CN114371579B - 阵列基板以及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了阵列基板以及显示面板，阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素，子像素包括主区和次区；主区薄膜晶体管的至少部分设于主区内主区龙骨电极交叉位置处；和/或，次区薄膜晶体管的至少部分设于次区内次区龙骨电极交叉位置处。本申请能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。

Description

阵列基板以及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及阵列基板以及显示面板。

背景技术

随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，液晶显示面板凭借其轻薄、节能、显示品质高以及制作工艺成熟稳定等优势，已经成为显示面板的主流。其中，垂直配向模式(VA)液晶显示设备由于在量产型和显示特性等方面的优越性，成为市场上主流的液晶显示设备之一。

传统的垂直配向模式液晶显示面板由于液晶分子双折射率差异较大，进而导致大视角色偏严重。现有技术中，通过将传统的4畴(Domain)子像素分为main/sub(主/次)区，以形成8Domain子像素，使得同一个子像素主区的4个畴与次区的4个畴的液晶分子转动角度不同，可以有效改善色偏。

现有VA面板中的8Domain子像素是在Main pixel(主像素电极)与Sub pixel(次像素电极)之间设置栅极线(gate线)、薄膜晶体管等，也即Main pixel和Sub pixel之间形成非透光区。然而，这种设置方式会导致主像素电极与次像素电极之间的非透光区域占用较大，而非透光区域面积较大则导致像素开口率低，进而导致面板的开口率降低，降低面板显示效果。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供阵列基板以及显示面板，旨在解决现有技术中主像素电极和次像素电极之间的非透光区域占用较大导致面板开口率较低的问题。通过将主区薄膜晶体管的至少部分设置在主区龙骨电极交叉位置处，以及将次区薄膜晶体管的至少部分设置在次区龙骨电极交叉位置处，能够解决8畴像素设计的面板中因非透光区域较大而导致的面板开口率较低的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的第一技术方案是提供一种阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素，子像素包括主区和次区；主区薄膜晶体管的至少部分设于主区内主区龙骨电极交叉位置处；和/或，次区薄膜晶体管的至少部分设于次区内次区龙骨电极交叉位置处。

因此，主区龙骨电极交叉位置处与次区龙骨电极交叉位置处的开口率本身就较低，将主区薄膜晶体管的部分设于主区龙骨电极交叉位置处，和/或将次区薄膜晶体管的至少部分设于次区龙骨电极交叉位置处，能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。

其中，子像素包括第一像素电极，位于主区内，主区龙骨电极包括第一主区主干电极以及第二主区主干电极；其中，第一主区主干电极与第二主区主干电极相交以将主区分成四个畴；子像素包括第二像素电极，位于次区内，次区龙骨电极包括第一次区主干电极以及第二次区主干电极；其中，第一次区主干电极与第二次区主干电极相交以将次区分成四个畴。

因此，通过第一主区主干电极以及第二主区主干电极将第一像素电极分成四个畴，以及通过第一次区主干电极以及第二次区主干电极将第二像素电极分成四个畴，能够形成8畴显示。

其中，主区薄膜晶体管连接一条对应的第一子扫描线、一条对应的数据线和第一像素电极；次区薄膜晶体管连接一条对应的第二子扫描线、对应的数据线和第二像素电极；阵列基板进一步包括：共享晶体管，连接第二子扫描线、次区薄膜晶体管和一条对应的共享信号线。

因此，通过主区薄膜晶体管以及次区薄膜晶体管分别对第一像素电极以及第二像素电极进行供电，以及将共享晶体管与次区薄膜晶体管进行连接，能够对次区薄膜晶体管进行放电，从而对第二像素电极进行漏电，以使得第二像素电极可以具有与第一像素电极不同的电压，继而使得第一像素电极对应的液晶分子的偏转角度与第二像素电极对应的液晶分子的偏转角度不同，从而扩大视角范围。

其中，主区薄膜晶体管的漏极通过第一过孔连接至第一像素电极，其中，第一过孔设置在第一主区主干电极与第二主区主干电极的交叉位置处。

因此，通过将实现主区薄膜晶体管与其余膜层之间电连接的第一过孔设置在主区的龙骨电极交错处，能够利用主区中原有的不透光区域容纳第一过孔，从而进一步降低子像素中不透光区域的比例，继而进一步提高面板的开口率。

其中，次区薄膜晶体管的漏极通过第二过孔连接至第二像素电极，其中，第二过孔设置在第一次区主干电极与第二次区主干电极的交叉位置处。

因此，通过将实现次区薄膜晶体管与其余膜层之间电连接的第二过孔设置在第二像素电极的龙骨电极交错处，能够利用次区中原有的不透光区域容纳第二过孔，从而进一步降低子像素中不透光区域的比例，继而进一步提高面板的开口率。

其中，数据线、主区薄膜晶体管的源极和漏极、次区薄膜晶体管的源极和漏极、共享晶体管的源极和漏极和共享信号线位于同一层中。

因此，数据线、主区薄膜晶体管、次区薄膜晶体管共享晶体管以及共享信号线可以均位于薄膜晶体管阵列层。

其中，数据线包括第一延长数据子线，其中，第一延长数据子线从数据线延伸出来以与主区薄膜晶体管的源极连接，第一延长数据子线与第一主区主干电极的投影至少部分重叠；和/或，数据线包括第二延长数据子线，其中，第二延长数据子线从数据线延伸出来以与次区薄膜晶体管的源极连接，第二延长数据子线与第一次区主干电极的投影至少部分重叠。

因此，通过将第一延长数据子线与第二延长数据子线分别设置在第一主区主干电极的投影与第一次区主干电极的投影处，能够进一步利用子像素中龙骨电极的遮蔽区域，从而进一步提高面板的开口率。

其中，共享信号线连接共享晶体管的漏极，且共享信号线与第二主区主干电极和第二次区主干电极的投影至少部分重叠。

因此，通过将部分共享信号线设置在第二像素电极的龙骨电极交错处，能够进一步利用子像素中龙骨电极的遮蔽区域，从而进一步提高面板的开口率。

其中，第一子扫描线和第二子扫描线在显示面板的显示区域之外合并成同一条扫描线，以接收相同的扫描信号。

因此，通过将第一子扫描线与第二子扫描线进行合并，能够避免增加扫描线的数量。

为解决上述技术问题，本申请采用的第二技术方案是提供一种显示面板，包括：相对设置的彩膜基板与阵列基板以及设置于彩膜基板与阵列基板之间的液晶层；其中，阵列基板为如上述任意一项所述的阵列基板。

因此，阵列基板具有多个开口率较高的子像素，能够提升显示面板的整体开口率，从而提升产品质量。

本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供阵列基板以及显示面板，通过将主区薄膜晶体管的至少部分设置在主区龙骨电极交叉位置处，以及将次区薄膜晶体管的至少部分设置在次区龙骨电极交叉位置处，能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请阵列基板一实施例的结构示意图；

图2是本申请显示面板一实施例的结构示意图。

附图标记说明：

100-阵列基板；10-主区；20-次区；11-第一像素电极；

101-第一主区主干电极；102-第二主区主干电极；

103-主区分支电极；21-第二像素电极；201-第一次区主干电极；

202-第二次区主干电极；203-次区分支电极；30-数据线；

31-共享数据线；301-第一延长数据子线；302-第二延长数据子线；

41-第一子扫描线；42-第二子扫描线；

51-主区薄膜晶体管；511-主区薄膜晶体管的源极；512-主区薄膜晶体管的漏极；

52-次区薄膜晶体管；521-次区薄膜晶体管的源极；522-次区薄膜晶体管的漏极；

53-共享晶体管；531-共享晶体管的源极；532-共享晶体管的漏极；

61-第一过孔；62-第二过孔；200-显示面板；70-彩膜基板；

71-第一衬底基板；72-彩膜层；73-公共电极层；80-阵列基板；

1001-第二衬底基板；1002-薄膜晶体管阵列层；1003-像素电极层；90-液晶层；Vs-像素电压；Vg-共享电压信号。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上文清楚地表示其他含义，“多种”一般包含至少两种，但是不排除包含至少一种的情况。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，本文中使用的术语“包括”、“包含”或者其他任何变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

本申请提供一种阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素。以下以其中一个子像素的结构示意图进行说明。

请参阅图1，图1是本申请阵列基板一实施例的结构示意图。

如图1所示，本实施例中，阵列基板100中的一个子像素包括主区10和次区20。主区薄膜晶体管51的至少部分设于主区10内主区龙骨电极交叉位置处，次区薄膜晶体52的至少部分设于次区20内次区龙骨电极交叉位置处。

其中，子像素包括：第一像素电极11，位于主区10内，主区龙骨电极包括第一主区主干电极101以及第二主区主干电极102，主区10内还包括多个主区分支电极103。其中，第一主区主干电极101与第二主区主干电极102相交以将主区10分成四个畴，多个主区分支电极103分别从第一主区主干电极101或第二主区主干电极102延伸出去，且分别位于主区10的四个畴中。第二像素电极21，位于次区20内，次区龙骨电极包括第一次区主干电极201以及第二次区主干电极202，次区20内还包括多个次区分支电极203。其中，第一次区主干电极201与第二次区主干电极202相交以将次区20分成四个畴，多个次区分支电极203分别从第一次区主干电极201或第二次区主干电极202延伸出去，且分别位于次区20的四个畴中。

通过第一主区主干电极101以及第二主区主干电极102将第一像素电极11分成四个畴，以及通过第一次区主干电极201以及第二次区主干电极202将第二像素电极21分成四个畴，能够形成8畴显示。

可以理解地，主区10内龙骨电极交叉位置处与次区20内龙骨电极交叉位置处由于形成了非透光区域，子像素在龙骨电极交叉处的开口率本身就较低，将主区薄膜晶体管51的至少部分设于主区龙骨电极交叉位置处，以及将次区薄膜晶体管52的至少部分设于次区龙骨电极交叉位置处，能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管51与次区薄膜晶体管52，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。

在其他实施方式中，次区薄膜晶体管还可以根据需要设置在第一像素电极与第二像素电极之间，本申请对此不作限定。

本实施方式中，第一主区主干电极101与第一子扫描线41的正投影重叠，且第一子扫描线41位于第一主区主干电极101下方。第二主区主干电极102与共享数据线31的正投影重叠。

本实施方式中，主区薄膜晶体管51连接一条对应的第一子扫描线41、一条对应的数据线30和第一像素电极11。

具体地，主区薄膜晶体管51的源极511与数据线30电性连接，主区薄膜晶体管51的漏极512与第一像素电极11电性连接，主区薄膜晶体管51的栅极与第一子扫描线41电性连接，进而在第一子扫描线41中扫描信号的驱动下，主区薄膜晶体管51导通，并将数据线30中的像素电压Vs传输至第一像素电极11，以使第一像素电极11具有第一像素电压。

进一步地，主区薄膜晶体管51的漏极512通过第一过孔61连接至第一像素电极11，其中，第一过孔61设置在第一主区主干电极101与第二主区主干电极102的交叉位置处。

可以理解地，通过将实现主区薄膜晶体管51与其余膜层之间电连接的第一过孔61设置在第一像素电极11的龙骨电极交错处，能够利用主区10中原有的不透光区域容纳第一过孔61，从而进一步降低子像素中不透光区域的比例，继而进一步提高面板的开口率。

本实施例中，次区薄膜晶体管52连接一条对应的第二子扫描线42、对应的数据线30和第二像素电极21。

其中，第一次区主干电极201与第二子扫描线42的正投影重叠，且第二子扫描线42位于第一次区主干电极201下方。第二次区主干电极202与共享数据线31的正投影重叠。

具体地，次区薄膜晶体管52的源极521与数据线30电性连接，次区薄膜晶体管52的漏极522与第二像素电极21电性连接，次区薄膜晶体管52的栅极与第二子扫描线42电性连接，进而在第二子扫描线42中扫描信号的驱动下，次区薄膜晶体管52导通，并将数据线30中的像素电压Vs传输至所述第二像素电极21。

进一步地，次区薄膜晶体管52的漏极522通过第二过孔62连接至第二像素电极21，其中，第二过孔62设置在第一次区主干电极101与第二次区主干电极102的交叉位置处。

可以理解地，通过将实现次区薄膜晶体管52与其余膜层之间电连接的第二过孔62设置在第二像素电极21的龙骨电极交错处，能够利用次区20中原有的不透光区域容纳第二过孔62，从而进一步降低子像素中不透光区域的比例，继而进一步提高面板的开口率。

本实施例中，第一子扫描线41和第二子扫描线42在显示面板的显示区域之外合并成同一条扫描线，以接收相同的扫描信号。

可以理解地，通过将第一子扫描线41与第二子扫描线42进行合并，能够使第一子扫描线41与第二子扫描线42接收同一扫描信号，相当于仍然是一条扫描线，能够避免增加扫描线的数量。

本实施例中，阵列基板100进一步包括：共享晶体管53，连接第二子扫描线42、次区薄膜晶体管52和一条对应的共享数据线31。

具体地，共享晶体管53的源极531与次区薄膜晶体管52的漏极522电性连接，共享晶体管53的漏极532与共享数据线31电性连接，共享晶体管53的栅极与第二子扫描线42电性连接，进而在第二子扫描线42中扫描信号的驱动下，共享晶体管53导通，共享晶体管53根据共享电压信号Vg对次区薄膜晶体管52进行放电，进而对第二像素电极21进行漏电，以使得第二像素电极21具有第二像素电压。进一步地，显示面板还包括驱动模组，共享数据线31与驱动模组电性连接，以向共享晶体管53传输共享电压信号Vg。

可以理解地，通过主区薄膜晶体管51以及次区薄膜晶体管52分别对第一像素电极11以及第二像素电极21进行供电，以及将共享晶体管53与次区薄膜晶体管52进行连接，能够对次区薄膜晶体管52进行放电，从而对第二像素电极21进行漏电，以使得第二像素电极21可以具有与第一像素电极11不同的电压，继而使得第一像素电极11对应的液晶分子的偏转角度与第二像素电极21对应的液晶分子的偏转角度不同，从而扩大视角范围。

本实施例中，共享数据线31连接共享晶体管53的漏极532，且共享数据线31与第二主区主干电极201和第二次区主干电极202的投影至少部分重叠。

可以理解地，通过将部分共享数据线31设置在第二像素电极21的龙骨电极交错处，能够进一步利用子像素中龙骨电极的遮蔽区域，从而进一步提高面板的开口率。

本实施例中，数据线30包括第一延长数据子线301，其中，第一延长数据子线301从数据线30延伸出来以与主区薄膜晶体管51的源极511连接，第一延长数据子线301与第一主区主干电极101的投影至少部分重叠。其中，数据线30还包括第二延长数据子线302，其中，第二延长数据子线302从数据线30延伸出来以与次区薄膜晶体管52的源极521连接，第二延长数据子线302与第一次区主干电极201的投影至少部分重叠。

在其他实施方式中，数据线30还可以仅包括第一延长数据子线301或第二延长数据子线302，本申请对此不作限定。

可以理解地，通过将第一延长数据子线301与第二延长数据子线302分别设置在第一主区主干电极101的投影与第一次区主干电极201的投影处，能够进一步利用子像素中龙骨电极的遮蔽区域，从而进一步提高面板的开口率。

本实施例中，数据线30、主区薄膜晶体管51的源极511和漏极512、次区薄膜晶体管52的源极521和漏极522、共享晶体管53的源极531和漏极532和共享数据线31位于同一层中。

具体地，请结合参阅图2，图2是本申请显示面板一实施例的结构示意图。如图2所示，显示面板200包括相对设置的彩膜基板70与阵列基板100以及设置于彩膜基板70与阵列基板100之间的液晶层90。其中，阵列基板100即为图1中所述的阵列基板100。

其中，彩膜基板70包括第一衬底基板71以及依次设置在第一衬底基板71上的彩膜层72与公共电极层73。其中，第一衬底基板71可以是玻璃材料制成的硬质衬底基板，也可以是薄膜材料制成的软质衬底基板，本申请对此不作限定。

其中，阵列基板100包括第二衬底基板1001以及依次设置在第二衬底基板1001上的薄膜晶体管阵列层1002与像素电极层1003。其中，第二衬底基板1001可以是玻璃材料制成的硬质衬底基板，也可以是薄膜材料制成的软质衬底基板，本申请对此不作限定。

上述的数据线30、主区薄膜晶体管51的源极511和漏极512、次区薄膜晶体管52的源极521和漏极522、共享晶体管53的源极531和漏极532和共享数据线31均位于薄膜晶体管阵列层1002。

本实施例中，公共电极层73与像素电极层1003相对设置，且液晶层90位于公共电极层73以及像素电极层1003之间，当对公共电极层73以及像素电极层1003通电时，会在公共电极层73和像素电极层1003之间产生电场，液晶层90内的液晶分子在电场的作用下会发生偏转。

本实施例中，第一像素电极11还包括第一液晶电容以及第一存储电容，第二像素电极21还包括第二液晶电容以及第二存储电容，且第一液晶电容可由第一像素电极11与公共电极层73组成，第二液晶电容可由第二像素电极21与公共电极层73组成。其中，第一存储电容以及第二存储电容的一端分别电连接至主区薄膜晶体管51的漏极512以及次区薄膜晶体管52的漏极522，第一存储电容以及第二存储电容的另一端均电连接至Acom(通入阵列基板100的公共电压)。

可以理解地，上述显示面板200的阵列基板100具有多个开口率较高的子像素，能够提升显示面板200的整体开口率，从而提升产品质量。

在实际测试中，本申请的发明人发现，通过更改主区薄膜晶体管、次区薄膜晶体管、第一过孔以及第二过孔的设置位置，能够将开口率从57.36％提升至62.15％，相较现有技术提高了8.3％，同时透过率从5.5％提升至6.0％，相较现有技术提高了9.0％，表明本申请的设计方案能够有效提升显示面板的整体开口率与透过率。

区别于现有技术，本申请通过将主区薄膜晶体管的至少部分设置在主区龙骨电极交叉位置处，以及将次区薄膜晶体管的至少部分设置在次区龙骨电极交叉位置处，能够充分利用子像素中原有的不透光区域容纳部分主区薄膜晶体管与次区薄膜晶体管，从而在子像素中减少形成不透光区域，继而提高面板的开口率。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (7)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，设于衬底基板上的多个子像素，所述子像素包括主区和次区；其特征在于，主区薄膜晶体管的至少部分设于所述主区内主区龙骨电极交叉位置处；和/或，次区薄膜晶体管的至少部分设于所述次区内次区龙骨电极交叉位置处；所述主区薄膜晶体管均设置在所述主区内，所述次区薄膜晶体管均设置在所述次区内；

所述子像素包括第一像素电极，位于所述主区内，所述主区龙骨电极包括第一主区主干电极以及第二主区主干电极；其中，所述第一主区主干电极与所述第二主区主干电极相交以将所述主区分成四个畴；所述子像素包括第二像素电极，位于所述次区内，所述次区龙骨电极包括第一次区主干电极以及第二次区主干电极；其中，所述第一次区主干电极与所述第二次区主干电极相交以将所述次区分成四个畴；

所述主区薄膜晶体管连接一条对应的第一子扫描线、一条对应的数据线和所述第一像素电极；

所述次区薄膜晶体管连接一条对应的第二子扫描线、所述对应的数据线和所述第二像素电极；

所述第一主区主干电极与所述第一子扫描线的正投影重叠，所述第一次区主干电极与所述第二子扫描线的正投影重叠；

所述数据线包括第一延长数据子线，其中，所述第一延长数据子线从所述数据线延伸出来以与所述主区薄膜晶体管的源极连接，所述第一延长数据子线与第一主区主干电极的投影至少部分重叠；和/或，

所述数据线包括第二延长数据子线，其中，所述第二延长数据子线从所述数据线延伸出来以与所述次区薄膜晶体管的源极连接，所述第二延长数据子线与第一次区主干电极的投影至少部分重叠；

所述阵列基板进一步包括：共享晶体管，连接所述第二子扫描线、所述次区薄膜晶体管和一条对应的共享数据线；其中，所述共享数据线连接所述共享晶体管的漏极，且所述共享数据线与所述第一次区主干电极和第二次区主干电极的投影至少部分重叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主区薄膜晶体管的漏极通过第一过孔连接至所述第一像素电极，其中，所述第一过孔设置在所述第一主区主干电极与所述第二主区主干电极的交叉位置处。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述次区薄膜晶体管的漏极通过第二过孔连接至所述第二像素电极，其中，所述第二过孔设置在所述第一次区主干电极与所述第二次区主干电极的交叉位置处。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线、所述主区薄膜晶体管的源极和漏极、所述次区薄膜晶体管的源极和漏极、所述共享晶体管的源极和漏极和所述共享数据线位于同一层中。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述共享数据线连接所述共享晶体管的漏极，且所述共享数据线与所述第二主区主干电极和所述第二次区主干电极的投影至少部分重叠。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子扫描线和所述第二子扫描线在显示面板的显示区域之外合并成同一条扫描线，以接收相同的扫描信号。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的彩膜基板与阵列基板以及设置于所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层；

其中，所述阵列基板为如权利要求1-6任意一项所述的阵列基板。