CN114438471A - 钼沉积方法 - Google Patents

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J.W.梅斯
C.德泽拉
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Abstract

本公开涉及在衬底上沉积钼的方法。本公开还涉及钼层、包括钼层的结构和器件。在该方法中，钼通过循环沉积过程沉积在衬底上，并且该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供钼前体，以及以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成钼。钼前体包含钼原子和烃配体，反应物包括含有两个或更多个卤素原子的烃，并且至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。

Description

钼沉积方法
技术领域
本公开涉及用于制造半导体器件的方法和设备。更具体地，本公开涉及用于在衬底上沉积钼的方法和系统以及包括钼的层。
背景技术
半导体器件制造过程通常使用先进的沉积方法来形成金属和含金属层。钼可以具有本领域中寻求的许多优点。例如，它可以用作线路后端(BEOL) 或线路中端(MEOL)应用中的导体，或者用作逻辑应用中的掩埋电源轨或功函数层中的导体，以及用作高级存储器应用中的字线或位线中的导体。然而，由于钼的正电性质及其形成氮化物或碳化物相的趋势，通过循环沉积方法沉积高质量钼薄膜仍具有挑战性。因此，本领域需要用于沉积金属钼或具有少量碳和/或氮的钼的替代或改进方法。
在本部分中阐述的任何讨论(包括问题和解决方案的讨论)已包括在本公开中仅是为了提供本公开的背景。这种讨论不应被视为承认任何或所有信息在本发明制造时是已知的或以其他方式构成现有技术。
发明内容
该发明内容可以简化的形式介绍一些概念，这将在下面进一步详细描述。该发明内容不一定旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
本公开的各种实施例涉及沉积钼的方法。
在本公开中，公开了通过循环沉积过程在衬底上沉积钼的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供钼前体，以及以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成钼。根据本公开的钼前体包含钼原子和烃配体，并且反应物包括含有两个或更多个卤素原子的卤代烃，至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。
本公开还涉及通过根据本公开的方法生产的钼层。因此，在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供包含钼原子和烃配体的钼前体，以及向反应室提供包括包含两个或更多个卤素原子的烃的反应物，至少两个卤素原子附接到不同的碳原子，以在衬底上形成钼。
在另一方面，本公开涉及一种包括通过根据本公开的方法沉积的钼的结构。结构中包含的钼可以作为层沉积。换句话说，它可以是钼层。如本文所用，“结构”可以是或包括如本文所述的衬底。结构可以包括覆盖衬底的一层或多层，比如通过根据本公开的方法形成的一层或多层。结构可以是例如 BEOL中的通孔或线路，或者MEOL中的触点或局部互连。结构也可以是栅电极中的功函数层，或逻辑应用中的掩埋电源轨，以及高级存储器应用中的字线或位线。
在又一方面，本公开涉及包含通过根据本公开的方法沉积的钼的半导体器件。该器件可以是例如栅电极、逻辑或存储器件。
在另一方面，公开了一种沉积组件。沉积组件构造和布置成在衬底上沉积钼。根据本公开的用于在衬底上沉积钼的沉积组件包括构造和布置成保持衬底的一个或多个反应室，以及构造和布置成将钼前体和/或反应物以气相提供到反应室中的前体注射器系统。沉积组件还包括构造和布置成包含和蒸发包括钼原子和烃配体的钼前体的前体容器，以及构造和布置成包含和蒸发包括卤代烃的反应物的反应物容器，所述卤代烃包含两个或更多个卤素原子，至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。沉积组件构造和布置成通过前体注射器系统向反应室提供钼前体和/或反应物，以在衬底上沉积钼。
在本公开中，变量的任意两个数字可以构成该变量的可行范围，并且指示的任何范围可以包括或排除端点。此外，指示的变量任何值(不管它们是否用“约”指示)可以指精确值或近似值，并且包括等同物，并且可以指平均值、中值、代表性、多数等。此外，在本公开中，在一些实施例中，术语“包括”、“由…构成”和“具有”独立地指“通常或广泛地包括”、“包含”、“基本由…构成”或“由…构成”。在本公开中，在一些实施例中，任何定义的含义不一定排除普通和习惯含义。
附图说明
所包括的附图用于提供对本公开的进一步理解并构成本说明书的一部分，附图示出了示例性实施例，并与描述一起帮助解释本公开的原理。在图中：
图1A、图1B和图1C示出了根据本公开的方法的示例性实施例。
图2描绘了根据本公开的包括钼层的示例性结构。
图3以示意方式呈现了根据本公开的沉积设备。
图4描绘了包括根据本公开沉积的钼的示例性器件。
图5A至图5D描绘了包括根据本公开沉积的钼的器件。
图6是包括根据本公开沉积的钼的掩埋电源轨的表示。
图7描绘了具有包括根据本公开沉积的钼的功函数层的器件。
图8示出了包括根据本公开沉积的钼的3D NAND中的字线。
图9显示了包括根据本公开沉积的钼的DRAM中的字线的示例性实施例。
具体实施方式
下面提供的方法、结构、器件和设备的示例性实施例的描述仅仅是示例性的且仅是为了说明的目的。以下描述不旨在限制本公开或权利要求的范围。此外，具有所述特征的多个实施例的叙述并不旨在排除具有附加特征的其他实施例或包含所述特征的不同组合的其他实施例。例如，各种实施例被阐述为示例性实施例，并且可以在从属权利要求中陈述。除非另有说明，示例性实施例或其部件可以组合或者可以彼此分开应用。
本公开涉及一种在衬底上沉积钼的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相在反应室中提供钼前体，以及以气相向反应室提供反应物以在衬底上形成钼。在本公开中，钼可以主要或在一些实施例中基本完全或完全作为元素金属沉积。元素钼在本文是指氧化态为零的钼。根据本公开沉积的钼可以包括元素钼和其他形式的钼。例如，根据本公开沉积的钼可以部分具有 0、+2、+3、+4、+5和/或+6的氧化态。在一些实施例中，至少60％的钼作为元素金属沉积。在一些实施例中，至少80％或至少90％的钼作为元素金属沉积。在一些实施例中，至少93％或95％的钼作为元素金属沉积。
术语“前体”和“反应物”可以指参与产生另一种化合物的化学反应的分子 (化合物或包含单一元素的分子)。前体通常包含至少部分结合到由所讨论的化学反应产生的化合物或元素中的部分。这样得到的化合物或元素可以沉积在衬底上。反应物可以是没有在很大程度上结合到所得的化合物或元素中的元素或化合物。
如本文所用，“钼前体”包括可以变成气态并且可以由包含钼的化学式表示的气体或材料。在一些实施例中，钼前体以两种或更多种化合物的混合物提供。在混合物中，除钼前体之外的其它化合物可以是惰性化合物或元素。在一些实施例中，钼前体以组合物提供。适合用作组合物的组合物可以包括钼化合物和有效量的一种或多种稳定剂。组合物可以是标准条件下的溶液或气体。
在根据本公开的方法中，钼前体包含钼原子和烃配体。在一些实施例中，钼前体包括含钼的金属有机化合物。因此，钼前体是金属有机前体。金属有机前体在本文中是指包含钼原子和烃配体的钼前体，其中钼原子不直接键合到碳原子。在一些实施例中，金属有机前体包含一个钼原子，其不与碳原子直接键合。在一些实施例中，金属有机前体包含两个或更多个钼原子，其中没有一个直接键合到碳原子。在一些实施例中，金属有机前体包含两个或更多个金属原子，其中至少一个金属原子不直接键合到碳原子。
在一些实施例中，钼前体包括含钼的有机金属化合物。因此，钼前体是有机金属前体。有机金属前体在本文中是指包含钼原子和烃配体的钼前体，其中钼原子直接键合到碳原子。在有机金属前体包含两个或更多个金属原子的实施例中，所有金属原子都直接与碳原子键合。在一些实施例中，钼前体仅包含钼、碳和氢。换句话说，钼前体不含氧、氮或其他附加元素。在一些实施例中，钼前体包含至少两种烃配体。在一些实施例中，钼前体包含至少三种烃配体。在一些实施例中，钼前体包含四种烃配体。在一些实施例中，钼前体包含烃配体和氢化物配体。在一些实施例中，钼前体包含烃配体和两种或更多种氢化物配体。在一些实施例中，钼前体包含两种烃配体和两种氢化物配体。
在一些实施例中，钼前体包括环状部分。例如，钼前体可以包含一个或多个苯环。在一些实施例中，钼前体包含两个苯环。一个或两个苯环可以包含烃取代基。在一些实施例中，钼前体的每个苯环包含烷基取代基。烷基取代基可以是甲基、乙基或者包含三个、四个、五个或六个碳原子的直链或支链烷基。例如，苯环的烷基取代基可以是正丙基或异丙基。此外，烷基取代基可以是正、异、叔或仲形式的丁基、戊基或己基部分。在一些实施例中，钼前体包括、基本由或由双(乙基苯)钼构成。
在一些实施例中，钼前体包含环戊二烯基(Cp)配体。例如，钼前体可以包括、基本由或由MoCp2Cl2或MoCp2H2,Mo(iPrCp)2Cl2,Mo(iPrCp)2H2, Mo(EtCp)2H2构成。
在一些实施例中，钼前体包括含羰基配体。例如，钼前体可以包括、基本由或由Mo(CO)6,Mo(1,3,5-环庚三烯)(CO)3。此外，在一些实施例中，钼前体包括含亚硝酰基配体。例如，钼前体可以包括、基本由或由MoCp(CO)2(NO) 构成。
在根据本公开的方法中，反应物包括含有两个或更多个卤素原子的卤代烃。反应物的至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。反应物包括含有相互附接的至少两个碳原子的烃。反应物也可以包含三个碳原子。此外，反应物可以包含四个、五个或六个碳原子。反应物可以包括直链、支链、环状和/ 或芳族碳链。例如，反应物可以包括卤代乙烷、丙烷、2-甲基丙烷、2,2-二甲基丙烷(新戊烷)、正丁烷、2-甲基丁烷、2,2-二甲基丁烷、正戊烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷或正己烷。
反应物包含两个或更多个卤素原子，并且至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。卤素原子可以是相同的卤素，例如溴、碘、氟或氯。可替代地，卤素可以是不同的卤素，例如碘和溴、溴和氯、氯和碘。反应物可以包括附接到不同碳原子的两个卤素原子。反应物可以包括三个卤素原子，每个附接到不同的碳原子。反应物可以包括四个卤素原子，每个附接到不同的碳原子。可替代地，在反应物包含三个、四个或更多个卤素原子的实施例中，一些碳原子可以附接到两个或三个卤素原子。
在一些实施例中，反应物中的两个卤素原子附接到烃的相邻碳原子。因此，反应物可以包含两个相邻碳原子，每个具有至少一个卤素取代基。在一些实施例中，每个相邻碳原子仅具有一个卤素取代基。可替代地，附接到卤素的一个或两个碳原子可以具有附接到其的两个卤素原子。可以设想其中附接到卤素的一个或两个碳原子具有附接到其的三个卤素原子的实施例。碳链中所述两个碳原子的位置可以变化。在一些实施例中，它们位于碳链的末端，但在一些实施例中，它们远离碳链的末端。对本领域技术人员来说显而易见的是，碳链中给定碳原子的位置限制了可用的潜在取代基的数量。
例如，在反应物包含两个碳原子的实施例中，至少一个卤素原子附接到每个碳。如果双碳反应物包含两个卤原子，那么它们中的每个附接到不同的碳原子。在反应物包含两个碳原子和三个卤素的实施例中，碳原子之一被卤素双取代。在反应物包含两个碳原子和四个卤素的实施例中，两个碳原子都可以被卤素双取代。可替代地，一个碳原子可以具有一个卤素取代基，而第二个可以具有三个。
类似地，在反应物包含三个碳原子和两个卤素原子的实施例中，每个卤素原子附接到不同的碳原子。因此一个碳原子没有附接到其的卤素原子。两个卤素原子可以附接到相邻碳原子(即在碳链中彼此相邻的碳原子)。可替代地，卤代碳原子之间可以有一个碳原子。例如，反应物可以包括、基本由或由1,2-二卤丙烷或1,3-二卤丙烷构成，例如1,2-二氯丙烷、1,3-二氯丙烷、1,2- 二碘丙烷或1,3-二碘丙烷、1,2-二氟丙烷或1,3-二氟丙烷。
在反应物包含三个碳原子和三个卤素原子的实施例中，每个碳原子可以具有附接到其的卤素原子。可替代地，三个碳原子中的任何一个可以具有附接到其的两个卤素原子，并且一个碳原子—或在碳链的末端或在其中间—可以没有卤素。双取代碳原子可以在碳链的末端或在其中间。作为进一步替代，在一些实施例中，三碳反应物可以包含四个卤素原子。在这样的实施例中，每个碳可以具有附接到其的卤素原子，并且一个碳—或在碳链的末端或在其中间—可以具有附接到其的额外卤素原子。作为另一替代，两个碳可以具有附接到其的两个卤素原子，而一个碳原子—在碳链的末端或在其中间—可以没有卤素。在一些实施例中，反应物包括1,2-二卤代烷烃或1,2-二卤代烯烃或1,2-二卤代炔烃或1,2-二卤代芳烃，其中卤素附接到相邻碳原子。
在一些实施例中，反应物具有通式XaRbC—(CXcR”d)n—CXaR’b，其中X 是卤素，R、R’和R”独立地是H或烷基，a和b独立地是1或2，使得对于每个碳原子a+b＝3，n是0、1、2、3、4或5，并且其中c和d独立地是0、 1或2，使得对于每个碳原子c+d＝2。
在一些实施例中，反应物具有通式XaRbC—CXaR’b，其中X是卤素，R 和R’独立地是H或烷基，a和b独立地是1、2或3，使得对于每个碳原子 a+b＝3。
在反应物包含四个碳的实施例中，可以具有附接到碳的两个、三个、四个、五个或六个卤素取代基。例如，反应物可以具有式CH3-CXH-CH2-CXH2, CH3-CH2-CXH-CXH2,CH3-CXH-CXH-CH3或H2CX-CH2-CH2-CXH2。在四碳卤素包含三个碳的实施例中，反应物可以具有诸如H2CX-CXH-CH2-CXH2, H2CX-CXH-CXH-CH3,HCX2-CXH-CH2-CH3,HCX2-CH2-CXH-CH3或 HCX2-CH2-CH2-CXH2或CH3-CXH-CX2-CH3的式。在各式中，X代表卤素。这种反应物的示例是1,2-二卤代丁烷、1,3-二卤代丁烷和1,4-二卤代丁烷。
在一些实施例中，可以使用环状或芳香族反应物。在一些实施例中，反应物包括环状或芳香族化合物。反应物可以包括二卤代苯环。苯环可以包含两个或更多个卤素。苯环可以包含额外取代基，例如如上所述的一个或多个烷基。反应物可以包括、基本由或由二卤代苯构成，例如1,2-二溴苯、1,2- 二碘代苯或1,2-二氯苯。二卤代苯也可以是1,3-二卤代苯或1,4-二卤代苯。此外，三卤代苯比如1,2,3-或1,2,4-卤代苯是可能的。芳香族反应物可以包含四个、五个或六个卤素。例如，循环反应物可以包括环戊烷或环己烷。循环反应物可以包含两个或更多个卤素。例如，环己烷可以含有多达12个相同或不同的卤素。卤素可以顺式或反式构型存在。环己烷中的卤素可以位于碳位置1和2，1和3，1和4，或者1,2,3或1,2,4。环状反应物的示例是1,2- 二碘环己烷、1,3-二碘环己烷、1,4-二碘环己烷、1,2-二溴环己烷、1,3-二溴环己烷、1,4-二溴环己烷、1,2-二氟环己烷、1,3-二氟环己烷、1,4-二氟环己烷。
在一些实施例中，反应物具有通式XaRbC—CXaR’b，其中X是卤素，R 和R’独立地是H或烷基，a和b独立地是1或2，使得对于每个碳原子a+b＝3。在一些实施例中，X是碘。在一些实施例中，X是溴。在一些实施例中，X 是氯。在一些实施例中，a对于两个碳原子都是1。在一些实施例中，a对于一个碳原子是1，对于另一个碳原子是2。在一些实施例中，R和R’都是H。
在一些实施例中，钼可以作为层沉积在衬底上。在这样的实施例中，钼形成钼层。如本文所用，“钼层”可以是包含钼的材料层。如本文所用，术语“层”和/或“膜”可以指任何连续或非连续的结构和材料，例如通过本文公开的方法沉积的材料。例如，层和/或膜可以包括二维材料、三维材料、纳米颗粒或甚至部分或全部分子层或部分或全部原子层或原子和/或分子簇。膜或层可以包括具有针孔的材料或层，针孔可以至少部分连续。种子层可以是用于增加另一种材料成核速率的非连续层。然而，种子层也可以基本或完全连续。
在不将本公开内容限制于任何特定理论的情况下，在一些实施例中，可能产生具有低电阻率的钼层。根据本公开的钼层的电阻率可以从约5μΩcm 到约300μΩcm，或者从约5μΩcm到约100μΩcm，或者从约5μΩcm到约50μΩcm，例如约10μΩcm、15μΩcm、20μΩcm或30μΩcm。在其他实施例中，钼层的电阻率可以是约50μΩcm、100μΩcm、150μΩcm或200μΩcm。
钼可以至少部分是元素形式。因此，钼的氧化态可能为零。钼层可以包括附加元素，例如氮、碳和/或氧。其他附加或替代元素也是可能的。在一些实施例中，钼层可以包括显著比例的除钼之外的其他元素。然而，在一些实施例中，钼层可以基本仅包含钼。因此，钼层可以包括、基本由或由钼构成。在一些实施例中，钼层可以是种子层。种子层可用于增强另一层的沉积。
在一些实施例中，钼层可以包括例如约60至约99原子百分比(原子％) 钼，或约75至约99原子％钼，或约75至约95原子％钼，或约80至约95 原子％钼。通过根据本公开的方法沉积的钼层可以包括例如约80原子％、约 83原子％、约85原子％、约87原子％、约90原子％、约95原子％、约97 原子％或约99原子％钼。在一些实施例中，钼层可以基本由或由钼构成。在一些实施例中，钼层可以基本由或由钼构成。由钼构成的层可以包括可接受量的杂质，例如氧、碳、氯或其他卤素，和/或氢，其可以来源于用于沉积钼层的一种或多种前体。
在一些实施例中，钼层可以包含小于约30原子％、小于约20原子％、小于约10原子％、小于约8原子％、小于约7原子％、小于约5原子％或小于约2原子％氧。在一些实施例中，钼层可以包含小于约20原子％、小于约15原子％、小于约10原子％、小于约8原子％、小于约6原子％、小于约5 原子％、小于4.5原子％或小于约3原子％碳。
衬底可以是可用于形成或可在其上形成结构、器件、电路或层的任何一种或多种底层材料。衬底可以包括块体材料，比如硅(例如单晶硅)、其他第四族材料，比如锗，或者其他半导体材料，比如第二-第六族或第三-第五族半导体材料，并且可以包括在块体材料之上或之下的一层或多层。此外，衬底可以包括各种特征，比如形成在衬底层的至少一部分之内或之上的凹陷、突起等。例如，衬底可以包括块体半导体材料和覆盖块体半导体材料的至少一部分的绝缘或介电材料层。衬底可以包括氮化物，例如TiN、氧化物、绝缘材料、介电材料、导电材料、金属，比如钨、钌、钼、钴、铝或铜，或者金属材料、晶体材料、外延材料、异质外延材料和/或单晶材料。在本公开的一些实施例中，衬底包括硅。如上所述，除了硅之外，衬底可以包括其他材料。其他材料可以形成层。
根据本公开的沉积钼的方法包括在反应室中提供衬底。换句话说，将衬底带入可以控制沉积条件的空间。反应室可以是组合工具的一部分，其中执行不同的过程以形成集成电路。在一些实施例中，反应室可以是流动型反应器，例如错流反应器。在一些实施例中，反应室可以是喷淋头反应器。在一些实施例中，反应室可以是空间分隔的反应器。在一些实施例中，反应室可以是单晶片ALD反应器。在一些实施例中，反应室可以是大批量制造的单晶片ALD反应器。在一些实施例中，反应室可以是用于同时制造多个衬底的分批反应器。
在根据本公开的方法中，当钼前体在反应室中时，它可以处于气相。钼前体在被提供到反应室之前的某些时间点可以是部分气态或液态，或者甚至是固态。换句话说，钼前体可以是固体、液体或气体，例如在输送到反应室之前在前体容器或其它容器中。当执行输送到反应室中时，可以应用使前体成为气相的各种方法。这样的方法可以包括例如加热器、蒸发器、气流或施加较低压力，或它们的任意组合。因此，根据本公开的方法可以包括在将钼前体提供给反应室之前加热钼前体。在一些实施例中，钼前体在容器中被加热到至少100℃，或至少110℃，或至少120℃，或至少130℃，或至少140℃。注射器系统也可被加热以改善钼前体到反应室的气相输送。
在本公开中，“气体”可以包括在常温常压(NTP)下为气体、蒸发的固体和/或蒸发的液体的材料，并且根据情况，可以由单一气体或气体混合物构成。钼前体可以气相提供给反应室。术语“惰性气体”可以指不参与化学反应和/ 或在相当程度上不成为层的一部分的气体。示例性惰性气体包括He和Ar 及其任意组合。在一些情况下，分子氮和/或氢可以是惰性气体。除了处理气体之外的气体，即不经过前体注射器系统、其他气体分配装置等引入的气体，可以用于例如密封反应空间，并且可以包括密封气体。
在根据本公开的方法中，反应物可以与包含化学吸附的钼前体的衬底接触。钼前体向钼的转化可以发生在衬底表面。在一些实施例中，转化可以至少部分地在气相中进行。
在本公开中，沉积过程可以包括循环沉积过程，例如原子层沉积(ALD) 过程或循环化学气相沉积(VCD)过程。术语“循环沉积过程”可以指将前体和/ 或反应物顺序引入反应室，以在衬底上沉积材料，例如钼。循环沉积包括诸如原子层沉积(ALD)、循环化学气相沉积(循环CVD)和包括ALD成分和循环CVD成分的混合循环沉积过程的处理技术。该过程可以包括在反应室中提供前体之间或提供前体和反应物之间的吹扫。
过程可以包括一个或多个循环阶段。在一些实施例中，过程包括一个或多个无环阶段。在一些实施例中，沉积过程包括至少一种前体的连续流动。在一些实施例中，反应物可以连续提供在反应室中。在这样的实施例中，过程包括反应物的连续流动。
术语“原子层沉积”(ALD)可以指气相沉积过程，其中沉积循环比如多个连续的沉积循环在反应室中进行。本文使用的术语原子层沉积也意味着包括由相关术语指定的过程，例如化学气相原子层沉积，当用前体/反应气体和可选的吹扫气体的交替脉冲执行时。通常，对于ALD过程，在每个循环期间，前体被引入反应室，并被化学吸附到沉积表面(例如可以包括来自先前ALD 循环的先前沉积的材料或其他材料的衬底表面)，形成不容易与额外前体反应的材料的单层或亚单层(即自限制反应)。此后，在一些情况下，可以随后将反应物(例如另一种前体或反应气体)引入处理室，用于将化学吸附的前体转化为沉积表面上的所需材料。反应物能够与前体进一步反应。在一个或多个循环期间，例如在每个循环的每个阶段期间，可以利用吹扫来从处理室去除任何过量的前体和/或从反应室去除任何过量的反应物和/或反应副产物。
CVD型过程通常涉及两种或更多种反应物之间的气相反应。前体和反应物可以同时提供给反应空间或衬底，或者以部分或完全分离的脉冲。衬底和/或反应空间可被加热以促进气态反应物之间的反应。在一些实施例中，提供前体和反应物，直到沉积具有期望厚度的层。在一些实施例中，循环CVD 过程可以与多个循环一起使用，以沉积具有期望厚度的薄膜。在循环CVD 过程中，反应物可以不重叠或部分或完全重叠的脉冲提供给反应室。
在一些实施例中，钼前体、反应物或两者以脉冲提供给反应室。钼前体脉冲或反应物脉冲的长度可以是例如约0.01秒至约60秒，例如约0.01秒至约5秒，或约1秒至约20秒，或约0.5秒至约10秒，或约5秒至约15秒，或约10秒至约30秒，或约10秒至约60秒，或约20秒至约60秒。钼前体或反应物脉冲的长度可以是例如0.03秒、0.1秒、0.5秒、1秒、1.5秒、2 秒、2.5秒、3秒、4秒、5秒、8秒、10秒、12秒、15秒、25秒、30秒、 40秒、50秒或60秒。在一些实施例中，钼前体脉冲时间可以是至少5秒，或至少10秒，或至少20秒，或至少30秒。在一些实施例中，钼前体脉冲时间可以是至多5秒，或至多10秒，或至多20秒，或至多30秒。在一些实施例中，反应物脉冲时间可以是至少15秒，或至少30秒，或至少45秒，或至少60秒。在一些实施例中，反应物脉冲时间可以是至多15秒，或至多 30秒，或至多45秒，或至多60秒。
钼前体和反应物的脉冲时间根据所讨论的过程而独立变化。合适的脉冲时间的选择可以取决于衬底拓扑。对于更高纵横比结构，可能需要更长脉冲时间来在高纵横比结构的不同区域中获得足够的表面饱和度。此外，所选择的钼前体和反应物化学物质可以影响合适的脉冲时间。出于过程优化目的，只要能够获得足够的层质量，较短脉冲时间可能是优选的。在一些实施例中，钼前体脉冲时间比反应物脉冲时间长。在一些实施例中，反应物脉冲时间比钼前体脉冲时间长。在一些实施例中，钼前体脉冲时间与反应物脉冲时间相同。
在一些实施例中，在反应物被脉冲到反应室之前，钼前体可被脉冲不止一次，例如两次、三次或四次。类似地，在钼前体被脉冲(即提供)到反应室之前，反应物可以有多于一个脉冲，例如两个、三个或四个脉冲。
在一些实施例中，方法包括在反应室中提供反应物之前通过惰性气体从反应室去除过量的钼前体。在一些实施例中，在反应室中提供钼前体和在反应室中提供反应物之间吹扫反应室。在一些实施例中，在每个脉冲之间有吹扫。因此，反应室也可以在相同化学物质例如钼前体或反应物的两个脉冲之间被吹扫。
如本文所用，术语“吹扫”可以指过程：其中例如通过用真空泵抽空反应室和/或通过用惰性或基本惰性气体比如氩或氮替换反应室内的气体，从衬底表面除去气相前体和/或气相副产物。吹扫可以在相互反应的两种气体脉冲之间进行。然而，吹扫可以在相互不反应的两种气体脉冲之间进行。例如，可在两种前体的脉冲之间或前体和还原剂之间提供吹扫。吹扫可以避免或至少减少相互反应的两种气体之间的气相相互作用。应当理解，吹扫可以在时间上或空间上或者这两者上进行。例如，在暂时吹扫的情况下，可例如以以下时间顺序使用吹扫步骤：向反应室提供第一前体、向反应室提供吹扫气体和向反应室提供第二前体，其中其上沉积有层的衬底不移动。例如，在空间吹扫的情况下，吹扫可以采取以下形式：通过吹扫气幕将衬底从第一前体被连续供应到的第一位置移动到第二前体被连续供应到的第二位置。吹扫时间可以是例如约0.01秒至约20秒，约1秒至约20秒，或约0.5秒至约10秒，或约1秒至约7秒，例如5秒、6秒或8秒。然而，如果需要，可以使用其他吹扫时间，例如在需要在极高纵横比结构或具有复杂表面形态的其他结构上高度共形的台阶覆盖的情况下，或者在可以使用特定反应器类型比如分批反应器的情况下。
在一些实施例中，根据本公开的方法包括热沉积过程。在热沉积中，与环境温度相关的温度升高会促进化学反应。通常，温度升高提供在没有其它外部能源比如等离子体、自由基或其它形式辐射的情况下形成钼所需的能量。在一些实施例中，根据本公开的方法是等离子体增强沉积方法，例如PEALD 或PECVD。
钼前体或反应物的流量(即钼前体和反应物的流量分别)可以从约5sccm 变化到约20slm。钼前体或反应物的流量可以小于3000sccm，或小于 2000sccm，或小于1000sccm，或小于600sccm。在一些实施例中，钼前体或反应物的流量可以更低，例如从约5sccm到约50sccm，或者从约10sccm到约500sccm。例如，钼前体或反应物的流量可以是500sccm、600sccm、700sccm、 800sccm或900sccm、1000sccm或1100sccm。在一些实施例中，可以使用更高的流量。例如，钼前体或反应物流量可以是5slm或更高。在一些实施例中，钼前体或反应物流量可以是10slm、12slm或15slm或20slm。
在一些实施例中，钼可以在约150℃至约400℃的温度下沉积。例如，钼可以在约200℃至约400℃的温度下沉积，或者在约250℃至约350℃的温度下沉积。在本公开的一些实施例中，钼可以在约260℃至约330℃的温度下沉积，或者在约270℃至约330℃的温度下沉积。在一些实施例中，钼可以在约150℃至约200℃的温度下沉积，或者在约300℃至约400℃的温度下沉积，或者在约280℃至约320℃的温度下沉积。例如，钼可以在以下温度下沉积：约210℃或约225℃或约285℃，或约290℃，或约310℃，或约315℃或约325℃，或约375℃，或约380℃，或约385℃，或约390℃。
可以针对不同的处理阶段独立选择反应室中的压力。在一些实施例中，在钼前体脉冲期间可以使用第一压力，在反应物脉冲期间可以使用第二压力。在吹扫或其他处理阶段期间可以使用第三或另外的压力。在一些实施例中，沉积过程中反应室内的压力小于760托，或者其中沉积过程中反应室内的压力在0.2托和760托之间，或者在1托和100托之间，或者在1托和10托之间。在一些实施例中，沉积过程中反应室内的压力小于约0.001托、小于0.01 托、小于0.1托、小于1托、小于10托、小于50托、小于100托或小于300 托。在一些实施例中，在根据本公开的方法的至少一部分期间，反应室内的压力小于约0.001托、小于0.01托、小于0.1托、小于1托、小于10托或小于50托、小于100托或小于300托。例如，在一些实施例中，第一压力可以是约0.1托、约0.5托、约1托、约5托、约10托、约20托或约50托。在一些实施例中，第二压力为约0.1托、约0.5托、约1托、约5托、约10 托、约20托或约50托。
通过附图中描绘的以下示例性实施例进一步解释本公开。本文呈现的图示不意味着是任何特定材料、结构或器件的实际视图，而仅仅是描述本公开的实施例的示意性表示。应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并不一定按比例绘制。例如，图中一些元件的尺寸可能相对于其他元件被放大，以帮助提高对本公开的所示实施例的理解。附图中描绘的结构和器件可以包含附加的元件和细节，为了清楚起见，可以省略这些元件和细节。
图1A、图1B和图1C示出了根据本公开的方法100的示例性实施例。方法100可用于形成包含钼的层，即钼层。钼层可以在结构或器件的形成过程中使用，例如本文描述的结构或器件。然而，除非另有说明，方法不限于这种应用。
在阶段102期间，衬底被提供到反应器的反应室中。反应室可以形成原子层沉积(ALD)反应器的一部分。反应器可以是单晶片反应器。可替代地，反应器可以是分批反应器。方法100的各个阶段可以在单个反应室中进行，或者它们可以在多个反应室中进行，例如组合工具的反应室。在一些实施例中，方法100在组合工具的单个反应室中进行，但该结构或器件的其他、之前或之后的制造阶段在同一组合工具的附加反应室中进行。可选地，包括反应室的反应器可以设置有加热器，以通过升高衬底和/或反应物和/或前体中的一个或多个的温度来激活反应。
在阶段102期间，可以使衬底达到期望的温度和压力，用于在反应室中提供钼前体104和/或在反应室中提供反应物106。反应室内的温度(例如衬底或衬底支撑件的温度)可以是例如约150℃至约400℃，或约250℃至约 350℃。作为另一示例，反应室内的温度可以是约275℃至约325℃，或约280℃至约320℃。反应室内的示例性温度可以是225℃、250℃、275℃、285℃、300℃、310℃、320℃和330℃。
反应室内的压力可以小于760托，例如400托、100托、50托或20托、 5托、托或0.1托。不同的压力可以用于不同的处理阶段。
钼前体被提供在包含衬底的反应室中104。在不将本公开限制于任何特定理论的情况下，在反应室中提供钼前体期间，钼前体可以化学吸附在衬底上。在反应室中提供钼前体的持续时间(钼前体脉冲时间)可以是例如0.01秒、 0.5秒、1秒、1.5秒、2秒、2.5秒、3秒、3.5秒、4秒、4.5秒或5秒。在一些实施例中，在反应室中提供钼前体的持续时间(钼前体脉冲时间)可以大于5秒或大于10秒或约20秒。
当反应物被提供在反应室中106时，它可以与化学吸附的钼前体或其衍生物质反应，以形成钼。在反应室中提供反应物的持续时间(反应物脉冲时间)可以是例如0.5秒、1秒、2秒、3秒、3.5秒、4秒、5秒、6秒、7秒、 8秒、10秒、12秒、15秒、30秒、40秒、50秒或60秒。在一些实施例中，在反应室中提供反应物的持续时间可以小于15秒或小于10秒或约3秒。
在一些实施例中，钼前体可以在提供给反应室之前被加热。在一些实施例中，反应物可以在提供给反应室之前被加热。在一些实施例中，反应物可以在提供给反应室之前保持在环境温度下。
以任何顺序执行的阶段104和106可以形成沉积循环，导致钼的沉积。在一些实施例中，可以重复(环108)钼沉积的两个阶段，即在反应室中提供钼前体和反应物(104和106)。这样的实施例包含多个沉积循环。沉积钼的厚度可以通过调节沉积循环的次数来调整。沉积循环(环108)可以重复，直到获得期望的钼厚度。例如，可以执行约50、100、150、200、250、300、400、 500、600、700、800、1200或1500个沉积循环。
在一个循环期间沉积的钼的量(生长量/循环)根据处理条件而变化，并且可以是例如从约
Figure RE-GDA0003417607810000141
/循环到约
Figure RE-GDA0003417607810000142
/循环，例如从约
Figure RE-GDA0003417607810000143
/循环到约
Figure RE-GDA0003417607810000144
/ 循环或者从约
Figure RE-GDA0003417607810000145
/循环到约
Figure RE-GDA0003417607810000146
/循环。例如，生长速率可能为约
Figure RE-GDA0003417607810000147
/循环、
Figure RE-GDA0003417607810000148
/循环、
Figure RE-GDA0003417607810000149
/循环、
Figure RE-GDA00034176078100001410
/循环、
Figure RE-GDA00034176078100001411
/循环、
Figure RE-GDA00034176078100001412
/循环、
Figure RE-GDA00034176078100001413
/循环、
Figure RE-GDA00034176078100001414
/循环。取决于沉积条件、沉积循环数等，可以沉积不同厚度的钼层。例如，钼或含钼层的厚度可以在约0.2nm和60nm之间，或者在约1nm和50nm 之间，或者在约0.5nm和25nm之间，或者在约1nm和50nm之间，或者在约10nm和60nm之间。钼层可以具有例如约0.2nm、0.3nm、0.5nm、1nm、1.5nm、2nm、2.5nm、3nm、3.5nm、4nm、4.5nm、5nm、6nm、8nm、10nm、 15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、50nm、70nm、85nm或100nm 的厚度。可以根据所讨论的应用来选择期望的厚度。
可以在单独的阶段(104和106)中在反应室中提供钼前体和反应物。图 1B示出了根据本公开的实施例，其中阶段104和106被吹扫阶段105和107 分开。在这样的实施例中，沉积循环包括一个或多个吹扫阶段103、105。在吹扫阶段期间，前体和/或反应物可以通过惰性气体比如氩(Ar)、氮(N2)或氦 (He)和/或真空压力暂时彼此分离。钼前体和反应物的分离也可以替代地是空间的。
吹扫反应室103、105可以防止或减轻钼前体和反应物之间的气相反应，并且能够实现可能的自饱和表面反应。多余的化学物质和反应副产物(如果有的话)可以在衬底与下一种反应性化学物质接触之前从衬底表面去除，例如通过吹扫反应室或通过移动衬底。然而，在一些实施例中，可以移动衬底以分别接触钼前体和反应物。因为在一些实施例中，反应可能自饱和，可能不需要对衬底进行严格的温度控制和对前体进行精确的剂量控制。然而，衬底温度优选使得入射气体物质不冷凝成单层或多层，也不在表面上热分解。
当执行方法100时，钼沉积到衬底上。沉积过程可以是循环沉积过程，并且可以包括循环CVD、ALD沉积或混合循环CVD/ALD过程。例如，在一些实施例中，与CVD过程相比，特定ALD过程的生长速率可能较低。一种增加生长速率的方法可以是在比ALD过程中通常采用的沉积温度更高的沉积温度下操作，导致化学气相沉积过程的某些部分，但仍利用钼前体和反应物的顺序引入。这种过程可以称为循环CVD。在一些实施例中，循环CVD 过程可以包括将两种或更多种前体引入反应室，其中在反应室中的两种或更多种前体之间可以有一段时间的重叠，导致沉积的ALD成分和沉积的CVD 成分。这被称为混合过程。根据另外的示例，循环沉积过程可以包括一种反应物或前体连续流动和另一种化学成分周期性脉冲到反应室中。阶段104期间反应室内的温度和/或压力可以与上面结合阶段102提到的任何压力和温度相同或相似。
在一些实施例中，使钼前体与衬底表面接触104，过量的钼前体被惰性气体或真空部分或基本完全去除105，并且使反应物与包含钼前体的衬底表面接触。钼前体可以在一个或多个脉冲104中与衬底表面接触。换句话说，可以重复钼前体104的脉冲。衬底表面上的钼前体可以与反应物反应，以在衬底表面上形成钼。反应物106的脉冲也可以重复。在一些实施例中，可以首先在反应室中提供反应物106。此后，可以一个或多个脉冲吹扫反应室105和在反应室中提供钼前体104。
例如，如果在270至310℃之间的温度下沉积钼层，并且沉积循环(提供钼前体和反应物，通过吹扫分开)重复100至200次，则可能获得厚度在约 10nm至40nm之间例如20nm或30nm的钼层。
在一些实施例中，根据本公开的钼层可以具有从约5μΩcm到约300μΩ cm的电阻率。例如，根据本公开的钼层的电阻率可以是10μΩcm、15μΩcm、 20μΩcm、50μΩcm、100μΩcm、150μΩcm或200μΩcm。具有所述电阻率的层的厚度可以是例如10nm、20nm、30nm、40nm、50nm或60nm。
钼层的电阻率可以通过使用沉积后退火来降低。退火可以在沉积钼层之后直接进行，即不沉积附加层。可替代地，退火可以在附加层已经沉积之后进行。钼层可以在退火之前被覆盖。覆盖层可以包括、基本由或由氮化硅构成。可以使用从约320℃到约470℃的退火温度。例如，退火温度可以是330℃、 350℃、380℃、400℃、430℃或450℃。退火可以在包括、基本由或由氩、氩氢混合物、氢、氮或氮氢混合物构成的气体大气中进行。退火的持续时间可以是约1分钟至约60分钟，例如5分钟、20分钟、30分钟或45分钟。退火可以在0.05至760托的压力下进行。例如，退火期间的压力可以是约1 托、约10托、约100托或约500托。
图1C描绘了类似于图1B的本公开的实施例，其中该方法包括不同配置的沉积循环。该方法开始于如上所述将衬底提供到反应室中102。第一配置的阶段(“引发剂循环”)104a至107a可以如上所述进行，但将反应物提供到反应室中106a的脉冲时间可以延长。选择引发剂循环中反应物脉冲的长度，以提高后续沉积循环中的沉积速率。在一些实施例中，阶段106a的反应物脉冲时间为至少3秒，或在约3秒和约60秒之间，例如约5秒、约10秒、约15秒、约30秒或约45秒。可以重复引发剂循环(环108a)。在一些实施例中，引发剂循环进行至少约5次，例如约10次、约20次、约25次或约 30次。在一些实施例中，反应物脉冲106a具有约10秒的持续时间，并且引发剂循环被执行约20次。在针对所讨论的应用已经执行了足够多次的引发剂循环之后，如上所述执行阶段104至107，并且重复108。然而，在一些实施例中，通过使用引发剂循环，实现目标钼层厚度所需的沉积循环的数量可以减少至少10％，或至少50％或至少60％。为了比较，在引发剂循环108a 之后的沉积循环108中的反应物脉冲时间可以短于约3秒，例如约1秒或约 2秒。因此，在一些实施例中，根据本公开的方法包括两种不同长度的反应物脉冲。
图2示出了根据本公开的示例性结构或器件200的一部分。器件或结构 200的一部分包括衬底202、钼层204和位于衬底202和钼层204之间(例如与一个或两个接触)的可选底层206。衬底202可以是或包括本文描述的任何衬底材料，例如电介质或绝缘层。举例来说，电介质或绝缘层可以是高k材料，例如金属氧化物。在一些实施例中，高k材料的介电常数高于氧化硅的介电常数。示例性高k材料包括氧化铪(HfO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、硅酸铪(HfSiOx)、氧化铝(Al2O3)、氧化镧(La2O3)、氮化钛以及包括一个或多个这种层的混合物/层压材料中的一种或多种。可替代地，衬底材料可以包括金属。
钼层204可以根据本文描述的方法形成。在形成底层206的实施例中，底层可以使用循环沉积过程形成。在一些实施例中，钼层204可以是钼金属。在一些实施例中，钼层可以直接沉积在衬底上。在这样的实施例中，没有底层。作为进一步的替代，根据本公开的结构或器件可以包括衬底和钼层之间的附加层。
图3以示意方式示出了根据本公开的沉积组件300。沉积组件300可用于执行本文所述的方法和/或形成本文所述的结构或器件或其一部分。
在图示的示例中，沉积组件300包括一个或多个反应室302、前体注射器系统301、钼前体容器304、反应物容器306、吹扫气体源308、排气源310 和控制器312。
反应室302可以包括任何合适的反应室，例如ALD或CVD反应室。
钼前体容器304可包括容器和如本文所述的一种或多种钼前体，单独地或与一种或多种载气(例如惰性气体)混合。反应物容器306可以包括容器和如本文所述的一种或多种反应物，单独地或与一种或多种载气混合。吹扫气体源308可以包括如本文所述的一种或多种惰性气体。尽管图示了三个源容器304-308，但沉积组件300可以包括任何合适数量的源容器。源容器304-308 可以通过管线314-318联接到反应室302，每个管线可以包括流量控制器、阀、加热器等。在一些实施例中，可以加热前体容器中的钼前体。在一些实施例中，加热容器，使得钼前体达到约60℃至约160℃之间的温度，例如约 100℃至约145℃，例如85℃、100℃、110℃、120℃、130℃或140℃。
排气源310可以包括一个或多个真空泵。
控制器312包括电子电路和软件，以选择性地操作沉积组件300中包括的阀、歧管、加热器、泵和其他部件。这种电路和部件操作成从相应源304-308 引入前体、反应物和吹扫气体。控制器312可以控制气体脉冲序列的定时、衬底和/或反应室302的温度、反应室302内的压力以及各种其他操作，以提供沉积组件300的正确操作。控制器312可以包括控制软件，以电动或气动控制阀来控制前体、反应物和吹扫气体流入和流出反应室302。控制器312 可以包括执行特定任务的模块，例如软件或硬件部件。模块可以配置为驻留在控制系统的可寻址存储介质上，并且配置为执行一个或多个过程。
沉积组件300的其他配置是可能的，包括不同数量和种类的前体和还原剂源以及吹扫气体源。此外，应当理解，有许多阀、导管、前体源和吹扫气体源的布置可用于实现以选择性和协调的方式将气体供给到反应室302中的目标。此外，作为沉积组件的示意性表示，为了简化说明，省略了许多部件，并且这些部件可以包括例如各种阀、歧管、吹扫器、加热器、容器、通风口和/或旁路。
在沉积组件300的操作期间，诸如半导体晶片(未示出)的衬底从例如衬底处理系统转移到反应室302。一旦衬底被转移到反应室302，来自气体源 304-308的一种或多种气体比如前体、还原剂、载气和/或吹扫气体被引入反应室302。
图4示出了半导体器件400中的线406和通孔404。器件位于半导体衬底402上。衬底可以包含本公开中描述的任何衬底材料。附加功能层(图中未示出)可以存在于衬底402上。通孔404与衬底和线406接触。通孔404 可以包括、基本由或由根据本公开沉积的钼构成。线406可以包括、基本由或由根据本公开沉积的钼构成，或者它可以包括、基本由或由另一种金属比如铜构成。通孔404和线406被低k材料包围。
图5A至图5D举例说明了不同触点应用中的根据本公开沉积的钼。在所有图中，衬底用数字502表示，源极用数字504表示，漏极用数字506表示，栅极用数字508表示，触点用数字512表示。在图5A，根据本公开沉积的钼用于源极触点510和漏极触点514。在图5B，根据本公开沉积的钼用于栅极触点510，并且在图5C，用于栅极508和源极504之间的局部互连510。在图5D，钼用于通孔和触点512之间的连接510。
图6描绘包括根据本公开沉积的钼的掩埋电源轨602和FinFET结构604。
图7示出栅极702，其中功函数层704包括、基本由或由如图5所示的类似器件中的根据本公开沉积的钼构成。
图8是3D NAND 800的图示，其中字线804包括、基本由或由根据本公开沉积的钼构成。该图显示了作为参考的沟道806、隧道氧化物808、电荷俘获层810和阻挡氧化物812的示例性实施例。
图9示出了具有掩埋字线906的DRAM900的示例性实施例。在该图中， 902表示源极，904表示栅极，910表示位线。掩埋字线906包括、基本由或由根据本公开沉积的钼构成。
上述公开的示例性实施例并不限制本发明的范围，因为这些实施例仅是本发明的实施例的示例，本发明由所附权利要求及其合法等同物限定。任何等同的实施例都在本发明的范围内。除了在此示出和描述的那些之外，本公开的各种修改比如所描述的元件的可替代有用组合对于本领域技术人员来说从描述中变得显而易见。这种修改和实施例也旨在落入所附权利要求的范围内。

Claims (21)

1.一种通过循环沉积过程在衬底上沉积钼的方法，该方法包括：
在反应室中提供衬底；
以气相向反应室提供钼前体；以及
以气相向反应室提供反应物，以在衬底上形成钼；
其中，所述钼前体包含钼原子和烃配体，并且所述反应物包括含有两个或更多个卤素原子的卤代烃，至少两个卤素原子附接到不同的碳原子。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钼前体包括仅包含钼、碳和氢的有机金属化合物。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述钼前体包括双(乙基苯)钼。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物中的两个卤素原子附接到所述烃的相邻碳原子。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物包括1,2-二卤代烷烃或1,2-二卤代烯烃或1,2-二卤代炔烃或1,2-二卤代芳烃。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物具有通式XaRbC—(CXcR”d)n—CXaR’b，其中X是卤素，R、R’和R”独立地是H或烷基，a和b独立地是1或2，使得对于每个碳原子a+b＝3，n是0、1、2、3、4或5，并且c和d独立地是0、1或2，使得对于每个碳原子c+d＝2。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物具有通式XaRbC—CXaR’b，其中X是卤素，R和R’独立地是H或烷基，a和b独立地是1或2，使得对于每个碳原子a+b＝3。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物的两个卤素原子是相同卤素。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物的两个卤素原子是碘。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应物包括1,2-二碘乙烷。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钼前体以脉冲供应，所述反应物以脉冲供应，并且所述反应室在钼前体和反应物的连续脉冲之间被吹扫。
12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法包括两种不同长度的反应物脉冲。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述反应室中的压力在0.1和100托之间。
14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述过程温度在约200℃和400℃之间。
15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述循环沉积过程包括原子层沉积过程或化学气相沉积过程。
16.根据权利要求1所述的方法，其中，所述循环沉积过程包括热沉积过程。
17.一种由权利要求1所述的方法生产的钼层。
18.根据权利要求17所述的层，其电阻率为约15μΩcm至约300μΩcm，比如20μΩcm、50μΩcm、100μΩcm、150μΩcm或200μΩcm。
19.一种包括由权利要求1沉积的钼的半导体结构。
20.一种包括由权利要求1沉积的钼的半导体器件。
21.一种用于在衬底上沉积钼的沉积组件，包括：
一个或多个反应室，其构造和布置成保持衬底；
前体注射器系统，其构造和布置成将钼前体和/或反应物以气相提供到反应室中；
其中，所述沉积组件包括前体容器，其构造和布置成包含和蒸发包括钼原子和烃配体的钼前体；以及
反应物容器，其构造和布置成包含和蒸发包括卤代烃的反应物，所述卤代烃包含两个或更多个卤素原子，至少两个卤素原子附接到不同的碳原子；并且
该组件构造和布置成通过前体注射器系统向反应室提供钼前体和/或反应物，以在衬底上沉积钼。
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