CN114337588B - 声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置 - Google Patents

Abstract

一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，涉及半导体技术领域，其中，声表面波谐振装置包括：压电基底；位于压电基底内的金属扩散部；位于压电基底表面的电极层，包括：第一总线、第二总线、若干第一电极条、若干第二电极条，第一总线与第二电极条之间具有第一间隔，第二总线与第一电极条之间具有第二间隔，第一电极条和第二电极条交替排布；位于电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层。从而，可使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态，以抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。

Description

声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置。

背景技术

无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括：功率放大器（PowerAmplifier，PA）、天线开关、RF滤波器、包括双工器（duplexer）在内的多工器（multiplexer）和低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）等。其中，RF滤波器包括压电声表面波（Surface Acoustic Wave，SAW）滤波器、压电体声波（Bulk Acoustic Wave，BAW）滤波器、微机电系统（Micro Electro Mechanical System，MEMS）滤波器、集成无源装置（IntegratedPassive Devices，IPD）滤波器等。

SAW谐振器的Q值较高，因此，基于SAW谐振器制作的RF滤波器（即SAW滤波器）插入损耗(insertion loss)低、带外抑制(out of band rejection)高，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流RF滤波器。其中，所述Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽，SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz~2.7GHz。

然而，现有的谐振器的插入损耗较大。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，以抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种声表面波谐振装置，包括：压电基底；位于所述压电基底内的金属扩散部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，在第一方向上，所述第一总线与所述第二电极条之间具有第一间隔，所述第二总线与所述第一电极条之间具有第二间隔，并且，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于所述电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层；与所述金属扩散部对应的扩散区域；对应于所述第一间隔的第一间隔区域；对应于所述第二间隔的第二间隔区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第一间隔区域之间的第一区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第二间隔区域之间的第二区域；所述第一电极条位于所述第一间隔区域、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中；所述第二电极条位于所述第二间隔区域、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中。

可选的，声波在所述第一区域传播的波速、以及声波在所述第二区域传播的波速均小于声波在所述扩散区域传播的波速，并且，声波在所述第一间隔区域传播的波速、以及声波在所述第二间隔区域传播的波速均大于声波在所述扩散区域传播的波速。

可选的，在所述第一方向上，所述第一区域的宽度、所述第二区域的宽度均小于所述扩散区域的宽度。

可选的，所述压电基底的材料包括铌酸锂或钽酸锂，所述金属扩散部内的扩散金属包括钛、镍和铬中至少一种的。

本发明的技术方案还提供一种滤波装置，包括：至少一个如上任一所述的声表面波谐振装置。

本发明的技术方案还提供一种射频前端装置，包括：功率放大装置和至少一个如上所述的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

本发明的技术方案还提供一种射频前端装置，包括：低噪声放大装置和至少一个如上所述的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

本发明的技术方案还提供一种射频前端装置，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如上所述的滤波装置。

本发明的技术方案还提供一种声表面波谐振装置的形成方法，包括：提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一间隔区、第一区、扩散区、第二区和第二间隔区；在所述扩散区内形成金属扩散部；形成所述金属扩散部后，在所述压电基底表面形成电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区、所述第一区、所述金属扩散部和所述第二区表面，所述第二电极条位于所述第二间隔区、所述第一区、所述金属扩散部和所述第二区表面；在所述电极层表面和暴露的压电基底表面上形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层。

可选的，所述在所述扩散区内形成金属扩散部，包括：在所述扩散区表面形成金属层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区；形成所述金属层后进行加热步骤，使所述金属层扩散进入所述扩散区，形成所述金属扩散部。

可选的，在所述扩散区表面形成金属层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区，包括：在所述压电基底表面形成金属材料层；在所述金属材料层表面形成掩膜层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区上的所述金属材料层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属材料层，直至暴露出所述压电基底表面。

可选的，采用剥离工艺在所述扩散区表面形成所述金属层。

可选的，所述加热步骤采用的温度范围为250℃~1100℃。

可选的，所述金属层的厚度范围是50纳米~150纳米。

可选的，所述金属层的材料包括钛、镍和铬中的至少一种。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

本发明的技术方案提供的声表面波谐振装置中，由于包括：位于所述压电基底内的金属扩散部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，在第一方向上，所述第一总线与所述第二电极条之间具有第一间隔，所述第二总线与所述第一电极条之间具有第二间隔，并且，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于所述电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层；与所述金属扩散部对应的扩散区域；对应于所述第一间隔的第一间隔区域；对应于所述第二间隔的第二间隔区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第一间隔区域之间的第一区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第二间隔区域之间的第二区域；所述第一电极条位于所述第一间隔区、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中；所述第二电极条位于所述第二间隔区、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中。因此，可使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态（piston mode），从而，能够抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。

附图说明

图1和图2是一种SAW谐振器的结构示意图；

图3是图1中沿方向B1-B2的剖面结构示意图及其对应的声速分布示意图；

图4是一种SAW谐振器的插入损耗示意图；

图5至图13是本发明一实施例的声表面波谐振装置的形成方法各步骤的结构示意图；

图14是本发明一实施例的声表面波谐振装置对应的声波波速分布和声波位移示意图；

图15是本发明一实施例的声表面波谐振装置的插入损耗示意图。

具体实施方式

如背景技术所述，现有的谐振器的插入损耗较大。以下结合附图进行具体说明。图1和图2是一种SAW谐振器的结构示意图，其中，图1是图2的俯视结构示意图，图2是图1中沿方向A1-A2的剖面结构示意图，图3是图1中沿方向B1-B2的剖面结构示意图及其对应的声速分布示意图。

请参考图1和图2，所述SAW谐振器包括：压电基底110；位于所述压电基底110表面的电极层120；位于所述电极层120和压电基底110表面的温度补偿层130。

需要说明的是，为了便于理解，图1中未示出所述温度补偿层130。

所述温度补偿层130与所述压电基底110具有相反的温度频移特性，可调整频率温度系数（Temperature Coefficient of Frequency，TCF），以使调整频率温度系数趋向于0ppm/℃，从而，改善了所述SAW滤波器工作频率随工作温度漂移的特性，使所述SAW滤波器具备了更高的频率温度稳定性。现有技术中，将包括温度补偿层的SAW谐振器称为温度补偿SAW谐振器，即：TCSAW谐振器（Temperature Compensated SAW谐振器）。

其中，所述电极层120包括第一总线（Busbar）121、与所述第一总线121连接的多个第一电极条122、第二总线（Busbar）123、以及与所述第二总线123连接的多个第二电极条124。

在第一方向X上，所述第一总线121与所述第二电极条124之间间隔，所述第二总线123与所述第一电极条122之间间隔，并且，所述第一电极条122和所述第二电极条124沿第二方向Y交替排布，所述第二方向Y垂直于所述第一方向X。

所述SAW谐振器还包括：对应于所述第一总线121与所述第二电极条124之间间隔的第一间隔区域T1；对应于所述第二总线123与所述第一电极条122之间间隔的第二间隔区域T2；在所述第一方向X上，位于所述第一间隔区域T1和所述第二间隔区域T2之间的叉指重合区域T3。

所述第一电极条122位于所述第一间隔区域T1和所述叉指重合区域T3中，所述第二电极条124位于所述第二间隔区域T2和所述叉指重合区域T3中。然而，请参考图3，声波在所述第一间隔区域T1传播的波速与声波在所述第二间隔区域T2传播的波速相近，且均大于声波在所述叉指重合区域T3传播的波速。其中，所述叉指重合区域T3中存在高阶横向声波能量，出现横向寄生谐振（spurious resonance），参见图4所示的插入损耗曲线S21，横向寄生谐振会在谐振器的谐振与反谐振之间产生寄生谐振曲线，导致增大谐振器的插入损耗。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置和射频前端装置，由于包括：位于所述压电基底内的金属扩散部；位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，在第一方向上，所述第一总线与所述第二电极条之间具有第一间隔，所述第二总线与所述第一电极条之间具有第二间隔，并且，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向；位于所述电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层；与所述金属扩散部对应的扩散区域；对应于所述第一间隔的第一间隔区域；对应于所述第二间隔的第二间隔区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第一间隔区域之间的第一区域；在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第二间隔区域之间的第二区域；所述第一电极条位于所述第一间隔区、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中；所述第二电极条位于所述第二间隔区、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中。因此，可使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态，从而，能够抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。

为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图5至图13是本发明一实施例的声表面波谐振装置的形成方法各步骤的结构示意图。

请参考图5和图6，图5是图6中沿方向A的俯视结构示意图，图6是图5中沿方向A3-A4的剖面结构示意图，提供压电基底200。

所述压电基底200包括：沿第一方向X依次排布的第一间隔区I、第一区II、扩散区III、第二区IV和第二间隔区V。

所述压电基底200的材料包括钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝合金、氮化镓和氧化锌中的一种或多种的组合。

优选的，所述压电基底200的材料至少包括钽酸锂和铌酸锂中的一种。

接着，在所述扩散区III内形成金属扩散部。形成所述金属扩散部的详细步骤请参考图7至图11。

请参考图7和图8，图7是图8中沿方向A的俯视结构示意图，图8是图7中沿方向A3-A4的剖面结构示意图，在所述扩散区III表面形成金属层210，暴露出所述第一间隔区I、第一区II、第二区IV和第二间隔区V。

在本实施例中，所述金属层210的材料包括钛、镍和铬中的至少一种。

在本实施例中，所述金属层210的厚度H1的范围是50纳米~150纳米。

在本实施例中，在所述扩散区III表面形成金属层210，包括：在所述压电基底200表面形成金属材料层（未图示）；在所述金属材料层表面形成掩膜层（未图示），暴露出所述第一间隔区I、所述第一区II、所述第二区IV和所述第二间隔区V上的所述金属材料层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属材料层，直至暴露出所述压电基底200表面。

在本实施例中，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属材料层的工艺包括：干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的至少一种。

在本实施例中，所述掩膜层的材料包括：光刻胶、介质层或金属层。

在本实施例中，所述在所述金属材料层表面形成掩膜层，包括：在所述金属材料层表面形成掩膜材料层；图形化所述掩膜材料层，直至暴露出所述第一间隔区I、所述第一区II、所述第二区IV和所述第二间隔区V上的所述金属材料层表面。其中，图形化所述掩膜材料层的工艺包括曝光显影工艺和刻蚀工艺中的至少一种。

在本实施例中，形成所述金属层210后，去除残留的所述掩膜层。

在其他实施例中，也可采用剥离工艺在所扩散区表面形成金属层。

请参考图9，图9与图8的视图方向一致，形成所述金属层210后进行加热步骤，使所述金属层210扩散进入所述扩散区III，以形成金属扩散部。

在本实施例中，所述加热步骤采用的温度范围为250℃~1100℃。

需要理解的是，所述加热步骤的温度越高、时间越长，在所述扩散区III内扩散的金属越深，形成的所述金属扩散部的深度H2（如图11所示）越大。

请参考图10和图11，图10是图11中沿方向A的俯视结构示意图，图11是图10中沿方向A3-A4的剖面结构示意图，在扩散区III内形成金属扩散部220。

需要说明的是，图9是进行加热步骤过程中的结构示意图，图10和图11是完成所述加热步骤后的结构示意图。

通过所述金属扩散部220可提升声波在扩散区域V3（如图12和图13中所示）传播的波速。

需要理解的是，所述金属扩散部220的深度H2越深，对声波波速的提升效果越好。

在本实施例中，所述金属扩散部220内的扩散金属包括钛、镍和铬中至少一种的。具体而言，通过使所述金属扩散部220内包含钛、镍和铬中的至少一种，可实现对所述扩散区域V3（如图12和图13中所示）内声波波速的提升。

本实施例中，在所述第一方向X上，所述第一区II的宽度、所述第二区IV的宽度均小于所述金属扩散部的宽度W1。

具体的，在所述第一方向X上，所述金属扩散部220的宽度W1与所述扩散区III的宽度相等。

在本实施例中，形成所述金属扩散区220后，去除残留的金属层210。

请参考图12和图13，图12是图13中沿方向A的俯视结构示意图，图13是图12中沿方向A3-A4的剖面结构示意图，形成所述金属扩散部220后，在所述压电基底200表面形成电极层230。

所述电极层230包括：第一总线231、第二总线232、与所述第一总线231连接的若干第一电极条233、以及与所述第二总线232连接的若干第二电极条234。

其中，在所述第一方向X上，若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234位于所述第一总线231和所述第二总线232之间。

所述第一电极条233和所述第二电极条234在第二方向Y上交替排布，所述第二方向Y垂直于所述第一方向X。并且，所述第一电极条233位于所述第一间隔区I（如图10和图11中所示）、所述第一区II（如图10和图11中所示）、所述金属扩散部220和所述第二区IV（如图10和图11中所示）表面，所述第二电极条234位于所述第二间隔区V（如图10和图11中所示）、所述第一区II（如图10和图11中所示）、所述金属扩散部220和所述第二区IV（如图10和图11中所示）表面。

在本实施例中，所述金属扩散部220在所述压电基底200表面具有扩散部投影（图中未标识），若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234在所述压电基底200表面具有叉指投影，并且，在所述扩散区III（如图10和图11中所示）内，所述叉指投影在所述扩散部投影的范围内，以确保所述电极层230中，位于所述扩散区III表面的全部所述电极层230均在声波波速提升的区域内。

在本实施例中，所述电极层230的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍、金、钛、铜、铬、镁和钪中的1种或2种以上的合金。

请继续参考图12和图13，形成所述电极层230后，在所述电极层230表面和暴露的压电基底200表面上形成温度补偿层240，所述温度补偿层240覆盖所述电极层230。

所述温度补偿层240与所述压电基底200具有相反的温度频移特性，可调整频率温度系数（Temperature Coefficient of Frequency，TCF），以使调整频率温度系数趋向于0ppm/℃，从而，改善了包括所述声表面波谐振装置的滤波装置工作频率随工作温度漂移的特性，使所述滤波装置具备了更高的频率—温度稳定性。

形成所述温度补偿层240的工艺包括但不限于化学气相沉积工艺、物理气相沉积等沉积工艺。

在本实施例中，所述温度补偿层240的材料包括但不限于：二氧化硅、氟氧化硅或碳氧化硅。

在本实施例中，形成所述温度补偿层240后，在所述温度补偿层240表面形成调频层250。

所述调频层250的材料包括但不限于：氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氧化铝或碳化硅。

需要说明的是，为了便于理解，图12中未表示出所述温度补偿层240和所述调频层250。

相应的，本发明一实施例还提供一种可由上述方法形成的声表面波谐振装置，请继续参考图12和图13，包括：压电基底200；位于所述压电基底200内的金属扩散部220；位于所述压电基底200表面的电极层230；位于所述电极层230表面和暴露的压电基底200表面上的温度补偿层240，所述温度补偿层240覆盖所述电极层230。

所述温度补偿层240与所述压电基底200具有相反的温度频移特性，可调整频率温度系数（Temperature Coefficient of Frequency，TCF），以使调整频率温度系数趋向于0ppm/℃，从而，改善了包括所述声表面波谐振装置的滤波装置工作频率随工作温度漂移的特性，使所述滤波装置具备了更高的频率—温度稳定性。

所述电极层230包括：第一总线231、第二总线232、与所述第一总线231连接的若干第一电极条233、以及与所述第二总线232连接的若干第二电极条234。

其中，在第一方向X上，若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234在所述第一总线231和所述第二总线232之间，所述第一总线231与所述第二电极条234之间具有第一间隔（图中未标识），所述第二总线232与所述第一电极条233之间具有第二间隔（图中未标识），并且，所述第一电极条233和所述第二电极条234在第二方向Y上交替排布，所述第二方向Y垂直于所述第一方向X。

所述声表面波谐振装置还包括：与所述金属扩散部220对应的扩散区域V3；对应于所述第一间隔的第一间隔区域V1；对应于所述第二间隔的第二间隔区域V5；在所述第一方向X上位于所述扩散区域V3与所述第一间隔区域V1之间的第一区域V2；在所述第一方向X上位于所述扩散区域V3与所述第二间隔区域V5之间的第二区域V4。并且，所述第一电极条233位于所述第一间隔区域V1、所述第一区域V2、所述扩散区域V3和所述第二区域V4中；所述第二电极条234位于所述第二间隔区域V5、所述第一区域V2、所述扩散区域V3和所述第二区域V4中。

由于所述声表面波谐振装置包括位于所述压电基底200内的金属扩散部220因此，可通过所述金属扩散部220提升声波在与其对应的所述扩散区域V传播的波速，使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态（piston mode），从而，可以抑制高阶模态下的横向寄生谐振，改善或消除插入损耗问题。

具体的，通过调整声波在所述金属扩散部220对应的扩散区域V3中传播的波速，使所述声表面波谐振装置激励形成活塞模态，如图14所示，声波在所述第一区域V2传播的波速、以及声波在所述第二区域V4传播的波速均小于声波在所述扩散区域V3传播的波速，并且，声波在所述第一间隔区域V1传播的波速、以及声波在所述第二间隔区域V5传播的波速均大于声波在所述扩散区域V3传播的波速。

此外，声波在所述第一间隔区域V1传播的波速与声波在所述第二间隔区域V5传播的波速相近，声波在所述第一区域V2传播的波速与声波在所述第二区域V4传播的波速相近。

请继续参考图14，图14中的声波位移曲线290表示活塞模态下0阶声波的位移分布，声波位移曲线291表示活塞模态下1阶声波的位移分布，声波位移曲线292表示活塞模态下2阶声波的位移分布。

所述活塞模态的波速分布能够使所述扩散区域V3中的声波位移分布在0阶模态下保持不变，并在高阶模态下呈半周期整数倍的余弦曲线，因此，所述高阶模态声波位移分布的积分为0，从而，所述扩散区域V3内的高阶波无法被电极激励，抑制了高阶模态下的横向寄生谐振，去除了所述声表面波谐振装置的谐振与反谐振之间的寄生谐振曲线（参见图15）。

需要说明的是，由于所述第一电极条233位于所述第一间隔区域V1、所述第一区域V2、所述扩散区域V3和所述第二区域V4中，所述第二电极条234位于所述第二间隔区域V5、所述第一区域V2、所述扩散区域V3和所述第二区域V4中，因此，第一间隔区域V1和第二间隔区域V5之间同时具有若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234的区域（即：所述第一区域V2、所述扩散区域V3和所述第二区域V4）是所述声表面波谐振装置的主谐振区。

需要理解的是，所述金属扩散部220的深度H越深，对所述扩散区域V3中的声波波速的提升效果越好。

本实施例中，在所述第一方向X上，所述第一区域V2的宽度、所述第二区域V4的宽度均小于所述金属扩散部220的宽度W1。

在本实施例中，所述金属扩散部220在所述压电基底200表面具有扩散部投影（图中未标识），若干所述第一电极条233和若干所述第二电极条234在所述压电基底200表面具有叉指投影，并且，在所述扩散区域V3中，所述叉指投影在所述扩散部投影的范围内，以确保所述扩散区域V3中的全部电极层230均在声波波速提升的区域内。

所述压电基底200的材料包括钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝、铌镁酸铅—钛酸铅、氮化铝合金、氮化镓和氧化锌中的一种或多种的组合。

优选的，所述压电基底200的材料至少包括钽酸锂和铌酸锂中的一种。

优选的，所述金属扩散部220内的扩散金属包括钛、镍和铬中至少一种，以通过所述金属扩散部220实现对所述扩散区域V3中的声波波速的提升。

在本实施例中，所述电极层230的材料包括：钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍、金、钛、铜、铬、镁和钪中的1种或2种以上的合金。

在本实施例中，所述温度补偿层240的材料包括但不限于：二氧化硅、氟氧化硅或碳氧化硅。

在本实施例中，所述声表面波谐振装置还包括：位于所述温度补偿层240表面的调频层250。

所述调频层250的材料包括但不限于：氮化硅、氮化铝、氮氧化硅、氧化铝或碳化硅。

相应的，本发明实施例还提供一种滤波装置，包括：至少一个上述实施例其中之一提供的声表面波谐振装置。

相应的，本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括：功率放大装置和至少一个上述实施例提供的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

相应的，本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括：低噪声放大装置和至少一个上述实施例提供的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

相应的，本发明实施例还提供一种射频前端装置，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个上述实施例提供的滤波装置

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种声表面波谐振装置，其特征在于，包括：

压电基底；

位于所述压电基底内的金属扩散部，所述金属扩散部通过扩散工艺形成；

位于所述压电基底表面的电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，在第一方向上，所述第一总线与所述第二电极条之间具有第一间隔，所述第二总线与所述第一电极条之间具有第二间隔，并且，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向；

位于所述电极层表面和暴露的压电基底表面上的温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层；

与所述金属扩散部对应的扩散区域；

对应于所述第一间隔的第一间隔区域；

对应于所述第二间隔的第二间隔区域；

在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第一间隔区域之间的第一区域；

在所述第一方向上位于所述扩散区域与所述第二间隔区域之间的第二区域；

所述第一电极条位于所述第一间隔区域、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中；

所述第二电极条位于所述第二间隔区域、所述第一区域、所述扩散区域和所述第二区域中。

2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，声波在所述第一区域传播的波速、以及声波在所述第二区域传播的波速均小于声波在所述扩散区域传播的波速，并且，声波在所述第一间隔区域传播的波速、以及声波在所述第二间隔区域传播的波速均大于声波在所述扩散区域传播的波速。

3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一区域的宽度、所述第二区域的宽度均小于所述扩散区域的宽度。

4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置，其特征在于，所述压电基底的材料包括铌酸锂或钽酸锂，所述金属扩散部内的扩散金属包括钛、镍和铬中至少一种的。

5.一种滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至4中任一所述的声表面波谐振装置。

6.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置和至少一个如权利要求5所述的滤波装置，所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

7.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置和至少一个如权利要求5所述的滤波装置，所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

8.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求5所述的滤波装置。

9.一种声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供压电基底，所述压电基底包括沿第一方向依次排布的第一间隔区、第一区、扩散区、第二区和第二间隔区；

通过扩散工艺在所述扩散区内形成金属扩散部；

形成所述金属扩散部后，在所述压电基底表面形成电极层，所述电极层包括：第一总线、第二总线、与所述第一总线连接的若干第一电极条、以及与所述第二总线连接的若干第二电极条，所述第一电极条和所述第二电极条在第二方向上交替排布，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一电极条位于所述第一间隔区、所述第一区、所述金属扩散部和所述第二区表面，所述第二电极条位于所述第二间隔区、所述第一区、所述金属扩散部和所述第二区表面；

在所述电极层表面和暴露的压电基底表面上形成温度补偿层，所述温度补偿层覆盖所述电极层。

10.如权利要求9所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述在所述扩散区内形成金属扩散部，包括：在所述扩散区表面形成金属层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区；形成所述金属层后进行加热步骤，使所述金属层扩散进入所述扩散区，形成所述金属扩散部。

11.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，在所述扩散区表面形成金属层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区，包括：在所述压电基底表面形成金属材料层；在所述金属材料层表面形成掩膜层，暴露出所述第一间隔区、所述第一区、所述第二区和所述第二间隔区上的所述金属材料层表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属材料层，直至暴露出所述压电基底表面。

12.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，采用剥离工艺在所述扩散区表面形成所述金属层。

13.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述加热步骤采用的温度范围为250℃~1100℃。

14.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围是50纳米~150纳米。

15.如权利要求10所述的声表面波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料包括钛、镍和铬中的至少一种。

Images