CN114355691A - 一种阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素，每个像素包括像素电极层和公共电极层；公共电极层包括多条间隔设置的公共电极分支；像素电极层包括多条间隔设置的像素电极分支；多条像素电极分支与多条公共电极分支交错设置并形成有多个狭缝，多个狭缝被划分为边缘狭缝和中间狭缝，所述边缘狭缝设置在所述中间狭缝与所述数据线之间；其中，边缘狭缝的宽度大于中间狭缝的宽度。通过增大边缘的像素电极分支与公共电极分支之间的间隙，减弱像素电极分支与公共电极分支之间形成的电场中的垂直电场的分量，从而增大水平电场的占比，以提高液晶分子的恢复稳定性。

Description

一种阵列基板和显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，显示面板的显示模式也在不断变化，由之前的扭曲向列（TN）模式，发展到共平面开关（IPS）模式，IPS型的液晶显示装置中，像素电极和公共电极是形成在同一基板（即薄膜晶体管阵列基板）上，液晶在与阵列基板大致平行的平面内旋转从而获得更广的视角。

目前的IPS显示模式中虽然拥有了更广的视角，但是也存在一些问题，例如，在上一帧结束后，特别在像素边缘，由于公共电极和像素电极之间形成的水平方向的电场分量较像素中间位置的弱，其竖直方向的电场分量较像素中间位置的强，液晶分子无法及时偏转到此帧需要的偏转状态从而造成影响残留，出现点状色斑（Trace Mura），影响显示效果，给客户带来不好的视觉体验。

发明内容

本申请的目的是提供一种阵列基板和显示面板，通过增大边缘狭缝的宽度，从而降低像素电极分支与公共电极分支之间形成的电场中的垂直电场的占比，以提高有利于改善Trace Mura的现象。

本申请公开了一种阵列基板，包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素，多个所述像素分别由对应的所述扫描线和所述数据线驱动，每个所述像素包括像素电极层和公共电极层；所述公共电极层包括多条间隔设置的公共电极分支；所述像素电极层包括多条间隔设置的的像素电极分支；多条所述像素电极分支与多条所述公共电极分支交错设置并形成有多个狭缝，所述多个狭缝被划分为边缘狭缝和中间狭缝，所述边缘狭缝设置在所述中间狭缝与所述数据线之间；其中，所述边缘狭缝的宽度大于所述中间狭缝的宽度。

可选的，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝，设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度，小于任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述像素电极分支的宽度。

可选的，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝，形成所述第一边缘狭缝的像素电极分支与公共电极分支中的所述公共电极分支的宽度，小于任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述公共电极分支的宽度。

可选的，设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度，与任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述像素电极分支的宽度的差值在0.25um至0.5um之间。

可选的，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝、第二边缘狭缝和第三边缘狭缝，所述第二边缘狭缝位于所述第一边缘狭缝和所述第三边缘狭缝之间，所述第一边缘狭缝设置在所述第二边缘狭缝和所述数据线之间，所述第一边缘狭缝、第二边缘狭缝和第三边缘狭缝的宽度依次递减，所述第三边缘的宽度大于所述中间狭缝的宽度。

可选的，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝，设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度，等于任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述像素电极分支的宽度。

可选的，所述中间狭缝的宽度与所述边缘狭缝的宽度的比值大于0.8且小于1。

可选的，所述公共电极层包括还包括公共电极主干，多条所述公共电极分支垂直连接于所述公共电极主干；所述像素电极分支包括分支主体以及与所述分支主体连接的分支末端，所述分支末端设置在所述分支主体靠近所述公共电极主干的一端；所述分支末端与所述公共电极主干间隔设置形成有末端狭缝；所述末端狭缝的宽度小于所述中间狭缝的宽度，所述分支末端为多边形结构。

本申请还公开了一种显示面板，包括彩膜基板以及如上任一所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。

可选的，所述彩膜基板上设有辅助电极，所述辅助电极对应所述阵列基板的公共电极分支设置，所述辅助电极的驱动电压和所述阵列基板的公共电极层的驱动电压相同。

相对于没有对像素电极分支和公共电极分支之间的狭缝进行改变的方案来说，本申请通过对像素电极分支和公共电极分支之间的狭缝进行改变，特别是对靠近所述数据线的边缘即像素区域的边缘的狭缝的宽度进行增加，边缘狭缝的宽度增加，减弱像素电极分支与公共电极分支之间形成的电场中的垂直电场的分量，从而减少电场中的垂直分量的占比，以增大水平电场的占比，使得液晶分子及时偏转到需要的偏转状态，从而提高液晶分子的恢复稳定性，改善Trace Mura的现象。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本申请的第一实施例的阵列基板局部的像素结构示意图；

图2是本申请的第二实施例的阵列基板局部的像素结构示意图；

图3是本申请示例性的边缘狭缝的放大示意图；

图4是本申请的第二实施例的边缘狭缝（1）的示意图；

图5是本申请的第二实施例的边缘狭缝（2）的示意图；

图6是本申请的第二实施例的边缘狭缝（3）的示意图；

图7是本申请的第二实施例的阵列基板的像素的狭缝示意图；

图8是本申请的第三实施例的阵列基板的像素的狭缝示意图；

图9是本申请的第四实施例的阵列基板局部的像素结构示意图；

图10是本申请的第五实施例的显示面板的示意图；

图11是本申请的第五实施例的一种显示面板的剖切图。

其中，100、阵列基板；110、数据线；120、扫描线；130、像素；140、像素电极层；141、像素电极主干；142、像素电极分支；143、分支末端；144、分支主体；150、公共电极层；151、公共电极主干；152、公共电极分支；160、狭缝；170、边缘狭缝；171、第一边缘狭缝；172、第二边缘狭缝；173、第三边缘狭缝；180、中间狭缝；190、末端狭缝；200、彩膜基板；210、辅助电极；300、显示面板。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。

图1是本申请的第一实施例的阵列基板局部的像素结构示意图，作为本申请的第一实施例，如图1所示，公开了一种阵列基板100，阵列基板100包括多条数据线110、多条扫描线120以及多个像素130，多个所述像素130分别由对应的所述扫描线120和所述数据线110驱动，每个所述像素130包括像素电极层140和公共电极层150；所述公共电极层150包括多条间隔设置的公共电极分支152以及与公共电极分支152连接的公共电极主干151；所述像素电极层140包括多条间隔设置的像素电极分支142与像素电极分支142连接的像素电极主干141；多条所述像素电极分支142与多条所述公共电极分支152交错设置并形成有多个狭缝160，每个狭缝160的两侧分别是一条像素电极分支142与多条所述公共电极分支152，所述多个狭缝160被划分为边缘狭缝170和中间狭缝180，所述边缘狭缝170设置在所述中间狭缝180与所述数据线110之间，所述边缘狭缝170与所述边缘狭缝170最接近的所述数据线110间距小于所述中间狭缝180与所述中间狭缝180最接近的所述数据线110的间距；其中，所述边缘狭缝170的宽度d大于所述中间狭缝180的宽度w，该处的中间狭缝180宽度也是本申请未改进前的边缘狭缝170的宽度。

在一个像素130内，尤其是像素130的边缘区域，由于数据线110与像素电极层140或公共电极层150处于不同层之间，且两者之间会产生电场，数据线110和像素电极层140或公共电极层150之间产生的电场导致像素边缘的公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的电场中的竖直方向的电场分量增加，从而使得像素边缘的公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的电场中的竖直方向的电场分量较像素130中间位置的强，像素边缘的公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的电场中的水平方向的电场分量占比较像素130中间位置的占比小，进而导致液晶分子无法及时偏转到画面显示时需要的偏转状态；例如，在没有数据线的影响下，假设公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的电场在水平方向和竖直方向的电场分量占比为8:2，但受到数据线的影响较大，导致公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的最终电场受到较大干扰，最终电场在水平方向和竖直方向的电场分量占比可能变为5.5:4.5；采用本申请的方案后，由于公共电极分支152和像素电极分支142之间的宽度增加，公共电极分支152和像素电极分支142之间的电场强度减少，此时公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的电场在水平方向和竖直方向的电场分量占比会少量降低，可能变为7:3，但是此时由于数据线和扫描线不变，因而受到数据线和扫描线的电场大小的影响也不变，但是因为采用本申请的方案后使得公共电极分支152和像素电极分支142之间的电场强度减少了，因而即使会受到数据线的影响，但是干扰对于公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的最终电场的影响减弱，最终电场在水平方向和竖直方向的电场分量可能变为6:4，即实际上最终电场的水平电场分量强度增强，且水平电场分量的占比也能够得到一定提升，有利于减少数据线对像素边缘的公共电极分支152和像素电极分支142之间形成的电场的干扰。

本申请提出调整像素130非单一结构改善IPS模式搭正性液晶产生的Trace Mura，并保证LCD穿透率不损失，本实施例主要通过增大像素130边缘的像素电极分支142和公共电极分支152之间形成的边缘狭缝170的宽度，最终使得像素电极分支142与公共电极分支152之间形成的电场中的垂直电场的电场分量减少，以增大水平电场的占比，使得液晶分子及时偏转到需要的偏转状态，从而提高液晶分子的恢复稳定性和响应时间，改善TraceMura的现象。

一般的，在中间狭缝180保持不变的情况下，边缘狭缝170宽度的增大可以按照实际情况进行改变，通常所述中间狭缝180的宽度与所述边缘狭缝170的宽度的比值大于0.8且小于1，即0.8＜w/d＜1，避免增大宽度太大导致液晶分子无法受电场力太小无法进行偏转，同时也避免增大宽度太小，导致改善效果差等情况的发生。

作为本申请的第二实施例，是对第一实施例的进一步的限定，也是对边缘狭缝170的宽度大于中间狭缝180的宽度的限定是如何得到的做进一步说明，如图2所示，所述边缘狭缝170可以仅包括一个狭缝160，即第一边缘狭缝171，即只要对最靠近所述数据线110的一条狭缝160进行改变，即通过增大第一边缘狭缝171的宽度来改善边缘区域的Trace Mura的现象，具体的，主要通过减少像素电极分支142或者是公共电极分支152的宽度来达到增大第一边缘狭缝171的宽度的目的，对应其他像素电极分支142或公共电极分支152以及公共电极分支152与像素130电极之间形成的狭缝160不做任何改变，十分方便。

一般的，设置在所述第一边缘狭缝171与所述数据线110之间的所述像素电极分支142的宽度，与任意相邻的两条所述中间狭缝180之间的所述像素电极分支142的宽度的差值在0.25um至0.5um之间，即保持原来的像素130电极恩子和公共电极分支152的位置不动，仅将原来的最边缘的所述像素电极分支142的宽度减少0.25um至0.5um，从而增大边缘狭缝170的宽度，在制程的时候通常将边缘狭缝170的宽度增大0.4um，在制程存在误差的情况下最后形成的像素130区域也能很好的改善Trace Mura的现象，具体的如图2中所示，原来的像素电极分支142的宽度为A，为了实现边缘狭缝170宽度大于中间狭缝180宽度，将像素电极分支142的宽度缩减为A1；也可以将形成所述第一边缘狭缝的像素电极分支与公共电极分支中的所述公共电极分支的宽度的进行减少，即将公共电极分支152的宽度由原来的B缩减为B1，一般在现有的像素130中，像素电极分支142的宽度A和公共电极分支152的宽度B相等，公共电极分支152的宽度需要缩减的值一般在0.2um至0.3um之间。

进一步的，通过减少所述第一边缘狭缝171与所述数据线110之间的所述像素电极分支142本身的宽度来增大第一边缘狭缝的同时，所述数据线与最接近的所述像素电极分支142的间距也增大，即设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支与所述数据线之间形成的间隙的宽度大于原始间隙的宽度（本申请未改进前的间隙的宽度），如此使得设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支与所述数据线之间形成的间隙的宽度与设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度比值在5.5-7.5之间，有利于减少数据线对所述第一边缘狭缝171两侧所述像素电极分支142和公共电极分支152形成的电场的影响；当然为了进一步的减少数据线对第一边缘狭缝171两侧所述像素电极分支142和公共电极分支152形成的电场的影响，可以将数据线本身宽度以进行减少，进一步的增大设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支与所述数据线之间形成的间隙的宽度。

图3是本申请示例性的边缘狭缝170的放大示意图，在本申请未改进之前，像素电极分支142与公共电极分支152的狭缝160宽度均为w，正由于像素130的边缘区域容易产生Trace Mura，故本申请进行了结构上的改变，在制程的时候可以根据下述数据进行制备像素130区域内的公共电极层150和像素电极层140，如图4所示，以边缘狭缝170为2条狭缝160进行举例说明，两条狭缝160由两条像素电极分支142和一条公共电极分支152间隔排列设置形成，可以仅针对两条像素130电极的宽度进行改变，靠近数据线110的一条像素电极分支142的宽度在原来的线宽上减少0.4um，由原来的宽度A缩减为A1，使得狭缝160的宽度由原来的w变为d1，即d1-w=0.4um；远离数据线110的一条像素电极分支142的宽度在原来的线宽上减少0.2um，由原来的宽度A缩减为A1，从而使得边缘的两条狭缝160宽度值d1和d2均大于w；当然也可以针对两条像素电极分支142和一条公共电极分支152进行改变，如图5所示，靠近数据线110的一条像素电极分支142的宽度减少0.4um，远离数据线110的一条像素电极分支142的宽度减少0.2um，公共电极分支152的宽度减少0.3um，由原来的宽度B缩减为B1，从而使得边缘的两条狭缝160宽度值d1’和d2’均大于w；通过模拟发现，垂直电场有所减弱，以增大水平电场的占比，使得液晶分子及时偏转到需要的偏转状态。

另外，对应像素130的中间区域来说，所述狭缝160的宽度值与所述像素电极分支142的宽度值的比值通常设置在1.3:1-1.4:1之间，以达到显示面板300的显示效果，本申请中，将所述狭缝160的宽度值与所述像素电极分支142的宽度值的比值调整到大于1.6:1，使中间狭缝180两侧所述公共电极分支152与相邻的所述像素电极分支142之间的间距增大，所述公共电极层150和所述像素电极层140之间所产生的电场在垂直方向上的电场分量占总电场分量的比例减小，水平方向上的电场分量占总电场分量的比例增加，以降低垂直方向上的电场对液晶偏转的影响，从而改善了在垂直电场的影响下显示面板300容易产生Trace Mura的问题，且增加了水平方向上的电场对液晶偏转的控制，提高了显示面板300的穿透率，对像素130的边缘区域以及中间区域都进行改变，从而达到减少甚至消除整个像素130区域的Trace Mura。

除了将像素电极分支142或公共电极分支152将本身的宽度进行等比例缩减变窄外，也可以将像素电极分支142或公共电极分支152的形状进行改变，如图6所示，将像素电极分支142或公共电极分支152设置为凹凸结构的形状，或者锯齿状或者鱼骨状等等，即可以一个狭缝分裂出多个子狭缝，部分子狭缝的宽度进行增加，部分子狭缝爆出宽度不变，但是相对整个像素电极分支142或公共电极分支152的电场强度也得到一定的减弱，使得像素电极分支142和公共电极分支152之间形成的电场的水平方向上的电场分量占总电场分量的比例增加，以降低垂直方向上的电场对液晶偏转的影响，从而改善了在垂直电场的影响下显示面板300容易产生Trace Mura的问题；所述像素电极分支142或公共电极分支152两侧都可以是凹凸结构的形状，也可以是锯齿状，可根据制程时的需要进行相应的选择。

当然，由于像素130的边缘区域可能受到的影响范围大，那么对应的边缘狭缝170可以是三个狭缝160或者四个狭缝160甚至更多，但由于越到像素130中间，则产生TraceMura的可能性越小，故边缘狭缝170的多个狭缝160的宽度都会往靠近像素130区域中间的方法依次递减，具体的，如图7所示，所述边缘狭缝170包括第一边缘狭缝171、第二边缘狭缝172和第三边缘狭缝173，所述第二边缘狭缝172位于所述第一边缘狭缝171和所述第三边缘狭缝173之间，所述第一边缘狭缝171设置在所述第二边缘狭缝172和所述数据线110之间，所述第一边缘狭缝171、第二边缘狭缝172和第三边缘狭缝173的宽度依次递减，所述第三边缘的宽度大于等于所述中间狭缝180的宽度，根据狭缝160的具体位置可调整改变的宽度大小，以使得显示更加均匀化；具体的，如图6中的第一边缘狭缝171的宽度d1大于第二边缘狭缝172的宽度d2，第二边缘狭缝172的宽度d1大于第三边缘狭缝173的宽度d2，第三边缘狭缝173的宽度d3大于等于中间狭缝180的宽度w，其中，三个边缘狭缝170的差值可以满足下列公式①：

d1-d2=d2-d3=0.1um~0.3um；①

三个边缘狭缝170的差值也可以满足下列公式②：

d1-d2=0.2um，且d2-d3=0.1um；②

边缘狭缝170宽度需要呈现一个递减的过程，从而表面狭缝160宽度相差太大，造成两侧的电场强度区别太大，而导致液晶偏转出现较大误差，递交的数值可以相等，也可以呈等差数列排列，或者只要递减均可，可根据具体的结构情况和模拟后的数据以选择最佳的边缘狭缝170的宽度值。

作为本申请的第三实施例，与上述第二实施例不同的是，如图8所示，设置所述第一边缘狭缝171与所述数据线110之间的所述像素电极分支142的宽度，等于所述中间狭缝180之间的所述像素电极分支142的宽度，即对像素电极分支142本身的宽度和大小不进行改变，通过改变像素130区域内的像素电极分支142和公共电极分支152的位置，即改变中间狭缝180的宽度，从而改变边缘狭缝170的宽度；具体的，在原始的狭缝160宽度都相等的情况下，通过将两边的像素电极分支142和公共电极分支152向像素130的中心进行移动，使得中间狭缝180的宽度被减少，中间狭缝180的宽度由原来的w缩减为w1，而减少的狭缝160宽度增加到最边缘的狭缝160上，从而实现了边缘狭缝170的宽度的增加，需要说明的是，中间狭缝180的宽度进行调整后，所有的中间狭缝180的宽度还是保持相等的状态，避免中间狭缝180宽度不一致导致电场不均匀，影响显示效果。

当然，除了调整中间狭缝180的两侧的公共电极分支152和像素电极分支142的位置以减少中间狭缝180的宽度来达到增大边缘狭缝170的宽度的手段，以及直接缩小像素电极分支142和公共电极分支152从而增大边缘狭缝170宽度的手段外，还可以对像素130区域两侧的数据线110或者公共线的宽度进行缩减，从而使得最边缘的公共电极可以向靠近的数据线110移动，从而增大边缘的像素电极分支142与公共电极分支152形成的边缘狭缝170的宽度。

作为做本申请的第四实施例，如图9所示，考虑到像素电极分支142的分支末端143容易受到扫描线120和数据线110影响，也会出现Trace Mura问题，本实施例在上述任一实施例的基础上进行了改进，如图8所示，所述像素电极分支142包括分支主体144以及与所述分支主体144连接的分支末端143，所述分支末端143设置在所述分支主体144靠近所述公共电极主干151的一端；所述分支末端143与所述公共电极主干151间隔设置形成有末端狭缝190；所述末端狭缝190的宽度小于所述中间狭缝180的宽度，所述分支末端143为多边形结构。

通过减少分支末端143，与所述公共电极主干151和/或公共电极分支152之间的间隙，使得分支末端143与所述公共电极主干151或像素电极分支142之间的电场强度增加，减少扫描线120和数据线110影响，使得分支末端143与所述公共电极主干151和/或公共电极分支152之间最终的电场的电场强度整体增强的同时，提高水平电场强度，并在一定程度上提高水平电场的占比，从而保证显示面板300的液晶可以得到足够的水平电场的驱动以正常显示改善Trace Mura问题。

将所述分支末端143为多边形，所述公共电极主干151与所述公共电极分支152的交界处为弧形倒角，分支末端143的各条边对应的最近的公共电极分支152的边的距离相同，避免分支末端143各处与对应的公共电极分支152的间隙相差太大而导致形成的电场均匀性不高，影响水平电场和垂直电场的分布。当然，所述分支末端143并不仅限于为多边形结构，也可以是圆弧形结构，所述公共电极主干151与所述公共电极分支152的交界处为弧形倒角，所述弧形倒角与所述公共电极主干151靠近所述分支末端143的弧形边形成圆弧形结构，公共电极主干151靠近所述像素电极分支142的一端与所述像素电极分支142的分支末端143形状相互匹配。

图10是本申请的第五实施例的显示面板的示意图，作为本申请的第五实施例，如图10所示，本申请还公开了一种显示面板300，包括液晶层、彩膜基板200以及如上任一实施例所述的阵列基板100，以及任意一个实施例和多个实施例相互结合后得到的阵列基板100，所述彩膜基板200与所述阵列基板100对盒设置，所述液晶层横向设置在所述阵列基板和彩膜基板之间。

进一步的，如图11所示，所述彩膜基板200上设有辅助电极210，所述辅助电极210对应所述阵列基板100的公共电极分支152设置，所述辅助电极210的驱动电压和所述阵列基板100的公共电极层的驱动电压相同，通过在彩膜基板200上设置与阵列基板100上的公共电极或者公共电极分支152对应的辅助电极210，使得辅助电极210与像素电极层之间生成辅助电场，辅助电场的垂直电场分量对公共电极或公共电极分支152和像素电极层之间生成的电场的垂直电场分量进行抵消或部分抵消，减少液晶层受到的整体的垂直电场分量的占比，而辅助电场的水平分量则与公共电极分支152和像素电极分支142之间生成的电场的水平电场分量在一定程度上相互叠加，增强了水平电场分量的电场强度，提高了液晶层受到的整体的水平电场分量的占比，改善了公共电极层靠近扫描线的一端因容易受到扫描线120影响出现电场紊乱而带来容易出现Trace Mura的问题，且提升了显示面板的穿透率，相对于通过降低工作电压来改善TraceMura的问题，更加方便快捷，对显示面板的显示效果更加具有保证。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围，且上述的阵列基板或显示面板应用在显示装置或显示领域的其他结构中，均应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素，多个所述像素分别由对应的所述扫描线和所述数据线驱动，每个所述像素包括像素电极层和公共电极层；

其特征在于，所述公共电极层包括多条间隔设置的公共电极分支；所述像素电极层包括多条间隔设置的的像素电极分支；

多条所述像素电极分支与多条所述公共电极分支交错设置并形成有多个狭缝，所述多个狭缝被划分为边缘狭缝和中间狭缝，所述边缘狭缝设置在所述中间狭缝与所述数据线之间；

其中，所述边缘狭缝的宽度大于所述中间狭缝的宽度。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝，设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度，小于任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述像素电极分支的宽度。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝，形成所述第一边缘狭缝的像素电极分支与公共电极分支中的所述公共电极分支的宽度，小于任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述公共电极分支的宽度。

4.如权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度，与任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述像素电极分支的宽度的差值在0.25um至0.5um之间。

5.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝、第二边缘狭缝和第三边缘狭缝，所述第二边缘狭缝位于所述第一边缘狭缝和所述第三边缘狭缝之间，所述第一边缘狭缝设置在所述第二边缘狭缝和所述数据线之间，所述第一边缘狭缝、第二边缘狭缝和第三边缘狭缝的宽度依次递减，所述第三边缘的宽度大于所述中间狭缝的宽度。

6.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述边缘狭缝包括第一边缘狭缝，设置在所述第一边缘狭缝与所述数据线之间的所述像素电极分支的宽度，等于任意相邻的两条所述中间狭缝之间的所述像素电极分支的宽度。

7.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述中间狭缝的宽度与所述边缘狭缝的宽度的比值大于0.8且小于1。

8.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述公共电极层包括还包括公共电极主干，多条所述公共电极分支垂直连接于所述公共电极主干；

所述像素电极分支包括分支主体以及与所述分支主体连接的分支末端，所述分支末端设置在所述分支主体靠近所述公共电极主干的一端；

所述分支末端与所述公共电极主干间隔设置形成有末端狭缝；所述末端狭缝的宽度小于所述中间狭缝的宽度，所述分支末端为多边形结构。

9.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板以及如权利要求1-9任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。

10.如权利要求9所述的一种显示面板，其特征在于，所述彩膜基板上设有辅助电极，所述辅助电极对应所述阵列基板的公共电极分支设置，所述辅助电极的驱动电压和所述阵列基板的公共电极层的驱动电压相同。

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