CN114337280A - 一种boost电路和flash芯片供电系统 - Google Patents
一种boost电路和flash芯片供电系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114337280A CN114337280A CN202111602740.9A CN202111602740A CN114337280A CN 114337280 A CN114337280 A CN 114337280A CN 202111602740 A CN202111602740 A CN 202111602740A CN 114337280 A CN114337280 A CN 114337280A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- circuit
- switching device
- resistor
- voltage
- boost circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 53
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
- Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
本申请公开了一种boost电路和一种flash芯片供电系统,包括:升压电路,关断电路,第一开关器件;第一开关器件的第一端与升压电路输出端连接,第一开关器件的第二端作为输出端;关断电路的第一端与升压电路的使能端连接,关断电路的第二端与第一开关器件连接,当检测到使能端为低电平时,控制第一开关器件关断。当升压电路关断即升压电路控制单元使能端电压为低电平时,关断电路控制第一开关器件关断,使升压电路输出端的电压为零,避免影响flash芯片的上电/下电时序,保证flash芯片正常工作。
Description
技术领域
本申请涉及电子技术领域,特别是涉及一种boost电路和flash芯片供电系统。
背景技术
固态硬盘(Solid State Disk,SSD)是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘,主要应用flash芯片等介质存储数据。由于flash芯片需要的工作电压为12v,而SSD提供的电压多为3.3v电压,因此在SSD运行过程中,通常需要升压电路将3.3v电压升压为12v电压。常用的升压电路为boost升压电路,图1为本申请实施例所提供的一种boost升压电路的结构图,如图1所示,boost升压电路将3.3V输入电压抬升到12V输出以使flash芯片能够正常工作。但当boost电路关断时,电源V1与电感L1、续流二极管D1形成通路,继续向输出端输出3.3v电压,这会影响flash芯片的上电/下电时序,从而影响flash芯片的正常工作。
由此可见,如何提出一种新的boost电路使电路关断后输出端电压为零,是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
本申请的目的是提供一种boost电路和flash芯片供电系统,以使电路关断后boost电路输出端电压为零。
为解决上述技术问题,本申请提供了一种boost电路,该电路包括:
升压电路1,关断电路2,第一开关器件Q1;
所述第一开关器件Q1的第一端与升压电路1输出端连接,所述第一开关器件Q1的第二端作为输出端;
所述关断电路2的第一端与所述升压电路1的使能端连接,所述关断电路2的第二端与所述第一开关器件Q1连接,当检测到所述使能端为低电平时,控制所述第一开关器件Q1关断。
优选的,所述关断电路2包括:第一电阻R1,第二电阻R2,第二开关器件Q2;
所述第一电阻R1的第一端与所述使能端连接,所述第一电阻R1的第二端与所述第二开关器件Q2的控制端连接;
所述第二电阻R2的第一端与所述升压电路1输出端和所述第一开关器件Q1的第一端均连接,所述第二电阻R2的第二端与所述第一开关器件Q1的控制端和所述第二开关器件Q2的第一端均连接;
所述第二开关器件Q2的第二端接地。
优选的,所述的boost电路还包括降压电路3,用于降低所述输出端的电压值,使输出端电压在使能端电压为低电平后,在阈值时间内降至零电压;
所述降压电路3包括第三开关器件Q3、第四开关器件Q4、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1;
所述第三电阻R3的第一端与所述使能端连接,所述第三电阻R3的第二端与所述第三电阻R3的控制端连接;
所述第四电阻R4的第一端与电源连接,第二端与所述第三开关器件Q3的第一端、所述第一电容C1的第一端、所述第四开关器件Q4的控制端均连接;
所述第三开关器件Q3的第二端、所述第一电容C1的第二端和所述第四开关器件Q4的第二端均接地;
所述第四开关器件Q4的第二端与所述输出端连接。
优选的,所述第二开关器件Q2、所述第三开关器件Q3均为三极管;
所述第一开关器件Q1、所述第四开关器件Q4均为MOS管。
优选的,所述第四电阻R4为可调电阻,所述第一电容C1为可调第一电容C1;
通过调节所述第四电阻R4和所述第一电容C1的值即可调整所述输出端电压降低的时间。
优选的,所述的boost电路还包括反馈回路,用于调节所述升压电路1的输出电压;
所述反馈回路包括第五电阻R5、第六电阻R6;
所述第五电阻R5的第一端与所述升压电路1输出端连接,所述第五电阻R5的第二端与所述升压电路1的控制单元U1的反馈引脚、所述第六电阻R6的第一端均连接;
所述第六电阻R6的第二端接地。
优选的,所述的boost电路还包括第二电容C2,用于防止后续电路损坏所述升压电路1;
所述第二电容C2的第一端与所述升压电路1输出端连接,所述第二电容C2的第二端接地。
优选的,所述控制单元U1为直流转换电源芯片。
优选的,所述的boost电路还包括报警电路,所述报警电路与所述输出端连接;
当检测到所述输出端电压在所述使能端电压为低电平后阈值时间内未降至零电压,发出警报。
为解决上述问题,本申请还提供一种flash芯片供电系统,包括所述boost电路。
本申请所提供的boost电路,包括:升压电路,关断电路,第一开关器件;第一开关器件的第一端与升压电路输出端连接,第一开关器件的第二端作为输出端;关断电路的第一端与升压电路的使能端连接,关断电路的第二端与第一开关器件连接,当检测到使能端为低电平时,控制第一开关器件关断。当升压电路关断即升压电路控制单元使能端电压为低电平时,关断电路控制第一开关器件关断,使升压电路输出端的电压为零,避免影响flash芯片的上电/下电时序,保证flash芯片正常工作。
此外,本申请还提供一种flash芯片供电系统,包括所述boost电路,效果同上。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例,下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种常见boost升压电路的结构图;
图2为本申请实施例所提供的一种boost电路的结构图;
附图标记如下:1为升压电路,2为关断电路,3为降压电路。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护范围。
本申请的核心是提供一种boost电路和flash芯片供电系统。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。
图2为本申请实施例所提供的一种boost电路的结构图,如图2所示,本申请所提供的boost电路,包括:
升压电路1,关断电路2,第一开关器件Q1;
第一开关器件Q1的第一端与升压电路1输出端连接,第一开关器件Q1的第二端作为输出端;
关断电路2的第一端与升压电路1的使能端连接,关断电路2的第二端与第一开关器件Q1连接,当检测到使能端为低电平时,控制第一开关器件Q1关断。
在具体实施中,第一开关器件Q1可以为开关管,例如:MOS管,三极管,也可以为受单片机控制的开关模块等,在此不做限定,本实施例以MOS管作为第一开关器件Q1为例,对该申请进行说明。第一开关器件Q1的第一端与升压电路1的输出端连接,第二端作为boost电路的输出端,当第一开关器件Q1导通时,开关电路的输出的电压信号经过第一开关器件Q1流向后级电路(或flash芯片);当第二开关器件Q2关断时,切断电路,阻止升压电路1输出电压信号,防止影响后级电路中flash的上下电时序。
升压电路1通常由控制单元U1和开关器件构成,结合各种电子器件组成完整的升压电路1,在升压电路1工作过程中,通过控制单元U1控制开关器件的导通和关断,升压电路1中的电子器件还包括电感、开关管以及二极管。
本申请以如图1所示的boost升压电路为例,对本申请所提供的方案进行说明,boost升压电路是一种常见的开关直流升压电路,它通过开关管导通和关断来控制电感储存和释放能量,从而使输出电压比输入电压高。如图1所示,该boost升压电路包括控制单元U1,电感L1,二极管D1,第二电容C2和第三电容C3,第三电容C3的第一端与3.3V电源连接,第二端接地,用于过滤电流信号中的杂波;电感L1的第一端与控制单元U1的信号输入端和电源均连接,第二端与控制单元U1的脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)信号输出端连接;二极管D1的阳极与电感L1的第二端和控制单元U1的PWM信号输出端均连接,阴极与第二电容C2的第一端连接;第二电容C2的第二端接地。
在具体实施中,控制单元U1可以为用于升压的集成控制芯片,也可以为脉冲宽度调制单元和开关器件的组合。
可以理解的是,升压电路1的工作过程可分为充电和放电两个阶段,当升压电路1处于充电阶段时,开关器件导通,此时升压电路1导通,电源为电感L1充电,随着电感L1不断充电,电感上的电流线性增加。在这个过程中,二极管D1截止,第二电容C2为负载提供能量,以维持负载工作。当升压电路1处于放电阶段时,开关器件关断,由于电感的电流不能瞬时变化,而是会缓慢放电。由于原充电回路已经断开,电感只能通过二极管D1、第二电容C2回路放电,即电感为第二电容C2充电,电容两端电压升高。
可以理解的是,当电感的电压值在一个工作周期内始终大于零时,电感处于连续工作模式,当电感的电压值在一个工作周期内既存在大于零的状态也存在可能等于零的状态,则电感处于断续工作模式。需要注意的是,为使升压电路1输出端放电时能保存长时间持续电路,需要选用阻值足够大的电阻作为第二电容C2,同时,还需要选用快恢复二极管作为二极管D1。
关断电路2的第一端与升压电路1升压芯片的使能端连接,用于检测升压电路1使能端的高电平和低电平。可以理解的是,当使能端为高电平时,升压电路1充电,当使能端为低电平时,升压电路1放电。在具体实施中,如图2所示,升压电路1的控制单元U1使能端的使能信号为BOOST_EN,高电平有效。当关断电路2检测到使能信号为高电平时,控制第一开关器件Q1导通,使升压电路1能够为后级电路或电子器件(例如flash芯片)供电;当关断电路2检测到使能信号为低电平时,控制第一开关器件Q1关断,阻值升压电路1为后级电路或电子器件供电。
可以理解的是,本申请实施例中采用的MOS管可以为NMOS管或PMOS管,使用者可以根据实际情况选用合适的MOS管。此外,本申请实施例提供的3.3V电源可以为单独的外接电源信号,也可以为集成在电源芯片上的电源信号。
在具体实施中,关断电路2可以包括:第一电阻R1,第二电阻R2,第二开关器件Q2的电路,第一电阻R1的第一端与使能端连接,第一电阻R1的第二端与第二开关器件Q2的控制端连接;第二电阻R2的第一端与升压电路1输出端和第一开关器件Q1的第一端均连接,第二电阻R2的第二端与第一开关器件Q1的控制端和第二开关器件Q2的第一端均连接;第二开关器件Q2的第二端接地。当升压电路1使能端为高电平时,第二开关器件Q2导通,使第一开关器件Q1导通;当升压电路1使能端为低电平时,第二开关器件Q2关断,使第一开关器件Q1关断,阻止升压电路1输出电压信号。
为保证后级电路输入端的电压在升压电路1关断时降至零,除控制升压电路1使其无法向后级电路输出电压外,还需要将后级电路输入端的已存在电压降低至0V,因此,还需要在电路中设置降压电路3,在升压电路1关断时,快速将后级电路输入端的电压拉低至0V。
为了防止降压电路3和升压电路1的第一开关器件Q1同时导通,导致短路,需要延后降压电路3的导通时刻,导通时刻延后的时间由降压电路3中第四电阻R4的阻值和第一电容C1的容值决定,为了提高boost电路的应用范围,在具体实施中,可以选用阻值可变的器件作为第四电阻R4和选用容值可变的器件作为第一电容C1,以通过改变第四电阻R4的阻值和第一电容C1的容值控制boost电路输出端电压降低的滞后时间,从而在保证后续电路或电子器件时序正常的基础上提高电路的工作效率。
为了提高boost电路的安全性,boost电路还包括报警电路,当检测到输出端电压在使能端电压为低电平后阈值时间内未降至零电压时,控制第一开关器件Q1关断,并向管理人员发出警报。进一步的,为了提高电路的抗干扰能力,可以为boost电路增加反馈电路,通过反馈电路调节电源芯片的输出。
可以理解的是,为了防止后级电路故障导致电源和boost电路损坏,或电源故障导致后级电路或flash芯片损坏,还需要在电路中设置第二电容C2作为保护电容,进一步的,为了保护电源,还可以在电源输出端设置第三电容作为保护电容,第三电容的第一端与电源输出端连接,第二端接地。
在本实施例中提供了一种boost电路,包括:升压电路,关断电路,第一开关器件;第一开关器件的第一端与升压电路输出端连接,第一开关器件的第二端作为输出端;关断电路的第一端与升压电路的使能端连接,关断电路的第二端与第一开关器件连接,当检测到使能端为低电平时,控制第一开关器件关断。当升压电路关断即升压电路控制单元使能端电压为低电平时,关断电路控制第一开关器件关断,使升压电路输出端的电压为零,避免影响flash芯片的上电/下电时序,保证flash芯片正常工作。
在具体实施中,关断电路可以为具有微控制芯片的模块,当检测到使能端为低电平时,控制第一开关器件Q1关断,也可以为具有开关管的电路,前一种方案更加智能且便于控制,但成本较高。
在上述实施例的基础上,boost电路中的关断电路2包括:第一电阻R1,第二电阻R2,第二开关器件Q2;
第一电阻R1的第一端与使能端连接,第一电阻R1的第二端与第二开关器件Q2的控制端连接;
第二电阻R2的第一端与升压电路1输出端和第一开关器件Q1的第一端均连接,第二电阻R2的第二端与第一开关器件Q1的控制端和第二开关器件Q2的第一端均连接;
第二开关器件Q2的第二端接地。
需要注意的是,第二开关器件Q2为开关管,例如:MOS管,三极管,本申请实施例以Q2为三级管、Q1为MOS管为例对方案进行说明。在具体实施中,第二开关器件Q2的集电极与第一开关器件Q1的栅极连接,并在第一开关器件Q1的栅极和源极间串联第二电阻R2,以为第一开关器件Q1提供偏置电压。当升压电路1使能端为高电平时,第二开关器件Q2导通,使第一开关器件Q1的栅极电压为0V,从而使第一开关器件Q1导通,使升压电路1为后级电路供电;当升压电路1使能端为低电平时,第二开关器件Q2关断,使第一开关器件Q1关断,从而阻止升压电路1为后级电路供电。
在本实施例中,通过选用第二开关器件,实现在升压电路使能端低电平时关断电路阻止升压电路为后级电路供电的目的,降低设备成本。
在具体实施中,当关断电路2切断升压电路1以阻止升压电路1向后级电路供电后,此时后级电路的输入端可能仍存在电压信号,可能会影响后级电路或flash芯片等电子元件的时序,为了解决这一问题,除控制升压电路1使其无法向后级电路输出电压外,还需要将后级电路输入端的已存在电压降低至0V,
在上述实施例的基础上,boost电路还包括降压电路3,用于降低输出端的电压值,使输出端电压在使能端电压为低电平后,在阈值时间内降至零电压;
降压电路3包括第三开关器件Q3、第四开关器件Q4、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1;
第三电阻R3的第一端与使能端连接,第三电阻R3的第二端与第三电阻R3的控制端连接;
第四电阻R4的第一端与电源连接,第二端与第三开关器件Q3的第一端、第一电容C1的第一端、第四开关器件Q4的控制端均连接;
第三开关器件Q3的第二端、第一电容C1的第二端和第四开关器件Q4的第二端均接地;
第四开关器件Q4的第二端与输出端连接。
可以理解的是,第三开关器件Q3和第四开关器件Q4可以为三极管或MOS管,在此不做限定。
在具体实施中,降压电路3的输入端即第三开关器件Q3的控制端与升压电路1的使能端连接。本实施例以第三开关器件Q3为三极管,第四开关器件Q4为MOS管为例,对电路进行说明。当使能端电压为高电平时,第三开关器件Q3导通,使第四开关器件Q4栅极接地,第四开关器件Q4关断,升压电路1正常为后级电路供电。当使能端电压为低电平时,第三开关器件Q3关断,第四开关器件Q4栅极与3.3V电源连接,3.3V电压通过第四电阻R4向第一电容C1充电,使第四开关器件Q4的栅极与源极间的电压缓慢上升,直至栅极和源极间电压大于第四开关器件Q4的开启电压时,第四开关器件Q4导通,将后级电路输出端电压拉低至0V。
可以理解的是,第四开关器件Q4导通时间要滞后于第一开关器件Q1的关断时间,滞后的时间长短由第四电阻R4的阻值和第一电容C1的容值决定,通过改变第四电阻R4的阻值和第一电容C1的容值即可改变滞后时间。
在本实施例中,通过在boost电路中设计降压电路,在升压电路关断后使后级电路输入端电压快速降低至0V,防止输入端电压对后级电路或flash芯片上下电时序的影响。
在具体实施中,开关管包括MOS管和三极管,其中三极管多用于电流驱动电路,而MOS管为电压控制器件,常用于电压驱动电路。MOS管具有功耗低,输出阻抗高的优点,且具有良好的温度特性和噪声特性,能够使电路更加稳定。在具体实施中,通常根据实际情况选择合适的开关管。
MOS管包括NMOS管和PMOS管,在此不做限定。
在上述实施例的基础上,第二开关器件Q2、第三开关器件Q3均为三极管;
第一开关器件Q1、第四开关器件Q4均为MOS管。
在本实施例中,选用三极管作为检测升压电路使能端信号的第二开关器件、第三开关器件,选用MOS管作为控制电路导通和关断的第一开关器件、第四开关器件,能够降低电路的功耗,使电路更加稳定可靠。
在具体实施中,为了防止第四开关器件Q4和第一开关器件Q1同时导通导致短路,第四开关器件Q4导通时间要滞后于第一开关器件Q1的关断时间,滞后的时间长短由第四电阻R4的阻值和第一电容C1的容值决定,通过改变第四电阻R4的阻值和/或第一电容C1的容值即可改变滞后时间,但频繁更换电阻和电容会造成电路设计成本和硬件成本的增加。
在上述实施例的基础上,第四电阻R4为可调电阻,第一电容C1为可调第一电容C1;
通过调节第四电阻R4和第一电容C1的值即可调整输出端电压降低的时间。
可以理解的是,第四电阻R4可以为碳膜电阻、水泥电阻、金属膜电阻、线绕电阻等,在此对电阻的种类不做限定,电阻阻值和电容的容值能够满足滞后时间的需求即可。
本实施例中,通过选用可变电阻作为第四电阻和第一电容,使其能够在通过调节电阻值和电容值满足保护电路的需求,降低了电路设计成本和硬件成本,且提高了保护电路的应用范围。
在使用电源芯片为boost电路供电时,为了提高电路的抗干扰能力,可以为boost电路增加反馈电路,通过反馈电路调节控制单元U1的输出。
在上述实施例的基础上,boost电路还包括反馈回路,用于调节升压电路1的输出电压;
反馈回路包括第五电阻R5、第六电阻R6;
第五电阻R5的第一端与升压电路1输出端连接,第五电阻R5的第二端与升压电路1的控制单元U1的反馈引脚、第六电阻R6的第一端均连接;
第六电阻R6的第二端接地。
本实施例中,通过反馈回路调节控制单元的输出电压,提高电路的抗干扰能力。
作为优选的实施例,boost电路还包括第二电容C2,用于防止后续电路损坏升压电路1;第二电容C2的第一端与升压电路1输出端连接,第二电容C2的第二端接地。
作为优选的实施例,boost电路的控制单元U1为直流转换电源芯片。
在具体实施中,电源芯片包括三端稳压芯片、低压差线性稳压芯片(Low Drop OutRegulator,LDO)、直流转换电源芯片、电源管理单元(Power Management Unit,PMU)等,在本申请中电源芯片主要用于对直流电压进行调节,实现直流供电,因此选用直流转换电源芯片。
可以理解的是,电源芯片通过脉冲宽度调制(Pulse width modulation,PWM)信号控制升压电路1的充电和放电。
在本实施例中,通过选用直流转换电源芯片为升压电路提供电源信号和控制信号,使升压电路便于调节;同时,使用集成电源芯片还能够降低电路的成本。
在具体实施中,逆变器电路中的电压信号较大,若发生事故会造成严重后果。为了提高逆变器控制电路的安全性,还需要在逆变器控制电路中增加报警电路。
为了保证逆变器控制电路的安全,在上述实施例的基础上,逆变器控制电路还包括:报警电路,报警电路与输出端连接;
当检测到输出端电压在使能端电压为低电平后阈值时间内未降至零电压,发出警报。
可以理解的是,报警电路包括指示灯和蜂鸣器。当检测到输出端电压在使能端电压为低电平后阈值时间内未降至零电压,控制指示灯闪烁和蜂鸣器发出警报,并关断电路中的开关管器件,防止设备损坏。
在本实施例中,通过在输出端报警电路,当检测到输出端电压在使能端电压为低电平后阈值时间内未降至零电压时控制关断开关管器件,提高boost电路的安全性。
最后,本申请还提供一种flash芯片供电系统,除包括上述boost电路外,还包括电源、整流电路等。
本实施例提供了一种flash芯片供电系统,包括上述boost电路,该电路包括:升压电路,关断电路,第一开关器件;第一开关器件的第一端与升压电路输出端连接,第一开关器件的第二端作为输出端;关断电路的第一端与升压电路的使能端连接,关断电路的第二端与第一开关器件连接,当检测到使能端为低电平时,控制第一开关器件关断。当升压电路关断即升压电路控制单元使能端电压为低电平时,关断电路控制第一开关器件关断,使升压电路输出端的电压为零,避免影响flash芯片的上电/下电时序,保证flash芯片正常工作。
以上对本申请所提供的一种boost电路和flash芯片供电系统进行了详细介绍。说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言,由于其与实施例公开的方法相对应,所以描述的比较简单,相关之处参见方法部分说明即可。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以对本申请进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。
还需要说明的是,在本说明书中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
Claims (10)
1.一种boost电路,其特征在于,包括:
升压电路(1),关断电路(2),第一开关器件;
所述第一开关器件的第一端与升压电路输出端连接,所述第一开关器件的第二端作为输出端;
所述关断电路(2)的第一端与所述升压电路(1)的使能端连接,所述关断电路(2)的第二端与所述第一开关器件连接,当检测到所述使能端为低电平时,控制所述第一开关器件关断。
2.根据权利要求1所述的boost电路,其特征在于,所述关断电路(2)包括:第一电阻,第二电阻,第二开关器件;
所述第一电阻的第一端与所述使能端连接,所述第一电阻的第二端与所述第二开关器件的控制端连接;
所述第二电阻的第一端与所述升压电路输出端和所述第一开关器件的第一端均连接,所述第二电阻的第二端与所述第一开关器件的控制端和所述第二开关器件的第一端均连接;
所述第二开关器件的第二端接地。
3.根据权利要求2所述的boost电路,其特征在于,还包括降压电路(3),用于降低所述输出端的电压值,使输出端电压在使能端电压为低电平后,在阈值时间内降至零电压;
所述降压电路(3)包括第三开关器件、第四开关器件、第三电阻、第四电阻、第一电容;
所述第三电阻的第一端与所述使能端连接,所述第三电阻的第二端与所述第三电阻的控制端连接;
所述第四电阻的第一端与电源连接,第二端与所述第三开关器件的第一端、所述第一电容的第一端、所述第四开关器件的控制端均连接;
所述第三开关器件的第二端、所述第一电容的第二端和所述第四开关器件的第二端均接地;
所述第四开关器件的第二端与所述输出端连接。
4.根据权利要求3所述的boost电路,其特征在于,所述第二开关器件、所述第三开关器件均为三极管;
所述第一开关器件、所述第四开关器件均为MOS管。
5.根据权利要求3所述的boost电路,其特征在于,所述第四电阻为可调电阻,所述第一电容为可调第一电容;
通过调节所述第四电阻和所述第一电容的值即可调整所述输出端电压降低的时间。
6.根据权利要求1所述的boost电路,其特征在于,还包括反馈回路,用于调节所述升压电路(1)的输出电压;
所述反馈回路包括第五电阻、第六电阻;
所述第五电阻的第一端与所述升压电路输出端连接,所述第五电阻的第二端与所述升压电路(1)的控制单元的反馈引脚、所述第六电阻的第一端均连接;
所述第六电阻的第二端接地。
7.根据权利要求1所述的boost电路,其特征在于,还包括第二电容,用于防止后续电路损坏所述升压电路(1);
所述第二电容的第一端与所述升压电路输出端连接,所述第二电容的第二端接地。
8.根据权利要求6所述的boost电路,其特征在于,所述控制单元为直流转换电源芯片。
9.根据权利要求3所述的boost电路,其特征在于,还包括报警电路,所述报警电路与所述输出端连接;
当检测到所述输出端电压在所述使能端电压为低电平后阈值时间内未降至零电压,发出警报。
10.一种flash芯片供电系统,其特征在于,包括权利要求1至9任意一项所述的boost电路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111602740.9A CN114337280B (zh) | 2021-12-24 | 2021-12-24 | 一种boost电路和flash芯片供电系统 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111602740.9A CN114337280B (zh) | 2021-12-24 | 2021-12-24 | 一种boost电路和flash芯片供电系统 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114337280A true CN114337280A (zh) | 2022-04-12 |
CN114337280B CN114337280B (zh) | 2023-08-04 |
Family
ID=81012235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111602740.9A Active CN114337280B (zh) | 2021-12-24 | 2021-12-24 | 一种boost电路和flash芯片供电系统 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114337280B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103199504A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-07-10 | 无锡中星微电子有限公司 | 一种带升压电路的电池保护电路 |
-
2021
- 2021-12-24 CN CN202111602740.9A patent/CN114337280B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103199504A (zh) * | 2013-04-18 | 2013-07-10 | 无锡中星微电子有限公司 | 一种带升压电路的电池保护电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114337280B (zh) | 2023-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8582259B2 (en) | Semiconductor device and switching regulator using the device | |
JP5174390B2 (ja) | 電源装置及びこれを備えた電子機器 | |
US7038436B2 (en) | Switching type dc-dc converter for generating a constant output voltage | |
US20100007999A1 (en) | Step-up switching regulator | |
US7816896B2 (en) | Circuits and methods for controlling a converter | |
WO2011059930A2 (en) | Power shutdown charge controller | |
WO2022012603A1 (zh) | 用于开关电源的短路保护电路、芯片及系统 | |
KR20160011604A (ko) | 스텝-다운 회로 | |
TW202211598A (zh) | 脈衝寬度調變控制晶片和電源轉換系統 | |
CN108767944B (zh) | 一种开关充电电路 | |
CN107086778B (zh) | 降压调节器的低功率待机模式 | |
CN215300494U (zh) | 一种降压型dcdc变换器及其欠压保护电路 | |
CN111555616A (zh) | 电源管理系统及方法 | |
JP2007189771A (ja) | 電源装置 | |
CN204652214U (zh) | 一种小纹波直流转换电源 | |
CN114337280B (zh) | 一种boost电路和flash芯片供电系统 | |
CN113241940B (zh) | 一种过流保护电路及开关电源芯片 | |
CN114665697A (zh) | 飞跨电容预充电路及三电平变换器 | |
CN111883085B (zh) | 一种改善液晶设备稳定工作的装置 | |
JP6629593B2 (ja) | 電源回路およびその制御回路、制御方法、ならびにそれを用いた電子機器 | |
US6037760A (en) | Method and circuit for controlling the charge of a bootstrap capacitor in a switching step-down regulator | |
CN114465309A (zh) | 快充协议芯片及其系统 | |
CN110718959B (zh) | 备用电源系统 | |
CN113381396B (zh) | 一种输入电压突变关断输出的电路及电源芯片 | |
JP5172365B2 (ja) | 電源回路およびこれを備えた電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |