CN114342243A

CN114342243A - 电力变换装置及共模电抗器的磁饱和检测方法

Info

Publication number: CN114342243A
Application number: CN201980099786.8A
Authority: CN
Inventors: 市原昌文
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2019-09-02
Filing date: 2019-09-02
Publication date: 2022-04-12
Anticipated expiration: 2039-09-02
Also published as: CN114342243B; WO2021044496A1; JPWO2021044496A1; US20220206050A1; US11442092B2; JP6661068B1

Abstract

提供能够适当地对共模电抗器的饱和状态进行检测的电力变换装置。电力变换装置(100)具有：半导体电力变换器(1)，其将直流电力变换为向电动机(102)的交流电力；共模电抗器(2)，其追加了第1辅助绕组及第2辅助绕组(24a、24b)，该共模电抗器(2)对可能在半导体电力变换器(1)和电动机(102)之间流动的共模电流进行抑制；信号产生器(3)，其将交流电流叠加于第1辅助绕组(24a)；以及检测电路(4)，其基于叠加于第1辅助绕组(24a)的叠加电流、通过叠加电流而在第2辅助绕组(24b)产生的绕组电压，对共模电抗器(2)的饱和状态进行检测。

Description

电力变换装置及共模电抗器的磁饱和检测方法

技术领域

本发明涉及具有共模电抗器的电力变换装置及共模电抗器的磁饱和检测方法。

背景技术

在电力变换装置中有时为了应对噪声而设置共模电抗器。就用于应对噪声的共模电抗器而言，如果流动超过饱和水平的共模电流，则产生磁饱和，电感值大幅降低，噪声抑制效果减少。因此，希望具有对共模电抗器的饱和状态进行检测，对噪声抑制效果是否适当地发挥作用进行判定的技术。此外，在下述专利文献1中公开了对电流传感器的铁芯的饱和状态进行检测的技术。

专利文献1：日本特开2006-352949号公报

发明内容

在包含上述专利文献1的现有技术中，没有提出对共模电抗器的饱和状态进行测量，对噪声抑制效果减少进行判定的装置。另外，在上述专利文献1的技术中，由于通常运转时的电流测量、饱和状态的测量是利用从电流传感器的相同端子输出的输出电压值进行测量的，因此无法同时进行这两种测量。因此，谋求能够适当地对共模电抗器的饱和状态进行检测的技术。

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于，得到能够适当地对共模电抗器的饱和状态进行检测的电力变换装置。

为了解决上述课题，达到目的，本发明涉及的电力变换装置具有：电力变换器，其将直流电力变换为向负载的交流电力；以及共模电抗器，其对可能在电力变换器和负载之间流动的共模电流进行抑制。对共模电抗器追加了第1辅助绕组及第2辅助绕组。另外，电力变换装置具有：信号产生器，其将交流电流叠加于第1辅助绕组；以及检测电路，其基于叠加于第1辅助绕组的叠加电流、通过叠加电流而在第2辅助绕组产生的绕组电压对共模电抗器的饱和状态进行检测。

发明的效果

根据本发明涉及的电力变换装置，取得能够适当地对共模电抗器的饱和状态进行检测这样的效果。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的电力变换装置的结构的图。

图2是用于说明实施方式1涉及的电力变换装置的动作原理的图。

图3是用于说明实施方式1涉及的磁饱和检测方法的流程图。

图4是表示实施方式1中的实现诊断处理的功能的运算装置的一个结构例的框图。

图5是表示实施方式1中的实现诊断处理的功能的运算装置的其它结构例的框图。

图6是用于说明实施方式2涉及的电力变换装置的动作原理的图。

图7是用于说明实施方式2涉及的磁饱和检测方法的流程图。

图8是用于说明实施方式3涉及的电力变换装置的动作原理的图。

图9是用于说明实施方式3涉及的磁饱和检测方法的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图，对本发明的实施方式涉及的电力变换装置及共模电抗器的磁饱和检测方法(下面，简称为“磁饱和检测方法”)详细地进行说明。此外，本发明不受以下的实施方式限定。

实施方式1

图1是表示实施方式1涉及的电力变换装置的结构的图。图1所示的电力变换装置100具有半导体电力变换器1、共模电抗器2、信号产生器3、检测电路4。半导体电力变换器1是具有半导体开关元件的电力变换器。半导体电力变换器1将从直流电源101供给的直流电力变换为向作为负载的电动机102的交流电力而供给至电动机102。电动机102的一个例子是图示那样的三相电动机。也可以替代三相电动机而使用单相电动机或多相电动机。

半导体电力变换器1和电动机102通过3根电气配线6电连接。共模电抗器2具有共用了磁芯的扼流圈22、辅助绕组24。扼流圈22具有3个绕组，各个绕组在半导体电力变换器1与电动机102之间插入至电气配线6。此外，在图1中例示出扼流圈22被插入至电气配线6的共模电抗器2，但并不限于此。

共模电抗器2的辅助绕组24具有第1辅助绕组24a、第2辅助绕组24b。第1辅助绕组24a和第2辅助绕组24b彼此磁耦合。另外，第1辅助绕组24a及第2辅助绕组24b还与3个扼流圈22各自磁耦合。第1辅助绕组24a与信号产生器3连接，第2辅助绕组24b与检测电路4连接。信号产生器3还与检测电路4连接。

检测电路4具有带通滤波器(Band Pass Filter：BPF)41、整流部42、43、增益调整部44、比较器45。另外，增益调整部44具有放大器44a、44b。

接着，参照图1及图2对实施方式1涉及的电力变换装置100的动作进行说明。图2是用于说明实施方式1涉及的电力变换装置的动作原理的图。

在从半导体电力变换器1向电动机102供给电力的期间，在共模电抗器2中流过相同朝向的共模电流ic。共模电流ic为交流电流。共模电流ic是成为辐射噪声及传导噪声的主要原因的电流。在共模电流ic流过电气配线6的期间，信号产生器3将交流电流叠加于第1辅助绕组24a。将该交流电流称为“叠加电流”，用“ir”表示。

在叠加电流ir流过第1辅助绕组24a时，在第2辅助绕组24b产生感应电压。将该感应电压称为“绕组电压”，用“V1”表示。绕组电压V1被输入至检测电路4的BPF 41。另外，从信号产生器3输出的叠加电流信号S1被输入至检测电路4。叠加电流信号S1为与叠加电流ir相同波形的信号。此外，叠加电流信号S1并非必须是相同波形，只要是主要的频率成分相同，如果叠加电流ir的振幅变大，则叠加电流信号S1的振幅也变大，如果叠加电流ir的振幅变小，则叠加电流信号S1的振幅也变小的信号即可。

如上所述，在共模电抗器2中流动共模电流ic。因此，绕组电压V1中也出现由共模电流ic造成的成分。即，绕组电压V1中出现由叠加电流ir造成的第1成分、由共模电流ic造成的第2成分。为了对第1成分、第2成分进行区分而使第1成分具有特定频率成分。BPF 41为仅使该特定频率成分通过的滤波器。即，从BPF 41，从绕组电压V1提取叠加电流ir的频率成分而输入至整流部42。

在图2的左侧示出共模电抗器2未饱和时(下面，称为“非饱和时”)的绕组电压V1的波形。另外，在图2的右侧示出共模电抗器2饱和时(下面，称为“饱和时”)的绕组电压V1的波形。这些波形是通过BPF 41后的波形。在非饱和时，第1辅助绕组24a和第2辅助绕组24b之间(下面，称为“辅助绕组间”)的互感为某个特定值。另一方面，在饱和时，辅助绕组间的互感比某个特定值小。由此，在非饱和时，绕组电压V1的波形为与叠加电流ir的振幅值对应的波形。另一方面，在饱和时，由于互感变小，因此绕组电压V1的波形不是与叠加电流ir的振幅值对应的波形。具体地，饱和时的绕组电压V1的振幅值比非饱和时的绕组电压V1的振幅值小。

根据以上说明可以理解为，共模电抗器2是否饱和这一点能够通过观察流过叠加电流ir时的绕组电压V1的BPF 41的输出来判定。另外，通过使绕组电压V1的输出通过BPF41，即使施加由共模电流ic造成的干扰，也能够对饱和状态进行判定。由此，知晓噪声抑制效果的有无。此外，特定频率成分并非必须是一个，也可以设定多个特定频率成分。通过设定多个特定频率成分而进行判定，还能够提高对于干扰的耐量。

此外，在共模电抗器2未饱和的情况下，如果将叠加电流ir设为零，则绕组电压V1中显现出流过共模电抗器2的噪声电流成分。由此，能够进行噪声电流的测量。

在图1的检测电路4中，作为用于定量地对共模电抗器2的饱和状态进行判定，换言之，定量地对由共模电抗器2带来的噪声抑制效果进行判定的结构部，设置有作为第1整流部的整流部42、作为第2整流部的整流部43、增益调整部44、比较器45。整流部42对绕组电压V1进行整流，将该整流值即第1整流值作为绕组电压振幅Vo输出至放大器44a。整流部43对叠加电流信号S1进行整流，将该整流值即第2整流值作为叠加电流信号振幅Ii输出至放大器44b。通过放大器44a对绕组电压振幅Vo的电平(level)进行调整。通过放大器44b对叠加电流信号振幅Ii的电平进行调整。

放大器44a的输出被输入至比较器45的负端子，放大器44b的输出被输入至比较器45的正端子。比较器45将对放大器44a的输出和放大器44b的输出进行了比较的比较信号作为判定结果S2而输出。如果放大器44a的输出和放大器44b的输出相同，则判定结果S2为表示“非饱和”的信号。如果放大器44a的输出比放大器44b的输出小，则判定结果S2为表示“饱和”的信号。

此外，放大器44a、44b的各输出需要调整为如下信号电平，即，在非饱和时相同或放大器44a的输出比放大器44b的输出大，并且在饱和时放大器44a的输出比放大器44b的输出小。叠加电流信号S1的电平在信号产生器3中能够比较容易地进行调整，相对于此，绕组电压V1的调整比叠加电流信号S1困难。因此，在增益调整部44中，至少对放大器44a的输出电平进行调整即可。即，也可以是使放大器44b的输出电平固定，仅对放大器44a的输出电平进行调整的结构。

另外，优选放大器44a、44b中的电平调整是在搭载有共模电抗器2的产品处于实际使用环境下的状态时实施的。但是，并非必须在刚刚设置了产品之后或开始使用产品前实施，也可以在知晓共模电抗器2为非饱和状态的时期实施电平调整。

在上述专利文献1的方法中，由于通常动作时的电流测量、饱和状态的测量是利用从电流传感器的相同端子输出的输出电压值进行测量的，因此无法同时进行这两种测量。因此，通常动作时的电流检测动作过程中无法进行饱和状态的测量，能够进行判定的期间受到限制。相对于此，在实施方式1的方法中，在通常运转时也能够始终持续流动叠加电流。因此，根据实施方式1的方法，能够一边进行通常运转，一边对共模电抗器2的饱和状态进行诊断。

图3是用于说明实施方式1涉及的磁饱和检测方法的流程图。在步骤S101中，通过信号产生器3使交流电流叠加于第1辅助绕组24a。在步骤S102中，对通过叠加电流ir而在第2辅助绕组24b产生的绕组电压V1进行检测。在步骤S103中，作为用于磁饱和的诊断处理的数据，对辅助绕组间的互感M进行运算。具体地，辅助绕组间的互感M能够使用绕组电压振幅Vo和叠加电流信号振幅Ii，使用下面的(1)式进行运算。

M＝Vo/(k·Ii)……(1)

此外，在上述(1)式中，k为依赖于电路的系数即耦合系数，是固定值。

如上所述，在共模电抗器2饱和时，辅助绕组间的互感M比某个特定值小。因此，通过对互感M进行运算，能够定量地对共模电抗器2的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

用于磁饱和的诊断处理的数据能够使用图4或图5所示的结构的运算装置进行运算。图4是表示实施方式1中的实现诊断处理的功能的运算装置的一个结构例的框图。图5是表示实施方式1中的实现诊断处理的功能的运算装置的其它结构例的框图。

如图4所示，实施方式1中的实现诊断处理的功能的运算装置50能够设为如下结构，该运算装置50包含：处理器200，其进行运算；存储器202，其对由处理器200读取的程序进行保存；以及接口204，其进行信号的输入输出。

处理器200也可以是微处理器、微型计算机、CPU(Central Processing Unit)、或DSP(Digital Signal Processor)这样的运算单元。另外，对于存储器202，能够例示RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、闪存、EPROM(Erasable ProgrammableROM)、EEPROM(注册商标)(Electrically EPROM)这样的非易失性或易失性半导体存储器。

在存储器202中储存有实施方式1中的执行诊断处理的功能的程序。处理器200经由接口204对需要的信息进行收发。在这里所说的需要的信息包含绕组电压V1、叠加电流ir、叠加电流信号S1、绕组电压振幅Vo、叠加电流信号振幅Ii、判定结果S2等。处理器200通过使用经由接口204接收到的信息，执行在存储器202储存的程序，从而能够进行所需要的诊断处理。由处理器200得到的运算结果能够存储于存储器202。

另外，图4所示的处理器200及存储器202也可以如图5所示替换为处理电路205。处理电路205是单一电路、复合电路、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA(Field－Programmable Gate Array)、或它们的组合。输入至处理电路205的信息及从处理电路205输出的信息能够经由接口204进行收发。

如以上说明所述，实施方式1涉及的电力变换装置基于叠加于第1辅助绕组的叠加电流、通过叠加电流而在第2辅助绕组产生的绕组电压，对共模电抗器的饱和状态进行检测。由此，能够在共模电流流过共模电抗器的状态下对共模电抗器的饱和状态进行检测。由此，能够一边进行通常运转，一边对共模电抗器的饱和状态进行检测。

另外，实施方式1涉及的电力变换装置具有用于定量地对共模电抗器的饱和状态进行判定的运算装置。运算装置对辅助绕组间的互感进行运算。作为用于磁饱和的诊断处理的数据，如果使用该互感，则能够定量地对共模电抗器的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

另外，实施方式1涉及的共模电抗器的磁饱和检测方法包含：第1步骤，将交流电流叠加于第1辅助绕组；第2步骤，对通过叠加电流而在第2辅助绕组产生的绕组电压进行检测；以及第3步骤，基于叠加电流及绕组电压对共模电抗器的磁饱和进行检测。由此，能够在共模电流流过共模电抗器的状态下对共模电抗器的饱和状态进行检测。由此，能够一边进行通常运转，一边对共模电抗器的饱和状态进行检测。

此外，在上述第3步骤中，也可以包含对辅助绕组间的互感进行运算的处理。作为用于磁饱和的诊断处理的数据，如果使用辅助绕组间的互感，则能够定量地对共模电抗器的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

实施方式2

接着，对实施方式2涉及的电力变换装置及磁饱和检测方法进行说明。图6是用于说明实施方式2涉及的电力变换装置的动作原理的图。此外，实施方式2涉及的电力变换装置及共模电抗器的磁饱和检测方法能够使用图1所示的电力变换装置100来实施。

在实施方式2中，在将叠加电流ir的频率设定得比共模电流ic的频率高的基础上，使叠加电流ir流过第1辅助绕组24a。此外，这里所说的共模电流ic的频率是指由共模电流ic造成的辐射噪声的影响比较大地显现出来的频率，具体而言是几十kHz至几百kHz。在该情况下，叠加电流ir的频率能够设定为几MHz左右。此外，叠加电流ir的频率和共模电流ic的频率之间的频率差由与检测电路4的BPF 41的带宽之间的关系决定。因此，BPF 41的性能越好则越能够减小该频率差。

如果在第1辅助绕组24a始终流过叠加电流ir，则得到在辅助绕组电压中显现出饱和状态的变化的趋势曲线。在图6的下部示出趋势曲线的一个例子。绕组电压V1的振幅能够通过对图1所示的增益调整部44的增益进行调整而适当地进行调整。在图6中，绕组电压V1的振幅变小的区间为饱和期间，除此之外为非饱和期间。作为具体例，在趋势曲线的大半成为饱和状态的情况下，能够判定为在共模电抗器2流过过大的噪声电流成分或产生接地短路而流过过大的共模电流ic。

图7是用于说明实施方式2涉及的磁饱和检测方法的流程图。在步骤S101中，通过信号产生器3使交流电流叠加于第1辅助绕组24a。在步骤S102中，对通过叠加电流ir而在第2辅助绕组24b产生的绕组电压V1进行检测。在步骤S201中，作为用于磁饱和的诊断处理的数据，对饱和时比率进行运算。饱和时比率是共模电抗器2成为饱和状态时的时间与叠加电流ir流过共模电抗器2时的整体时间的比。即，饱和时比率表示饱和时间相对于叠加电流ir的施加时间的比率。饱和时比率能够通过图4所示的处理器200或图5所示的处理电路205进行运算。通过运算并使用饱和时比率，能够定量地对共模电抗器2的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

如以上说明所述，实施方式2涉及的电力变换装置具有用于定量地对共模电抗器的饱和状态进行判定的运算装置。运算装置对饱和时比率进行运算，该饱和时比率是共模电抗器成为饱和状态时的时间相对于叠加电流流过共模电抗器时的整体时间的比。作为用于磁饱和的诊断处理的数据，如果使用该饱和时比率，则能够定量地对共模电抗器的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

另外，实施方式2涉及的共模电抗器的磁饱和检测方法包含：第1步骤，将交流电流叠加于第1辅助绕组；第2步骤，对通过叠加电流而在第2辅助绕组产生的绕组电压进行检测；以及第3步骤，对饱和时比率进行运算，该饱和时比率是共模电抗器成为饱和状态时的时间相对于叠加电流流过共模电抗器时的整体时间的比。由此，能够在共模电流流过共模电抗器的状态下对共模电抗器的饱和状态进行检测。另外，如果使用饱和时比率，则能够定量地对共模电抗器的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

实施方式3

接着，对实施方式3涉及的电力变换装置及磁饱和检测方法进行说明。图8是用于说明实施方式3涉及的电力变换装置的动作原理的图。此外，实施方式3涉及的电力变换装置及共模电抗器的磁饱和检测方法能够使用图1所示的电力变换装置100来实施。

在实施方式3中，一边使叠加电流ir的振幅值变化，一边对绕组电压V1进行测量。如果使叠加电流ir的振幅值变化，则在非饱和期间，出现与叠加电流ir的振幅值的变化对应的绕组电压V1的输出。另一方面，在饱和期间，不出现与叠加电流ir的振幅值的变化对应的绕组电压V1的输出。在实施方式3中利用该现象。具体地，在实施方式3中，基于在使叠加电流的振幅值变化时共模电抗器2从非饱和状态变化为饱和状态或从饱和状态变化为非饱和状态时的叠加电流ir的振幅值，对共模电抗器2的非饱和状态的电流范围进行运算。如果使用非饱和状态的电流范围，则能够掌握相对于共模电抗器2饱和的饱和水平的磁通，在共模电抗器2产生何种程度的磁通。另外，能够掌握在何种程度的电流振幅下开始饱和的裕度。

图9是用于说明实施方式3涉及的磁饱和检测方法的流程图。在步骤S101中，通过信号产生器3使交流电流叠加于第1辅助绕组24a。在步骤S102中，对通过叠加电流ir而在第2辅助绕组24b产生的绕组电压V1进行检测。在步骤S301中，在使叠加电流ir的振幅值变化时对共模电抗器2从非饱和状态变化为饱和状态或从饱和状态变化为非饱和状态时的叠加电流ir的振幅值进行检测。在步骤S302中，基于在S301中检测出的叠加电流ir的振幅值，对共模电抗器2的非饱和状态的电流范围进行运算。步骤S301和步骤S302的处理与图3所示的磁饱和的诊断处理(步骤S103)对应。非饱和状态的电流范围能够通过图4所示的处理器200或图5所示的处理电路205进行运算。通过运算并使用非饱和状态的电流范围，能够定量地对共模电抗器2的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

如以上说明所述，实施方式3涉及的电力变换装置具有用于定量地对共模电抗器的饱和状态进行判定的运算装置。运算装置基于在使叠加电流的振幅值变化时共模电抗器从非饱和状态变化为饱和状态或从饱和状态变化为非饱和状态时的叠加电流的振幅值，对共模电抗器的非饱和状态的电流范围进行运算。作为用于磁饱和的诊断处理的数据，如果使用非饱和状态的电流范围，则能够定量地对共模电抗器的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

另外，实施方式3涉及的共模电抗器的磁饱和检测方法包含：第1步骤，将交流电流叠加于第1辅助绕组；第2步骤，对通过叠加电流而在第2辅助绕组产生的绕组电压进行检测；以及第3步骤，基于在使叠加电流的振幅值变化时共模电抗器从非饱和状态变化为饱和状态或从饱和状态变化为非饱和状态时的叠加电流的振幅值，对共模电抗器的非饱和状态的电流范围进行运算。由此，能够在共模电流流过共模电抗器的状态下对共模电抗器的饱和状态进行检测。另外，如果使用非饱和状态的电流范围，则能够定量地对共模电抗器的饱和状态及噪声抑制效果进行判定。

此外，以上实施方式所示的结构表示的是本发明的内容的一个例子，也可以与其它的公知技术进行组合，也可以在不脱离本发明的主旨的范围内，省略、变更结构的一部分。

标号的说明

1半导体电力变换器，2共模电抗器，3信号产生器，4检测电路，6电气配线，22扼流圈，24辅助绕组，24a第1辅助绕组，24b第2辅助绕组，41带通滤波器(BPF)，42、43整流部，44增益调整部，44a、44b放大器，45比较器，50运算装置，100电力变换装置，101直流电源，102电动机，200处理器，202存储器，204接口，205处理电路。

Claims

1.一种电力变换装置，其特征在于，具有：

电力变换器，其将直流电力变换为向负载的交流电力；

共模电抗器，其追加了第1辅助绕组及第2辅助绕组，该共模电抗器对可能在所述电力变换器和所述负载之间流动的共模电流进行抑制；

信号产生器，其将交流电流叠加于所述第1辅助绕组；以及

检测电路，其基于叠加于所述第1辅助绕组的叠加电流、通过所述叠加电流而在所述第2辅助绕组产生的绕组电压，对所述共模电抗器的饱和状态进行检测。

2.根据权利要求1所述的电力变换装置，其特征在于，

所述叠加电流的频率比所述共模电流的频率高。

3.根据权利要求1或2所述的电力变换装置，其特征在于，

所述检测电路在所述共模电流流过所述共模电抗器的状态下对所述共模电抗器的饱和状态进行检测。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，

所述检测电路具有：

第1整流部，其对所述绕组电压进行整流；

第2整流部，其对从所述信号产生器输出的叠加电流信号进行整流；

电平调整部，其在从所述第1整流部输出的第1整流值及从所述第2整流部输出的第2整流值中，至少对所述第1整流值的输出电平进行调整；以及

比较器，其对从所述电平调整部输出的所述第1整流值和所述第2整流值进行比较。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，

具有运算装置，该运算装置用于定量地对所述共模电抗器的饱和状态进行判定，

所述运算装置对所述第1辅助绕组和所述第2辅助绕组之间的互感进行运算。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，

所述运算装置对饱和时比率进行运算，该饱和时比率是所述共模电抗器成为饱和状态时的时间相对于所述叠加电流流过所述共模电抗器时的整体时间的比。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电力变换装置，其特征在于，

所述运算装置基于在使所述叠加电流的振幅值变化时所述共模电抗器从非饱和状态变化为饱和状态或从饱和状态变化为非饱和状态时的所述叠加电流的振幅值，对所述共模电抗器的非饱和状态的电流范围进行运算。

8.一种共模电抗器的磁饱和检测方法，其用于具有共模电抗器和信号产生器的结构的装置，对所述共模电抗器的磁饱和进行检测，该共模电抗器配置于电力变换器和负载之间，追加了第1辅助绕组及第2辅助绕组，该信号产生器产生叠加于第1辅助绕组的电流，

该共模电抗器的磁饱和检测方法的特征在于，包含：

第1步骤，将交流电流叠加于所述第1辅助绕组；

第2步骤，对通过叠加于所述第1辅助绕组的叠加电流而在所述第2辅助绕组产生的绕组电压进行检测；以及

第3步骤，基于所述叠加电流及所述绕组电压对所述共模电抗器的磁饱和进行检测。

9.根据权利要求8所述的共模电抗器的磁饱和检测方法，其特征在于，

在所述第3步骤中，包含对所述第1辅助绕组和所述第2辅助绕组之间的互感进行运算的处理。

10.根据权利要求8所述的共模电抗器的磁饱和检测方法，其特征在于，

在所述第3步骤中包含对饱和时比率进行运算的处理，该饱和时比率是所述共模电抗器成为饱和状态时的时间相对于所述叠加电流流过所述共模电抗器时的整体时间的比。

11.根据权利要求8所述的共模电抗器的磁饱和检测方法，其特征在于，

在所述第3步骤中包含如下处理，即，基于在使所述叠加电流的振幅值变化时所述共模电抗器从非饱和状态变化为饱和状态或从饱和状态变化为非饱和状态时的所述叠加电流的振幅值，对所述共模电抗器的非饱和状态的电流范围进行运算。