CN114371532A - 一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关 - Google Patents
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- 239000012782 phase change material Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 title claims abstract description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 94
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 8
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 47
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017629 Sb2Te3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229960001948 caffeine Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N trimethylxanthine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N=CN2C RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/125—Bends, branchings or intersections
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/3515—All-optical modulation, gating, switching, e.g. control of a light beam by another light beam
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12133—Functions
- G02B2006/12145—Switch
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B2006/12166—Manufacturing methods
- G02B2006/12176—Etching
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
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Abstract
一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，属于全光网络应用技术领域。全光开关包括层底、信号光波导、调控光波导和相变材料薄膜。信号光波导与调控光波导交互设计，相变材料薄膜嵌入在光波导交界处。利用调控光波导与相变材料薄膜倏逝场耦合作用，控制光脉冲的能量和数量来改变相变材料薄膜的相态。硫系化合物相变材料薄膜在晶态和非晶态的光学常数存在巨大差异，可以改变信号光的光场传输行为，从而实现了全光开关。本发明利用硫系化合物相变材料的非易失性超快相变(ps‑ns量级)特性，并结合光驱动的超快性，实现全光开关的低损耗、高速度和高消光比特性，结构简单，便于集成，为未来全光网络的发展奠定了基础。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学元器件，属于全光网络应用技术领域，具体涉一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关。
背景技术
由于摩尔定律的固有限制，探索新型计算网络已经迫在眉睫。全光网络可以有效的解决电子通信系统中的诸多问题，成为国内外研究的热点。全光开关在全光网络的中扮演着重要的角色，它在光信息交换和信息处理中有着广泛的应用。传统光开关主要利用电光效应和热光效应，没有实现全光网络的需求，并且需要消耗更多的能量去调控开关的状态；此外，传统光开关的速度局限于电光效应和热光效应的速度，远远低于光速。
波导光开关器件与其它光学薄膜的集成，为解决目前光开关能耗大、速度低等问题提供了一种新颖的方法。相变材料薄膜由于其独特的性质吸引了国内外研究者的兴趣，它在光开关、光调制器和光子存储器等有着广泛的应用。相变材料薄膜相变可以被电脉冲或者光脉冲诱导，在晶体和非晶态之间转换时，它的光学性能(折射率、透过率等)也发生了巨大改变，这就为全光开关奠定了基础。此外，相变是非易失性的，不需要维持静态功耗，能够制成一种绿色器件；并且相变速度快，可以达到皮秒级别。
对于常用的通信波长(1550nm)，晶态的相变材料薄膜(例如Ge2Sb2Te5，但不局限于Ge2Sb2Te5薄膜)的折射率约为6.6308，非晶态约为3.8884。波导(例如Si，但不局限于Si)的折射率为3.48。在非晶态时，由于相变材料薄膜Ge2Sb2Te5的折射率与Si波导的折射率相差不大，对光的传输影响很小，可以忽略不计；而在晶态时，相变材料薄膜Ge2Sb2Te5的折射率与Si波导的折射率相差较大，光的传输被相变材料薄膜Ge2Sb2Te5牵引。利用光脉冲可以将相变材料薄膜Ge2Sb2Te5从非晶态转变为晶态，也可以从晶态转变为非晶态。结合以上特性提出一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关。有望实现低损耗超快的开关性能，有利于未来全光网络的发展。
发明内容
针对现有光开关的缺陷和改进需求，本发明提出一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，目的在于提高开关速度，减小损耗。为了实现上述目的，利用光脉冲诱导相变材料薄膜产生超快相变，有利于全面提升开关速度以及降低损耗。
本发明基于光与相变材料薄膜之间产生的倏逝耦合作用，当相变材料薄膜吸收的能量达到相变阈值时，相变材料薄膜可以在非晶体和晶体之间转变，从而达到开关的作用。
其中，所述的薄膜层和波导包括但不限于：Ge2Sb2Te5、GeTe、Sb2Te3此类硫系相变材料以及Si半导体材料。
进一步的，一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，其特征在于，在层底上沉积单模矩形光波导用于传输信号光，另一条弯曲光波导用于控制开关。
进一步的，测试该结构的性能，得到损耗小，消光比大的结构。
进一步的，在性能优异的结构上，两条波导交界处开一个溅射窗口，用于相变材料薄膜的沉积。
进一步的，相变材料薄膜与光波导完美耦合，相变材料薄膜通过磁控溅射技术沉积在光波导上的定义窗口上，形成混合区域。
进一步的，全光开关在使用时，通过调控光脉冲改变相变材料薄膜的相态，实现信号光的透过率调制。
作为优选，信号光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm。
作为优选，调控光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm。
作为优选，调控光波导的弯曲半径r选择为1000nm。
作为优选，相变材料薄膜(例如Ge2Sb2Te5)的厚度选择为25nm，宽度选择为500nm。
本发明还提供一全光开关的制备方法，制备上述的全光光开关结构，包括以下步骤：
步骤一：在基片上刻蚀出所需的几何结构，包括单模直条信号光波导和单模弯曲调控光波导，可以采用电子束光刻和反应离子刻蚀；
步骤二：进行通过实验，采用光栅耦合的方法，验证刻蚀波导的精确度以及损耗等；
步骤三：在性能优异的光波导处开溅射窗口，用于沉积相变材料相变材料薄膜；
步骤四：将相变材料薄膜沉积在所述的窗口处；
步骤五：进一步进行通过实验，包括信号光以及调控光，控制调控光的能量和脉冲数，验证全光开关的性能。
步骤六：在所述结构外进行封装外壳。
该器件作为全光开光器件，通过调控光控制相变材料薄膜的相态，通过信号光进行传输。
一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的结构，其特征在于，包括调控光波导、衬底、信号光波导和相变材料薄膜；其中，所有光波导厚度为h，宽度为w，
衬底上调控光波导和信号光波导，调控光波导分为直行段和弯曲段，直行段和信号光波导平行；弯曲段和信号光波导连接；信号光波导与调控光波导交界处沉积相变材料薄膜，调控光波导的弯曲段弯曲半径为r；信号光波导与调控光波导之间的间距为弯曲半径r。
进一步，信号光波导厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；
调控光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；
所述的全光开关调控光波导的弯曲半径r选择为1000nm；
全光开关波导交界处沉积硫系化合物相变材料薄膜，厚度选择为25nm，宽度选择为500nm。
所述的全光开关在使用时，通过信号光波导进行信号传输；通过调控光波导进行相变材料薄膜相态改变。
一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的制备方法，其特征在于，包括：
(1)在层底上刻蚀纳米光波导，信号光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；调控光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；调控光波导的弯曲半径r选择为1000nm；信号光波导与调控光波导之间的间距选择为弯曲半径r；
(2)波导交界处刻蚀形成溅射窗口；
(3)在溅射窗口处沉积相变材料薄膜，厚度选择为25nm，宽度选择为500nm。
所述的刻蚀为电子束光刻和反应离子刻蚀，所述沉积为直流磁控溅射或者射频磁控溅射。
本发明提出了一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，与传统光开关相比，利用相变材料的非易失性、超快相变等特性，实现的全光开关降低了能耗，提高光开关速度。对未来大规模的集成全光网络有重要的应用价值。
附图说明
图1是一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的结构示意图；
图2是一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的开关原理示意图；
图3是一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的模式分布示意图；
图4是一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的光场传播示意图；
图5是相变材料在不同状态下的开关窗口；
图6是该结构宽光谱工作示意图。
其中：1为调控光波导、2为衬底、3为输入光、4为信号光波导、5为相变材料薄膜覆盖层、6为出输出光。
具体实施方式
为了更加清晰的解释本发明的目的，原理以及技术方案，下面结合附图和实例对本发明进行进一步的说明。应当理解，本实例只适用于对本发明进行进一步的详细说明，并不用于限定本发明，不能理解为对本发明保护范围的限制。
本发明通过波导中的光与相变材料薄膜之间产生的倏逝耦合作用，控制调控光的能量与脉冲数来改变相变材料薄膜的相态，当相变材料薄膜吸收的能量达到相变阈值时，相变材料薄膜可以在非晶体和晶体之间转变，进而实现开关的功能。
如图1所述，一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的结构示意图，包括调控光波导1、层底2、信号光波导4和相变材料薄膜覆盖层5。其中，信号光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm。调控光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm。调控光波导的弯曲半径r选择为1000nm。相变材料薄膜的厚度选择为25nm，宽度选择为500nm。
实施例1
(1)将基片进行电子束曝光，通过反应离子刻蚀形成信号光Si波导和调控光Si波导(但不局限于Si光波导)，厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm，并且为了便于光的耦合，在两端刻蚀光栅结构；
(2)形成相变材料薄膜溅射窗口。利用磁控溅射镀膜仪，在溅射窗口上分别镀厚度选择为25nm，宽度选择为500nmGe2Sb2Te5薄膜(但不局限于Ge2Sb2Te5相变材料薄膜)。
(3)将制备好的基片进行验证，如图2所述，为全光开关原理图，首先，初始开光状态Ge2Sb2Te5薄膜为非晶态，此时信号光正常通过，变现为“开”。当调控光输入脉冲的阈值超过Ge2Sb2Te5薄膜从非晶态转变为晶态的阈值功率Pth1时，使得Ge2Sb2Te5薄膜从非晶态转变为晶态，此时，信号光被牵引，损耗很大，表现为“关”。当调控光输入脉冲的阈值超过Ge2Sb2Te5薄膜从晶态转变为非晶态的阈值功率Pth2时，使得Ge2Sb2Te5薄膜从晶态转变为非晶态，此时，表现为“开”，实现开关的循环。
(4)通过模拟分析，得到在交界处的模式分布，如图3所示，可以看出在晶态时，光被Ge2Sb2Te5薄膜所牵引。并且分析了该结构下的不同相态下光场传播行为，如图4所示。Ge2Sb2Te5薄膜在非晶态时，其折射率与Si波导相差不大，信号光在波导中稳定传输，透过率可以达到99.029％。Ge2Sb2Te5薄膜在晶态时，由于具有较大的折射率，导致原本在Si波导中传输的光被Ge2Sb2Te5薄膜牵引，导致较低的透过率18.685％。
(5)如图5所示，为这种全光开关的开关窗口。可以看出在晶态和非晶态Ge2Sb2Te5薄膜有着巨大的透过率对比度，实现了开光的功能。如图6所示，验证了在通信波段，该结构可以实现宽光谱的全光开关。该技术能广泛应用于光通信领域，为全光网络的发展奠定了基础。
以上所述的具体描述，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的说明，以上所述只是本发明的具体实施案例，并不限定于本发明的保护范围。凡是本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的结构，其特征在于，包括调控光波导、衬底、信号光波导和相变材料薄膜；其中，所有光波导厚度为h，宽度为w，
衬底上调控光波导和信号光波导，调控光波导分为直行段和弯曲段，直行段和信号光波导平行；弯曲段和信号光波导连接；信号光波导与调控光波导交界处沉积相变材料薄膜，调控光波导的弯曲段弯曲半径为r；信号光波导与调控光波导之间的间距为弯曲半径r。
2.如权利要求1所述的一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，其特征在于，信号光波导厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；
调控光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；
所述的全光开关调控光波导的弯曲半径r选择为1000nm；
全光开关波导交界处沉积硫系化合物相变材料薄膜，厚度选择为25nm，宽度选择为500nm。
3.如权利要求1所述的一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关，其特征在于，所述的全光开关在使用时，通过信号光波导进行信号传输；通过调控光波导进行相变材料薄膜相态改变。
4.制备如权利要求2所述的一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关的方法，其特征在于，包括：
(1)在层底上刻蚀纳米光波导，信号光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；调控光波导的厚度h选择为220nm，宽度w选择为500nm；调控光波导的弯曲半径r选择为1000nm；信号光波导与调控光波导之间的间距选择为弯曲半径r；
(2)波导交界处刻蚀形成溅射窗口；
(3)在溅射窗口处沉积相变材料薄膜，厚度选择为25nm，宽度选择为500nm。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀为电子束光刻和反应离子刻蚀，所述沉积为直流磁控溅射或者射频磁控溅射。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110934195.7A CN114371532A (zh) | 2021-08-16 | 2021-08-16 | 一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114371532A true CN114371532A (zh) | 2022-04-19 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110934195.7A Pending CN114371532A (zh) | 2021-08-16 | 2021-08-16 | 一种基于相变材料的分支波导交互调控超快全光开关 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114371532A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114721089A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-07-08 | 深圳大学 | 一种基于相变材料光开关的相控阵雷达系统 |
| US20230324608A1 (en) * | 2022-04-12 | 2023-10-12 | Eagle Technology, Llc | Optical switch having latched switch states and associated methods |
| US11982883B2 (en) | 2022-04-12 | 2024-05-14 | Eagle Technology, Llc | Optical device having phase change material and associated methods |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07281213A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光スイッチ |
| US20040234199A1 (en) * | 2001-06-05 | 2004-11-25 | Andrea Melloni | Waveguide bends and devices including waveguide bends |
| JP2006293171A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 光分岐回路 |
| JP2012128302A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Keio Gijuku | 導波路型光保護素子及び導波路型光保護装置 |
| JP2018155963A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 学校法人慶應義塾 | 光スイッチ |
| CN110187521A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-30 | 上海交通大学 | 谐振腔辅助相变可重构光信号处理芯片 |
| CN111258001A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-06-09 | 北京工业大学 | 基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关 |
| RU2788438C1 (ru) * | 2021-11-15 | 2023-01-19 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" | Оптический синапс |
-
2021
- 2021-08-16 CN CN202110934195.7A patent/CN114371532A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07281213A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光スイッチ |
| US20040234199A1 (en) * | 2001-06-05 | 2004-11-25 | Andrea Melloni | Waveguide bends and devices including waveguide bends |
| JP2006293171A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Works Ltd | 光分岐回路 |
| JP2012128302A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Keio Gijuku | 導波路型光保護素子及び導波路型光保護装置 |
| JP2018155963A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 学校法人慶應義塾 | 光スイッチ |
| CN110187521A (zh) * | 2019-05-15 | 2019-08-30 | 上海交通大学 | 谐振腔辅助相变可重构光信号处理芯片 |
| CN111258001A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-06-09 | 北京工业大学 | 基于Si-Ge2Sb2Te5混合波导的片上光子多级开关 |
| RU2788438C1 (ru) * | 2021-11-15 | 2023-01-19 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" | Оптический синапс |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| MING XU 等: "Recent Advances on Neuromorphic Devices Based on Chalcogenide Phase-Change Materials", 《ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS》, vol. 30, no. 50, pages 2003419 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230324608A1 (en) * | 2022-04-12 | 2023-10-12 | Eagle Technology, Llc | Optical switch having latched switch states and associated methods |
| US11803011B1 (en) * | 2022-04-12 | 2023-10-31 | Eagle Technology, Llc | Optical switch having latched switch states and associated methods |
| US11982883B2 (en) | 2022-04-12 | 2024-05-14 | Eagle Technology, Llc | Optical device having phase change material and associated methods |
| CN114721089A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-07-08 | 深圳大学 | 一种基于相变材料光开关的相控阵雷达系统 |
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