分地容纳装载/卸载组300的存储室400。
应注意的是，可替代地，室200和300可以是成一体的并且构成单个室。
根据本发明的典型且有利的实施例，反应室是通过感应被加热的“热壁”的类型。特别地，即使当外延沉积过程没有进行时，其也被布置为处于“高温”；所述“高温”是低于“过程温度”，但高于“环境温度”；例如，它可以等于以摄氏度表示的“过程温度”的30％-70％。
根据本发明的典型的和有利的实施例，反应室可以具有与国际专利申请WO2004053187、WO2004053188、WO2007088420和WO2015092525(其通过引用并入本文)中所示和所描述的技术特征相似的技术特征。
根据本发明的典型的和有利的实施例，反应室包括由限定反应和沉积区的四个感受器元件(“壁”)组成的感受器装置；此外，存在另一感受器元件(“圆盘”或“圆柱体”)，其被布置为至少在外延沉积过程期间保持在反应和沉积区内并且围绕其轴线旋转。该另一感受器元件被布置成为“基片支撑设备”提供搁置，另一方面，该基片支撑设备被布置为在外延沉积过程之前被引入反应和沉积区(具有一个或更多个未处理的基片)和在外延沉积过程之后从反应和沉积区被取出(具有一个或更多个已处理的基片)，有利地当该“基片支撑设备”(和基片)还很热时进行上述操作，特别是处于高于500℃或者甚至更高的温度(例如900℃或1,000℃)。
在图1的示例中，有利地，装载/卸载组300由彼此关联的装载-锁定室300A和准备站300B组成(下面将会更好地理解)，特别地这两个元件是不同的但接近(例如，在0厘米和10厘米之间)；可替代地(见图6)，它们可以是彼此成一体。
在图1的示例中，装载-锁定室300A完全地位于室400内部并且邻近室200。
在图1的示例中，准备站300B完全地位于室400内部。
通常，外延反应器包括所谓的“闸阀”，其布置成选择性地分隔反应室。在图1的反应器的情况下，设置有(但图中未示出)在室100和室200之间的第一“闸阀”和在室200和室300A之间的第二“闸阀”和在室300A和室400之间的第三“闸阀”；此外，设置有优选地密封的门(但未在图中示出)以允许操作者进入室400的内部和放置/移除基片和基片支撑设备。
如已经提到的，在根据本发明的反应器中，设想使用“基片支撑设备”。
图2的“基片支撑设备”2000，特别有利于根据本发明的反应器，其具有凹部(在图2A中用2100表示)，所谓的“口袋部”，几乎是圆形形状，以安置与凹部的形状和尺寸基本上相同的基片(在图2A中未示出，并且在图2B中用2900表示)，且该“基片支撑设备”具有薄边缘(在图2A中用2200表示)，该薄边缘沿着其整个周边径向地突出以有助于“基片支撑设备”的处理。基片具有所谓的“平坦部”；在凹部(在图2A中用2100表示)中，在基片的“平坦部”处有插塞(在图2A中用2300表示)。
图2的“基片支撑设备”2000也可以通过如下一组部分被描述(特别地参见图2B)。它包括圆形形状的板状部分，简称为“板”2500，该板具有布置成支撑基片2900的搁置表面；特别地，搁置表面具有与基片基本上相同的形状和尺寸且构成凹部2100的底部。插塞(在图2A中用2300表示)在概念上被叠加在板2500上。设备2000还包括第一边缘部分2600，其完全围绕板2500并且轴向地延伸以便构成凹部2100的侧壁(该壁的一小部分由插塞2300构成)。设备2000最终包括完全围绕第一边缘部分2600并且径向延伸的第二边缘部分2700；可以说，第二边缘部分2700是位于第一边缘部分2600周围的凸缘。通常，板2500处于比第二边缘部位2700更低的水平。图2A的边缘2200基本上对应于图2B的第二边缘部分2700。应该注意的是，上述部分可以被连结以形成一个或更多个单件；例如，部分2500、2600和2700可以形成单件，或者部分2500可以形成第一单件并且部分2600和2700可以形成第二单件。此外，应该注意的是，上述每个部分可以通过机械地联接在一起的两个或更多个单件形成；下面描述与板2500有关的示例。
特别地和有利地，板2500被分成联接在一起的环形部位或环形部分2520和中心部位或中心部分2540；环形部位或环形部分2520与第一边缘部分2600是一体的，并且中心部位或中心部分2540被插入环形部位或环形部分2520的孔中且可以相对于环形部位或环形部分2520被升高和降低，该升高和降低从“基片支撑设备”2000的外部(特别是从图2B的下方)例如通过可移动的杆动作；在不存在这种外部动作的情况下，中心部位或中心部分2540通过在部位或部分2520和2540之间的适当机械联接保持就位。如果将基片2900插入凹部2100中，通过升高/降低中心部位或中心部分2540，基片2900也升高/降低。
特别地和有利地，板2500的其余表面被配置为使得基片2900仅在第一边缘部分2600附近与板2500的小环形区接触。例如，所述小环形区可以具有1-5mm的宽度和/或可以与第一边缘部分2600径向相距1-3mm。基片2900与板2500的中心区之间的距离可以是例如0.5-1.5mm。
通常根据本发明，处理装置包括：
-用于处理基片的反应室(图1的示例中的100)，
-邻近反应室(图1的示例中的100)的传送室(图1的示例中的200)，其用于传送被放置在基片支撑设备上的基片，
-至少部分地邻近传送室(在图1的示例中的200)的装载/卸载组(在图1的示例中的300)，其被布置成容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备，
-至少部分地容纳装载/卸载组(图1的示例中的300)的存储室(图1的示例中的400)，该存储室具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(图1的示例中的410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(图1的示例中的420)，
-至少一个(特别地仅一个)外部机器人(图1的示例中的500，在该图中机器人用符号示出)，其用于在存储室(图1示例中的400)和装载/卸载组(图1示例中的300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和没有任何基片的基片支撑设备，在特定的情况下，例如反应器的异常操作，外部机器人还可以传送带有基片的基片支撑设备，
-至少一个(特别地仅一个)内部机器人(在图1的示例中的600，在该图中机器人用符号示出)，其用于在装载/卸载组(图1示例中的300)和所述反应室(在图1示例中的100)之间经由传送室(图1示例中的200)传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备。
外部机器人500至少部分地位于存储室400内部，并且内部机器人600至少部分地位于传送室200内部。
在图1的示例中，外部机器人500还被布置为执行装载/卸载组300内部的任何传送，特别是从准备站300B到“装载-锁定”室300A传送具有一个或更多个仍待处理的基片的基片支撑设备，和从“装载-锁定”室300A到准备站300B传送具有一个或更多个已经处理的基片的基片支撑设备。
上面提到的(室)元件，特别是装载/卸载组，也可以在处理基片和/或“基片支撑设备”方面具有积极作用，即配备有布置成移动它们的装置。
在本发明的反应器中，基片在处理过程之前被放置在“基片支撑设备”上方，并且在处理过程之后被从“基片支撑设备”移除；这两个操作由存储室(图1的示例中的400)内部的外部机器人500自动地执行。具有未处理的基片的支撑设备在处理过程之前从装载/卸载组(图1示例中的300)、特别是从其装载-锁定室被传送到反应室(图1示例中的100)，而在处理过程之后具有已处理的基片的相同支撑设备从反应室(图1示例中的100)被传送到装载/卸载组(图1示例中的300)，特别是其装载-锁定室；这两个传送操作由内部机器人600自动执行。
应该注意的是，通常，相同“基片支撑设备”可以用于多个处理过程；在下文所描述的示例中，相同设备用于两个过程。在开始时和在第一处理过程之前，机器人500从区420取走“基片支撑设备”并且将其放置在站300B中，然后它从区410(例如从子区410A)取走(至少)未处理的基片并且将其放在位于站300B中的“基片支撑设备”上；在第一处理过程之后，机器人500从位于站300B中的“基片支撑设备”取走(至少)已处理的基片并且将它放在区410中(例如在子区410B中)；以后和在第二处理过程之前，机器人500从区410(例如从子区410A)取走(至少)另一未处理的基片并且将它放在位于站300B中的“基片支撑设备”上；在第二处理过程之后，机器人500从位于站300B中的“基片支撑设备”取走(至少)另一已处理的基片并且将它放在区410中(例如在子区410B中)；最后，机器人500从站300B取走“基片支撑设备”并且将它放在其它地方，例如在区420中。如前所述，通常，外部机器人500还被布置为将具有一个或更多个仍待处理的基片的基片支撑设备从准备站300B传送到装载-锁定室300A，并且将具有一个或更多个已处理的基片的基片支撑设备从装载-锁定室300A传送到准备站300B。
从概念上讲，外部机器人和内部机器人的相似之处在于它们能够执行相似运动。通常，两者都包括由三个臂构件和所谓的“端部执行器”构成的铰接臂。应该注意的是，内部机器人的第三臂构件和“端部执行器”是特殊的，因为它们被布置为靠近并且进入通常位于非常高的温度(800-1,600℃)的反应室；它可以配备位置传感器(例如“感触器(feeler)”式的)以帮助定位“端部执行器”。
下面将非限制性地参考附图来描述关于存储室(例如图1中用400表示的存储室)的创新；这就是为什么附图中所示的实施例示例的技术特征仅被称为“可能的”。
外部机器人500可以包括铰接臂510，铰接臂510被布置成操纵已处理的基片和未处理的基片两者以及基片支撑设备。
第一存储区410可以位于存储室400的第一侧上且第二存储区420可以位于存储室400的第二侧上；在图1中，考虑外部机器人500的位置，第二侧与第一侧相对。
第一存储区410可以分成仅用于未处理的基片的第一子区410A和仅用于已处理的基片的第二子区410B。
存储室400可以具有用于具有基片的支撑设备的第三存储区(图1中未示出)；该存储区可以适合于在异常情况的事件中使用，例如诸如需要操作员的干预；可选择地，第三存储区可以用于测试和/或校准基片。应当注意的是，根据一些实施例示例，在异常情况的事件中具有基片的支撑设备可以被存储在第二存储区420中。
有利地，外延反应器的电子控制单元提供了对存储室中未处理的基片和/或已处理的基片和/或基片支撑设备的定位进行编程可能性；特别是，它们中的每一个的定位可以不仅被水平地设置还可以被竖直地设置；有利地，处理之前基片的定位可以不同于处理之后相同基片的定位。以这种方式，定位具有最大的灵活性。
通常，根据本发明，多个基片可以在合适的盒子内部在存储室的区或子区中被放置成一个在另一个之上，彼此相距一定距离。通常，盒子可以安置未处理的基片和已处理的基片两者。
通常，根据本发明，多个基片支撑设备可以在合适的盒子内部在存储室的区或子区中被放置成一个在另一个之上，彼此相距一定距离。
根据第一种可能性(附图中未示出)，铰接臂包括第一臂构件和第二臂构件，第一臂构件被铰接到第二臂构件，第一臂构件具有被布置成操纵(特别是抓握)已处理的和未处理的基片的第一端部部位、被布置成操纵(特别是抓握)基片支撑设备的第二端部部位以及铰接到第二臂构件的中间部位。
在本描述中，术语“抓握”用于表示在第一部分(被称为“抓握”)和第二部分(被称为“被抓握”)之间的相对牢固的接触，而术语“操纵”仅表示使得两个部分一起移动。
根据第二种可能性(通过图3中的示例方式示出)，铰接臂510包括第一臂构件512和第二臂构件516，第一臂构件512被铰接到第二臂构件516，第一臂构件512具有第一端部部位513和第二端部部位514，该第一端部部位513被布置成处理已处理的基片和未处理的基片两者以及基片支撑设备，第二端部部位514被铰接至第二臂构件516。
铰接臂510还可以包括基座520。
铰接臂510还可以包括被安装在基座520上的升降柱511。
铰接臂510还可以包括第三臂构件517，该第三臂构件在第一端部处被铰接到第二臂构件516并且在第二端部处被铰接到升降柱511。
第一臂构件512可以包括通常在第一端部部位513处的所谓的“端部执行器”515或与其相关联；根据图3的实施例示例(典型的和有利的)，“端部执行器”515可以由“双尖叉(two-tipped fork)”构成。
第一端部部位513(特别是“端部执行器”515)可以被布置成与工具519(见图4)联接，工具519被布置成抓握基片支撑设备；所述抓握通常是直接的并且可以通过摩擦和可能的抽吸发生。
第一端部部位513(特别是“端部执行器”515)可以被布置为抓握基片；所述抓握通常是直接的并且可以通过摩擦和吸力发生。可选择地，第一端部部位513(特别是“端部执行器”515)可以被布置成与被布置成抓握基片的另一工具(附图中未示出)联接；所述抓握通常是直接的并且可以通过摩擦和可能的抽吸发生。
由于该工具，基片的背面不会被支撑设备背面存在的颗粒和/或物质弄脏。
在图4中，示出了整体用参考标记519表示的工具的实施例示例。它本质上是圆盘：上部面被布置为与基片支撑设备接触，下部面被布置为与“端部执行器”(具体参见图3)接触。在下部面上，优选地有肩部519-1，“端部执行器”可以被插入其中，特别是“端部执行器”的在相对于工具的轴线的相对的侧上的两个“尖端”。在上部面上，优选地有薄的凹部519-2，其被布置成补偿基片支撑设备的任何不完美的平面度。为了允许工具519的稳定和精确定位，可以提供典型的轴向孔，例如圆柱形或圆锥形以及例如通孔或盲孔。
为了操纵目的，特别是为了抓握，铰接臂510可以包括抽吸导管。在图3中，抽吸导管518被示出为仅在第一臂构件512内部；可选择地，它也可以在第二臂构件516和/或第三臂构件517内部。抽吸导管必须被流体联接到抽吸发生器(附图中未示出)，例如通过柔性管。抽吸导管518在“端部执行器”515的表面上开口，以便吸取与“端部执行器”接触的物体；可以是定位在一个点的抽吸，或者优选地分布在某个区域(例如，以类似于“端部执行器”515的方式延伸成“U”形的条带)上的抽吸。
存储室400可以具有用于工具519的搁置位置450。在这种情况下，外部机器人500可以被布置为从搁置位置450取走工具519或将工具519带到搁置位置450；特别地，当机器人必须操纵支撑设备时，“端部执行器”515接近搁置位置450，与工具519联接，移动离开搁置位置450，操纵支撑设备，接近搁置位置450,与工具519分离，移动离开搁置位置450。
下面将非限制性地参考附图描述关于装载/卸载组(例如图1中用300表示的装载/卸载组)的创新；这是为什么附图中所示的实施例示例的技术特征仅被称为“可能的”。
装载/卸载组300，特别是准备站300B(如图5所示)，可以包括用于支撑基片支撑设备的基座310。
装载/卸载组300，特别是准备站300B(如图5所示)，可以包括竖直移动装置320，该装置320用于升高/降低被放置在基片支撑设备上的一个或更多个基片，该基片支撑设备由基座310支撑。
竖直移动装置320可以包括可移动杆，该杆被布置成升高/降低基片支撑设备的中心部分和被搁置在其上的基片(考虑例如图2B中的设备2000的可移动的中心部位或中心部分2540)。在这种情况下，通常，基片直径大于中心部分的直径。
基座310可以被布置成将基片支撑设备(搁置在基座上)旋转一个(可变的)角度，特别是在从-360°(或更大)到360°(或更大)范围内的(可变)角度。
装载/卸载组300，特别是准备站300B(如图5所示)可以包括水平移动装置330，该水平移动装置330用于调整由基座310所支撑的基片支撑设备的水平位置。
水平移动装置330可以包括至少一个可旋转凸轮(在图5的实施例示例中，有利地设置有三个凸轮330A、330B、330C)，这些凸轮被布置成引起基片支撑设备的位移。
装载/卸载组300，特别是准备站300B(如图5所示)，可以包括清洁装置340，该清洁装置340用于由基座310所支撑的基片支撑设备。
清洁装置340可以包括至少一个抽吸设备，该抽吸设备被布置成例如在基片支撑设备的圆周边缘区域处从顶部和/或从侧面引起抽吸；在图5的实施例示例中，抽吸区域小(例如几毫米)，但是可选择地抽吸区域可以是大的(例如几厘米)或非常大，至多抽吸区域可以在整个圆周上延伸；在图5的实施例示例中，抽吸设备是可旋转的：第一角位置用于从边缘抽吸且第二角位置(图5中所示)用于搁置。
处理装置900可以包括摄像机350(它可以被称为“监控摄像机”)，该摄像机350指向装载/卸载组300、特别是准备站300B(如图5所示)的感兴趣区域360；特别地，摄像机350至少框住支撑基座310和因此框住被搁置在基座310上的任何基片支撑设备。
摄像机可以例如在可见光下工作；在这种情况下，可以使用安装反应器的环境的自然光或者可以提供照明设备。
摄像机也在IR和/或UV光下工作可能是有利的；在这种情况下，需要相应的照明设备。组合多种类型的光可以有益于可靠地识别由摄像机捕获的图像的各种元素的轮廓。
基片支撑设备(被搁置在基座310上)的旋转角度能够被布置成从由摄像机350所生成的图像开始计算(例如通过电子控制单元800)。
基片支撑设备(被搁置在基座310上)的位移能够被布置成从由摄像机350生成的图像开始计算(例如通过电子控制单元800)。
装载/卸载组300，特别是装载-锁定室300A，可以包括盖子(附图中未示出)，该盖子被布置为选择性地打开和关闭，特别是通过其旋转选择性地打开和关闭；此外，在传送室200和装载-锁定室300A之间能够有闸阀(被布置为选择性地打开和关闭)。特别地，当盖子打开时装载-锁定室300A与存储室400连通，和当盖子370关闭时，装载-锁定室300A与存储室400不连通。
下面将非限制性地参考附图描述关于传送室(例如图1中用200表示的传送室)的创新；这是为什么附图中所示的实施例示例的技术特征仅被称为“可能的”。
处理装置900可以包括邻近传送室200的冷却站210；冷却站210被布置成在处理过程之后容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备。
内部机器人600可以被布置成：
a)通常当支撑设备和基片仍然很热时，将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从反应室100传送到冷却站210，
和然后
b)通常在支撑设备和基片已经被充分冷却之后，将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从冷却站210传送到装载/卸载组300，特别是到其装载-锁定室300A；
此外，内部机器人600可以被布置成：
c)通常当正在冷却站210中冷却具有一个或更多个基片的支撑设备时，将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从装载/卸载组300，特别是从其装载-锁定室300A，传送到反应室100。
一个可能的操作序列可以是，例如：“a”、“c”、“b”。
处理装置900还可以包括邻近转移室200的加热站220；加热站220被布置成在处理过程之前容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备。
站220可以用于预热具有一个或更多个基片的基片支撑设备，但也简单地用于促进和/或加速通过传送室200的传送操作。
内部机器人600可以被布置成：
d)从装载/卸载组300，特别是从其装载-锁定室300A，传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备到加热站220，
和然后
e)将具有一个或更多个基片的基片支撑设备从加热站220传送到反应室100。
一个可能的操作序列可以是，例如：“d”、“a”、“e”、“b”。
下面将描述另外可能的创新。
有利地，处理装置可以包括代码读取和识别系统(例如条形码或QR码或字母数字代码)，用于读取在基片和/或基片支撑设备上的代码；该系统在附图中未示出。这种系统可以(至少部分地)在存储室(例如图1中用400表示的存储室)中找到一个位置。以这种方式，例如，反应器可以保持特定的跟踪，例如跟踪已经进入反应器的基片和/或位于存储室中并且仍待处理的基片和/或正在处理的基片和/或位于存储室中并且已经处理的基片和/或已经从反应器离开的基片。以这种方式，例如，反应器可以保持特定的跟踪，例如跟踪已经进入反应器的支撑设备和/或位于存储室中的支撑设备(且可能跟踪它们的位置)和/或位于反应室中的支撑设备和/或已经离开反应器的支撑设备。通常，为了跟踪基片和/或支撑设备，读取和识别系统与电子控制单元(例如图1中用800表示的电子控制单元)协作。
有利地，处理装置可以包括电子控制单元(例如图1中用800表示的电子控制单元)，该电子控制单元被布置成存储数据，该数据与(至少)一个基片支撑设备的使用有关，特别是处理过程的数量和/或持续时间和/或一种类型/多种类型。以这种方式，例如，当反应器检测到与基片支撑设备有关的某些使用条件时，它可以决定避免其进一步使用和/或向操作者发出需要清洁或更换它的信号。
两个或更多个上面描述的创新可以有利地彼此组合。
根据图6中示出的实施例并且替代图1的实施例(但是非常相似，从这两个图的相似性，这一点是明显的)，装载/卸载组300由彼此关联的装载-锁定室300A和准备站300B构成，特别有利地该装载-锁定室300A和准备站300B彼此成一体。根据该实施例示例，处理装置可以被认为包括具有通常两个闸阀的装载-锁定室，但是该装载-锁定室相对于常规的装载-锁定室具有附加功能。
这种“一体的”解决方案允许避免由内部机器人引起“基片支撑设备”和基片的一些位移，即在装载-锁定室和准备站之间的那些位移；然而，它使装载-锁定室的结构或更确切地说装载/卸载组的结构复杂化。
在图6的实施例示例的情况下，参考图5所描述的技术特征也可以被参考到被集成在装卸/卸载组300中的准备站300B。

Claims (20)

1.一种处理装置(900)，其用于外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是用于在高温下在半导体材料的基片上外延沉积半导体材料层以生产电子部件的类型，所述处理装置(900)包括：
-反应室(100)，其用于处理基片，
-传送室(200)，其邻近所述反应室(100)，用于传送被放置在基片支撑设备上的基片，
-装载/卸载组(300)，其至少部分地邻近所述传送室(200)，所述装载/卸载组(300)被布置为容纳具有一个或更多个基片的基片支撑设备，
-存储室(400)，其至少部分地容纳所述装载/卸载组(300)，所述存储室(400)具有用于已处理的和/或未处理的基片的第一存储区(410)和用于没有任何基片的基片支撑设备的第二存储区(420)，
-至少一个外部机器人(500)，其用于在所述存储室(400)和所述装载/卸载组(300)之间传送已处理的基片、未处理的基片和没有任何基片的基片支撑设备，
-至少一个内部机器人(600)，其用于经由所述传送室(200)在所述装载/卸载组(300)和所述反应室(100)之间传送具有一个或更多个基片的基片支撑设备；
其中所述装载/卸载组(300)包括彼此关联的装载-锁定室(300A)和准备站(300B)。
2.根据权利要求1所述的处理装置(900)，其中所述装载-锁定室(300A)和所述准备站(300B)不同但彼此接近。
3.根据权利要求1所述的处理装置(900)，其中所述装载-锁定室(300A)和所述准备站(300B)彼此成一体。
4.根据权利要求1或2或3所述的处理装置(900)，其中所述装载/卸载组(300)，特别是所述准备站(300B)，包括用于支撑基片支撑设备的基座(310)。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的处理装置(900)，其中所述装载/卸载组(300)，特别是所述准备站(300B)，包括竖直移动装置(320)，所述竖直移动装置用于升高/降低放置在由所述基座(310)支撑的基片支撑设备上的一个或更多个基片。
6.根据权利要求5所述的处理装置(900)，其中所述竖直移动装置(320)包括可移动杆(320)，所述可移动杆布置成升高/降低所述基片支撑设备的中心部分和搁置在所述基片支撑设备上的基片。
7.根据权利要求6所述的处理装置(900)，其中所述基片的直径大于所述中心部分的直径。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的处理装置(900)，其中所述基座(310)布置成将支撑设备旋转一个角度。
9.根据权利要求8所述的处理装置(900)，其中所述基座(310)布置成将支撑设备旋转-360°至+360°范围内的角度。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的处理装置(900)，其中所述装载/卸载组(300)，特别是所述准备站(300B)，包括水平移动装置(330)，所述水平移动装置用于调整由所述基座(310)支撑的基片支撑设备的水平位置。
11.根据权利要求10所述的处理装置(900)，其中所述水平移动装置(330)包括至少一个可旋转凸轮(330A、330B、330C)，所述凸轮被布置成引起所述基片支撑设备的位移。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的处理装置(900)，其中所述装载/卸载组(300)，特别是所述准备站(300B)，包括用于由所述基座(310)支撑的基片支撑设备的清洁装置(340)。
13.根据权利要求12所述的处理装置(900)，其中所述清洁装置(340)包括至少一个抽吸设备(340)，所述抽吸设备布置成在所述基片支撑设备的圆周边缘区域处产生抽吸。
14.根据前述权利要求中任一项所述的处理装置(900)，包括摄像机(350)，所述摄像机指向所述装载/卸载组(300)、特别是所述准备站(300B)的感兴趣区域(360)。
15.根据权利要求8和14所述的处理装置(900)，其中所述角度被布置为从由所述摄像机(350)生成的图像开始计算。
16.根据权利要求11和14所述的处理装置(900)，其中所述位移被布置为从由所述摄像机(350)生成的图像开始计算。
17.一种外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是用于在高温下、特别是在高于1300℃下在半导体材料的基片上外延沉积半导体材料层以用于生产电子部件的类型，并且所述外延反应器(1000)包括根据前述权利要求中任一项所述的处理装置(900)。
18.根据权利要求17所述的外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是被布置为在高温下、特别是在高于400℃并且更特别地高于800℃下从所述反应室取出基片的类型。
19.根据权利要求17或18所述的外延反应器(1000)，所述外延反应器(1000)是被布置为在高温下、特别是在高于400℃并且更特别地高于800℃下将基片引入所述反应室中的类型。
20.根据权利要求17或18或19所述的外延反应器(1000)，其中待处理的基片和已处理的基片位于基片支撑设备上。
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