CN114373413A - 显示面板电性的侦测方法及侦测设备 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法及侦测设备，通过多次对显示面板的像素侦测，且对每次侦测获取的侦测数据进行比较，从而能够使获取的目标侦测数据受到的干扰最小，获取到最准确的目标侦测数据。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板电性的侦测方法及侦测设备。
背景技术
有机自发光显示器件与液晶显示器件相比，具有更高的对比度、更鲜艳的颜色、轻薄的模组以及可随意弯曲的特性。因此，目前有机自发光显示器件已经得到了广泛的应用。而有机自发光显示器件只所以能够拥有上述特性，是因为有机发光显示面板中具备成千上万个有机发光器件。
其中，为了控制好有机发光显示面板中成千上万个有机发光器件，通常采用电压控制薄膜晶体管的电流来实现有机发光器件的驱动。而这种驱动方式对于薄膜晶体管的稳定性以及均一性都有很高的要求，并且与液晶器件不同，只要像素发光，有机发光二极管的电流就要持续流过驱动晶体管，而不仅仅是一个开关的角色，这种持续的电压输出对于薄膜晶体管的稳定性来说，是一个巨大的挑战。因此，实际的工艺一般很难保持驱动晶体管的均一性以及稳定性，驱动晶体管的电性变化会直接体现在显示效果上，因此，必须要通过一种方式对驱动晶体管的电性进行感测和补偿。
目前通常是通过侦测晶体管实现阈值电压以及迁移率的侦测，再通过驱动算法将侦测到的结果进行计算，最终补偿到每个驱动晶体管上，实现驱动晶体管补偿。虽然这种方式可以极大地提高显示的均匀性与稳定性，但是，由于侦测过程中需要保证侦测点Vs电位稳定，而此时电源信号OVDD的波动会直接干扰侦测点Vs的电位，从而使侦测数据异常，导致补偿到驱动晶体管的数据异常，进一步导致有机自发光显示器件的显示异常。
因此，如何提出一种显示面板电性的侦测方法及侦测设备，减少甚至消除掉电源信号OVDD的波动对于侦测点Vs电位的影响，获取准确的侦测数据是现有面板厂家需要努力攻克的难关。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种显示面板电性的侦测方法及侦测设备，能够解决电源信号OVDD的波动会干扰侦测点Vs的电位，从而使侦测数据异常的技术问题。
本申请实施例提供一种显示面板电性的侦测方法，包括：
对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率；
基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值；
若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值；
若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，所述基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值的具体步骤包括：
获取所述像素以及所述异常像素的数量；
判断所述异常像素占所述像素的比例是否大于临界值；
若所述异常像素占所述像素的比例大于临界值，则各个所述像素中的异常像素的数量大于第一预设阈值。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，所述临界值为5％。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，若所述异常像素的数量小于第一预设阈值，则各个所述像素的侦测数据为各个所述像素的目标侦测数据。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，若对各个所述像素进行侦测的次数小于第二预设阈值，则返回上述步骤。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，所述临界值为5％。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，当对所述显示面板中的各个像素进行重新侦测时，只对各个所述像素中的异常像素进行重新侦测。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，在所述返回上述步骤的步骤之前还包括：调整侦测频率。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，所述第二预设阈值为5次。
在本申请所述的显示面板电性的侦测方法中，所述则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据的具体步骤包括：
获取所述异常像素周围的像素侦测对应的所述侦测数据；
求取所述异常像素周围的像素侦测对应的所述侦测数据的平均值，所述平均值为所述异常像素的目标侦测数据。
本申请实施例还提供一种显示面板电性的侦测设备，包括：
侦测模块，所述侦测模块用于对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率；
第一判断模块，所述第一判断模块用于基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值；
第二判断模块，所述第二判断模块用于若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值；
获取模块，所述获取模块用于若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
在本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法及侦测设备中，通过多次对显示面板的像素侦测，且对每次侦测获取的侦测数据进行比较，从而能够使获取的目标侦测数据受到的干扰最小，获取到最准确的目标侦测数据。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第一流程示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第一子流程示意图。
图3为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第二子流程示意图。
图4为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第二流程示意图。
图5为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第三流程示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第四流程示意图。
图7为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定开关晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、输出端为漏极。此外本申请实施例所采用的晶体管为N型晶体管，其中，N型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第一流程示意图。如图1所示，本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法包括：
步骤101、对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率。
其中，主要是对像素对应的驱动晶体管的漏极端的电压进行侦测，然后依据侦测的结构，根据算法来获得驱动晶体管的阈值电压以及迁移率。
步骤102、基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值。
其中，需要说明的是，本申请提供的实施例只所以对显示面板的像素进行侦测，主要是为了获取像素对应的驱动晶体管的阈值电压以及迁移率，从而对驱动晶体管的阈值电压以及迁移率进行精准补偿，提高像素显示的均一性以及稳定性。因此，异常像素为像素对应的驱动晶体管的阈值电压或迁移率出现异常的像素。因为像素对应的驱动晶体管的阈值电压以及迁移率只要有一个没有补偿准确，像素的显示效果就会受到影响，因此只要像素对应的驱动晶体管的阈值电压或迁移率出现异常，那么这个像素就为异常像素。
具体地，异常像素为本次侦测获取的侦测数据与上一次侦测获取的侦测数据中阈值电压的变化量超出0.01％的所述像素，或异常像素为本次侦测获取的侦测数据与上一次侦测获取的侦测数据中迁移率的变化量超出0.1％的所述像素。
步骤103、若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值。
步骤104、若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
其中，需要说明的是，预设值为5次。
其中，需要说明的是，进行多次重复侦测，从而能够使获取的目标侦测数据受到的干扰最小，获取到最准确的目标侦测数据。其中，当侦测的次数过大时，只能通过异常像素周围的正常像素对应的侦测数据来获取异常像素的目标侦测数据。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第一子流程示意图。如图2所示，本申请实施例提供的步骤102包括：
步骤1021、获取所述像素以及所述异常像素的数量。
步骤1022、判断所述异常像素占所述像素的比例是否大于临界值。
其中，临界值为5％。比如，以3840行2160列的RGB显示面板为例，显示面板的像素数量为24883200，那么如果异常像素的数量超过了1244160，那么就说明异常像素占像素的比例超出了临界值，此时就需要重新对像素进行侦测，获取侦测数据。
步骤1023、若所述异常像素占所述像素的比例大于临界值，则各个所述像素中的异常像素的数量大于第一预设阈值。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第二子流程示意图。如图3所示，本申请实施例提供的步骤104包括：
步骤1041、获取所述异常像素周围的像素侦测对应的所述侦测数据。
步骤1042、求取所述异常像素周围的像素侦测对应的所述侦测数据的平均值，所述平均值为所述异常像素的目标侦测数据。
其中，需要说明的是，为了保证侦测数据的精准度，是以异常像素周围的像素对应的侦测数据的平均值来作为异常像素的目标侦测数据。其中，只能以异常像素周围的同色像素的侦测数据的平均值来作为异常像素的目标侦测数据，比如异常像素为红色像素，那么需要以异常像素周围的红色像素的侦测数据的平均值来作为异常像素的目标侦测数据。
其中，需要说明的是，如果求取异常像素周围的像素对应的侦测数据的平均值所需的算法复杂，那么也采用上一次侦测获取异常像素的侦测数据作为异常像素的目标侦测数据，可以提高侦测的速率。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第二流程示意图。如图4所示，本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法包括：
步骤201、对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率。
步骤202、基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值。
步骤203、若所述异常像素的数量小于第一预设阈值，则各个所述像素的侦测数据为各个所述像素的目标侦测数据。
其中，需要说明的是，在现有技术中，电源信号OVDD的波动会直接干扰侦测点Vs的电位，从而使侦测数据异常，导致补偿到驱动晶体管的数据异常，进一步导致有机自发光显示器件的显示异常。
因此，如果在相邻的两次侦测过程中，异常像素的数量没有超标，那么意味着电源信号OVDD的波动对侦测点Vs的电位影响不大，本次测量的侦测数据比较精准，本次测量的侦测数据就是我们所需的目标侦测数据，采用本次测量的侦测数据对驱动晶体管进行补偿，可以提高像素显示的均一性以及稳定性。
步骤204、若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值。
步骤205、若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第三流程示意图。如图5所示，本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法包括：
步骤301、对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率。
步骤302、基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值。
步骤303、若所述异常像素的数量小于第一预设阈值，则各个所述像素的侦测数据为各个所述像素的目标侦测数据。
步骤304、若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值。
步骤305、若对各个所述像素进行侦测的次数小于第二预设阈值，则返回上述步骤。
其中，需要说明的是，进行多次重复侦测，从而能够使获取的目标侦测数据受到的干扰最小，获取到最准确的目标侦测数据。其中，当侦测的次数过大时，只能通过异常像素周围的正常像素对应的侦测数据来获取异常像素的目标侦测数据。
其中，需要说明的是，在对显示面板中的各个像素进行重新侦测时，只对各个像素中的异常像素进行重新侦测即可。
具体地，对于正常像素来说，两次侦测到的驱动晶体管的阈值电压以及迁移率变化不大，那么就意味着对于正常像素来说，电源信号OVDD的波动对侦测点Vs的电位影响不大，因此本次测量的侦测数据就是我们所需的目标侦测数据，不需要再重新侦测侦测，只需要对异常像素进行侦测即可。而只对异常像素进行重新侦测，可以大大地减少侦测的像素数量，从而可以提升侦测速率。
步骤306、若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
请参阅图6，图6为本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法的第四流程示意图。如图6所示，本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法包括：
步骤401、对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率。
步骤402、基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值。
步骤403、若所述异常像素的数量小于第一预设阈值，则各个所述像素的侦测数据为各个所述像素的目标侦测数据。
步骤404、若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值。
步骤405、若对各个所述像素进行侦测的次数小于第二预设阈值，则调整侦测速率并返回上述步骤。
步骤406、若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
其中，需要说明的是，如果你的侦测速率为1秒侦测一次，电源信号对侦测点Vs的影响也是一秒一次，那么在每次侦测时，电源信号都会对侦测数据造成影响，导致侦测不到精准的数据。通过调整侦测速率，可以避免电源信号对侦测点Vs的周期性影响频率与侦测速率吻合，能够根据一定的算法计算获取到精准的侦测数据。
其中，可以增加侦测速率，也可以降低侦测速率，只要避免电源信号对侦测点Vs的周期性影响频率与侦测速率吻合即可。
在本申请实施例提供的显示面板电性的侦测方法中，通过多次对显示面板的像素侦测，且对每次侦测获取的侦测数据进行比较，从而能够使获取的目标侦测数据受到的干扰最小，获取到最准确的目标侦测数据。
请参阅图7，图7为本申请实施例提供的显示面板的侦测设备的结构示意图。本申请实施例提供的侦测设备500包括侦测模块501、第一判断模块502、第二判断模块503以及获取模块504。其中，
侦测模块501用于对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率。
第一判断模块502用于基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值。
第二判断模块503用于若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值。
获取模块504用于若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
本申请实施例提供的侦测设备500用于如上述实施例描述的显示面板电性的侦测方法。其中，显示面板电性的侦测方法具体可参照以上对该显示面板电性的侦测方法的描述，在此不做赘述。
在本申请实施例提供的显示面板电性的侦测设备中，通过多次对显示面板的像素侦测，且对每次侦测获取的侦测数据进行比较，从而能够使获取的目标侦测数据受到的干扰最小，获取到最准确的目标侦测数据。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板电性的侦测方法及侦测设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板的电性侦测方法，其特征在于，包括：
对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率；
基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值；
若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值；
若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
2.根据权利要求1所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，所述基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值的具体步骤包括：
获取所述像素以及所述异常像素的数量；
判断所述异常像素占所述像素的比例是否大于临界值；
若所述异常像素占所述像素的比例大于临界值，则各个所述像素中的异常像素的数量大于第一预设阈值。
3.根据权利要求2所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，所述临界值为5％。
4.根据权利要求1所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，在所述基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值的步骤之后还包括：
若所述异常像素的数量小于第一预设阈值，则各个所述像素的侦测数据为各个所述像素的目标侦测数据。
5.根据权利要求1所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，在所述若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值的步骤之后还包括：
若对各个所述像素进行侦测的次数小于第二预设阈值，则返回上述步骤。
6.根据权利要求5所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，当对所述显示面板中的各个像素进行重新侦测时，只对各个所述像素中的异常像素进行重新侦测。
7.根据权利要求5所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，在所述返回上述步骤的步骤之前还包括：调整侦测频率。
8.根据权利要求1所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，所述第二预设阈值为5次。
9.根据权利要求1所述的显示面板电性的侦测方法，其特征在于，所述则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据的具体步骤包括：
获取所述异常像素周围的像素侦测对应的所述侦测数据；
求取所述异常像素周围的像素侦测对应的所述侦测数据的平均值，所述平均值为所述异常像素的目标侦测数据。
10.一种显示面板电性的侦测设备，其特征在于，包括：
侦测模块，所述侦测模块用于对所述显示面板中的各个像素进行侦测，以获取各个所述像素的侦测数据，所述侦测数据包括所述像素对应的驱动晶体管的阈值电压及迁移率；
第一判断模块，所述第一判断模块用于基于各个所述像素的侦测数据判断各个所述像素中的异常像素的数量是否大于第一预设阈值；
第二判断模块，所述第二判断模块用于若所述异常像素的数量不小于第一预设阈值，则判断对各个所述像素进行侦测的次数是否不小于第二预设阈值；
获取模块，所述获取模块用于若对各个所述像素进行侦测的次数不小于第二预设阈值，则根据所述异常像素周围的像素对应的侦测数据获取所述异常像素的目标侦测数据。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210053789.1A CN114373413B (zh) | 2022-01-18 | 2022-01-18 | 显示面板电性的侦测方法及侦测设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210053789.1A CN114373413B (zh) | 2022-01-18 | 2022-01-18 | 显示面板电性的侦测方法及侦测设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114373413A true CN114373413A (zh) | 2022-04-19 |
| CN114373413B CN114373413B (zh) | 2024-02-23 |
Family
ID=81143754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210053789.1A Active CN114373413B (zh) | 2022-01-18 | 2022-01-18 | 显示面板电性的侦测方法及侦测设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114373413B (zh) |
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