CN114373845B - 倒装发光二极管和半导体发光装置 - Google Patents

倒装发光二极管和半导体发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114373845B
CN114373845B CN202111621887.2A CN202111621887A CN114373845B CN 114373845 B CN114373845 B CN 114373845B CN 202111621887 A CN202111621887 A CN 202111621887A CN 114373845 B CN114373845 B CN 114373845B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
material layer
light
flip
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111621887.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114373845A (zh
Inventor
王庆
何敏游
曾江斌
刘小亮
夏章艮
洪灵愿
张中英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202111621887.2A priority Critical patent/CN114373845B/zh
Priority to CN202311842041.0A priority patent/CN117878216A/zh
Publication of CN114373845A publication Critical patent/CN114373845A/zh
Priority to US17/852,365 priority patent/US20230014850A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN114373845B publication Critical patent/CN114373845B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier

Abstract

本申请提供一种倒装发光二极管和半导体发光装置，其包括衬底、半导体堆叠层和光学薄膜堆叠层，半导体堆叠层形成在衬底的第一表面上，用于辐射光线；光学薄膜堆叠层形成在衬底的第二表面上，且包括第一反射膜组，第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度满足：第一反射膜组对于420nm～480nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，第一角度小于第二角度。通过对光学薄膜堆叠层的材料性能、厚度进行优化，在保持大角度出光的同时，对于相对小的角度出光具有较大反射率，对于相对大的角度出光具有较小反射率，可提高倒装发光二极管的亮度。

Description

倒装发光二极管和半导体发光装置
技术领域
本申请涉及半导体相关技术领域，具体涉及一种倒装发光二极管和半导体发光装置。
背景技术
发光二极管作为光源在照明领域、显示领域已得到迅速发展，尤其是在背光显示领域。近年来，背光显示领域对于显示器件的显示效果提出了更高要求，亚毫米发光二极管(Mini LED)作为传统发光二极管的改良版本，被迅速推广，其能够明显提升显示器件的显示效果。
Mini LED需具有良好的出光效果，提升其出光效果的方法有两种，一种为MiniLED的倒装设计，另一种为控制Mini LED的出光角度，出光角度的大小直接决定Mini LED的多项光学性能表现。现有解决办法是将Mini LED进行倒装设计，使Mini LED自衬底侧出光，并于衬底上镀分布式布拉格反射层。传统分布式布拉格反射层通常是低折射率材料层搭配高折射率材料层进行重复堆叠，通过各层材料层的厚度搭配设计，例如通常是薄的光学膜堆搭配厚的光学膜堆设计，薄的光学膜堆具有数对薄的低折射率材料层与薄的高折射率材料层，厚的光学膜堆具有数对相对厚的低折射率材料层与厚的高折射率材料层，并且每一层材料层的光学厚度均介于100nm～150nm范围内，能够阻止Mini LED正面漏光的同时，对Mini LED内部辐射的光具有较大的反射率，例如，如图15所示，至少对于波长范围为420nm～480nm且出光角为0°～60°的光具有高于90％的反射率，其能够促进光线从Mini LED的侧壁出射，从而实现大的出光角度。然而，反复的内部反射易导致内部吸收，从而导致MiniLED的亮度受到损失。并且，分布式布拉格反射层的厚度较厚，通常超过2微米，层数超过20层，易降低切割良率，崩边崩角几率高。
发明内容
本申请的目的在于提供一种倒装发光二极管，其通过对衬底出光面侧的光学薄膜堆叠层的材料性能、厚度进行优化，在保持大角度出光的同时，对于相对小的角度出光具有较大反射率，对于相对大的角度出光具有较小反射率，可有效提高倒装发光二极管的亮度，另外，光学薄膜堆叠层的厚度设计也能提升倒装发光二极管制程的良率。
另一目的还在于提供一种半导体发光装置，该半导体发光装置采用上述的倒装发光二极管。
第一方面，一种倒装发光二极管，其包括：
衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；
半导体堆叠层，形成在第一表面上，并用于辐射光线；
光学薄膜堆叠层，形成在第二表面上；光学薄膜堆叠层包括第一反射膜组，第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度能够满足：第一反射膜组对于420nm～480nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，第一角度小于第二角度。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组对420nm～480nm范围内一任一波长的第一角度的光线的反射率大于第一反射膜组对420nm～480nm范围内一任一波长的第二角度的光线的反射率。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组对于440nm～455nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对440nm～455nm范围内的任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，第一角度小于第二角度。
在一种可能的实施方案中，第一角度的范围为0°～20°；第二角度的范围为40°～60°。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组对于420nm～480nm范围的任一波长且为第一角度的光线的反射率均大于等于90％；第一反射膜组对于420nm～480nm范围的任一波长且为第二角度的至少部分光线的反射率低于90％。
在一种可能的实施方案中，第一材料层的光学厚度为λ1/4，300nm≤λ1≤480nm。
在一种可能的实施方案中，第二材料层的光学厚度为λ2/4，350nm≤λ2≤520nm。
在一种可能的实施方案中，第一材料层的几何厚度低于第二材料层的几何厚度。
在一种可能的实施方案中，第一材料层为氧化钛层，且几何厚度为30nm～50nm。
在一种可能的实施方案中，第二材料层为氧化硅层，且几何厚度为60nm～100nm。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组中第一材料层和第二材料层的总层数为奇数，且总层数小于15。
在一种可能的实施方案中，光学薄膜堆叠层还包括：
第二反射膜组，位于第一反射膜组的远离第二表面的一侧，包括重复叠置的第三材料层和第四材料层，第三材料层和第四材料层的光学厚度能够满足：第二反射膜组对第一光线的反射率高于50％，第二反射膜组对第二光线的反射率低于60％，第二反射膜组对第三光线的反射率低于10％；第一光线的波长介于600nm～700nm，第二光线的波长介于800nm～900nm，第三光线的波长介于1000nm～1100nm；第一光线、第二光线和第三光线的入射角度为0°～10°。
在一种可能的实施方案中，第三材料层的光学厚度为λ3/4，450nm≤λ3≤900nm。
在一种可能的实施方案中，第四材料层的光学厚度为λ4/4，300nm≤λ4≤900nm。
在一种可能的实施方案中，第三材料层为氧化硅层，且几何厚度为80～160nm。
在一种可能的实施方案中，第四材料层为氧化钛层，且几何厚度为30～90nm。
在一种可能的实施方案中，第四材料层的几何厚度低于第三材料层的几何厚度。
在一种可能的实施方案中，第一材料层的材料与第四材料层的材料相同，第二材料层的材料与第三材料层的材料相同。
在一种可能的实施方案中，第二反射膜组中第三材料层和第四材料层的总层数为偶数，第二反射膜组中第四材料层的数量是2～5层。
在一种可能的实施方案中，第二反射膜组对650nm处光线的反射率大于等于50％，第二反射膜组对850nm处光线的反射率小于等于60％，第二反射膜组对1064nm处光线的反射率小于等于10％。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组的每一第二材料层的几何厚度低于第二反射膜组的每一第三材料层的几何厚度。
在一种可能的实施方案中，光学薄膜堆叠层的第一层是第一反射膜组的第一层并且为氧化钛层，光学薄膜堆叠层的最后一层是第二反射膜组的最后一层并且为氧化钛层。
第二方面，本申请提供一种倒装发光二极管，其包括：
衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；
半导体堆叠层，形成在第一表面上，并用于辐射光线；
光学薄膜堆叠层，形成在第二表面上；光学薄膜堆叠层包括第一反射膜组和第二反射模组，第二反射模组位于第一反射模组远离第二表面的一侧；第一反射膜组包括重复叠置的相对高折射率的第一材料层和相对低折射率的第二材料层，第二反射膜组包括重复叠置的相对低折射率的第三材料层和相对高折射率的第四材料层，第一反射膜组中每一层相对低折射率的第二材料层的几何厚度均低于第二反射膜组中每一层相对低折射率的第三材料层的几何厚度。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组的第二材料层的总几何厚度低于第二反射膜组的第三材料层的总几何厚度。
在一种可能的实施方案中，第一材料层的光学厚度为λ1/4，300nm≤λ1≤480nm。
在一种可能的实施方案中，第二材料层的光学厚度为λ2/4，350nm≤λ2≤520nm。
在一种可能的实施方案中，第一材料层的几何厚度低于第二材料层的几何厚度。
在一种可能的实施方案中，第一材料层为氧化钛层，且几何厚度为30nm～50nm。
在一种可能的实施方案中，第二材料层为氧化硅层，且几何厚度为60nm～100nm。
在一种可能的实施方案中，第一反射膜组中第一材料层和第二材料层的总层数不超过15。
在一种可能的实施方案中，第三材料层的光学厚度为λ3/4，450nm≤λ3≤900nm。
在一种可能的实施方案中，第四材料层的光学厚度为λ4/4，300nm≤λ4≤900nm。
在一种可能的实施方案中，第三材料层为氧化硅层，且几何厚度为80～160nm。
在一种可能的实施方案中，第四材料层为氧化钛层，且几何厚度为30～90nm。
在一种可能的实施方案中，第四材料层的几何厚度低于第三材料层的几何厚度。
在一种可能的实施方案中，第一材料层的材料与第四材料层的材料相同，第二材料层的材料与第三材料层的材料相同。
在一种可能的实施方案中，第二反射膜组中第三材料层和第四材料层的总层数为偶数，第二反射膜组中第四材料层的数量是2～5层。
在一种可能的实施方案中，光学薄膜堆叠层的第一层是第一反射膜组的第一层并且为氧化钛层，光学薄膜堆叠层的最后一层是第二反射膜组的最后一层并且为氧化钛层。
第三方面，本申请提供一种半导体发光装置，其包括封装基板、设置在封装基板上的至少一个上述实施例中的倒装发光二极管以及封装层，封装层覆盖倒装发光二极管的侧壁。
第四方面，本申请提供一种倒装发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：
提供衬底，衬底具有相对设置的第一表面和第二表面；
于衬底的第一表面侧形成多个间隔布置的半导体堆叠层，相邻半导体堆叠层之间形成切割道；
于衬底的第二表面侧形成光学薄膜堆叠层；
自切割道处对倒装发光二极管进行隐形切割，在切割过程中包括提供600nm～700nm范围内的激光光线、提供800nm～900nm范围内的光线和提供1000nm～1100nm范围内的激光光线，并使上述光线自衬底的第二表面侧射入至衬底内部。
与现有技术相比，本申请至少具有如下有益效果：
于衬底的背对半导体堆叠层侧设置光学薄膜堆叠层，该光学薄膜堆叠层包括第一反射膜组，第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，用于反射半导体堆叠层所出射的光线，其对于小角度出光具有较大反射率，对于大角度出光具有较小反射率，实现对小角度出光的反射和对大角度出光的部分透射，可有效提高倒装发光二极管或者半导体发光装置的亮度。例如，小角度指的是0°～20°，大角度指的是40°～60°。
此外，第一材料层为氧化钛层，第二材料层为氧化硅层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均较小，且第一材料层和第二材料层的总层数为小于15。
此外，光学薄膜堆叠层还包括第二反射膜组，第二反射膜组位于第一反射膜组远离衬底的一侧，第二反射膜组包括重复叠置的第三材料层和第四材料层，第三材料层为氧化硅层，第四材料层为氧化钛层，且数量是2～5层，第二反射膜组对第一光线进行反射，对第二光线和第三光线进行透射。其中，第二反射膜组对第一光线的反射率高于50％，第一光线的波长介于600nm～700nm；第二反射膜组对第二光线的反射率低于60％，第二光线的波长介于800nm～900nm；第二反射膜组对第三光线的反射率低于10％，第三光线的波长介于1000nm～1100nm。由于第二反射膜组对650nm处的光线具有较大反射率，便于利用650nm的激光精确定位出隐形切割制程中激光在衬底上的打点位置，提高隐形切割制程的精度；同时，由于第二反射膜组对850nm处的光线具有较小反射率，便于850nm的光线可透过光学薄膜堆叠层以获得衬底另外一侧的半导体堆叠层和电极结构的图像；由于第二反射膜组对1064nm处的光线具有较小反射率，便于1064nm的激光可透过光学薄膜堆叠层到达衬底内部进行切割。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管的结构示意图；
图2为根据本申请实施例示出的一种光学薄膜堆叠层的结构示意图；
图3为根据本申请实施例示出的一种光学薄膜堆叠层的结构示意图；
图4为根据本申请实施例示出的一种光学薄膜堆叠层的光学厚度设置示意图；
图5为根据本申请实施例示出的一种光学薄膜堆叠层的几何厚度设置示意图；
图6为根据本申请实施例示出的一种光学薄膜堆叠层的反射率示意图；
图7为根据本申请实施例示出的一种第一反射膜组和第二反射膜组的反射率示意图；
图8为根据本申请实施例示出的一种第一反射膜组对于不同角度的光线的反射率示意图；
图9为根据本申请实施例示出的一种半导体发光装置的结构示意图；
图10～图14为根据本申请实施例示出的一种倒装发光二极管处于不同制备阶段的结构示意图；
图15为现有分布式布拉格反射层对于不同角度的光线的反射率示意图。
图示说明：
10 第一反射膜组 330 第二半导体层
11 第一材料层 400 绝缘层
12 第二材料层 500 第一电极
20 第二反射膜组 600 第二电极
21 第三材料层 700 第一焊盘
22 第四材料层 800 第二焊盘
100 光学薄膜堆叠层 1000 封装基板
200 衬底 1100 金属电极层
300 半导体堆叠层 2000 倒装发光二极管
310 第一半导体层 3000 封装层
320 有源层
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或营业，本申请中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”和“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”和“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
为了提升亚毫米发光二极管(Mini LED)的出光效果，将Mini LED设置成倒装结构，该Mini LED自衬底侧出光，且衬底上还设置有分布式布拉格反射层，该分布式布拉格反射层的反射频宽较大，其对于小角度出光和大角度出光均具有高反射率，在阻止Mini LED正面漏光的同时，对Mini LED的大角度出光进行高反射，导致最终Mini LED的亮度较低。
为了解决上述所存在的问题，发明人设计一种新型的光学薄膜堆叠层，以使其对于小角度出光具有较大反射率，对于大角度出光具有较小反射率，在阻止Mini LED正面漏光的同时，对Mini LED的大角度出光进行透射，以提高Mini LED的亮度。
下面通过具体实施例进行详细描述。
根据本申请的一个方面，提供一种倒装发光二极管，其具体为倒装结构的亚毫米发光二极管(Mini LED)，Mini LED的尺寸可在90000μm2以内，其长、宽为50μm至300μm，高为40μm至150μm。
参见图1，该倒装发光二极管包括衬底200、半导体堆叠层300和光学薄膜堆叠层100。
其中，衬底200的厚度为60μm～150μm，半导体堆叠层300的厚度为3μm～10μm。
衬底200为透明衬底，包括但不限于是蓝宝石平底衬底或者蓝宝石图形化衬底，其具有相对设置的第一表面和第二表面，其中，第一表面指的是衬底200的下表面，第二表面指的是衬底200的上表面。
半导体堆叠层300形成在第一表面上，并用于辐射光线。作为一个实施例，所述的倒装发光二极管用于液晶显示器(LCD)的背光源，辐射光线的波长范围优选为420nm～480nm，峰值波长介于440nm～455nm。
半导体堆叠层300自上而下包括第一半导体层310、有源层320和第二半导体层330，在本实施例中，第一半导体层310为N型半导体层，第二半导体层330为P型半导体层，有源层320为多层量子阱层，并用于出射波长为420nm～480nm范围内的光线。
光学薄膜堆叠层100形成在第二表面上。如图2所示，该光学薄膜堆叠层100包括第一反射膜组10。
第一反射膜组10包括重复叠置的第一材料层11和第二材料层12，第一材料层11和第二材料层12自下而上依次交替叠设，且第一材料层11和第二材料层12的折射率不同。第一材料层11和第二材料层12的光学厚度能够满足：对于有源层辐射的光线，例如420nm～480nm范围内的任一光线，第一反射膜组10对以第一角度出射的光线进行反射，对以第二角度出射的光线进行部分透射，第一角度小于第二角度。
较佳地，对于有源层辐射的光线，例如420nm～480nm范围内的任一光线，第一反射膜组10对以第一角度出射的光线的反射率大于第一反射膜组10对以第二角度出射的光线的反射率。
对于有源层辐射的光线，例如420nm～480nm范围内的任一光线，小角度范围内的光线定义为第一角度的光线，第一角度优选为0°～20°，第一反射膜组10对第一角度的光线仍然反射，由此防止倒装发光二极管正面漏光，提升大角度出光比例。优选的，第一反射膜组10对第一角度的光线的反射率高于90％。
对于有源层辐射的光线，例如420nm～480nm范围内的任一光线，大角度范围内的光线定义为第二角度的光线，第一反射膜组10对大角度的光线进行部分透过。例如第一反射膜组10可对超过30°的光线进行调整，从而提高倒装发光二极管的光效。例如，第二角度可选的是40°～60°或者进一步的40°～50°、50°～60°。第一反射膜组10对第二角度的至少部分光线的反射率低于90％，或者进一步的低于80％或者低于70％或者低于60％。
由于衬底200材料和光学薄膜堆叠层100的材料折射率的差异所导致的全反射现象，第一反射模组10难以调控超过60°的光线的透射比例，因此，较佳的，第二角度为不超过60°。
为了实现自420nm～480nm波长范围内以小角度出射的光线具有高反射性，以大角度出射的光线具有较高的透射比例，本申请所提出的第一反射膜组10的厚度堆叠具备如下特点：
第一材料层11为高折射率材料层，第二材料层12为低折射率材料层。
第一材料层11优选为折射率为2.4～2.6的氧化钛层，每一层第一材料层11的几何厚度优选为不超过60nm，更佳的为30nm～50nm。每一层第一材料层11的光学厚度为λ1/4，300nm≤λ1≤480nm，每一层第一材料层11的光学厚度优选为75nm～120nm。第一材料层11的几何厚度不能过薄，若过薄的话会影响第一材料层11的膜层质量，第一材料层11的几何厚度不能过厚，由于氧化钛层存在光吸收现象，若过厚的话会降低第一反射膜组10的反射率。
第二材料层12优选为折射率为1.4～1.5的氧化硅层，每一层第二材料层12的几何厚度不超过100nm，更佳的为60nm～100nm。每一层第二材料层12的光学厚度为λ2/4，350nm≤λ2≤520nm，每一层第二材料层12的光学厚度优选为87.5nm～130nm。
较佳地，每一层第一材料层11的几何厚度低于每一层第二材料层12的几何厚度。
较佳的，为了至少维持420nm～480nm波长范围内且角度为0°～20°范围内的光线具有高反射率，第一反射膜组10的总几何厚度不低于500nm，第一反射膜组10的总层数不低于10层。
较佳的，第一反射膜组10中的多层第二材料层12的总几何厚度不超过1000nm。更佳的，第一反射膜组10的总几何厚度不超过1500nm。第一反射膜组10中第一材料层11和第二材料层12的总层数为奇数，且总层数不超过15层。
第一反射膜组10具有较薄的总厚度以及较少的总层数，尤其是调控第二材料层12的厚度在上述范围内，可实现420nm～480nm波长范围内小角度的光线具有高反射性，大角度的光线具有较高的透过性，从而提升倒装发光二极管的出光亮度。
另外，第一反射膜组10维持较薄的厚度或者比较少的总层数，可以维持倒装发光二极管的稳定性，降低因第一反射膜组10的厚度过厚所引起的崩边崩角、划裂异常的风险。
作为一实施例，如图4和图5，图4中的区域I为第一反射膜组10的光学厚度，图5中的区域I为第一反射膜组10的几何厚度。
第一反射膜组10中的层结构按照堆叠顺序自下而上定义为第一层、第二层、…、第N层，奇数的层结构为第一材料层11，偶数的层结构为第二材料层12，换言之，第一反射膜组10的第一层和最后一层均为第一材料层11，光学薄膜堆叠层100的第一层和最后一层均为第一材料层11。
光学薄膜堆叠层100的第一层直接形成在衬底200上，且为第一材料层11，可防止发光二极管在隐形切割制程中出现的崩边崩角问题，最后一层也为第一材料层11，其与封装层具有较大的折射率差异，能够进一步提升反射效果，降低半导体发光装置的正面漏光。
例如，第一材料层11和第二材料层12的总层数优选为11层，第一、三、五、七、九和十一层为第一材料层11，第二、四、六、八和十层为第二材料层12。其中，第一材料层11的几何厚度分别为：第一层35nm、第三层43.35nm、第五层44.78nm、第七层36.78nm、第九层41.52nm、第十一层35.39nm；第一材料层11的光学厚度分别为：第一层87.5nm、第三层108.375nm、第五层111.95nm、第七层91.95nm、第九层103.8nm、第十一层88.475nm。第二材料层12的几何厚度分别为：第二层70nm、第四层70nm、第六层87.25nm、第八层70.01nm、第十层70.01nm；第二材料层12的光学厚度分别为：第二层102.9nm、第四层102.9nm、第六层128.3nm、第八层102.9nm、第十层102.9nm。
图8为对420nm～480nm范围内的光线进行全测，第一反射膜组10对于不同角度的光线的反射率示意图，由图8可知，对于420nm～480nm波段范围内的光线来说，随着角度的增大，反射率曲线向左移动，也就是说，随着角度的增大，第一反射膜组10对420nm～480nm波段范围内光线的反射率减小。具体地，当角度为10°、20°或者30°时，第一反射膜组10对420nm～480nm波段范围内光线的反射率均大于等于97％；当角度为40°时，第一反射膜组10对420nm～480nm波段范围内的部分光线的反射率低于90％，但是均大于等于60％；当角度为50°时，第一反射膜组10对420nm～480nm波段范围内，尤其是460nm～480nm波段范围内的部分光线的反射率低于90％，但是均大于等于40％；当角度为60°时，第一反射膜组10对420nm～480nm波段范围内，尤其是440nm～480nm范围内或者440nm～455nm范围内的光线的反射率低于90％，例如可介于30％～90％之间。由图8可知，420nm～480nm范围内的大角度的部分光线，尤其是40°～60°范围内的部分光线已经被透射出去。
较佳地，以450nm作为峰值波长，并且以450nm处的光线的反射率进行计算，第一反射膜组10对450nm处且角度为50°的光线的反射率大于60％，优选为大于等于90％；第一反射膜组10对450nm处且角度为60°的光线的反射率小于等于70％，优选为小于等于60％。
与传统分布式布拉格反射层相比，采用上述第一反射膜组10的光学薄膜堆叠层100对半导体堆叠层300的小角度出光具有较大反射率，对半导体堆叠层300的大角度出光具有较小反射率，保证倒装发光二极管具有更高的亮度。例如，在1mA的驱动电流下，倒装发光二极管的亮度可提高6％～7％，在12mA的驱动电流下，倒装发光二极管的亮度可提高3.5％～4％。
作为一个实施例，如图6所示，为了保证420nm～480nm范围内的部分大角度光线的透射效应，第一反射膜组10的厚度不必过厚，且至少对520nm～600nm范围内且角度为0°～10°范围内的光线具有较低的反射率，具体为低于90％或者甚至低于80％的反射率。
作为另外一个实施例，由于现有小尺寸倒装发光二极管的衬底通常较薄，在分离之前，易引起整个倒装发光二极管翘曲不平整，进而导致在隐形切割时波长介于1000nm～1100nm之间的激光易偏离衬底内的目标厚度位置，并导致隐形切割失效。
本申请提出对光学薄膜堆叠层进一步优化，还能提升倒装发光二极管中衬底切割厚度位置的一致性，从而优化切割良率。
具体的，参见图3，光学薄膜堆叠层100还包括第二反射膜组20，第二反射膜组20沿第一反射膜组10的叠设方向形成在第一反射膜组10上，并且第二反射膜组20相较于第一反射膜组10更远离衬底200。
第二反射膜组20对第一光线具有较高的反射率，且该反射率优选为高于50％。第一光线优选为激光光线，其波长范围介于600nm～700nm，中心波长为650nm。该第一光线能够运用于倒装发光二极管的分离步骤中，从而降低在隐形切割时因波长介于1000nm～1100nm之间的激光偏离衬底内部的目标厚度位置所导致的切割良率降低的风险。
例如，第二反射膜组20对中心波长为650nm且在0°～10°角度范围内的光线的反射率高于50％，便于利用中心波长为650nm的第一光线精确定位出激光在衬底200上的打点位置，提高隐形切割制程的精度。
第二反射膜组20还对第二光线具有较低的反射率，且该反射率优选为低于60％。第二光线的中心波长范围介于800nm～900nm，中心波长优选为850nm。该第二光线可透过光学薄膜堆叠层100以获得衬底200另外一侧的半导体堆叠层300和电极结构的图像(例如CCD成像)。例如，第二反射膜组20对中心波长为850nm且在0°～10°角度范围内的光线的反射率低于60％。
第二反射膜组20还对第三光线具有较低的反射率，且该反射率优选为低于10％。第三光线优选为激光光线，其中心波长范围介于1000nm～1100nm，中心波长优选为1064nm。该第三光线可透过光学薄膜堆叠层100到达衬底200内部形成改质区域，沿着上述改质区域施加外力作用即可分离衬底200获得单元化的倒装发光二极管。例如，第二反射膜组20对中心波长为1064nm且在0°～10°角度范围内的光线的反射率低于10％。
在一种实施方式中，第二反射膜组20包括重复叠置的第三材料层21和第四材料层22，第三材料层21和第四材料层22自下而上依次交替叠设。第三材料层21为低折射率材料层，第四材料层22为高折射率材料层。
具体地，第三材料层21和第四材料层22的光学厚度能够满足：第二反射膜组20对第一光线进行反射，对第二光线和第三光线进行透射，第二反射膜组20对第一光线的反射率高于50％，第二反射膜组20对第二光线的反射率低于60％，第二反射膜组20对第三光线的反射率低于10％。第一光线、第二光线和第三光线的入射角度均为0°～10°。
为了满足隐形切割中各个光线的反射或者透射需求，在第二反射膜组20中，第三材料层21和第四材料层22重复堆叠，第四材料层22的折射率大于第三材料层21的折射率。第三材料层21或者第四材料层22的数量是2～5层。第二反射膜组20的每一第三材料层21的几何厚度高于第一反射膜组10的每一第二材料层12的几何厚度，以保证对650nm处光线的反射率。
较佳的，在第二反射膜组20中，第三材料层21和第四材料层22的总层数为偶数，且总层数小于10。第二反射膜组20的层数不能过多，优选为低于第一反射膜层10的层数，若第二反射膜组20的层数过多，会导致光学薄膜堆叠层100对第二光线和第三光线具有较大反射率，尤其是对第三光线具有较大反射率，将导致隐形切割的能量降低，影响隐形切割。第二反射膜组20的层数过多时，也会影响光学薄膜堆叠层100对420nm～480nm波段范围内的部分大角度的光线的透射作用。
较佳的，第二反射膜组20的总几何厚度不超过800nm。更佳的，第二反射膜组20的总几何厚度低于第一反射膜组10的总几何厚度。
较佳地，第三材料层21优选为折射率为1.4～1.5的氧化硅层，每一层第三材料层21的几何厚度为80～160nm，每一层第三材料层21的光学厚度为λ3/4，450nm≤λ3≤900nm。每一层第三材料层21的光学厚度优选为120nm～210nm。第四材料层22优选为折射率为2.4～2.6的氧化钛层，每一层第四材料层22的几何厚度为30nm～90nm，每一层第四材料层22的光学厚度为λ4/4，300nm≤λ4≤900nm。每一层第四材料层22的光学厚度优选为80nm～200nm。
较佳地，每一层第四材料层22的几何厚度均低于每一层第三材料层21的几何厚度。
较佳地，第四材料层22的材料与第一材料层11的材料相同，第三材料层21的材料与第二材料层12的材料相同。
较佳地，第一反射膜组10中每一层相对高折射率的第一材料层11的几何厚度均低于第二反射膜组20中每一层相对高折射率的第四材料层22的几何厚度。
较佳地，第一反射膜组10的第二材料层12的总几何厚度低于第二反射膜组20的第三材料层21的总几何厚度。
较佳地，第一反射膜组10的每一第二材料层12的几何厚度均低于第二反射膜组20的每一第三材料层21的几何厚度。
作为一实施例，如图4和图5所示，图4中的区域II为第二反射膜组20的光学厚度，图5中的区域II为第二反射膜组20的几何厚度。
第二反射膜组20中的层结构按照堆叠顺序自下而上定义为第N+1层、第N+2层、…、第N+M层，M为奇数的层结构为第三材料层21，M为偶数的层结构为第四材料层22。
例如，第三材料层21和第四材料层22的总层数优选为6层，N优选为11，M优选为6。第十二、十四和十六为第三材料层21，第十三、十五和十七层为第四材料层22。其中，第三材料层21的几何厚度分别为：第十二层89.16nm、第十四层150nm、第十六层150nm；第三材料层21的光学厚度分别为：第十二层131.06nm、第十四层220.5nm、第十六层220.5nm。第四材料层22的几何厚度分别为：第十三层51.51nm、第十五层80nm、第十七层35nm；第四材料层22的光学厚度分别为：第十三层128.775nm、第十五层200nm、第十七层87.5nm。
较佳地，第二反射膜组20对650nm处光线的反射率大于等于50％，并不必须的高于90％，第二反射膜组20对650nm处光线的反射率优选为大于等于70％，便于利用650nm的激光精确定位出隐形切割制程中激光在衬底200上的打点位置，提高隐形切割制程的精度。上述650nm的激光主要是依据激光测距的原理，计算出倒装发光二极管的厚度，并根据上述厚度确定出隐形切割制程中激光在衬底200上的打点位置，保证激光在衬底200上打点位置的一致性。
较佳地，第二反射膜组20对850nm处光线的反射率小于等于60％，便于850nm的光线可透过光学薄膜堆叠层100以获得衬底200另外一侧的半导体堆叠层300和电极结构的图像。
较佳地，第二反射膜组20对1064nm处光线的反射率小于等于10％，便于1064nm的激光可透过光学薄膜堆叠层100到达衬底200内部进行切割。
如图6和图7所示，第二反射膜组20对600nm～700nm波段范围内且角度为10°的光线的反射率介于60％～80％，第二反射膜组20对800nm～900nm波段范围内且角度为10°的光线的反射率低于60％，第二反射膜组20对1000nm～1100nm波段范围内且角度为10°的光线的反射率低于10％。
较佳的，光学薄膜堆叠层100的第一层为第一反射膜组10的第一层且为氧化钛层，可防止发光二极管在隐形切割制程中出现的崩边崩角问题，光学薄膜堆叠层100的最后一层为第二反射膜组20的最后一层且为氧化钛层，该氧化钛层具有较薄的厚度并且具有较大的折射率，其与封装层具有较大的折射率差异，能够进一步提升反射效果，降低半导体发光装置的正面漏光。
在一种实施方式中，参见图1，半导体堆叠层300具有一台面，该台面暴露出第一半导体层310，且朝向半导体堆叠层300远离衬底200的一侧。半导体堆叠层300上形成有第一电极500和第二电极600，第一电极500与第一半导体层310电性连接，第二电极600与第二半导体层330电性连接。具体地，第一电极500形成在上述台面上并直接与第一半导体层310接触；第二半导体层330的表面设有透明导电层，如氧化铟锡层或者GZO层，第二电极600直接与透明导电层接触。
绝缘层400位于半导体堆叠层300上，并覆盖第一电极500、第二电极600、以及半导体堆叠层300。绝缘层400分别设有与第一电极500、第二电极600对应的通孔。绝缘层400包括但不限于是单层结构或者分布式布拉格反射镜，当绝缘层400为分布式布拉格反射镜时，该绝缘层400的材料为SiO2、TiO2、ZnO2、ZrO2、Cu2O3等不同材料中的至少两种，该绝缘层400具体包括采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术使两种材料以交替重复层叠成多层的方式所制成的分布式布拉格反射镜。
第一焊盘700和第二焊盘800位于绝缘层400上，并分别通过对应通孔与第一电极500、第二电极600连接。第一焊盘700和第二焊盘800的材料可为如铝、铬、镍、钛、铂、锡、金等材料或者这些材料中的至少两种组成的合金。
需要说明的是，本申请对于倒装发光二极管的结构不作具体限定，凡是于衬底200侧设置上述光学薄膜堆叠层100的结构均落入本申请的保护范围内。
根据本申请的一个方面，提供一种倒装发光二极管的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
S1、参见图10，提供衬底200，衬底200为透明衬底，包括但不限于是蓝宝石平底衬底或者蓝宝石图形化衬底，其具有相对设置的第一表面和第二表面，其中，第一表面指的是衬底200的下表面，第二表面指的是衬底200的上表面。
于衬底200的第一表面侧形成多个间隔布置的半导体堆叠层300，相邻半导体堆叠层300之间形成切割道。半导体堆叠层300自上而下包括第一半导体层310、有源层320和第二半导体层330，在本实施例中，第一半导体层310为N型半导体层，第二半导体层330为P型半导体层，有源层320为多层量子阱层，并用于出射波长为420nm～480nm范围内的光线。
自第二表面继续蚀刻每个半导体堆叠层300，并在每个半导体堆叠层300上形成出暴露第一半导体层310的台面。
S2、参见图11，形成与第一半导体层310电连接的第一电极500，以及与第二半导体层330电连接的第二电极600。第一电极500形成在上述台面上并直接与第一半导体层310接触；第二电极600形成在第二半导体层330上并与第二半导体层330直接或者间接接触。第二电极600与第二半导体层330之间优选为包括有透明导电层，如氧化铟锡层或者GZO层。
S3、参见图12，于每个半导体堆叠层300的表面、侧壁形成绝缘层400，绝缘层400分别设有与第一电极500、第二电极600对应的通孔。绝缘层400包括但不限于是单层结构或者分布式布拉格反射镜，当绝缘层400为分布式布拉格反射镜时，该绝缘层400的材料为SiO2、TiO2、ZnO2、ZrO2、Cu2O3等不同材料中的至少两种，该绝缘层400具体包括采用诸如电子束蒸镀或者离子束溅射等技术使两种材料以交替重复层叠成多层的方式所制成的分布式布拉格反射镜。
S4、参见图13，于绝缘层400上形成第一焊盘700和第二焊盘800，第一焊盘700填充与第一电极500对应的通孔以与第一电极500电连接，第二焊盘800填充与第二电极600对应的通孔以与第二电极600电连接。第一焊盘700和第二焊盘800的材料可为如铝、铬、镍、钛、铂、锡、金等材料或者这些材料中的至少两种组成的合金。
S5、参见图14，对衬底200进行适当减薄以获得最终厚度，并且于衬底200的第二表面侧形成光学薄膜堆叠层100。
在完成上述操作后，还需自切割道对上述结构进行隐形切割制程并形成独立的倒装发光二极管，该独立的倒装发光二极管即为图1所示的倒装发光二极管。
在上述切割过程中，将待切割的发光二极管放置在载体上，光学薄膜堆叠层100朝向切割机台上的光源，切割机台上的光源包括第一光源、第二光源和第三光源。其中，第一光源为衬底厚度位置校准用的光源，其具体为600nm～700nm波段的激光光源，优选为中心波长为650nm的激光光源；第二光源为CCD成像用的光源，其具体为800nm～900nm波段的光源，优选为中心波长为850nm的光源；第三光源为在衬底内部隐形切割用的光源，其具体为1000nm～1100nm波段的激光光源，优选为中心波长为1064nm的激光光源。
首先，利用第二光源获得倒装发光二极管的图像以确定横向切割道和纵向切割道位置；然后，利用第一光源所出射的激光从上方射向横向切割道和纵向切割道位置的衬底200，并依据激光测距原理计算出倒装发光二极管的厚度，并根据上述厚度确定出激光在衬底200上的打点位置；最后，利用第三光源所出射的激光射入切割道所对应的衬底200内部并形成切割爆点，借助于外力沿着横向切割道和纵向切割道分离衬底200以获得单元化的倒装发光二极管。
较佳地，光学薄膜堆叠层100对650nm处的光线具有较大的反射率，则利用650nm的激光计算出倒装发光二极管的厚度，并根据上述厚度确定出激光在衬底200上的打点位置，保证激光在衬底200上打点位置的一致性。
较佳地，光学薄膜堆叠层100对850nm处光线的反射率小于等于60％，便于850nm的光线可透过光学薄膜堆叠层100以获得衬底200另外一侧的半导体堆叠层300和电极结构的图像。
较佳地，光学薄膜堆叠层100对1064nm处光线的反射率小于等于10％，便于1064nm的激光可透过光学薄膜堆叠层100到达衬底200内部进行切割。
根据本申请的一个方面，提供一种半导体发光装置。参见图9，该半导体发光装置包括封装基板1000、设置在封装基板1000上的至少一个上述实施例中的倒装发光二极管2000以及封装层3000，封装层3000覆盖倒装发光二极管2000的侧壁。倒装发光二极管2000的结构与上述实施例中倒装发光二极管的结构相同，这里就不再一一赘述。
封装基板1000可优选为平面型，或者，封装基板1000具有用于环设于倒装发光二极管2000外围的反射杯，该反射杯限定出用于容纳倒装发光二极管2000的空间。封装基板1000用于安装倒装发光二极管2000的表面包括有金属电极层1100，金属电极层1100包括不同极性的第一金属电极层和第二金属电极层，倒装发光二极管2000中的第一焊盘700与第一金属电极层连接，第二焊盘800与第二金属电极连接。
封装层3000的折射率与光学薄膜堆叠层100的折射率不同，封装层3000包括但不限于是硅胶，硅胶的折射率介于1.41～1.53。
由以上的技术方案可知，本申请于衬底200的背对半导体堆叠层300侧设置光学薄膜堆叠层100，该光学薄膜堆叠层100包括第一反射膜组10，第一反射膜组10包括重复叠置的第一材料层11和第二材料层12，用于反射半导体堆叠层300所出射的光线，其对于小角度出光具有较大反射率，对于大角度出光具有较小反射率，实现对小角度出光的反射和对大角度出光的部分透射，可有效提高倒装发光二极管或者半导体发光装置的亮度。例如，小角度指的是0°～20°，大角度指的是40°～60°。
此外，第一材料层11为氧化钛层，第二材料层12为氧化硅层，第一材料层11和第二材料层12的光学厚度均较小，且第一材料层11和第二材料层12的总层数为小于15。
此外，光学薄膜堆叠层100还包括第二反射膜组20，第二反射膜组20位于第一反射膜组10远离衬底200的一侧，第二反射膜组20包括重复叠置的第三材料层21和第四材料层22，第三材料层21为氧化硅层，第四材料层22为氧化钛层，且数量是2～5层。第二反射膜组20对第一光线的反射率高于50％，第一光线的波长介于600nm～700nm；第二反射膜组20对第二光线的反射率低于60％，第二光线的波长介于800nm～900nm；第二反射膜组20对第三光线的反射率低于10％，第三光线的波长介于1000nm～1100nm。由于第二反射膜组20对650nm处的光线具有较大反射率，便于利用650nm的激光精确定位出隐形切割制程中激光在衬底200上的打点位置，提高隐形切割制程的精度；同时，由于第二反射膜组20对850nm处的光线具有较小反射率，便于850nm的光线可透过光学薄膜堆叠层100以获得衬底200另外一侧的半导体堆叠层300和电极结构的图像；由于第二反射膜组20对1064nm处的光线具有较小反射率，便于1064nm的激光可透过光学薄膜堆叠层100到达衬底200内部进行切割。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。

Claims (22)

1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：
衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；
半导体堆叠层，形成在所述第一表面上，并用于辐射光线；
光学薄膜堆叠层，形成在所述第二表面上；所述光学薄膜堆叠层包括第一反射膜组，所述第一反射膜组包括重复叠置的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层和第二材料层的光学厚度能够满足：所述第一反射膜组对于420nm～480nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对所述任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，所述第一角度小于所述第二角度；
所述光学薄膜堆叠层还包括：
第二反射膜组，位于所述第一反射膜组的远离第二表面的一侧，包括重复叠置的第三材料层和第四材料层，所述第三材料层和第四材料层的光学厚度能够满足：所述第二反射膜组对第一光线的反射率高于50％，所述第二反射膜组对第二光线的反射率低于60％，所述第二反射膜组对第三光线的反射率低于10％；所述第一光线的波长介于600nm～700nm，所述第二光线的波长介于800nm～900nm，所述第三光线的波长介于1000nm～1100nm；所述第一光线、第二光线和第三光线的入射角度为0°～10°。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一反射膜组对420nm～480nm范围内一任一波长的第一角度的光线的反射率大于所述第一反射膜组对420nm～480nm范围内一任一波长的第二角度的光线的反射率。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一反射膜组对于440nm～455nm范围内的任一波长且入射角为第一角度的光线进行反射，对440nm～455nm范围内的所述任一波长且入射角为第二角度的光线进行部分透射，所述第一角度小于所述第二角度。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一角度的范围为0°～20°；所述第二角度的范围为40°～60°。
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一反射膜组对于420nm～480nm范围的任一波长且为第一角度的光线的反射率均大于等于90％；所述第一反射膜组对于420nm～480nm范围的任一波长且为第二角度的至少部分光线的反射率低于90％。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一材料层的光学厚度为λ1/4，300nm≤λ1≤480nm。
7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二材料层的光学厚度为λ2/4，350nm≤λ2≤520nm。
8.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一材料层的几何厚度低于所述第二材料层的几何厚度。
9.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一材料层为氧化钛层，且几何厚度为30nm～50nm。
10.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二材料层为氧化硅层，且几何厚度为60nm～100nm。
11.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一反射膜组中第一材料层和第二材料层的总层数为奇数，且总层数小于15。
12.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第三材料层的光学厚度为λ3/4，450nm≤λ3≤900nm。
13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第四材料层的光学厚度为λ4/4，300nm≤λ4≤900nm。
14.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第三材料层为氧化硅层，且几何厚度为80～160nm。
15.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第四材料层为氧化钛层，且几何厚度为30～90nm。
16.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第四材料层的几何厚度低于所述第三材料层的几何厚度。
17.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一材料层的材料与所述第四材料层的材料相同，所述第二材料层的材料与所述第三材料层的材料相同。
18.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二反射膜组中第三材料层和第四材料层的总层数为偶数，所述第二反射膜组中第四材料层的数量是2～5层。
19.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第二反射膜组对650nm处光线的反射率大于等于50％，所述第二反射膜组对850nm处光线的反射率小于等于60％，所述第二反射膜组对1064nm处光线的反射率小于等于10％。
20.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述第一反射膜组的每一第二材料层的几何厚度均低于所述第二反射膜组的每一第三材料层的几何厚度。
21.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于，所述光学薄膜堆叠层的第一层是所述第一反射膜组的第一层并且为氧化钛层，所述光学薄膜堆叠层的最后一层是所述第二反射膜组的最后一层并且为氧化钛层。
22.一种半导体发光装置，其特征在于，包括封装基板、设置在所述封装基板上的至少一个如权利要求1～21中任一项所述的倒装发光二极管以及封装层，所述封装层覆盖所述倒装发光二极管的侧壁。
CN202111621887.2A 2021-07-15 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置 Active CN114373845B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111621887.2A CN114373845B (zh) 2021-12-28 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置
CN202311842041.0A CN117878216A (zh) 2021-12-28 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置
US17/852,365 US20230014850A1 (en) 2021-07-15 2022-06-29 Flip-chip light-emitting diode and semiconductor light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111621887.2A CN114373845B (zh) 2021-12-28 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311842041.0A Division CN117878216A (zh) 2021-12-28 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114373845A CN114373845A (zh) 2022-04-19
CN114373845B true CN114373845B (zh) 2024-01-05

Family

ID=81142921

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311842041.0A Pending CN117878216A (zh) 2021-12-28 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置
CN202111621887.2A Active CN114373845B (zh) 2021-07-15 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311842041.0A Pending CN117878216A (zh) 2021-12-28 2021-12-28 倒装发光二极管和半导体发光装置

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN117878216A (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116014050B (zh) * 2022-12-30 2024-02-20 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种发光元件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120017937A (ko) * 2010-08-20 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN112272872A (zh) * 2020-03-30 2021-01-26 厦门三安光电有限公司 一种半导体发光元件
CN113826223A (zh) * 2021-06-25 2021-12-21 厦门三安光电有限公司 半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置
CN113826222A (zh) * 2020-11-19 2021-12-21 厦门三安光电有限公司 Dbr结构、led芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2005116696A1 (ja) * 2004-05-26 2008-04-03 株式会社タムロン 反射防止膜
EP2599133A2 (en) * 2010-07-28 2013-06-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having distributed bragg reflector
JP6389896B2 (ja) * 2013-09-23 2018-09-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 多層ミラー

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120017937A (ko) * 2010-08-20 2012-02-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자
CN112272872A (zh) * 2020-03-30 2021-01-26 厦门三安光电有限公司 一种半导体发光元件
CN113826222A (zh) * 2020-11-19 2021-12-21 厦门三安光电有限公司 Dbr结构、led芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板
CN113826223A (zh) * 2021-06-25 2021-12-21 厦门三安光电有限公司 半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN117878216A (zh) 2024-04-12
CN114373845A (zh) 2022-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102624112B1 (ko) 플립칩형 발광 다이오드 칩
JP5877347B2 (ja) バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード
JP5725022B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US11239395B2 (en) Image display device
US9748733B2 (en) Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device
KR20200089143A (ko) 나노구조 미러를 포함하는 유기발광 디스플레이 장치
US20080247172A1 (en) Light recycling illumination systems having restricted angular output
JP5381884B2 (ja) 波長可変干渉フィルターの製造方法
CN112531086B (zh) Dbr结构、led芯片、半导体发光器件及制造方法及显示面板
US20220115563A1 (en) Light-emitting diode and method for manufacturing thereof
US11538796B2 (en) Display device
US20210066564A1 (en) Display device
CN114373845B (zh) 倒装发光二极管和半导体发光装置
US20030010989A1 (en) Light-emitting diode array
US20220406969A1 (en) Light-emitting diode chip
US7483467B2 (en) Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film
KR20180059406A (ko) 소형 발광 다이오드 칩, 이를 포함하는 발광 장치 및 전자 장치
US20230290907A1 (en) Light-emitting device and display panel
KR20170045067A (ko) 소형 발광 다이오드 칩, 이를 포함하는 발광 장치 및 전자 장치
JP4066681B2 (ja) 発光素子及び発光素子の製造方法
CN113826223B (zh) 半导体发光元件、半导体发光器件及显示装置
US20230014850A1 (en) Flip-chip light-emitting diode and semiconductor light-emitting device
JP2005197650A (ja) 発光素子
US11398582B2 (en) Semiconductor light-emitting element and electronic apparatus
CN217444414U (zh) 正装发光二极管和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant