CN114428569B - 一种纳米银电容屏维修方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种纳米银电容屏维修方法及装置，该方法包括：若检测到电容屏纳米银膜层中存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向该故障电容节点释放第一预设电压值的电压；若未能使故障消除，则按照先缩短静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离，再按根据设梯度值逐次升高静电枪释放的电压值的方式不断调整静电枪的距离和释放电压值，直至故障电容节点和/或短路纳米银通道消除为止。能够通过使静电枪与纳米银膜层之间相隔一定距离，并逐次升高释放的电压值，在防止静电枪损伤纳米银导电通道的前提下，击穿故障电容节点和/或短路纳米银通道，完成维修。
Description
技术领域
本发明涉及电容屏维修技术领域，具体地，涉及一种纳米银电容屏维修方法及装置。
背景技术
目前，随着科技的不断发展，触摸屏作为一种简单、便捷的人机交互方式，已经广泛应用于我们日常生活的各个领域，同时随着人们要求的不断提高，触摸屏正向着大尺寸、高解析度、轻、薄、可弯曲、低成本等方向发展。纳米银膜层由于其方阻低的特性，被广泛使用在大尺寸的电容屏中。但是，大尺寸的纳米银电容屏尺寸较大，生产效率低下，良率也无法和小尺寸的电容屏相比。同时单片电容屏成本较高，在电容屏贴合后出现的短路或节点电容数值不良等问题普遍存在，且无较好的解决办法。现有技术中，采用将出现故障的纳米银导电通道屏蔽的方式解决短路或节点电容数值不良的问题，但是，采用这种方法可能会导致电容屏上部分区域无触的现象。另外，现有技术中还有一种通过释放高电压击穿短路或电容数值不良节点区域的方式，但是此种方法不仅不易掌握击穿短路或电容数值不良节点区域时释放的电压值的大小，还极易造成纳米银导电通道被损伤的现象。因此，本领域技术人员亟需寻找一种新的技术方案来解决上述问题。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题，本发明公开提供一种纳米银电容屏维修方法及装置。
本发明公开的第一方面，提供一种纳米银电容屏维修方法，所述方法包括：
根据预设的故障判断策略确定待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道；
若存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点释放电压；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处，按照预设梯度值逐次升高向所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放的电压值，直至所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放电压。
可选的，所述第一预设距离为0.5mm-1mm，所述第二预设距离为0mm；
所述第一预设电压值为2kv，所述预设梯度值为0.5kv。
可选的，所述根据预设的故障判断策略确定所述待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，包括：
确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点所在纳米银通道的电阻值；
若纳米银通道的电阻值低于预设电阻值，则确定所述纳米银通道为短路纳米银通道；
确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值；
若节点的电容差值高于预设差值，则确定所述节点为故障电容节点。
可选的，所述预设电阻值为0.39MΩ，所述预设差值为40-60。
可选的，所述确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值，包括：
将每个待检测的节点作为目标电容节点，将位于所述目标电容节点右侧的节点作为第一电容节点，将位于所述目标电容节点下侧的节点作为第二电容节点，将位于所述第一电容节点下侧的节点作为第三电容节点；
分别确定所述目标电容节点、第一电容节点、第二电容节点和第三电容节点的电容值；
通过预设的电容差值计算公式确定所述目标电容节点的的电容差值，所述电容差值计算公式为：
F＝丨(A-B)-(C-D)丨，
其中，A为目标电容节点的电容值，B为第二电容节点的电容值，C为第一电容节点的电容值，D为第三电容节点的电容值，F为目标电容节点的电容差值。
本发明公开的第二方面，提供一种纳米银电容屏维修装置，所述装置包括：
故障检测模块，根据预设的故障判断策略确定待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道；
第一电压模块，与所述故障检测模块相连，若存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
第一消除模块，与所述该第一电压模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点释放电压；
第二距离模块，与所述第一电压模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
第二消除模块，与所述第二距离模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值；
电压值升高模块，与所述第二距离模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处，按照预设梯度值逐次升高向所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放的电压值，直至所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放电压。
可选的，所述第一预设距离为0.5mm-1mm，所述第二预设距离为0mm；
所述第一预设电压值为2kv，所述预设梯度值为0.5kv。
可选的，所述故障检测模块，包括：
电阻值检测单元，确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点所在纳米银通道的电阻值；
短路确定单元，与所述电阻值检测单元相连，若纳米银通道的电阻值低于预设电阻值，则确定所述纳米银通道为短路纳米银通道；
电容差值检测单元，与所述短路确定单元相连，确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值；
故障电容确定单元，与所述电容差值检测单元相连，若节点的电容差值高于预设差值，则确定所述节点为故障电容节点。
可选的，所述预设电阻值为0.39MΩ，所述预设差值为40-60。
可选的，所述电容差值检测单元，包括：
将待检测电容节点作为目标电容节点，将位于所述目标电容节点右侧的电容节点作为第一电容节点，将位于所述目标电容节点下侧的电容节点作为第二电容节点，将所述第一电容节点下侧的电容节点作为第三电容节点；
分别确定所述目标电容节点、第一电容节点、第二电容节点和第三电容节点的电容值；
通过预设的电容差值计算公式确定每个节点的电容差值，所述电容差值计算公式为：
F＝丨(A-B)-(C-D)丨，
其中，A为目标电容节点的电容值，B为第二电容节点的电容值，C为第一电容节点的电容值，D为第三电容节点的电容值，F为目标电容节点的电容差值。
综上所述，本发明涉及一种纳米银电容屏维修方法及装置，该方法包括：若检测到电容屏纳米银膜层中存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；若未能使故障消除，则按照先缩短静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离，再按根据设梯度值逐次升高静电枪释放的电压值的方式不断调整静电枪的距离和释放电压值，直至故障电容节点和/或短路纳米银通道消除为止。能够通过使静电枪与纳米银膜层之间相隔一定距离，并逐次升高释放的电压值，在防止静电枪损伤纳米银导电通道的前提下，击穿故障电容节点和/或短路纳米银通道，完成维修。
本发明公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1是根据一示例性实施例示出的一种纳米银电容屏维修方法的流程图示意图；
图2是根据图1示出的一种故障检测方法的流程示意图；
图3是根据一示例性实施例示出的一种电容屏出现故障的示意图；
图4是根据一示例性实施例示出的一种纳米银电容屏维修装置的结构示意图；
图5是根据图4示出的一种故障检测模块的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。
图1是根据一示例性实施例示出的一种纳米银电容屏维修方法的流程图示意图，如图1所示，该方法包括以下步骤：
在步骤101中，根据预设的故障判断策略确定待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道。
示例地，纳米银电容屏的导电膜层中包括对整张纳米银膜层进行激光蚀刻后形成的dummy部分和纳米银导电通道部分，若蚀刻过程中由于工作失误导致两条纳米银通道没有被分割开，会在蚀刻后的导电膜层中形成短路纳米银通道，或者，若蚀刻过程中纳米银导电通道与dummy部分没有被蚀刻分开，则会导致蚀刻后的导电膜层中出现节点电容数值不良(故障电容节点)。本发明公开实施例中，在通过步骤101确定待检测纳米银电容屏纳米银膜层中的故障电容节点和/或短路纳米银通道后，再通过以下步骤102-106对故障电容节点和/或短路纳米银通道进行消除。
其中，图2是根据图1示出的一种故障检测方法的流程示意图，如图2所示，该步骤101包括：
在步骤1011中，确定该待检测电容屏纳米银膜层中每个节点所在纳米银通道的电阻值。
在步骤1012中，若纳米银通道的电阻值低于预设电阻值，则确定该纳米银通道为短路纳米银通道。
其中，该预设电阻值为0.39MΩ。
示例地，若蚀刻过程中两条纳米银通道没有被分割开，相当于原有的两条纳米银通道合并成了一条纳米银通道，合并后的纳米银通道宽度是原来的两倍，阻值也随之减小。因此，当检测到待检测电容屏纳米银膜层中存在阻值低于预设电阻值的纳米银通道时，则可以判定该纳米银通道处发生了短路。可以理解的是，可以通过电测机、万用表或触摸屏专用的测试软件对纳米银导电通道的电阻值进行检测。
在步骤1013中，确定该待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值。
具体的，将每个待检测的节点作为目标电容节点，将位于该目标电容节点右侧的节点作为第一电容节点，将位于该目标电容节点下侧的节点作为第二电容节点，将位于该第一电容节点下侧的节点作为第三电容节点；分别确定该目标电容节点、第一电容节点、第二电容节点和第三电容节点的电容值；通过预设的电容差值计算公式确定该目标电容节点的的电容差值，该电容差值计算公式为：
F＝丨(A-B)-(C-D)丨，
其中，其中，A为目标电容节点的电容值，B为第二电容节点的电容值，C为第一电容节点的电容值，D为第三电容节点的电容值，F为目标电容节点的电容差值。
在步骤1014中，若节点的电容差值高于预设差值，则确定该节点为故障电容节点。
其中，该预设差值为40-60。
示例地，由于蚀刻过程中纳米银导电通道与dummy部分没有被蚀刻分开，导致纳米银导电通道的面积增大，出现节点电容不良。如图3所示，为电容屏纳米银膜层中出现节点电容不良故障的示意图，310为纳米银导电通道，320为dummy部分，如图中圈出的放大部分所示，dummy320与纳米银导电通道310在蚀刻过程中未被蚀刻开，从而导致dummy部分320中仍有部分纳米银覆盖，此处极有可能会形成故障电容节点。
在检测是否存在故障电容节点过程中，确定位于每个节点(待检测目标电容节点)右侧的第一电容节点的电容值、下侧的第二电容节点的电容值和右下侧的第三电容节点的电容值，以及该目标电容节点的电容值，并通过电容差值计算公式确定该节点的电容差值。正常情况下的电容差值在0～20之间，也有少部分节点的电容差值超出这一范围，本发明公开实施例中，将40～60之间的数值作为预设差值，当出现节点的电容差值高于该预设差值时，将该节点确定为故障电容节点。可理解的是，上述计算每个节点电容差值的方法，即计算每个节点与周围节点之间电容值相差的数值，因此也可以将上述电容差值看做电容值数据的平整度，该平整度对应的电容差值数值越小，说明该节点处的平整度越好。在具体判断故障电容节点的过程中，在40～60之间取哪一数值作为预设差值，需要根据具体的平整度需求进行确定。若对电容屏纳米银膜层中电容的平整度要求较高，则将40作为预设差值，若对电容屏纳米银膜层中电容的平整度要求较低，则将60作为预设差值，或者根据具体的情况取40～60中间的数值作为预设差值。
另外，需要说明的是，检测电容屏纳米银膜层中节点电容差值的方法有多种，本发明公开实施例中，采用触摸每个节点并采集触摸过程中节点的电容差值，以判断该电容差值是否超出预设电容差值的方式。
在步骤102中，若存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向该故障电容节点释放第一预设电压值的电压。
示例地，确定故障电容节点和/或短路纳米银通道后，通过静电枪采用隔空打静电(即静电枪不直接接触纳米银膜层，而是与纳米银膜层相隔一定距离，先通过静电枪击穿空气，再电击到纳米银膜层中故障电容节点和/或短路纳米银通道所在的位置)的方式向该故障电容节点释放第一预设电压值。其中，该第一预设距离为0.5mm-1mm，该第一预设电压值为2kv。可以理解的是，若该第一预设距离大于1mm，则第一预设电压值也应随之增大，以达到击穿空气实现电击的效果。
在步骤103中，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点释放电压。
示例地，若通过上述步骤102对故障电容节点和/或短路纳米银通道释放第一预设电压值后，故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点释放电压。本发明公开实施例中，采用隔空打静电的方式，能够避免电压直接将纳米银导电通道打断，在不损伤纳米银导电通道的情况下仅提高纳米银导电通道的阻值，完成电容屏的维修过程。
在步骤104中，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过该静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处向该故障电容节点释放第一预设电压值的电压。
在步骤105中，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值。
示例地，若通过上述步骤102未能将故障电容节点和/或短路纳米银通道消除，则缩短静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离继续向故障电容节点和/或短路纳米银通道释放第一预设电压值的电压。通常情况下，将静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离由0.5mm-1mm(第一预设距离)缩短为0mm(第二预设距离)。此时，不需要改变静电枪释放的电压值，仅缩短静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离，也能够增强静电枪击穿故障电容节点和/或短路纳米银通道的效果，消除故障电容节点和/或短路纳米银通道。若经过静电枪释放电压后，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，则停止对该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值。
在步骤106中，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过该静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处，按照预设梯度值逐次升高向该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放的电压值，直至该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放电压。
示例地，若通过上述步骤104缩短静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离后，释放的电压仍未能将故障电容节点和/或短路纳米银通道击穿，则需要按照预设梯度值逐渐升高静电枪释放的电压值，直至将故障电容节点和/或短路纳米银通道击穿为止。其中，该预设梯度值为0.5kv，本发明公开实施例中将第一预设电压值的电压以0.5kv为梯度值逐次升高，并在每次升静电枪释放的电压值后，检测故障电容节点和/或短路纳米银通道是否被消除。若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，则停止对该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，则继续升高静电枪释放的电压值，直至若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除为止。
另外，需要说明的是，当静电枪释放的电压值被提升至20kv后，若还未能出现将故障电容节点和/或短路纳米银通道击穿的情况，为了保护电容屏的纳米银膜层，此时也不宜再升高静电枪释放的电压值，而是由技术维修人员介入进行电容屏的维修。
图4是根据一示例性实施例示出的一种纳米银电容屏维修装置的结构示意图，如图4所示，该装置400包括：
故障检测模块410，根据预设的故障判断策略确定待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道；
第一电压模块420，与该故障检测模块410相连，若存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向该故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
第一消除模块430，与该该第一电压模块420相连，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点释放电压；
第二距离模块440，与该第一电压模块420相连，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过该静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处向该故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
第二消除模块450，与该第二距离模块440相连，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值；
电压值升高模块460，与该第二距离模块440相连，若检测到该故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过该静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处，按照预设梯度值逐次升高向该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放的电压值，直至该故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对该故障电容节点和/或短路纳米银通道释放电压。
可选的，该第一预设距离为0.5mm-1mm，该第二预设距离为0mm；
该第一预设电压值为2kv，该预设梯度值为0.5kv。
图5是根据图4示出的一种故障检测模块的结构示意图，如图5所示，该故障检测模块410，包括：
电阻值检测单元411，确定该待检测电容屏纳米银膜层中每个节点所在纳米银通道的电阻值；
短路确定单元412，与该电阻值检测单元411相连，若纳米银通道的电阻值低于预设电阻值，则确定该纳米银通道为短路纳米银通道；
电容差值检测单元413，与该短路确定单元412相连，确定该待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值；
故障电容确定单元414，与该电容差值检测单元413相连，若节点的电容差值高于预设差值，则确定该节点为故障电容节点。
可选的，该预设电阻值为0.39MΩ，该预设差值为40-60。
可选的，该电容差值检测单元，包括：
将待检测电容节点作为目标电容节点，将位于该目标电容节点右侧的电容节点作为第一电容节点，将位于该目标电容节点下侧的电容节点作为第二电容节点，将该第一电容节点下侧的电容节点作为第三电容节点；
分别确定该目标电容节点、第一电容节点、第二电容节点和第三电容节点的电容值；
通过预设的电容差值计算公式确定每个节点的电容差值，该电容差值计算公式为：
F＝丨(A-B)-(C-D)丨，
其中，A为目标电容节点的电容值，B为第二电容节点的电容值，C为第一电容节点的电容值，D为第三电容节点的电容值，F为目标电容节点的电容差值。
综上所述，本发明涉及一种纳米银电容屏维修方法及装置，该方法包括：若检测到电容屏纳米银膜层中存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与该故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向该故障电容节点释放第一预设电压值的电压；若未能使故障消除，则按照先缩短静电枪与故障电容节点和/或短路纳米银通道之间的距离，再按根据设梯度值逐次升高静电枪释放的电压值的方式不断调整静电枪的距离和释放电压值，直至故障电容节点和/或短路纳米银通道消除为止。能够通过使静电枪与纳米银膜层之间相隔一定距离，并逐次升高释放的电压值，在防止静电枪损伤纳米银导电通道的前提下，击穿故障电容节点和/或短路纳米银通道，完成维修。
以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。
Claims (10)
1.一种纳米银电容屏维修方法，其特征在于，所述方法包括：
根据预设的故障判断策略确定待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道；
若存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点释放电压；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值；
若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处，按照预设梯度值逐次升高向所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放的电压值，直至所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放电压。
2.根据权利要求1所述的纳米银电容屏维修方法，其特征在于，所述第一预设距离为0.5mm-1mm，所述第二预设距离为0mm；
所述第一预设电压值为2kv，所述预设梯度值为0.5kv。
3.根据权利要求1所述的纳米银电容屏维修方法，其特征在于，所述根据预设的故障判断策略确定所述待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，包括：
确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点所在纳米银通道的电阻值；
若纳米银通道的电阻值低于预设电阻值，则确定所述纳米银通道为短路纳米银通道；
确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值；
若节点的电容差值高于预设差值，则确定所述节点为故障电容节点。
4.根据权利要求3所述的纳米银电容屏维修方法，其特征在于，所述预设电阻值为0.39MΩ，所述预设差值为40-60。
5.根据权利要求3所述的纳米银电容屏维修方法，其特征在于，所述确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值，包括：
将每个待检测的节点作为目标电容节点，将位于所述目标电容节点右侧的节点作为第一电容节点，将位于所述目标电容节点下侧的节点作为第二电容节点，将位于所述第一电容节点下侧的节点作为第三电容节点；
分别确定所述目标电容节点、第一电容节点、第二电容节点和第三电容节点的电容值；
通过预设的电容差值计算公式确定所述目标电容节点的电容差值，所述电容差值计算公式为：
F＝丨(A-B)-(C-D)丨，
其中，A为目标电容节点的电容值，B为第二电容节点的电容值，C为第一电容节点的电容值，D为第三电容节点的电容值，F为目标电容节点的电容差值。
6.一种纳米银电容屏维修装置，其特征在于，所述装置包括：
故障检测模块，根据预设的故障判断策略确定待检测电容屏纳米银膜层中是否存在故障电容节点和/或短路纳米银通道；
第一电压模块，与所述故障检测模块相连，若存在故障电容节点和/或短路纳米银通道，通过静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第一预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
第一消除模块，与所述该第一电压模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点释放电压；
第二距离模块，与所述第一电压模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处向所述故障电容节点释放第一预设电压值的电压；
第二消除模块，与所述第二距离模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放预设电压值；
电压值升高模块，与所述第二距离模块相连，若检测到所述故障电容节点和/或短路纳米银通道仍然存在，通过所述静电枪在与所述故障电容节点和/或短路纳米银通道相隔第二预设距离处，按照预设梯度值逐次升高向所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放的电压值，直至所述故障电容节点和/或短路纳米银通道被消除，停止对所述故障电容节点和/或短路纳米银通道释放电压。
7.根据权利要求6所述的纳米银电容屏维修装置，其特征在于，所述第一预设距离为0.5mm-1mm，所述第二预设距离为0mm；
所述第一预设电压值为2kv，所述预设梯度值为0.5kv。
8.根据权利要求6所述的纳米银电容屏维修装置，其特征在于，所述故障检测模块，包括：
电阻值检测单元，确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点所在纳米银通道的电阻值；
短路确定单元，与所述电阻值检测单元相连，若纳米银通道的电阻值低于预设电阻值，则确定所述纳米银通道为短路纳米银通道；
电容差值检测单元，与所述短路确定单元相连，确定所述待检测电容屏纳米银膜层中每个节点的电容差值；
故障电容确定单元，与所述电容差值检测单元相连，若节点的电容差值高于预设差值，则确定所述节点为故障电容节点。
9.根据权利要求8所述的纳米银电容屏维修装置，其特征在于，所述预设电阻值为0.39MΩ，所述预设差值为40-60。
10.根据权利要求8所述的纳米银电容屏维修装置，其特征在于，所述电容差值检测单元，包括：
将待检测电容节点作为目标电容节点，将位于所述目标电容节点右侧的电容节点作为第一电容节点，将位于所述目标电容节点下侧的电容节点作为第二电容节点，将所述第一电容节点下侧的电容节点作为第三电容节点；
分别确定所述目标电容节点、第一电容节点、第二电容节点和第三电容节点的电容值；
通过预设的电容差值计算公式确定每个节点的电容差值，所述电容差值计算公式为：
F＝丨(A-B)-(C-D)丨，
其中，A为目标电容节点的电容值，B为第二电容节点的电容值，C为第一电容节点的电容值，D为第三电容节点的电容值，F为目标电容节点的电容差值。
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