CN114384771A - 晶圆对准方法、装置及半导体器件 - Google Patents

晶圆对准方法、装置及半导体器件 Download PDF

Info

Publication number
CN114384771A
CN114384771A CN202011142250.0A CN202011142250A CN114384771A CN 114384771 A CN114384771 A CN 114384771A CN 202011142250 A CN202011142250 A CN 202011142250A CN 114384771 A CN114384771 A CN 114384771A
Authority
CN
China
Prior art keywords
alignment
preset
wafer
type
aligned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011142250.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114384771B (zh
Inventor
梁时元
南兑浩
贺晓彬
刘强
丁明正
杨涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Microelectronics of CAS
Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS, Zhenxin Beijing Semiconductor Co Ltd filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Priority to CN202011142250.0A priority Critical patent/CN114384771B/zh
Publication of CN114384771A publication Critical patent/CN114384771A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114384771B publication Critical patent/CN114384771B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，方法包括：在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；若不符合预设条件，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。

Description

晶圆对准方法、装置及半导体器件
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆对准方法、装置及半导体器件。
背景技术
为使芯片上的器件功能正常，避免晶圆制造中的颗粒污染是绝对必要的。随着器件关键尺寸(critical dimension，CD)缩小，对颗粒污染的控制要求变得越来越严格，并且越来越容易因晶圆上粘连的微小颗粒污染物掉到晶圆载物台上导致曝光机采集的晶圆平整图发生局部焦距异常(Local Defocus)，进而曝光机可能无法定位到对准标记，导致晶圆对准失败的问题，造成晶圆返工率提升，增加生产成本，严重时会影响到产品的良率。
发明内容
本申请的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种晶圆对准方法、装置及半导体器件，该目的是通过以下技术方案实现的。
本申请的第一方面提出了一种晶圆对准方法，所述方法包括：
在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，并且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；
判定所述位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；
若不符合预设条件，则从所述平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记；
利用选择的对准标记进行晶圆对准。
本申请的第二方面提出了一种晶圆对准装置，所述装置包括：
获取模块，用于在出现对准失败时，从已采集的晶圆平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，并且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；
判定模块，用于判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；
重选模块，用于在判定不符合预设条件时，读取除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种类型的对准标记；
对准模块，用于利用选择的对准标记进行晶圆对准。
本申请的第三方面提出了一种半导体器件，所述半导体器件采用上述第一方面所述的晶圆对准方法获得。
基于上述第一方面和第二方面所述的晶圆对准方法及装置，具有如下有益效果：
通过在每个曝光场内设置多种类型的对准标记，在利用预设位置的曝光场内的预设类型的对准标记进行晶圆对准出现对准失败时，判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件，若不符合预设条件，说明已采集的平整度图中位于预设位置的曝光场对应的平整度图有局部焦距异常，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为现有技术中采集的晶圆平整图发生局部焦距异常的示意图；
图2为本申请根据一示例性实施例示出的一种晶圆对准方法的实施例流程图；
图3为预先设置的用于进行对准的曝光场的位置示意图；
图4为图3中预设位置的曝光场包含的四种类型的对准标记示意图；
图5为本申请根据一示例性实施例示出的一种晶圆对准装置的结构示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。
目前，在晶圆制造过程中，进行晶圆对准时，通常使用的是位于固定位置曝光场内的对准标记进行对准，并且如果出现晶圆对准失败的情况，则需要取消后续的工艺流程，进行返工处理。
发明人发现，造成晶圆对准失败的大部分原因是晶圆虚焦，即曝光机采集的晶圆平整图发生局部焦距异常。也就是说，对于用于进行晶圆对准的曝光场(shot)，位于其内部的平整数据发生明显异常，从而在进行晶圆对准时，在曝光场中无法定位读取到对准标记(align mark)，导致对准失败。
图1为现有技术中采集的晶圆平整图发生局部焦距异常的示意图，如图1所示，位于晶圆中心位置的曝光场的平整度数据异常，导致在该曝光场内无法定位读取到对准标记，从而造成晶圆对准失败的问题。
基于上述发现，为解决晶圆对准失败的问题，本申请提出一种改进的晶圆对准方法，通过在每个曝光场内设置多种类型的对准标记，在利用预设位置的曝光场内的预设类型的对准标记进行晶圆对准出现对准失败时，判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件，若不符合预设条件，说明已采集的平整度图中位于预设位置的曝光场对应的平整度图有局部焦距异常，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败直接进行返工的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
下面以具体实施例对本申请提出的晶圆对准方法进行详细阐述。
图2为本申请根据一示例性实施例示出的一种晶圆对准方法的实施例流程图，该晶圆对准方法包括如下步骤：
步骤201：在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，该预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败。
其中，晶圆上包含有多个依次排列的曝光场，每个曝光场的芯片结构均相同，并且均包含有多种类型的对准标记。所述预设位置为曝光机预先设置好的用于进行晶圆对准的曝光场位置，曝光场内的每种类型的对准标记均可以用于进行晶圆对准，曝光机内预先设置利用一种类型的对准标记，即预设类型的对准标记进行对准，对于其他类型的对准标记以备后续重新选择使用。
可以理解的是，在进行晶圆对准之前，曝光机需要对晶圆的平整度进行检查，因此需要采集整个晶圆的平整度图，并根据平整度图中每个像素所代表的平整度数据检查晶圆的平整度是否符合工艺要求。其中，平整度数据指的是曝光机采用光学方法采集的晶圆上某一点的高度相对晶圆中心点高度的偏差。
如图3所示，为采集的整个晶圆的平整度图，曝光机预先设置好的用于进行晶圆对准的曝光场位置为shot1，也就是说，预设位置位于晶圆的中心。
进一步地，在采集整个晶圆的平整度图之后，还可以根据整个晶圆的平整度图判定是否符合工艺要求，如果符合，再进一步执行步骤201的过程。
本领域技术人员可以理解的是，对于根据整个晶圆的平整度图判定是否符合工艺要求的过程，可以通过判定超出一定范围的平整度数据的数量实现，也可以通过判定由平整度数据显示的平整度图的颜色一致性实现，本申请对此不进行具体限定。
步骤202：判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件，若不符合预设条件，则执行步骤203。
在一些实施例中，可以通过将位于预设位置的曝光场内的平整度数据与预设范围比较来判定是否符合预设条件，即若位于预设位置的曝光场内的平整度数据均位于预设范围内，则确定符合预设条件；若存在未位于所述预设范围内的平整度数据，说明该预设位置的曝光场对应的平整度图有局部焦距异常，则确定不符合预设条件，表示很可能是因为曝光机无法定位读取到预设类型的对准标记导致对准失败。
其中，预设范围为曝光机预设设置好的正常情况下的平整度数据的取值范围。
在一个例子中，该预设范围可以是-15nm～15nm之间。其中，对于负值(即小于0的值)指的是某点的高度低于晶圆中心点的高度，对于正值(即大于0的值)指的是某点的高度高于晶圆中心点的高度。
需要说明的是，若位于预设位置的曝光场内的平整度数据均位于预设范围内，即符合预设条件，说明该曝光场对应的平整度图不存在局部焦距异常，对准失败是因为其他原因引起，可以发送对准失败的通知，由技术人员定位问题。
步骤203：从该平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记。
举例来说，如图4所示，为上述图3中shot1内实际包含有四种类型的对准标记：AH32、AH53、AH74以及8.8AH32，这四种类型的对准标记均由多个条型标记组成，且条型标记的长度均为36um*2＝72um，每种类型的对准标记均包括多组条型标记，AH32类型的对准标记中每组条型标记的数量为2个，且相邻两组条型标记的中心间距为16um；AH53类型的对准标记中每组条型标记的数量为3个，且相邻两组条型标记的中心间距也为16um；AH74类型的对准标记中每组条型标记的数量为4个，且相邻两组条型标记的中心间距也为16um；8.8AH32类型的对准标记中每组条型标记的数量为2个，且相邻两组条型标记的中心间距也为17.6um。
假设曝光机内预先设置的预设类型为AH53，由于shot1位置处发生局部焦距异常，导致曝光机无法成功读取到AH53类型的对准标记，此时，曝光机可以从平整度图中的shot1区域中试着读取除AH53类型之外的其他类型对准标记(即AH32、AH74以及8.8AH32)，并从成功读取的对准标记中随机选择一种类型的对准标记。假设能够成功读取的对准标记的类型为AH32和AH74，那么既可以选择AH32，也可以选择AH74。
本领域技术人员可以理解的是，在进行晶圆对准之前，曝光机在平整度图上读取对准标记的方式，可以采用相关技术实现，本申请对此不进行具体限定。
步骤204：利用选择的对准标记进行晶圆对准。
本领域技术人员可以理解的是，对于利用重新选择的对准标记进行对准的过程，可以采用相关技术实现，本申请对此不进行具体限定。
需要说明的是，当已对准晶圆的数量达到预设数量时，可以针对每个已对准晶圆，若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第一加权值，若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记不是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第二加权值，然后根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型，若需要，则从除预设类型之外的其他类型中选择一种类型更改为预设类型。从而，根据已经对准过的晶圆所使用的对准标记类型的变更情况，决定是否更改预先类型(即首次对准使用的对准标记类型)，以避免每处理一张晶圆，均需要执行重新选取其他类型对准标记问题，可以达到提高晶圆生产效率的目的。
上述根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型的过程，可以通过将为每个已对准晶圆赋予的加权值进行累加，并根据已对准晶圆的总数和累加得到的累加值计算平均值，然后将平均值与预设数值进行比较，若平均值小于预设数值，则确定需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；否则，确定不需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型。
也就是说，假设采用预设类型对准标记进行对准的晶圆赋予的第一加权值为1，采用重新选取的其他类型对准标记进行对准的晶圆赋予的第二加权值为0，如果根据为各个已对准晶圆赋予的加权值的平均值小于预设数值，那么需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；否则，不需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型。
举例来说，预设数值为0.1，假设wafer1、wafer2、wafer3、wafer4、wafer5均是已对准过的晶圆，为wafer1赋予的加权值为0，为wafer2赋予的加权值为0，为wafer3赋予的加权值为1，为wafer4赋予的加权值为1，为wafer5赋予的加权值为1，可得这5个wafer的加权值的平均值为0.6，由于平均值0.6>预设数值0.1，那么不需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型。
至此，完成上述图2所示的流程，通过在每个曝光场内设置多种类型的对准标记，在利用预设位置的曝光场内的预设类型的对准标记进行晶圆对准出现对准失败时，判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件，若不符合预设条件，说明已采集的平整度图中位于预设位置的曝光场对应的平整度图有局部焦距异常，则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准，以避免由于晶圆平整度图发生局部焦距异常，造成对准失败的问题，进而达到降低晶圆返工率的目的，降低生产成本。
与前述晶圆对准方法的实施例相对应，本申请还提供了晶圆对准装置的实施例。
图5为本申请根据一示例性实施例示出的一种晶圆对准装置的结构示意图，该晶圆对准装置包括：
获取模块510，用于在出现对准失败时，从已采集的晶圆平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，并且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；
判定模块520，用于判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；
重选模块530，用于在判定不符合预设条件时，读取除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种类型的对准标记；
对准模块540，用于利用选择的对准标记进行晶圆对准。
在一可选实现方式中，所述判定模块520，具体用于若位于预设位置的曝光场内的平整度数据均位于预设范围内，则确定符合预设条件；若存在未位于所述预设范围内的平整度数据，则确定不符合预设条件。
在一可选实现方式中，所述预设范围为-15nm～15nm之间。
在一可选实现方式中，所述装置还包括(图5中未示出)：
更改模块，用于当已对准晶圆的数量达到预设数量时，针对每个已对准晶圆，若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第一加权值；若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记不是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第二加权值；根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；若需要，则从除预设类型之外的其他类型中选择一种类型更改为预设类型。
在一可选实现方式中，所述更改模块，具体用于在根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型的过程中，将为每个已对准晶圆赋予的加权值进行累加，并根据已对准晶圆的总数和累加得到的累加值计算平均值；若所述平均值小于预设数值，则确定需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；否则，确定不需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型。
本申请还提出了一种半导体器件，该半导体器件是采用上述实施例所述的晶圆对准方法获得。
在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。本公开的范围由所附权利要求及其等价物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

Claims (10)

1.一种晶圆对准方法，其特征在于，所述方法包括：
在出现对准失败时，从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，并且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；
判定所述位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；
若不符合预设条件，则从所述平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记；
利用选择的对准标记进行晶圆对准。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判定所述位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件，包括：
若位于预设位置的曝光场内的平整度数据均位于预设范围内，则确定符合预设条件；
若存在未位于所述预设范围内的平整度数据，则确定不符合预设条件。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设范围为-15nm～15nm之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
当已对准晶圆的数量达到预设数量时，针对每个已对准晶圆，若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第一加权值；若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记不是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第二加权值；
根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；
若需要，则从除预设类型之外的其他类型中选择一种类型更改为预设类型。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型，包括：
将为每个已对准晶圆赋予的加权值进行累加，并根据已对准晶圆的总数和累加得到的累加值计算平均值；
若所述平均值小于预设数值，则确定需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；
否则，确定不需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型。
6.一种晶圆对准装置，其特征在于，所述装置包括：
获取模块，用于在出现对准失败时，从已采集的晶圆平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据，所述预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记，并且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败；
判定模块，用于判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件；
重选模块，用于在判定不符合预设条件时，读取除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记，并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种类型的对准标记；
对准模块，用于利用选择的对准标记进行晶圆对准。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述判定模块，具体用于若位于预设位置的曝光场内的平整度数据均位于预设范围内，则确定符合预设条件；若存在未位于所述预设范围内的平整度数据，则确定不符合预设条件。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
更改模块，用于当已对准晶圆的数量达到预设数量时，针对每个已对准晶圆，若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第一加权值；若该已对准晶圆在进行晶圆对准时采用的对准标记不是预设类型的对准标记，则为该已对准晶圆赋予第二加权值；根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；若需要，则从除预设类型之外的其他类型中选择一种类型更改为预设类型。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述更改模块，具体用于在根据为每个已对准晶圆赋予的加权值确定是否需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型的过程中，将为每个已对准晶圆赋予的加权值进行累加，并根据已对准晶圆的总数和累加得到的累加值计算平均值；若所述平均值小于预设数值，则确定需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型；否则，确定不需要更改用于后续晶圆对准所使用的预设类型。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用上述权利要求1～5任一项所述的晶圆对准方法获得。
CN202011142250.0A 2020-10-22 2020-10-22 晶圆对准方法、装置及半导体器件 Active CN114384771B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011142250.0A CN114384771B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 晶圆对准方法、装置及半导体器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011142250.0A CN114384771B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 晶圆对准方法、装置及半导体器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114384771A true CN114384771A (zh) 2022-04-22
CN114384771B CN114384771B (zh) 2024-04-02

Family

ID=81194913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011142250.0A Active CN114384771B (zh) 2020-10-22 2020-10-22 晶圆对准方法、装置及半导体器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114384771B (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136019A (ja) * 1991-11-08 1993-06-01 Fujitsu Ltd 露光装置
JP2004356290A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
KR20050055909A (ko) * 2003-12-09 2005-06-14 삼성전자주식회사 노광 설비의 웨이퍼 정렬 방법
JP2005209926A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Nikon Corp マーク検出方法とその装置、露光方法とその装置、及び、デバイス製造方法
KR20060017088A (ko) * 2004-08-19 2006-02-23 삼성전자주식회사 노광 장치의 웨이퍼 얼라인 방법
KR20080008042A (ko) * 2006-07-19 2008-01-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 정렬 방법
CN105629683A (zh) * 2014-11-21 2016-06-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 曝光机的对位方法
CN111354670A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 对准方法、对准系统及计算机可读存储介质

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05136019A (ja) * 1991-11-08 1993-06-01 Fujitsu Ltd 露光装置
JP2004356290A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
KR20050055909A (ko) * 2003-12-09 2005-06-14 삼성전자주식회사 노광 설비의 웨이퍼 정렬 방법
JP2005209926A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Nikon Corp マーク検出方法とその装置、露光方法とその装置、及び、デバイス製造方法
KR20060017088A (ko) * 2004-08-19 2006-02-23 삼성전자주식회사 노광 장치의 웨이퍼 얼라인 방법
KR20080008042A (ko) * 2006-07-19 2008-01-23 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 정렬 방법
CN105629683A (zh) * 2014-11-21 2016-06-01 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 曝光机的对位方法
CN111354670A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 对准方法、对准系统及计算机可读存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN114384771B (zh) 2024-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101298444B1 (ko) 패턴의 라인폭 및/또는 위치 에러에 대한 검사 시스템 및 방법
TWI429002B (zh) 包含邊緣球狀物移除處理的晶圓製造監視系統與方法
US9927719B2 (en) Overlay sampling methodology
WO2008008817A2 (en) Edge inspection and metrology
CN112490150A (zh) 一种检测晶圆放置状态的方法、半导体工艺设备
CN113594076B (zh) 有图形晶圆的对准方法及半导体设备
WO2020257131A1 (en) Metrics for asymmetric wafer shape characterization
JP2003303763A (ja) 画像処理アライメント用ウェハアライメントマーク及び画像処理アライメント方法並びに半導体装置の製造方法
CN107910276A (zh) 一种晶圆缺陷检测方法
CN108766901B (zh) 检测晶圆工作台平坦度的方法
KR102189285B1 (ko) 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법
CN102177429A (zh) 晶片的图案检查方法及装置
CN114384771A (zh) 晶圆对准方法、装置及半导体器件
CN108226179B (zh) 自动光学检测设备的校准方法及自动修复系统
CN114384770B (zh) 晶圆对准方法、装置及半导体器件
CN105549335A (zh) 检测光刻机上晶圆边缘图形失像的方法
CN111554588A (zh) 晶圆缺陷监控系统及其监控方法
US20230120126A1 (en) Method for Measuring Stitching Overlay Accuracy of Image Sensor Stitching Manufacturing
KR100577568B1 (ko) 오버레이 측정방법 및 그에 사용되는 오버레이 마크
CN111862076B (zh) 改善亮场缺陷检测精度及其过程中因色差导致杂讯的方法
JP5148564B2 (ja) 外観検査方法およびその方法を用いて検査する外観検査装置
KR20160140276A (ko) 전자 부품 검사 방법
JP4791998B2 (ja) パターン形状評価方法およびプログラム
KR20030095944A (ko) 마스크의 제조방법
KR100479305B1 (ko) 얼라인 마크 패턴인식방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant